簡析USB3.1 第二代接口的靜電保護方案
- ESD(171013)
- 電磁兼容(96984)
- USB接口(54899)
- 雷卯電子(34)
相關推薦
瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺 RK3576 詳細介紹
ArmSoM-Sige5采用Rockchip 第二代8nm高性能AIOT處理器 RK3576,主頻高達2.2GHz,6 TOPS算力NPU , 支持ufs ,雙USB,雙網口,全功能typec,兼容樹莓派40pin
armsom-sige5 RK3576
2024-03-12 13:45:25
上海雷卯推出USB4接口的靜電浪涌保護方案
一、USB4技術性能特點USB4是USB3.2的后繼版本,是最新的USB規范。USB4是通信協議,采用的硬件接口是USBType-C接口,USBType-C端口根據USB3.x和USB4協議傳輸數據
2024-03-05 08:03:48112
上海雷卯推出USB4接口的靜電浪涌保護方案
一、 USB4技術性能特點 USB4是USB3.2 的后繼版本,是最新的USB規范。USB4是通信協議,采用的硬件接口是USB Type-C 接口,USB Type-C 端口根據 USB
2024-02-29 17:31:03133
博德越 14合1 USB3.1擴展塢
DS013 USB3.1擴展塢:共擁有14個接口,提供豐富的高效桌面設置,滿足你的所有需求。 使用高達10Gbps(USB Gen2筆記本電腦為10Gbps,USB  
2024-02-27 14:30:52
近場通信NFC接口防靜電ESD
一、上海雷卯EMC小哥針對NFC接口靜電保護,推出了ESD器件和保護方案:ULC1811CDN滿足18V的低容參數需求,而且VC箝位電壓低,電容超低,可保護NFC接口天線的有效使用。二.近場通信
2024-02-24 08:02:3990
近場通信NFC接口防靜電ESD器件和保護方案推薦
上海雷卯EMC小哥針對NFC接口靜電保護,推出了ESD器件和保護方案:ULC1811CDN 滿足18V的低容參數需求,而且VC箝位電壓低,電容超低,可保護NFC接口天線的有效使用。
2024-02-23 11:34:27233
Samsung研發第二代3納米工藝 SF3
據報道,韓國三星代工廠已經開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術的芯片,稱為 SF3。這一發展標志著半導體行業的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一代先進工藝節點的量產主導權。韓國知名權威
2024-01-22 16:10:14456
第二代配網行波故障預警與定位裝置YT/XJ-001:守護電力線路的超能"哨兵"
的"前世今生"可是大有來頭。它的"前輩"在電力線路保護領域已經赫赫有名,而YT/XJ-001作為第二代裝置,自然承
2024-01-22 15:11:19135
I/O接口保護ESD靜電保護二極管
從方案圖中可知,I/O接口靜電防護,東沃電子技術推薦選用1顆集成式ESD靜電保護二極管DW05MF-S,5V工作電壓、15V低鉗位電壓、1μA低漏電流;結電容
2024-01-18 17:28:14258
中科馭數自研第二代DPU芯片K2獲得行業認可
近日,中科馭數自研第二代DPU芯片K2在眾多云生態創新應用技術產品中脫穎而出,成功入選由中國云產業聯盟暨中關村云計算產業聯盟發布的“2023年中國云生態創新應用技術產品”。這一殊榮既是對中科馭數第二代DPU芯片K2在行業領先地位的認可,也展現出DPU芯片在云產業中的關鍵價值和重要意義。
2024-01-18 09:20:05443
防雷及ESD靜電保護器件的發展趨勢| 浪拓電子
近年市場對于防雷及ESD靜電保護組件的需求,大致可分為兩大發展方向。
一是越來越低的等效電容,這是由于近年各項傳輸port的加速發展,帶動帶寬越來越大且速度越來越快,例如USB 3.0的數據傳輸速度
2024-01-08 16:55:22
高通第二代驍龍XR2+平臺支持4.3K單眼分辨率
高通技術公司近日宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺,這一創新平臺旨在為MR和VR設備帶來更出色的性能和體驗。第二代驍龍XR2+平臺具備強大的硬件配置,支持高達4.3K的單眼分辨率和12路及以上的并行攝像頭,從而為用戶帶來更加清晰、沉浸的MR和VR體驗。
2024-01-08 15:22:27396
高通推出全新第二代驍龍XR2+平臺
近日,高通技術公司宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺,這款平臺將為XR設備帶來前所未有的清晰度與流暢度,為工作和娛樂提供無與倫比的沉浸式體驗。
2024-01-05 15:13:25255
USB接口靜電防護器件選型要點
USB接口靜電防護器件選型要點 USB接口靜電防護器件是一種用于防止USB接口設備受到靜電擊穿和損壞的關鍵器件。在設計電子產品中, 對于USB接口的保護是非常重要的,因為不合適的保護可能導致設備損壞
2024-01-03 11:31:24635
ESD靜電保護器件的特點及選型
ESD靜電保護器件的特點及選型? ESD靜電保護器件是一種用于防止靜電擊穿和靜電放電對電子產品的損害的器件。靜電釋放是一種突然的瞬態電流,可能會導致電子元件和芯片的永久損壞。因此,為了保護電子設備
2024-01-03 10:24:39222
ESD靜電二極管的特性 ESD靜電保護二極管如何選型?
