FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲器數據
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲器數據
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
進入ST25DV64KC-DISCO的energyharvesting的選項來查看充電功率，然后用閱讀器ST25R3911B-DISCO靠近ST25DV64KC-DISCO（dynamictag），顯示
2024-03-19 08:01:09
SI522 是應用于13.56MHz 非接觸式通信中高集成度讀寫卡系列芯片中的一員。是NXP 公司針對\"三表\"應用推出的一款低 電壓、低成本、體積小的非接觸式讀寫卡芯片
2024-02-29 15:56:58
1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
當我發送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數據。
我不確定自己做錯了什么。
我已經將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數據、串行數據附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51
517 
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03212 
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 mW。取消選擇該器件時，CMOS待機電流小于200 A。 型號AT28C256-25FM/883功能描述電可擦除可編程只讀存儲器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。該設備靈活的擦除架構，其頁面擦除粒度也是數據存儲的理想選擇，消除了對額外數據存儲設備的需要。
2023-11-29 16:45:57395 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
內存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
自舉程序存儲在 STM32 器件的內部自舉 ROM 存儲器（系統存儲器）中。在生產期間由 ST編程。其主要任務是通過一種可用的串行外設（USART、CAN、USB、I2C 等）將應用程序下載到內部
2023-09-28 07:15:06
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
對于做快速存儲采集數據類產品的用戶來說，在處理突發掉電情況時需要保存現有數據并避免數據丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
CW25Q64A(64M位)串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統提供存儲解決方案。
25Q系列提供的靈活性和性能遠遠超過普通的串行閃存設備。
它們非常適合將代碼映射到RAM，直接從雙/四SPI
2023-09-15 08:11:20
1. 描述 引腳排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:20:24
PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:15
2 庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標速度確認時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術生產的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
1Mbit EXCELON? F-RAM是業內首款車規級串行F-RAM存儲器。 ? ? 這兩款新品已通過AEC-Q100 1級認證，支持更寬泛的溫
2023-08-09 14:32:40397 
進入ST25DV64KC-DISCO的energyharvesting的選項來查看充電功率，然后用閱讀器ST25R3911B-DISCO靠近ST25DV64KC-DISCO（dynamictag），顯示
2023-08-07 11:01:50
PrimeCell靜態存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備，由ARM有限公司開發、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統外圍設備，由ARM開發、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級系統總線
2023-08-02 07:39:45
GPIO口模擬SPI讀寫W25Q64的基本內容已經跟大家介紹完了，今天跟大家介紹下如何通過串口接收文件并保存到W25Q64中。
2023-07-22 11:11:39727 
ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數據存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
DS3600為帶有64字節SRAM的安全監控電路，適用于要求安全存儲密鑰的應用，包括POS終端。64B的密鑰存儲器在后臺持續檢測氧化效應和內存抄印。一旦檢測到篡改行為，將迅速清除密鑰存儲器，并產生負
2023-07-14 15:38:23
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅固耐用的自供電系統，能夠測量溫度并將測量結果記錄在受保護的存儲器內。記錄溫度的頻率由用戶定義。總共可以保存8192個8位數據記錄或4096個16
2023-07-14 09:24:23
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅固耐用的自供電系統，能夠測量溫度與/或濕度，并將測量結果記錄在受保護的存儲器內。記錄頻率由用戶定義。總共可以保存8192個8位讀數或4096個16
2023-07-14 09:18:41
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
帶存儲器的雙路可尋址開關DS2406提供了一種簡便的方法，通過1-Wire?總線遠程控制一對漏極開路晶體管和回讀每個晶體管的邏輯電平，從而實現閉環控制。每個DS2406都具有工廠刻度在片內的64位
2023-07-13 16:16:25
DS24B33是一款4096位1-Wire? EEPROM，存儲器分為16頁，每頁256位。數據先寫入32字節暫存器，經驗證后拷貝到EEPROM存儲器。DS24B33通過1-Wire總線通信，該通信
2023-07-13 11:39:12
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
BCR25FM-12LB 數據表
2023-07-07 18:37:020 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業
2023-06-29 09:39:03382 鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數據保持此狀態達100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
************************************************* *************************************
* 詳細說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數據在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
MAX17000A脈寬調制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩壓器以及一路基準緩沖器，能夠產生
2023-05-17 09:48:45
SPI系列（FM25）容量覆蓋512Mb~4Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。PPI系列為（FM29）容量覆蓋2Gb~8Gb，溫度覆蓋-40℃~+105℃。
2023-05-11 15:08:56477 單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
下一階段，復旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
AEC-Q100的車規FM24C/FM25系列EEPROM等非揮發存儲新產品。 FM25/FM29系列產品基于28nm先進NAND flash工藝，滿足6萬次擦寫次數和數據保存10年的高可靠性要求，應用于
2023-05-04 13:56:111160 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執行代碼，存儲語音、文本和數據，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
FM25CL64B-DG
2023-04-06 23:34:59
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
內部引導模式。當我們嘗試通過串行下載程序對熔絲進行編程時，出現錯誤，提示未找到外部存儲器。我們如何在不讀取 boot_cfc2[2:0] 并連接到外部存儲器的情況下對保險絲進行編程？
2023-04-03 07:03:34
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
FM25Q64-SOB-T-G
2023-03-29 21:49:25
FRAM存儲器 I2C 3~5.5V 80μA SOP8_150MIL
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:27
FRAM存儲器 16Kbit (2K× 8) SOIC8_150MIL VDD=2.7V~3.6V
2023-03-27 13:53:15
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 1MHz 64kb
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 20MHz 64kb
2023-03-27 13:52:57
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:55
64 Kbit（8K×8）串行（I2C）F-RAM
2023-03-27 13:52:43
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:52:43
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:48:59
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 40MHz 512KB
2023-03-27 13:45:05
FRAM（鐵電體 RAM） 存儲器 IC 1Mb I2C 3.4 MHz 130 ns 8-SOIC
2023-03-27 13:44:55
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:40:59
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
2023-03-27 13:39:03
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 1MHz 4 (512 x 8)KB VD=2.7V~3.65V
2023-03-27 13:26:46
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8TDFN
2023-03-27 13:17:07
FRAM存儲器 通信接口:SPI 2Mbit 3V 40MHz SOP8_208MIL
2023-03-27 12:02:02
3 v 256位 串行快閃存儲器 雙/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
1.8 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
單片機程序存儲器64KB是外擴的還是外擴加內部的呢？
2023-03-24 17:44:04
IC FRAM 64KBIT 20MHZ SPI 8SOIC
2023-03-23 07:35:37
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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