非易失性存儲器芯片又可分為快閃存儲器 （Flash Memory） 與只讀存儲器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲器又可以分為 NAND 存儲和 NOR 存儲。
2024-03-22 10:54:15
14 
實現，引腳數量減少，功耗低，同時提供卓越的計算性能和對中斷的高級響應。Arm?Cortex?-M4采用FPU內核，是一款32位RISC處理器，具有卓越的性能代碼效率，在內存中提供Arm內核所期望
2024-03-12 09:39:01
和512 kB嵌入式高速閃存相結合。128位寬的存儲器接口和獨特的加速器架構支持以最大時鐘速率執行32位代碼。對于關鍵代碼大小的應用，替代的16位Thumb模式可減少3
2024-02-26 10:21:32
ZCC4650 是一款雙通道 25A 或單通道 50A 輸出開關模式降壓型 DC/DC uModule (電源模塊) 壓器。封裝中內置了開關控制器、功率 FET、電感器和所有的支持組件。ZCC4650 可在一個
2024-02-17 16:40:26
與主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存）有不同的特點和應用場景。 首先，我們來詳細了解ROM的特點和分類。ROM是一種非易失性存儲器，這意味著即使在斷電或重啟系統后，存儲在ROM中的數據仍然保持完整。這是由于ROM的存儲單元是由非可更改的電路或柵電勢器構成
2024-02-05 10:05:10743 1) 允許一個物理內存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數據存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數據存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數據的數據存儲器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15513 準備設計一款輸入48V，輸出12V/20A有源鉗位正激電源，在使用ADP1051時，遇到了一些問題，煩請幫忙解答。
1.ADP1051與PC機無法連接。ADP1051外圍電路參考數據手冊及應用手
2024-01-08 07:38:51
如何充分利用單片機（MCU）的非易失性存儲器 單片機（MCU）的非易失性存儲器（NVM）是存儲數據和程序的重要組成部分。它可以保留數據，即使在斷電或復位后也不會丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 。
0x0000 0xXXXX NOP指令0會通過SDO輸出16位字，其中最后4位包含控制寄存器的內容。如果位C3 = 1，則熔絲編程命令成功。
這么做讀出的是控制寄存器的內容，而不是存儲器的內容
2023-12-06 06:04:03
電子發燒友網站提供《基于非易失性存儲器的數字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
半導體存儲器用于數據存儲。按照電源在關斷后數據是否依舊被保存的方式區分，存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 G2406C1.5MHz，1A高效降壓DC-DC轉換器
概述:
G2406C是一款高效的直流-直流降壓開關穩壓器，能夠提供高達1A輸出電流。G2406C在2.7V至5.5V的寬范圍輸入電壓下工作，使
2023-11-11 10:45:51
單片機的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微處理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特點 ；芯片 集成 USB3.0高速物
理層
2023-10-20 18:20:58
內存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器測試問題怎么才能穩定
2023-10-17 06:51:11
神奇arduino：用a4紙自制一款手勢鼠標項目文檔請下載附件哦
2023-10-10 06:14:22
怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術的飛速發展，數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優勢，在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統的非易失性存儲器相比，具有優越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結構
2023-09-15 07:53:08
1. 描述 引腳排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行電可擦除只讀存儲器（EEPROM），分別采用256/512/1024×8位的組織結構，廣泛應用于低電壓
2023-09-15 06:53:34
Gbyte)、16或32位LPDDR2/LPDDR3或DDR3/DDR3L高達533 MHz的外部存儲器。
STM32MP151A/D器件集成了708千字節內部SRAM的高速嵌入式存儲器(包括256
