詳細(xì)介紹NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。

BBSRAM是什么？BBSRAM又稱BatRAM，它是嵌入式單封裝中多個(gè)芯片和電池元件的組合。電池可以集成在封裝中，同集成在塑料DIPS中相似。還可以將該電池安裝在封裝頂層上，然后機(jī)械地添加一個(gè)類似于SOIC中使用的上蓋。按照訪問其他SRAM的方式訪問BBSRAM。當(dāng)供電電壓（VCC）低于指定電壓電平時(shí)，內(nèi)部電池將被打開以維持存儲(chǔ)器中的內(nèi)容，直到VCC返回到有效條件為止。

NV-SRAM是什么？賽普拉斯NV-SRAM是一種快速靜態(tài)RAM（SRAM），且每個(gè)存儲(chǔ)器單元中都包含非易失性單元。采用SONOS技術(shù)，可以將嵌入式非易失性單元制造成世界上最可靠的非易失性存儲(chǔ)器。SRAM能夠?qū)崿F(xiàn)無限次的讀寫周期，同時(shí)獨(dú)立的非易失性數(shù)據(jù)則被存儲(chǔ)在高度可靠的SONOS單元內(nèi)。斷電時(shí)通過使用VCAP引腳上連接的小型電容上保存的電荷，將數(shù)據(jù)從SRAM中自動(dòng)轉(zhuǎn)移到非易失性單元中（自動(dòng)存儲(chǔ)操作）。加電時(shí)數(shù)據(jù)會(huì)從非易失性存儲(chǔ)器單元重新存儲(chǔ)到SRAM內(nèi)（加電回讀操作）?！按鎯?chǔ)”和“回讀”操作也可以在軟件控制下執(zhí)行。

NV-SRAM的優(yōu)點(diǎn)

同一個(gè)多組件的解決方案相比，NV-SRAM是一個(gè)單片解決方案，它帶有一個(gè)小型的外部電容。因此與BBSRAM解決方案相比，它的優(yōu)點(diǎn)更多。

BBSRAM內(nèi)部

一個(gè)BBSRAM包括三個(gè)主要組件：標(biāo)準(zhǔn)的SRAM、電壓傳感器和開關(guān)芯片，以及鋰電池。每個(gè)BBSRAM模塊都具有一個(gè)自帶的鋰電池和控制電路（用于監(jiān)控VCC，以免發(fā)生超出容差范圍）。如果發(fā)生這種情況下鋰電池會(huì)自動(dòng)打開，并且寫保護(hù)功能會(huì)被無條件使能，以避免破壞數(shù)據(jù)?？蓤?zhí)行的寫周期次數(shù)不受限制，并且不需要支持微處理器接口的其他電路。圖1顯示的是BBSRAM的框圖。

圖1.BBSRAM框圖

NV-SRAM內(nèi)部

NV-SRAM技術(shù)就是將SRAM和EEPROM技術(shù)結(jié)合在同一個(gè)芯片上。每一個(gè)SRAM單元都包含一個(gè)非易失性EEPROM元件。在SRAM模式下，存儲(chǔ)器作為普通的靜態(tài)RAM使用，其操作速率則為SRAM速度。在非易失性模式下，SRAM數(shù)據(jù)將從EEPROM并行傳輸/回讀或并行傳輸/回讀到EEPROM內(nèi)。使用SONOS（硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅）技術(shù)生產(chǎn)EEPROM可以提供高產(chǎn)量，并且與浮柵加工技術(shù)相比，它需要的掩膜更少。SONOS技術(shù)其他主要優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在：完善的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程，帶有CMOS微邏輯的良好可積分性，并且低功耗。用戶數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)不受限制，因?yàn)閷⑦@些數(shù)據(jù)寫入到標(biāo)準(zhǔn)SRAM內(nèi)。在產(chǎn)品的使用壽命期間，可以將EEPROM的存儲(chǔ)周期次數(shù)修改為100多萬次。傳輸數(shù)據(jù)時(shí)不需要任何電池。當(dāng)將數(shù)據(jù)從SRAM傳輸?shù)紼EPROM內(nèi)所需的電源由外部電容提供時(shí)，在斷電期間，將自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。NV-SRAM還與時(shí)鐘邏輯配合使用，用于創(chuàng)建非易失性RTC組件。圖2顯示的是NV-SRAM的框圖。