ESD靜電二極管的特性 ESD靜電保護二極管如何選型? ESD靜電二極管是一種用于保護電子設備免受靜電放電損害的組件。當人體或其他靜電源接觸到電子設備時,產生的靜電放電可能會引起設備故障或損壞
2023-12-29 15:17:24261
ESD靜電保護區和非靜電防護區之間的通道的最小距離
ESD靜電保護區和非靜電防護區之間的通道的最小距離 ESD靜電保護區是指為了防止靜電放電而設置的專門區域或設施,以保護靜電敏感設備和產品的一種措施。而非靜電防護區則是指沒有專門設置靜電保護措施的區域
2023-12-20 13:54:16280
東沃GPS接口浪涌靜電保護方案
浪涌靜電防護方案設計中,最重要的環節是要了解分析浪涌電流的路徑,只有了解浪涌電流路徑之后,才能夠更好地給浪涌電流搭建一條合理的泄放路徑。前段時間,有客戶向東沃電子求助:公司的監控無線設備GPS接口
2023-11-30 09:53:25307
同軸音頻接口Coaxial浪涌靜電保護專用器件
從方案圖可知,東沃電子針對Coaxial同軸音頻接口浪涌靜電保護,采用了二級防護。在第一級防護中,東沃電子技術推薦選用兩端陶瓷氣體放電管4532-090L做浪涌防護,保證前端瞬間高壓的保護作用,能將
2023-11-17 10:30:44354
國產USB3.1模擬開關BCT4350介紹
國產USB3.1模擬開關BCT4350替換CBTL02043
BCT4350是一個2:1數據切換的USBSuperSpeed Gen1和Gen25 Gbps和10 Gbps的數據。它的目標是在移動
2023-11-07 16:05:54239
國產USB3.1模擬開關CH9445介紹
國產USB3.1模擬開關CH9445替換IT5205
4:4 交叉通道超高速模擬開關芯片 CH9444
4:6 交叉通道超高速 USB 模擬開關芯片 CH9445
CH9444
2023-11-06 17:11:48358
美光低功耗內存解決方案助力高通第二代驍龍 XR2 平臺 提升混合現實(MR)與虛擬現實(VR)體驗
美光科技(Micron Technology, Inc)近日宣布,其低功耗 LPDDR5X DRAM 和通用閃存 UFS 3.1 嵌入式解決方案現已通過高通 最新的擴展現實 (XR) 平臺——第二代
2023-11-01 11:21:11158
美光低功耗內存解決方案助力高通第二代驍龍XR2平臺
高通 (Qualcomm Technologies) 最新的擴展現實 (XR) 平臺——第二代驍龍 XR2 驗證。美光 LPDDR5X 和 UFS 3.1 外形尺寸緊湊,提供更高速率、更優性能和更低
2023-11-01 09:37:44199
ESD防靜電保護二極管 DWMB3313D1
從東沃NB-IoT天線ESD靜電浪涌保護電路圖可知,針對NB-IoT模塊天線端口靜電浪涌問題,東沃電子技術推薦選用ESD靜電保護二極管DWMB3313D1,對天線上的瞬間沖擊脈沖和靜電放電(ESD
2023-09-14 17:29:46537
RTS5411S USB3.1 4端口HUB控制器規格書
RTS5411S是一款先進的USB3.1 4端口HUB控制器,將USB3.1和USB2.0收發器,MCU,SIE,穩壓器和充電器電路集成到單個芯片中。這可以大大降低系統BOM成本。RTS5411S具有高兼容性,完全向后兼容USB2.0和USB1.1規范,可以在超高速,高速,全速和低速下運行。
2023-09-14 15:29:0128
白皮書 | 第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中,我們討論了最新一代超低抖動三次泛音晶體振蕩器的特點、優勢、性能和特性,這些振蕩器旨在為各種高速應用提供穩定準確的時鐘信號
2023-09-13 09:51:52
USB3.1第二代應用的 ESD解決方案
解決方案:ESD解決方案的 Tx/Rx線的 USB3.1 Gen 2 應該有一個0.3 pF或更低的電容具有信號完整性目的,工作電壓為>3.6V。一種解決方案是4 通道ESD設備超低電容
2023-09-01 09:43:41605
瞻芯電子正式開發第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品
瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線,開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285
ESD二極管 DW05MS-S 按鍵KEY端口集成式靜電保護
靜電在我們日常生活中,可謂是無處不在,我們身上和周圍環境就帶有很高的靜電電壓。都知道,ESD靜電放電會對電子設備帶來威脅甚至損壞。為此,電子設備中按鍵部位、接口部位以及觸摸屏等防靜電保護措施是非
2023-08-17 17:27:18492
第二代碳化硅MOSFET B2M040120R在OBC中的應用
車載充電機(On-Board Charger,簡稱為OBC)的基本功能是:電網電壓經由地面交流充電樁、交流充電口,連接至車載充電機,給車載動力電池進行慢速充電。基本半導體第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
PD充電器靜電浪涌防護電路圖 專業全面
器件。那么,USB PD快充接口浪涌靜電保護選用什么型號的TVS二極管呢?國產品牌東沃電子(DOWOSEMI),一家專業高品質電路保護器件廠家及保護方案服務商,不僅擁
2023-08-16 13:11:44966
低電容瞬變二極管ESD靜電保護元件
低電容瞬變二極管ESD靜電保護元件 ESD32D03CL ESD32D05CL ESD32D08CLESD32DXXCL -- 3.0-36V系列 
2023-08-16 09:48:54
奧迪發布第二代OLED車燈,Q6 e-tron首搭
第二代數字OLED尾燈將配備6個OLED面板,共計360個發光單元,可在每10毫秒生成一個新圖像,使其具備交互燈功能,使外部燈光作為智能顯示屏,與其他道路使用者互聯交互。
2023-08-09 16:52:39825
TVS二極管 DW05DRF-B-E 天線RF串口靜電保護器件
的傳輸速率一般可高達1Gbps,對于ESD靜電保護二極管的結電容要求比較高。為此,第二級防護推薦選用ESD靜電保護二極管DW05DRF-B-E,0.3pF超低結電容,
2023-07-28 17:07:401037
BNC接口靜電浪涌保護方案及防護器件選型指南
從東沃BNC接口靜電浪涌保護方案圖可知,方案分為3級防護:第一級防護選用兩端陶瓷氣體放電管(GDT)2R90A-Q做共模保護,保證前端的瞬間高壓保護作用,能將瞬間大電流釋放到地。第二級防護采用自恢復
2023-07-27 10:54:48718
DVI數字視頻接口靜電保護方案電路圖
DVI接口的設備面臨著最為常見的ESD靜電放電危害。針對DVI接口ESD靜電放電問題,東沃電子技術可根據客戶的設計保護需求選擇不同封裝的TVS二極管陣列對DVI端口的數據線及時鐘線進行靜電保護。
2023-07-25 10:30:04580
炬芯科技發布全新第二代智能手表芯片,引領腕上新趨勢!
2023年7月,炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開始便快速獲得了市場廣泛認可和品牌客戶的普遍好評。隨著技術的不斷創新和突破,為了更加
2023-07-24 17:16:17839
USB 3.1與第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異
USB Implementers Forum 已將 USB 3.0 更新為 USB 3.1。 FLIR 更新了其產品描述來反映此項更改。 ?本頁將介紹 USB 3.1 以及第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異及兩者能給機器視覺開發人員帶來的實際益處。
2023-07-14 14:52:23670
100M以太網口雷擊靜電保護用GDT放電管和TVS管選型
為此,以太網口浪涌靜電防護成為了業內必然的選擇。關于以太網口浪涌靜電保護方案,不同電路保護器件公司設計的方案略有差異。電路保護器件廠家東沃電子設計的以太網口保護方案有:100M(百兆)以太網口浪涌
2023-07-11 10:07:391978
USB3.1 TypeC信號測試中的碼型切換方法
USB3.1標準是目前PC上最成功的接口USB的最新標準,在USB3.1的標準里,革命性地融合了3種最新的現代科技技術
2023-07-10 14:45:271167
USB3.0接口靜電保護方案 ESD靜電保護芯片如何選型?
