SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ，展示了新技術的優良特性。
2024-02-19 16:29:22
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的基本結構。MOSFET是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的簡稱。它由一個絕緣層上方的金屬接電
2024-01-31 13:39:45303 是否有白皮書明確規定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流？
設計類似于 TLE9853 評估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
常用的MOSFET驅動電路結構如圖1所示，驅動信號經過圖騰柱放大后，經過一個驅動電阻Rg給MOSFET驅動。
2024-01-22 18:09:54288 
MOSFET 對于現代模擬 IC 設計至關重要。然而，該文章主要關注 MOSFET 的大信號行為。
2024-01-19 18:25:121996 
功率MOSFET是一種廣泛應用于電力電子轉換器的高性能開關器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關速度和良好的熱穩定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統中發揮著重要作用。 結構
2024-01-17 17:24:36294 
本文詳細介紹了GQDs獨特的光學、電學、熱學和磁學性能等特性，總結了異原子摻雜和復合材料構筑等GQDs功能化的研究進展，討論了GQDs在光學、電學、光電子、生物醫藥、能源、農業等新興交叉領域的應用。
2024-01-02 10:18:21148 
永磁無刷電動機是一種采用永磁材料作為勵磁的電動機，它具有結構簡單、效率高、功率密度大、無噪音和壽命長等優點，在現代工業中廣泛應用。本文將詳細介紹永磁無刷電動機的結構、工作原理和特性。 一、永磁
2023-12-26 16:01:22327 結合到一個晶體管中。它具有MOSFET(絕緣柵極)的輸入特性(高輸入阻抗)和BJT(雙極性質)的輸出特性。
2023-12-22 10:30:58750 
MOSFET的基本結構。SIC MOSFET是一種由碳化硅材料制成的傳導類型晶體管。與傳統的硅MOSFET相比，SIC MOSFET具有更高的遷移率和擊穿電壓，以及更低的導通電阻和開關損耗。這些特性使其成為高溫高頻率應用中的理想選擇。 SIC MOSFET在電路中具有以下幾個主要的作用： 1. 電源開關
2023-12-21 11:27:13686 碳化硅MOSFET在高頻開關電路中的應用優勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，具有在高頻開關電路中廣泛應用的多個優勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03357 目前想設計一個關于MOSFET的DG極驅動方案，存在問題為MOSFET可以正常開通，但無法關斷，帶負載時GS極始終存在4V電壓無法關斷MOSFET 。
電路圖如下：
空載時，GS極兩端電壓：
是可以
2023-12-17 11:22:00
、詳實、細致的比較分析。 一、基本概念 MOSFET和IGBT都是用于功率電子領域的半導體器件。它們的主要區別在于結構和工作原理。 MOSFET：MOSFET是一種由金屬氧化物絕緣體（MOS）構成的雙極性晶體管。它由源極、漏極和柵極組成。在MOSFET中，源極和漏極之間的電流由柵極的電壓控制
2023-12-15 15:25:35366 無源晶振（Passive Crystal Oscillator）是一種不包含放大器的晶體振蕩器，它依賴于晶體的諧振特性來產生穩定的頻率。以下是關于無源晶振的結構和參數特性的一些信息： 結構
2023-12-14 18:10:24273 【科普小貼士】MOSFET的結構和工作原理
2023-12-13 14:20:43367 
【科普小貼士】按結構分類的MOSFET特性摘要
2023-12-13 14:15:07126 
SiC MOSFET的橋式結構
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17222 
一文了解單向晶閘管的結構及導電特性
2023-12-05 15:52:50341 
基于橋式結構的功率MOSFET，例如半橋、全橋和LLC的電源系統，同步Buck變換器的續流開關管、以及次級同步整流開關管， 其體內寄生的二極管都會經歷反向電流恢復的過程。
2023-12-04 16:05:40820 
本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷的過程，然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關斷的過程，以及MOSFET在開關過程中所處的狀態。
2023-12-04 16:00:48549 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
SPA6100型半導體參數分析儀是一款半導體電學特性測試系統，具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優勢。產品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖
2023-12-01 14:00:36229 
MOS結構加上一對背靠背的PN結，就構成一個MOSFET。如果MOS結構在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結的反向截止效果，源漏之間不會導通。當外加柵壓使半導體表面反型時，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
是MOSFET的控制電路，它對于MOSFET的工作狀態和性能有著重要的影響。以下是關于MOSFET柵極電路常見的作用以及電壓對電流的影響的詳細介紹。 1. 控制MOSFET的導通與截止： MOSFET的柵極電壓決定了通道電流的大小，從而決定MOSFET的導通與截止。當柵極電壓高于閾值電壓時，