圖2.NV-SRAM框圖

NV-SRAM與存儲(chǔ)器控制器的典型連接從功能角度來講，在正常工作條件下的NV-SRAM讀/寫操作與獨(dú)立SRAM完全相同。使用并行I/O結(jié)構(gòu)，用戶可以方便地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)或從地址位設(shè)置所定義的存儲(chǔ)器位置上提取數(shù)據(jù)。子序列存儲(chǔ)器周期可以位于這個(gè)位置或其他位置上，發(fā)生的順序是任意的，寫周期次數(shù)不受限制，并且不需要任何額外的支持微處理器接口的電路。

圖3.典型的NV-SRAM連接

當(dāng)VCC下降到低于閾值（VSWITCH）時(shí)，賽普拉斯的NV-SRAM會(huì)進(jìn)入自動(dòng)存儲(chǔ)模式，并且通過將DQ總線上拉到高阻抗?fàn)顟B(tài)并忽略在該器件的地址和控制線上所發(fā)生的所有轉(zhuǎn)換，禁止器件上發(fā)生的所有讀/寫操作。

技術(shù)特性曲線比較

除商業(yè)利益外，與nvBBSRAM相比，SRAM還有很多技術(shù)優(yōu)勢。具體包括：

?數(shù)據(jù)保留時(shí)間和產(chǎn)品使用壽命—數(shù)據(jù)保留時(shí)間指的是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)環(huán)境開始惡化前數(shù)據(jù)可以存儲(chǔ)多久。產(chǎn)品使用壽命指的是生產(chǎn)某個(gè)器件后該器件可以運(yùn)行多久。

?性能

?加電時(shí)器件的功能—從功能角度來講，NV-SRAM和BBSRAM對(duì)加電要求比較相同：

-NV-SRAM將EEPROM中的數(shù)據(jù)自動(dòng)傳輸?shù)絊RAM內(nèi)

-BBSRAM從鋰電源自動(dòng)切換到VCC電源

?電路板空間

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2023-07-21 15:28:06

DS1345YP-100+是一款監(jiān)測器

DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:23:14

DS1330是一款芯片

DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍

2023-07-21 15:20:44

DS1249是一款芯片

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出

2023-07-21 15:11:06

DRAM和SRAM元器件原理

元器件原理＜DRAM＞由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成數(shù)據(jù)的寫入方法＜“1” 時(shí)＞ Word線電位為 high Bit線電位為 high Word線電位為 low 元器件原理＜SRAM＞存儲(chǔ)單元

2023-07-12 17:29:08

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一文了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。

2023-07-07 09:58:03

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IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM

IP_數(shù)據(jù)表(M-1):SRAM and TCAM

2023-07-06 20:12:09

無線供電的介紹以及優(yōu)點(diǎn)

的安全性、防水性、防塵性，同時(shí)具有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，一個(gè)供電裝置能用于各種終端，有望得到極大的普及。無線供電的優(yōu)點(diǎn) 向便攜式設(shè)備充電時(shí)，以往普遍的方法，是用適配器以有線方式充電。還有用USB充電的方式。這些都是通過連接器，經(jīng)電

2023-07-05 17:36:56

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M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？ M7-0可以使用地址映射來訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF。具體來說，可以使用 STM32F7系列內(nèi)置的 FMC

2023-06-01 18:18:45

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sram內(nèi)存塊不適合mcal_bss段怎么解決？

對(duì)于我的項(xiàng)目，我使用帶有 EBTresos 的 S32K342 進(jìn)行配置和 Autosar OS。我面臨如下 sram內(nèi)存塊不適合 mcal_bss 段問題。鏈接 main.elf

2023-05-19 08:31:12

如何為具有12v電池的遙控器供電？

我想為使用小型 12 伏電池 (27A) 的車庫門遙控器供電，我怎么能用 esp8266 做到這一點(diǎn)？我實(shí)際上使用的是 USB 供電的 nodemcu。另外，我有另一個(gè)使用 2 節(jié) AAA 電池的設(shè)備，3.3v 電源軌是否適合？