據傳輸容錯率也有更嚴格的要求,需要使用額外的保護器件來防止浪涌靜電事件對數據傳輸的干擾和威脅!除了高傳輸速率要求之外,USB3.0端口熱插拔動作(即插即用、隨拔即關
2023-07-07 09:59:142082
IP_數據表(I-15):USB3.1 Gen1 xHCI Host Controller IP Core(R06PM0038EJ0100)
IP_數據表(I-15):USB3.1 Gen1 xHCI Host Controller IP Core (R06PM0038EJ0100)
2023-07-06 20:31:580
今日看點丨高通第二代驍龍4芯片發布,傳由臺積電轉單三星代工;華為明年將發布端到端 5.5G 商用產品
1. 高通第二代驍龍4 芯片發布,傳由臺積電轉單三星代工 ? 據外媒報道,高通公司本月27日正式發布第二代驍龍4移動平臺(Snapdragon 4 Gen 2),據傳將從前代的臺積電6納米工藝平臺
2023-06-29 10:54:291087
通用輸入/輸出GPIO接口靜電浪涌保護電路圖
從東沃GPIO端口ESD靜電放電浪涌保護方案圖可知,東沃技術推薦選用集成式多路ESD靜電保護二極管DW05-4R3P-S,導通電壓精度高、響應速度快、寄生電容值低、鉗位電壓低,在不影響數據傳輸的前提下能夠滿足IEC61000-4-2 Level 4靜電放電保護需求,且做到低成本高防護等級。
2023-06-27 10:14:33654
高通推出全新第二代驍龍4移動平臺,為入門級產品提供出色的移動體驗
要點 — ?? 第二代驍龍4旨在進一步推動5G等先進技術在全球范圍內普及 ?? 滿足消費者對入門級產品的需求,提供輕松自如的多任務處理、先進的照片和視頻拍攝以及可靠的連接功能 ??搭載該平臺的商用
2023-06-27 00:05:011084
USB 2.0 接口靜電保護 TVS二極管如何選型號?
USB 2.0具有4線接口,其中VBUS 通過電纜從主機到連接的設備提供5V和 500mA電源,D+和D-引腳負責傳輸差分數據信號。在正常工作條件下,這些差分線路上的電壓可以達到5V。第四個引腳
2023-06-12 16:30:554071
如何保護麥克風Microphone接口免受ESD靜電放電威脅?
問題,專業電路保護器件廠家及電路保護解決方案服務商東沃電子(DOWOSEMI)推薦選用ESD靜電保護二極管DW05DRF-B-E為Microphone保駕護航。東沃Microphone麥克風接口ESD靜電放電保護方案電路圖如下所示。
2023-06-10 09:34:34732
RS-232接口浪涌靜電保護電路圖
RS-232接口多用于計算機與設備之間的通訊,用于數據監控及調試。在應用的過程中經常容易帶電插拔(如USB轉串口設備)造成靜電浪涌,同時通訊電纜也容易耦合外部的干擾對信號傳輸造成一定的影響
2023-06-09 16:25:443173
國產第二代“香山”RISC-V 開源處理器計劃 6 月流片:基于中芯國際 14nm 工藝,性能超 Arm A76
的“RISC-V 開源處理器芯片生態發展論壇”上,第二代“香山”(南湖架構)開源高性能 RISC-V 核心正式發布。據介紹,“香山”于 2022 年 6 月啟動工程優化,同年 9 月研制完畢,計劃 2023 年 6
2023-06-05 11:51:36
K課堂丨ESD靜電保護管的工作原理
ESD靜電保護管是一種常用性的過壓、靜電保護元件,保護電子設備中敏感電路免遭靜電影響。ESD靜電保護管并聯于電路中,當電路正常運作時,ESD靜電保護管處于高阻態,不影響線路正常工作;當電路出現異常
2023-06-05 10:36:54866
USB Type-C接口靜電浪涌保護方案,TVS(ESD)二極管怎么選型號?