2023-11-29 17:46:40571 【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
2023-11-23 09:09:05505 
電子發燒友網站提供《模電學習八大概念.doc》資料免費下載
2023-11-18 10:39:05
0 MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體)+FET(FieldEffectTransistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬
2023-11-18 08:11:021315 
MOSFET的非理想特性對模擬集成電路設計具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個方面，包括電容、體效應、溝道長度調制、亞閾值導通、遷移率下降以及飽和速度和壓敏降閾。同時，工藝、電壓和溫度變化也對晶體管性能產生影響。因此，在模擬IC設計過程中，需要考慮并解決這些非理想特性和外部條件的影響。
2023-11-16 16:15:55766 
MOSFET 的選擇關乎效率，設計人員需要在其傳導損耗和開關損耗之間進行權衡。傳導損耗發生在在 MOSFET 關閉期間，由于電流流過導通電阻而造成；開關損耗則發生在MOSFET 開關期間，因為 MOSFET 沒有即時開關而產生。這些都是由 MOSFET 內半導體結構的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33168 
本文介紹了MOSFET的物理實現和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構成，有截止區、線性區和飽和區。圖示了NMOS和PMOS的物理結構，以及針對不同驅動電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區的細節，展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關系。
2023-11-15 09:30:471427 
應用中正常工作。 芯片電學測試的內容非常廣泛，涉及到多個方面的測試，以下是一些常見的測試內容： 1. 電性能測試：包括電壓、電流、功耗等參數的測試。通過測試這些電性能指標，可以驗證芯片在正常工作條件下的電氣特性是否達
2023-11-09 09:36:48676 電流從漏極流向源極時，電流在硅片內部橫向流動，而且主要從硅片的上表層流過，因此沒有充分應用芯片的尺寸；而且，這種結構的耐壓，由柵極下面P層寬度和摻雜決定
2023-11-04 08:46:295732 
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關和放大電路中，可以控制電流流動并放大信號。
2023-11-03 14:56:23293 
MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
今天浩道跟大家分享關于TCP/IP協議的硬核干貨總結，我常常跟小伙伴說，一個簡短硬核的知識總結，可以讓大家快速掌握這些知識體系，喜歡的小伙伴可以收藏起來，隨時查看復習！
2023-10-31 11:48:31734 
前段時間看了一些關于Buck電路紋波控制的方式，在這里做個總結。
2023-10-29 17:08:14861 
電學測試是芯片測試的一個重要環節，用來描述和評估芯片的電性能、穩定性和可靠性。芯片電學測試包括直流參數測試、交流參數測試和高速數字信號性能測試等。
2023-10-26 15:34:14629 金氧半場效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時電子指南將詳述這類晶體管的工作機制，并提供關于使用和選擇恰當MOSFET類型的實用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
在研究MOSFET的實際工作原理前我們來考慮這種器件的一個簡化模型,以便對晶體管有一個感性認識:我們預期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
2023-10-21 11:35:221402 
點擊藍字?關注我們 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事
2023-10-18 16:05:02328 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有“理想開關”的特性。其主要缺點是開態電阻(RDS(on))和正溫度系數較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42622 
《漫畫電學原理》是一本由藤瀧和弘創作的圖書，于2010年5月出版。本書通過漫畫情節先拉近讀者與電學原理的距離，再以循序漸進的方式為讀者說明基礎知識、生活中與電相關的事物。主要介紹了電路與歐姆定律
2023-10-17 09:35:459 電源設計者只要熟悉雙極型晶體管的設計，掌握關于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學會使用MOSFET管進行電路設計。對電路設計者來說,決定MOSFET管特性的制造材料和固態物理結構并不太重要,這里
2023-09-28 06:33:09
電力MOSFET輸出特性曲線分為哪三個區？? 電力MOSFET是一種晶體管，用于控制電壓和電流。它們被廣泛應用于電子設備、電機控制、照明系統和各種其他工業和商業應用。電力MOSFET的輸出特性曲線
2023-09-21 16:09:322667 的性能，限制了其在一些特定應用領域的應用。因此，研究如何降低MOSFET的1/f噪聲是非常重要的。 1. 優化器件結構 MOSFET的1/f噪聲來源于復雜的表面效應。為了減小這種噪聲，可以從優化器件結構的角度入手。一種方法是增加器件面積。隨著面積的增加，器件中的1/f噪聲相對于總噪聲
2023-09-17 17:17:361208 雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
