Everspin Technologies，Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)中，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長(zhǎng)最快的基礎(chǔ)。

什么是MRAM？MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車，工業(yè)，軍事和太空應(yīng)用，這些對(duì)于MRAM開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是重要的部分。

本篇文章主要介紹關(guān)于Everspin MRAM常見(jiàn)問(wèn)題

Everspin是否正在開(kāi)發(fā)工藝/技術(shù)解決方案以增強(qiáng)對(duì)磁場(chǎng)的抵抗力？Everspin MRAM標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的磁屏蔽在所有常規(guī)應(yīng)用中均具有出色的抗電磁干擾能力。Everspin將一直在尋找增加對(duì)外部磁場(chǎng)的抵抗力的方法，只要開(kāi)發(fā)出具有更高抵抗力的合格產(chǎn)品，就會(huì)宣布變化。產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中提供了針對(duì)任何產(chǎn)品的特定抗擾度規(guī)格。

MRAM如何受到外部磁場(chǎng)的影響？

Everspin MRAM可以承受的最大外部磁場(chǎng)而沒(méi)有影響取決于設(shè)備的工作狀態(tài)。對(duì)于最大可承受的外部磁場(chǎng)，指定了兩種不同的絕對(duì)最大磁場(chǎng)規(guī)格。Hmax_write是數(shù)據(jù)編程期間可容許的最大外部磁場(chǎng)。Hmax_read是讀操作，待機(jī)模式或無(wú)電（無(wú)寫）操作期間可承受的最大外部磁場(chǎng)。這些參數(shù)的特定值在所有Everspin MRAM器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出。

在磁碟周圍使用磁性工具

我可以在MRAM附近使用磁化工具嗎？典型的磁化工具，例如帶有磁性鉆頭的螺絲刀，可以在未通電的MRAM周圍安全使用，而不會(huì)產(chǎn)生任何負(fù)面影響，只要該工具與MRAM裝置保持至少一毫米的距離即可。應(yīng)注意避免與MRAM封裝直接接觸。與任何電子組件一樣，不建議在有源電路附近使用工具。

MRAM的磁場(chǎng)規(guī)格與硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁場(chǎng)規(guī)格相比如何？Everspin MRAM具有與硬盤驅(qū)動(dòng)器相當(dāng)?shù)慕^對(duì)最大磁場(chǎng)規(guī)格。

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