USB Type-C接口根據USB3.x和USB4協議傳輸數據,經常會受到電氣過載(EOS)和靜電放電(ESD)事件的影響。由于USB Type-C支持隨意熱插拔功能,其內部高集成度的芯片,更容易
2023-06-03 09:13:531289
SMBJ6.5CA二極管 RS422總線浪涌靜電保護用TVS
處,需要進行浪涌靜電保護,以保證接口的可靠性和穩定性。針對RS-422(EIA-422)接口浪涌靜電問題,東沃電子技術推薦選用陶瓷氣體放電管GDT、自恢復保險絲PP
2023-06-02 09:40:08911
USB2.0單/雙接口ESD靜電浪涌保護方案
為了支持與主機設備及其創新功能進行超高速通信的現代需求,USB接口技術由USB1.1、USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1、USB 3.2(Gen 1、Gen 2、Gen 2x2)、USB
2023-05-29 11:18:131077
國芯思辰 |第二代碳化硅MOSFET B2M065120H助力光儲一體機
第二代碳化硅MOSFET系列器件,比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度,更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
汽車多媒體系統USB Type C端口ESD靜電浪涌保護方案
目前,汽車多媒體系統主機常見I/O端口有:USB2.0、USB Type C、HDMI接口等。為此,需要根據應用需求來選型選用合適的ESD靜電保護二極管為汽車多媒體系統主機安全保駕護航。東沃電子集成式ESD方案,可以解決以上2個問題。
2023-05-29 09:34:35920
性能超ARM A76!國產第二代“香山”RISC-V開源處理器最快6月流片
據開芯院首席科學家包云崗介紹,第二代“香山”于2022年6月啟動工程優化,同年9月研制完畢,計劃2023年6月流片,性能超過2018年ARM發布的Cortex-A76,主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
USB4接口EOS和ESD保護方案及防護器件選型指南
更高,受到靜電浪涌危害的可能性會更大。為此,在USB4端口電路設計時,需要選用合適的ESD靜電保護二極管為其護航。
2023-05-26 10:26:101447
ESD靜電保護二極管介紹
ESD 靜電保護二極管是一種用于保護電子電路、器件和設備免受靜電損傷的器件,它能夠在靜電放電(ESD)事件發生時提供快速的電壓保護。
2023-05-26 10:25:162685
Arasan宣布立即推出第二代MIPI D-PHY
Arasan Chip Systems是移動和物聯網SoC半導體IP的領先供應商,今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設計的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:22570
東沃USB Type-C接口靜電放電保護方案
USB Type-C是一種USB接口外形標準,體積比Type-A和Type-B小得多。USB Type-C接口特點有:最大數據傳輸速度可達10Gbit/秒,是USB 3.1的標準;纖薄設計;支持
2023-05-19 09:53:39919
超低電容TVS管(ESD靜電保護二極管)陣列型號整理
ESD靜電保護二極管主要是為高速數據傳輸時能免受靜電的干擾及損害而設計的一款防護元件,其表現特征為小封裝,低電容、響應速度快等。 近段時間,有很多客戶都在咨詢一款”超低電容TVS管陣列”,也就是我們
2023-05-08 11:40:051060
USB接口防靜電器件SR05 LEIDITECH介紹
了解SR05防靜電器件" 上海雷卯生產的USB防靜電器件SR05是一種專門為USB接口設計的保護器件。
2023-04-28 10:08:501530
USB接口防靜電器件SR05 LEIDITECH
USB防靜電器件SR05LEIDITECH"了解SR05防靜電器件"上海雷卯生產的USB防靜電器件SR05是一種專門為USB接口設計的保護器件。它具有快速響應、低漏電流等特點
2023-04-28 09:35:08508
東沃電子USB4高速接口浪涌靜電保護方案
由于USB4接口體積更加小巧,內部元器件集成化程度更高,受到靜電浪涌危害的可能性會更大。為此,在USB4端口電路設計時,需要選用合適的ESD靜電保護二極管為其護航。
2023-04-26 10:26:00280
USB3.1 Gen1與Gen2到底有什么區別?
USB接口在經歷了USB1.0、USB1.1、USB2.0、USB3.0、USB3.1以及USB3.2之后(USB的前世今生 - USB2.0、USB3.0、USB3.1、USB3.2、USB4.0區別是什么),迎來了當下USB4
2023-04-23 09:11:5522885
靜電保護元件 杭州二極管生產廠家 型號齊全
關于“ESD靜電保護二極管(也有電子工程師把它稱為:ESD二極管、TVS二極管陣列、TVS管陣列、瞬態/變抑制二極管陣列、ESD保護管、ESD靜電保護器件、ESD保護器、防靜電保護二極管等等)”這個
2023-04-11 17:31:56979
USB2.0-USB3.1接口的靜電保護方案
背景:USB接口從2.0到現在的3.1 Gen 2,數據速率從480Mbps 到 10Gbps,數據速率越來越高,因此對于靜電放電保護器件的電容要求越來越小,以保持信號的完整性。 解決方案:USB
2023-04-10 15:59:36823
詳解上汽第二代10速EDU電驅系統
然而不知不覺中,現在這套電驅系統已經升級到了第二代,除了結構上的變化,部分零部件也采用了全新的設計,借著這次試駕名爵 eHS 的機會,我了解到了第二代 EDU 的一些細節信息,下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:312194
評論
查看更多