本文簡述功率在轉換器電路中的轉換傳輸過程，針對開關器件MOSFET在導通和關斷瞬間，產生電壓和電流尖峰的問題，進而產生電磁干擾現象，通過對比傳統平面MOSFET與超結MOSFET的結構和參數，尋找使用超結MOSFET產生更差電磁干擾的原因，進行分析和改善。
2023-08-29 14:14:25440 
碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開關速度和遠超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。
2023-08-28 14:46:53318 
點結構光只能獲取單個點的深度信息，如要獲取整個被測對象表面結構信息，需要沿著水平和垂直兩個方向逐點掃描，效率比較低。點結構光技術只是對點狀光斑進行處理，算法簡單，計算復雜度小，但是需要引入掃描移動設備，以保證點光斑的遍歷掃描，使得系統效率低下，難以滿足實時性要求。
2023-08-28 14:26:15562 垂直導電平面結構功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應，如果把水平的溝道變為垂直溝道，從側面控制溝道，就可以消除JFET效應。
2023-08-28 10:10:392924 
由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒有IGBT強。
2023-08-25 10:07:33618 
管，場效應管。金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構，被用作開關器件。mos管分為pmos和nmos，即Pch MOSFET和Nch MOSFET。Pch MOSFET：通過向柵極
2023-08-24 09:31:00722 ，確保通信質量很重要，這就要求構成濾波器的電感對低頻帶到高頻帶的交流成分有較高的阻抗。 目錄 確保PoC（同軸電纜供電）通信質量的必要性 在寬頻帶實現高阻抗的產品結構 關于電感和磁珠的選型以及眼圖波形 關于抗電磁干擾特性 總結 確保PoC（同
2023-08-22 16:51:28792 
。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。封裝特性美浦森S
2023-08-18 08:32:56513 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件，在特殊應用場景中具有不可替代的地位，本節是數字存儲器件系列第一節，介紹串行Nor Flash的結構和參數特性。
2023-08-11 15:44:221074 
MOSFET的漏極導通特性是指在特定的電壓和電流條件下，MOSFET允許電流從漏極流過的性質。
2023-08-09 14:41:592245 
，由金屬氧化物半導體結構組成。MOSFET是一種主要用于控制電流的無源器件，它具有高頻特性和高電阻特性。MOSFET可用于各種應用，包括電源管理、模擬電路和數字電路中的開關和放大器。
2023-08-04 15:24:152049 本人在使用ADC時想使用多通道模式，所以便在CUBEMX上將十九個通道全部打開（包括三個內部通道），生成代碼以后詳細看了一下結構體的配置發現有幾個疑惑，
1.ADC通道分為規則通道和注入通道，那么
2023-08-04 06:01:10
“經電學特性測試后，相應數據與國際SiC龍頭企業美國科銳公司同類芯片產品的導通電阻相當。”王俊介紹，由于引入了場板分離型的分裂柵結構，芯片具有更低的反向傳輸電容，高頻優值接近國外先進水平，較之傳統平面柵結構器件指標數值明顯改善。
2023-07-28 14:21:12563 MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
MATLAB是一個功能強大的數值計算軟件，提供了多種方法來進行求導操作。在實踐中使用MATLAB進行求導可以幫助我們解決各種科學、工程和數學問題。下面是一份關于MATLAB求導實踐的總結與介紹。
2023-07-17 12:33:20867 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構成，用于放大或切換電路內的電壓，也廣泛用于數字應用的IC。此外，也用于放大器和濾波器等模擬電路
2023-07-05 14:55:574104 
隨著功率MOSFET和IGBT的出現，雙極型晶體管的發展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應用中，隨著外延層（或單晶）厚度、電阻率的的增加，MOSFET、IGBT導通壓降隨之大幅上升。
2023-07-05 11:15:17467 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區（對應GTR的截止區）;飽和區（對應于GTR的放大區）;非飽和區（對應于GTR的飽和區）。功率MOSFET在開關狀態下工作，即截止區域和不飽和區之間的轉換
2023-07-04 16:46:37977 
），漏極（ Drain ）和源極（ Source ）。功率 MOSFET 為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結構有：橫向導電雙擴散
2023-06-28 08:39:353665 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021451 
橫向型MOSFET，又稱之為橫向導電型的MOSFET，結構如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。
2023-06-25 17:14:54925 
SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiCMOSFET的結構，如圖1所示。這種結構的特點是工藝簡單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結構的中間
2023-06-19 16:39:467 目錄 ⊙擊穿電壓 ⊙導通電阻 ⊙跨導 ⊙閾值電壓 ⊙二極管正向電壓 ⊙功率耗散 ⊙動態特性 ⊙柵極電荷 ⊙dv/dt 能力 盡管分立式功率MOSFET的幾何結構，電壓和電流電平與超大規模集成電路