2023-05-17 07:17:50

【正點(diǎn)原子STM32戰(zhàn)艦V4開發(fā)板免費(fèi)試用】使用外部 SRAM 存放顯示緩存

800*480分辨率的屏幕需要的緩存較大，放在外部的SRAM里面更為方便用cubemx配置FSMC驅(qū)動(dòng)SRAM 先打開戰(zhàn)艦V4的原理圖查看開發(fā)板上外部SRAM的接口。片選管腳連接

2023-05-08 20:01:14

如何才能使用iMXRT1176片上的SRAM和QSPI flash？

我們正在使用 iMXRT1176。我們的要求是使用片上SRAM和QSPI flash。我們在 SDK 中使用 sd_jpeg 示例并且它運(yùn)行完美。給出了兩個(gè) icf 文件： 1) 內(nèi)存

2023-05-05 06:38:08

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

能否幫忙介紹一下FreeRTOS分配SRAM和DDR的功能是什么，是如何工作的？

2023-04-28 07:00:20

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊

2023-04-27 20:25:40

國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1

EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。

2023-04-27 17:37:44

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是否可以禁用SRAM2的數(shù)據(jù)緩存并保留SRAM 0和SRAM1的數(shù)據(jù)緩存？

我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？

2023-04-23 08:01:09

IMXRT1064外部SRAM，同步和異步模式的CLK使用差異是什么？

IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異

2023-04-21 08:31:29

設(shè)置外圍模塊后MCUXPRESSO溢出SRAM怎么解決？

[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動(dòng)并設(shè)置一個(gè)新項(xiàng)目，編譯后，我沒有任何錯(cuò)誤，SRAM

2023-04-20 09:06:04

2119實(shí)時(shí)時(shí)鐘電池怎么供電？所有的電源引腳都要供電嗎？

2023-04-19 10:14:52

如何在MCUXpresso IDE上使用芯片上的所有SRAM？

內(nèi)存放入 SRAM_OC2，SRAM_ITC_cm7 的內(nèi)存使用從 150% 減少到 140% .順便說一句，在應(yīng)用程序鏈接到RAM時(shí)是否需要將SRAM_ITC_cm7設(shè)置為第一個(gè)？我已經(jīng)將具有512KB的SRAM_OC1設(shè)置為第一個(gè)，調(diào)試器無法重置并且通過DMA傳輸?shù)臄?shù)據(jù)是錯(cuò)誤的。為什么？

2023-04-14 08:01:47

M7-0如何訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF？

S32G399A M7-0軟件可以訪問SRAM區(qū)域3400000~349FFFFF，但是不能訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF，為什么？

2023-04-11 07:48:58

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？

8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級(jí)到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：?更快的隨機(jī)訪問操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)

2023-04-07 16:26:28

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針

2023-04-06 15:13:03

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科普Register file和SRAM

前兩期，我們分別對(duì)OTP和MTP，RAM和ROM進(jìn)行了比較。這一次，我們來談?wù)凪emory Compiler，以及通過它生成的Register file和SRAM。

2023-03-31 10:56:37

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為什么應(yīng)該將SRAM 0x3400000置零？

是：0x34100000~0x341FFFFF: A53(linux)使用0x34200000~0x342FFFFF：M7使用。那么，地址從0x34000000開始，長度等于0x100000字節(jié)的SRAM是干什么用的呢？為什么我應(yīng)該將 SRAM 置零？

2023-03-31 06:52:33

是否沒有必要初始化SRAM_L因?yàn)樗皇蹺CC保護(hù)？

我注意到在S32K116的啟動(dòng)文件中有一個(gè)ECC RAM initial。(startup_S32K116.S)我認(rèn)為這與 AN12522 有關(guān)。我的問題，初始化似乎只應(yīng)用了 SRAM_U。(0x2000_0000 到 0x2000_3800)是否沒有必要初始化SRAM_L因?yàn)樗皇蹺CC保護(hù)？

2023-03-31 06:05:14