CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管是分立式碳化硅基氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 23:23:18
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化鎵HEMTQorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 22:58:56
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
晶體管并聯時，當需要非常大的電流時，可以將幾個晶體管并聯使用。因為存在VBE擴散現象，有必要在每一個晶體管的發射極上串聯一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據
2024-01-26 23:07:21
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41
667 Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏電源軌運行，為各種
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優異
2024-01-02 12:05:47
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 氮化鎵（GaN）晶體管在工作過程中產生的熱量和由此引起的溫升會導致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發有效的散熱方法。
2023-12-22 10:47:00489 
的 GaN HEMT功率氮化鎵-用于雷達 C/X 波段的 GaN HEMT功率氮化鎵-用于海洋雷達的 GaN HEMT功率氮化鎵-用于雷達 L/S 波段的 GaN
2023-12-15 17:43:45
報告內容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結構的生長
GaN HEMT 技術面臨的挑戰
2023-12-14 11:06:58178 
在最近的IEDM大會上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設備。
2023-12-14 09:23:06547 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使用較低的Rds（on）可以降低傳導損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動態損耗。當GaN與鋁基異質結構結合時形成二維電子氣體（2DEG）的能力導致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）功率器件
2023-11-06 09:39:293608 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。
2023-09-28 17:44:221864 
目前傳統硅半導體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關拓撲，效率在開關頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
如今，越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-13 16:06:07247 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設計的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
150瓦；2900 – 3500 兆赫；50V；用于 S 波段雷達系統的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專門設計的高效率氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 16:52:50
150瓦；2900 – 3500 兆赫；50V；用于 S 波段雷達系統的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV35150 是一款專門設計的高效率氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 16:50:51
320-W；4.0-GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CGHV40320D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有
2023-08-07 14:40:06
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:07:15
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有
2023-08-07 14:04:59
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:52:20
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:50:28
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:48:33
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:46:18
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:43:34
70-W；0.5-3.0GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CG2H30070F 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有輸入匹配功能，可在
2023-08-07 13:41:27
75-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60075D5 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能
2023-08-07 13:39:03
60-W；直流至 2700 MHz；50V；適用于 LTE 和脈沖雷達應用的 GaN HEMT Wolfspeed 的 CGHV27060MP 是一款 60W 氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 11:34:30
波段性能進行優化的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7 至 3.1 GHz 和 3.1 至 3.8 GHz
2023-08-07 11:31:57
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:22:14
40-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGHV60040D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-07 11:19:46
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:15:10
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:08:31
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:57:26
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:50:07
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S
2023-08-07 10:45:27
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:43:16
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:38:36
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:35:51
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路
2023-08-07 10:33:50
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:31:47
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:26:30
25-W；直流 – 6.0 GHz；GaN MMIC 功率放大器 Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-07 10:23:54
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款無與倫比的產品；專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 10:21:42
240-W；1800 – 2300 MHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；無線MAX Wolfspeed 的 CGH21240F 是一款專為高效率設計的氮化鎵 (GaN
2023-08-07 09:34:30
120W 射頻功率 GaN HEMTWolfspeed 的 CGH40120 是一款無與倫比的產品；氮化鎵（GaN）；高電子遷移率晶體管（HEMT）。CGH40120；采用 28 伏電源軌運行；提供
2023-08-07 09:15:24
120-W；UHF – 2.5 GHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；MC-GSMWolfspeed 的 CGH09120F 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 09:13:02
120-W；1800 – 2300 MHz；用于 WCDMA 的 GaN HEMT；LTE；無線MAXWolfspeed 的 CGH21120F 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子
2023-08-07 09:00:48
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-03 16:54:07
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 16:51:14
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:27:54
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:22:28
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優點呢？GaN在品質因數（
2023-08-03 14:43:28225 25瓦；6.0 - 12.0 GHz；氮化鎵MMIC；功率放大器Wolfspeed 的 CMPA601C025 是一款碳化??硅襯底上基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-03 14:32:57
15-W；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-03 14:14:18
15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越
2023-08-03 14:06:49
8瓦；6.0GHz；GaN HEMT 芯片Wolfspeed 的 CGH60008D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括更高
2023-08-03 11:36:09
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片
2023-08-03 11:11:41
2-W；20 MHz – 6000 MHz；GaN MMIC 功率放大器Wolfspeed 的 CMPA0060002 是一款基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 11:07:32
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能，有助消除死區時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發布了相關技術，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應，AlGaN/GaN異質結無需進行調制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎上發展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料
2023-06-14 14:00:551652 
)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮GaN晶體管的優勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:287386 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設備。
2023-05-25 15:14:061219 
當今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術與不同的半導體材料相結合。因此，縮小哪一個最適合特定設計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但是什么使它們與眾不同呢？
2023-05-24 11:08:30665 UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨瀏覽，可以產生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業市場。
2023-04-14 15:39:35
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