電子發燒友網站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩壓器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:53:03
0 電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:24:340 電子發燒友網站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內存電源解決方案數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:13:440 電子發燒友網站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內存電源解決方案同步降壓控制器數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 10:16:450 PSoC? 6 中嵌入式閃存的正確最低耐久性是多少？
PSoC? 6 的數據表聲稱閃光燈耐久性至少為 100k 次。
TRM 聲稱續航時間為 10k 個周期。
請參閱第 6.5 節 62x7 數據表
2024-02-26 06:46:06
模擬童車路況試驗機-耐久性試驗機設備簡介： 本機依據CNS手推嬰兒車動態耐用試驗規范制作。測試方法為 ：置模型嬰兒于車臺中，將車臺固定于測試臺上，調整輸送帶 速度1.4±0.1m/sec
2024-02-01 10:22:29
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
CIQTEK精選成果簡報Appl.Catal.B：多孔石墨化炭負載FeOCl作為雙功能吸附催化劑用于含氯揮發性有機化合物的濕式過氧化物氧化：介孔的影響和機理研
2023-12-28 08:24:58
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。
2、布線要求需保持完整的地和電源平面。
3、特征阻抗控制在50～60Ω。
4、信號組與其他非DDR信號間距，至少保持在 20mil以上。
四、控制組
1、控制組包括CS、CKE。
2、布線要求需保持
2023-12-25 14:02:58
。
2、布線要求需保持完整的地和電源平面。
3、特征阻抗控制在50～60Ω。
4、信號組與其他非DDR信號間距，至少保持在 20mil以上。
四、控制組
1、控制組包括CS、CKE。
2、布線要求需保持
2023-12-25 13:58:55
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數據和程序的重要組成部分。它可以保留數據，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
電子發燒友網站提供《基于非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:350 法人方面解釋說：“標準型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業主導，因此，中臺灣企業在半導體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業表現出強勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導體企業帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405 超聲波水浴機，和易立高的99.7%的IPA溶劑。
但是水浴機會產熱，IPA 又具有揮發性和易燃性。
請問如果進行UG865中的清潔步驟，是否對實驗室條件、儀器設備、安全操作方法有要求？請指示！
2023-11-13 13:03:48
是目前使用最為廣泛的計算機內存標準，它已經服務了計算機用戶多年。但是，DDR4內存隨著技術的進步，成為了更好的內存選擇。本文將詳細介紹DDR4和DDR3內存的各種區別。 1. 工作頻率 DDR3內存的標準工作頻率為1600MHz，而DDR4內存標準則為2133MHz。這意味著DDR4內存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003888 DDR3是2007年推出的，預計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516 
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
DDR存儲器發展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲密度，從而實現更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內存技術進行詳細的比較，分析它們的技術特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內存技術，為讀者在購買和使用內存產品時提供參考依據。
2023-09-27 17:42:101088 與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
時，就需要外擴DDR SRAM二級存儲來滿足需求。
本期的主角盤古PGL50H FPGA就貼心的在核心板上，為我們配備了兩片DDR3的芯片，來完成二級存儲的需求。
兩片DDR3組成32bit的總線數據
2023-09-21 23:37:30
從而確保內存穩定，另外，DDR4內存的金手指設計也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近中央。當然，DDR4最重要的使命還是提高頻率和帶寬，總體來說，DDR4具有更高的性能，更好的穩定性和更低的功耗，那么從SI的角度出發，主要有下面幾點, 下面章節對主要的幾個不同點進行說明。
2023-09-19 14:49:441484 
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:09629 
DDR3帶寬計算之前，先弄清楚以下內存指標。
2023-09-15 14:49:462503 
采用華虹128通道同測技術
04取得嵌入式非揮發性內存解決方案廠商Cypress 90nm SONOS工藝技術License授權
05多種小型化的封裝類型等行業中，其中WLCSP封裝面積僅為665umx676um ,廣泛用于消費、工業、通訊、醫療
2023-09-15 08:22:26
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設->存儲器存儲器->外設和外設-&
2023-09-13 08:06:16
內置校準: DDR3和DDR4控制器通常具有內置的校準機制，如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準和DLL (Delay Locked Loop)。這些機制可以自動調整驅動和接收電路的特性，以優化信號完整性和時序。
2023-09-11 09:14:34420 Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:282617 本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現讀寫操作。
2023-09-01 16:23:19743 
本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:371888 
非揮發性存儲器產品線實現銷售收入約5.88億元。2023年上半年，存儲市場處于循環低點時期。本公司存儲產品應用范圍廣，以市場需求為導向，及時調整產品結構，產品線保持較好的增長勢頭。該產品線的一個方面
2023-08-29 10:49:25380 普冉股份的主要業務是設計和銷售基于非揮發性存儲芯片和存儲芯片的衍生芯片，目前主要產品是非揮發性存儲芯片nor flash和eeprom以及微控制器芯片和模擬產品。
2023-08-25 10:27:04222 隨著高速數據通信的進步，數據更頻繁地發送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數據操作。鐵電存儲器是具有物聯網新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
MCU200T的DDR3在官方給的如下圖兩份文件中都沒有詳細的介紹。
在introduction文件中只有簡略的如下圖的一句話的介紹
在schematic文件中也沒有明確表明每個接口的具體信息
2023-08-17 07:37:34
在配置DDR200T的DDR3時，一些關鍵參數的選擇在手冊中并沒有給出，以及.ucf引腳約束文件也沒有提供，請問這些信息應該從哪里得到？
2023-08-16 07:02:57
PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
本文將探討戶外儲能電池的可靠性和耐久性設計，以確保其在使用過程中具備高效、安全和長壽命的特點。
2023-08-08 13:50:06378 xilinx平臺DDR3設計教程之設計篇_中文版教程3
2023-08-05 18:39:58
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
CoreLink DDR2動態存儲器控制器(DMC-341)技術參考手冊
2023-08-02 15:28:28
內存設備：
?雙倍數據速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數據速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
電子發燒友網站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應用.pdf》資料免費下載
2023-07-24 09:50:470 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態隨機存儲器”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103370 
DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應的時延差異較大，必須進行pin delay時序補償。
2023-07-04 09:25:38312 
易失性存儲器的發展歷程 繼續關于存儲器的發展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數據，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 視頻圖形顯示系統理想的架構選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數據，FPGA內部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。 ??? 與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足吞吐量大、功耗低的需求，因此
2023-06-08 03:35:011024 作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實現 DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
PGL50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器
2023-05-31 17:45:39
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 ，并把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。
3.產品應用
2023-05-19 15:59:37
數據速率 800Mbps
一、實驗要求
生成 DDR3 IP 官方例程，實現 DDR3 的讀寫控制，了解其工作原理和用戶接口。
二、DDR3 控制器簡介
GL50H 為用戶提供一套完整的 DDR
2023-05-19 14:28:45
MAX17000A脈寬調制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩壓器以及一路基準緩沖器，能夠產生
2023-05-17 09:48:45
石油化工行業VOC在線監測系統建設背景 VOCs（VolatileOrganicCompounds），揮發性有機物。 對于石化行業而言，VOCs主要包括揮發性有機氣體和輕烴類； VOCs在PM2.5
2023-05-12 13:41:08330 在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小？
2023-05-06 07:04:11
(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。 即：MRAM是非揮發性介質; MRAM是磁性隨機存儲介質; MRAM具有RAM的讀寫速度。
2023-04-19 17:45:462545 基本上，我想將數據寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
的RAM或常規的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設備替代了多個零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實時時鐘（RTC）?低VDD檢測驅動復位?看門狗窗口定時器
2023-04-07 16:23:11
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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