2023-06-17 14:24:52591 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-16 14:40:01389 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39538 
三菱電機集團近日（2023年6月1日）宣布，其開發出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結構，并已將其應用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統等大型
2023-06-09 11:20:09365 
MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響 ，作為安森美提供的全方位
2023-06-08 20:45:02281 
當前量產主流SiC MOSFET芯片元胞結構有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074307 
），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有：橫向導電雙擴散型場效應晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態基本工作原理，還有必要關注MOSFET在通態時的特性，會出現與結型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區域。
2023-06-03 11:22:09836 
with an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Structure（Insulated Gate Bipolar Transistor結構的MOSFET） 4.
2023-06-02 14:15:36938 以對 MOSFET 使用單個控制輸入。這種拓撲結構中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時表現出小于0.1V的壓降，并且兩個MOSFET都采用SO-8封裝。
2023-05-31 17:49:243200 
剛剛接觸ABB機器人的同學，可能對程序內的任務、模塊、例行程序等概念不是特別了解，這里簡單總結了一下ABB機器人程序結構。
2023-05-25 16:15:423205 
有些時候Ptot的數值看起來很強大，但它又不是決定MOSFET設計是否可行的決定性參數。本文就來聊一聊關于MOSFET的總功率損耗Ptot在使用過程中容易被人誤解或者忽略的那些知識點。
2023-05-15 16:10:25626 
再次可以看到在關斷過程中也有類似的四個明顯不同的區間，但是它們都很大程度上受到柵極驅動器電路特性的影響。在通常的應用中，柵極驅動電壓相對于柵極閾值會提高到較高水平，以便讓 MOSFET 充分導通得到最低的RDs(ON)。
2023-05-11 09:05:56389 
BOSHIDA電源模塊 電源基礎知識 MOSFET結構 制造MOSFET器件的挑戰在于，需要通過施加在絕緣柵極上電壓的影響，將半導體材料的極性反轉，從而在源極和漏極之間形成一個導電溝道。現在有幾種
2023-05-09 09:13:26485 
目錄 Encoder 原理 STM32 Encoder 計數原理 模型仿真 模擬Encoder 基于Encoder計算角度和速度 關于啟動的仿真 代碼生成 運行演示 總結總結一下基于STM32
2023-05-06 09:44:132 我正在嘗試使用 ESP-01 驅動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區
2023-04-27 11:55:023037 
主要是關于MOSFET的基礎知識，但是發現看datasheet的時候還是一臉懵，有些參數好像是未曾相識，所以就有了現在的這個補充內容，話不多說正式開始。
2023-04-26 17:48:572171 
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)這是MOSFET的簡易符號
2023-04-25 14:20:393015 
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
也將達到飛躍式增長。 如果您想更進一步了解MOSFET的相關信息， 4月26日（周三）上午10點 由全球知名半導體品牌ROHM組織的這場直播研討會千萬不要錯過啦！本次研討會將從 MOSFET的基礎知識、特性講解、選型要點，到產品介紹和實際電路案例 等各方面開展介紹，
2023-04-18 08:57:11295 
場效應晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數受溫度的影響機理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉移特性等參量， 以便找到能夠表征結 溫特性
2023-04-15 10:03:061452 本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
摘要：碳化硅（SiC）由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應注意
2023-04-04 10:12:34663 
SiC MOSFET溝槽結構將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結構差。
2023-04-01 09:37:171329 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關用于數據輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數據嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
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