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電子發燒友網>今日頭條>砷化鎵單晶的生產技術以及砷化鎵單晶的發展前景

砷化鎵單晶的生產技術以及砷化鎵單晶的發展前景

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11.6 GaN薄膜單晶的摻雜

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11.5 GaN薄膜單晶的制備_clip002

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11.4 GaN體單晶的制備

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9.3 絕緣體上的單晶硅薄膜SOI

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9.2 單晶硅薄膜材料(下)

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9.2 單晶硅薄膜材料(上)_clip002

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8.5 直拉硅單晶的缺陷

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8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質_clip002

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8.3 直拉硅單晶的輕元素雜質_clip001

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8.2 直拉硅單晶的摻雜濃度_clip002

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8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(下)

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8.1 直拉硅單晶的摻雜技術(上)

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7.6 直拉硅單晶的加工(下)

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7.6 直拉硅單晶的加工(上)

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7.5 新型直拉硅單晶生長工藝

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7.4 單晶生長的主要影響因素

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7.3 直拉硅單晶生長的基本工藝(下)

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝(中)

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7.2 直拉硅單晶生長的基本工藝(上)_clip002

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7.1 直拉硅單晶

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6.3 區熔硅單晶(下)

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為什么氮化比硅更好?

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氮化: 歷史與未來

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2023-06-15 15:50:54

為什么氮化(GaN)很重要?

氮化(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44

什么是氮化(GaN)?

氮化,由(原子序數 31)和氮(原子序數 7)結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16

氮化功率芯片如何在高頻下實現更高的效率?

氮化為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件,以及分立氮化的典型開關頻率(65kHz)相比,集成式氮化器件提升到的 200kHz。 氮化電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02

氮化功率芯片的優勢

更小:GaNFast? 功率芯片,可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節約方面,它最高能節約 40% 的能量。 更快:氮化電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41

誰發明了氮化功率芯片?

,是氮化功率芯片發展的關鍵人物。 首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中,長期擔任副總裁及更高級別的管理職位,并領導研發工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08

什么是氮化功率芯片?

eMode硅基氮化技術,創造了專有的AllGaN?工藝設計套件(PDK),以實現集成氮化 FET、氮化驅動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56

單晶硅和多晶硅的區別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現在物理性質方面,主要包括力學性質、電學性質等方面,下面具體來了解下。
2023-06-12 16:44:423979

多晶硅和單晶硅光伏板哪個好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽能電池板的類型,其主要區別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個晶體制成的硅片組成。該類型的太陽能電池板具有較高的轉換效率和穩定性,因此在太陽能發電領域中應用較為廣泛。但是,制造過程成本較高,價格較貴。
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2023-04-23 11:15:00118

SW-209-PIN

SW-209-PIN匹配 GaAs SPST 開關 DC - 3.0 GHz     MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關
2023-04-18 15:19:22

MA4AGSW2 鋁--、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關

  MA4AGSW2AlGaAs 反射式MA4AGSW2 是一種鋁--、單刀雙擲 (SPDT)、PIN 二極管開關。該開關采用增強型 AlGaAs 陽極,采用 MACOM
2023-04-18 12:00:04

MA4AGSW1 鋁--、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開關

MA4AGSW1MA4AGSW1AlGaAs 反射式MACOM 的 MA4AGSW1 是一種鋁--、單刀、單擲 (SPST)、PIN 二極管開關。該開關采用增強型 Al-GaAs 陽極,采用
2023-04-18 11:06:14

大數據技術就業和發展前景分析

大數據技術作為時下非常熱門的一項技術,其就業和發展前景非常廣闊。以下是關于大數據技術就業和發展前景的分析:   1. 需求量大: 大數據技術是應對海量數據時代的必備技術,許多公司和機構都需要
2023-04-14 17:04:2533787

單晶硅刻蝕工藝流程

FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作,這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝,如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182458

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