現象：
用stm32的spi接口驅動MB85RS2MT(此芯片兼容FM25H20),問題是用示波器能看到單片機有數據輸出，但是我讀不出任何數據，讀出的都是0x00，不知道是什么原因，發帖求助。下面
2024-03-20 08:08:05
我有個應用設計，MCU用的是STM32G070rbt6芯片，外擴了一片鐵電存儲器FRAM。STM32G070在2.0V-3.3V工作電壓下都能正常工作，但鐵電存儲器FRAM的工作電壓
2024-03-13 08:04:03
嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
當我發送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數據。
我不確定自己做錯了什么。
我已經將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數據、串行數據附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51
517 
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 mW。取消選擇該器件時，CMOS待機電流小于200 A。 型號AT28C256-25FM/883功能描述電可擦除可編程只讀存儲器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
的系統硬件設計。 其中鐵電存儲器可使用國芯思辰PB85RS2MC，憑借高速讀寫功能，記錄儀可以實時在線記錄現場數據，并可以通過以太網通信方式與上位機進行
2023-11-15 10:34:19
何謂半導體存儲器？ 半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數據讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴展功能。
2023-10-24 08:03:56
最大占空比和PWM頻率的振蕩器。它還具有開機可編程軟啟動時間、短路PMOS關閉和自動重新啟動保護功能。
特征
?精密反饋參考電壓：0.5V（2%）
?寬電源電壓工作范圍：3.6至20V
?低電流消耗：3
2023-10-19 14:19:01
的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數據存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
自舉程序存儲在 STM32 器件的內部自舉 ROM 存儲器（系統存儲器）中。在生產期間由 ST編程。其主要任務是通過一種可用的串行外設（USART、CAN、USB、I2C 等）將應用程序下載到內部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
的高精度參考（0.5V），內部死時間控制器和用于控制最大占空比和PWM頻率的振蕩器。它還具有開機可編程軟啟動時間、短路PMOS關閉和自動重新啟動保護功能。
特征
?精密反饋參考電壓：0.5V（2%）
?寬
2023-09-19 14:36:57
分別具有2,048個可擦除扇區和128個可擦除塊。
小的4KB扇區允許在需要數據和參數存儲的應用中提供更大的靈活性。
(參見圖5-1 CW25Q64A串行閃存框圖。)。
CW25Q64A支持標準的串行
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結構
2023-09-15 07:53:08
? 存儲器組織結構：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發器，過濾輸入，實現
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行電可擦除只讀存儲器（EEPROM），分別采用256/512/1024×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓
2023-09-15 06:53:34
CW25Q128A(128M位)串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統提供存儲解決方案。
25Q系列提供的靈活性和性能遠遠超過普通的串行閃存設備。
它們非常適合將代碼映射到RAM，直接從雙/四SPI
2023-09-15 06:00:05
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲器子系統的主要功能是在云計算和人工智能 (AI)、汽車和移動等廣泛應用中盡可能快速可靠地為主機（CPU 或 GPU）提供必要的數據或指令。片上系統 (SoC) 設計人員可以選擇多種類型的存儲器
2023-08-17 09:54:20414 
發出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫療生命監護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
1Mbit EXCELON? F-RAM是業內首款車規級串行F-RAM存儲器。 ? ? 這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認證，支持更寬泛的溫
2023-08-09 14:32:40397 
鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一階段，復旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
AEC-Q100的車規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發存儲新產品。 FM25/FM29系列產品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于
2023-05-04 13:56:111160 
工作的存儲器件，其容量相對比較大，可用來存儲工作數據或圖像數據等。
W25Q16與開發板的連接關系為：
CS ----PA2
DO ---- PA6
WP ----3.3V
DI ---- PA7
2023-04-21 18:13:47
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式，本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設，通過串口調試助手等向開發板發送數據，數據會被返回給開發板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器到存儲器數據傳輸方式，本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想將數據寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執行代碼，存儲語音、文本和數據，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
在嵌入式系統中，Flash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執行某些功能的數據。它們可以通過多種不同的串行協議（包括SPI或串行外圍設備接口）來連接存儲設備。在單片機中也集成了多種不同類型的SPI
2023-04-07 16:42:42
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯時代的到來，智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
內部引導模式。當我們嘗試通過串行下載程序對熔絲進行編程時，出現錯誤，提示未找到外部存儲器。我們如何在不讀取 boot_cfc2[2:0] 并連接到外部存儲器的情況下對保險絲進行編程？
2023-04-03 07:03:34
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-28 21:00:46
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-28 21:00:26
FRAM存儲器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存儲器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 20MHz 64kb
2023-03-27 13:52:57
2MBIT PARALLEL FRAM MEMORY
2023-03-27 13:52:05
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:48:57
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:17:21
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:17:01
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:13:37
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 13:12:17
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:04:33
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:04:33
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:04:33
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:04:32
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-27 12:43:27
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
2023-03-27 12:02:03
FRAM存儲器 通信接口:SPI 2Mbit 3V 40MHz SOP8_208MIL
2023-03-27 12:02:02
3 v 256位 串行快閃存儲器 雙/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
1.8 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8DIP
2023-03-25 03:25:44
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