2023-09-13 07:23:32
系統架構
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態重映射（STM32F2新增）
? 內嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
Flash存儲器是一種非易失性存儲器，即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:282617 Cortex-A72處理器是一款實現ARMv8-A架構的高性能、低功耗處理器。
它在帶有L1和L2緩存子系統的單處理器設備中具有一到四個核心。
下圖顯示了四核Cortex-A72處理器配置的示例框圖。
2023-08-25 06:27:45
隨著高速數據通信的進步，數據更頻繁地發送意味著對非易失性存儲器的需求增加，因為非易失性存儲器可以承受這種頻繁的數據操作。鐵電存儲器是具有物聯網新時代所要求的高讀寫耐久性和快速寫入速度的理想存儲設備
2023-08-24 10:05:59
技術，每種技術都具有不同的特性和高級功能。雙數據速率 (DDR) 同步動態隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統存儲器最主流的存儲器技術，因為它使用電容器作為存儲元件來實現高密度和簡單架構、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
Cortex-A8處理器是一款高性能、低功耗、高速緩存的應用程序處理器，可提供完整的虛擬內存功能。
該處理器的功能包括：
·完全實現ARM體系結構v7-A指令集·具有高級可擴展接口(AXI)的可配
2023-08-17 07:43:12
Cortex-A15 MPCore處理器是一款高性能、低功耗的多處理器，采用ARMv7-A架構。
Cortex-A15 MPCore處理器在具有L1和L2緩存子系統的單個多處理器設備或MPCore設備中具有一到四個Cortex-A15處理器。
2023-08-17 07:37:22
Cortex-A5處理器是一款高性能、低功耗的ARM宏單元，具有提供完整虛擬內存功能的一級高速緩存子系統。
Cortex-A5處理器實現了ARMv7架構，并在Jazelle狀態下運行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位JAVA?字節碼
2023-08-17 07:16:41
Cortex-A17 MPCore處理器是一款高性能、低功耗的處理器，采用ARMv7架構。
Cortex-A17 MPCore處理器在帶有L1和L2高速緩存子系統的單個多處理器設備中具有一到四個處理器。
2023-08-17 07:06:31
Cortex-A9處理器是一款高性能、低功耗的ARM宏單元，具有提供完整虛擬內存功能的一級高速緩存子系統。
Cortex-A9處理器實現ARMv7-A架構，并在Jazelle狀態下運行32位ARM
2023-08-17 06:53:00
Cortex?-A77內核是一款高性能、低功耗的ARM產品，可實現。
ARM?V8-A架構。
Cortex?-A77核心支持：
·ARM?v8.2-A擴展。
·可靠性、可用性和可維護性(RAS)擴展
2023-08-08 07:17:20
Cortex?-A76內核是一款高性能、低功耗的ARM產品，采用ARM?V8-A架構。
Cortex?-A76核心支持：
·ARM?v8.2-A擴展。
·可靠性、可用性和可維護性(RAS)擴展
2023-08-08 07:05:05
新宇宙? V1核心是一款高性能、低功耗的Arm產品，實現了Arm?v8-a架構。
新宇宙? V1核心支持：
?Arm?v8.4-A擴展。
?可靠性、可用性和可服務性（RAS）擴展?統計分析擴展
2023-08-08 06:21:50
富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲器串行接口系列中密度最高的產品。目前已實現量產產品。 在不斷變化的環境中，隨著傳感器信息數據量的增加和邊緣計算的擴展，客
2023-08-04 11:55:04339 
Cortex-A9處理器是一款高性能、低功耗的ARM宏單元，具有L1緩存子系統，可提供完整的虛擬內存功能。Cortex-A9處理器實現ARMv7-A架構，在Jazelle?狀態下運行32位ARM指令、16位和32位Thumb?指令以及8位Java字節碼。
2023-08-02 16:29:35
PrimeCell靜態存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統（SoC）外圍設備，由ARM有限公司開發、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
的內核，該單元為標記為共享的存儲器維護L1數據緩存一致性。Cortex-A5 MPCore處理器實現ARMv7體系結構，運行32位ARM指令、16位和32位Thumb指令以及8位Java
2023-08-02 10:00:07
本文檔描述了ARM用于A級系統的地址映射，來自模型和模擬器到開發板和復雜的SoC。
它解釋了存儲器、外圍設備和擴展的地址分區選擇空間。
它描述了當32位平臺操作系統使用36位或40位地址空間，以及32位總線主控器和外圍設備。
它將存儲器映射擴展到未來64位ARM系統的48位地址空間，
2023-08-02 08:19:29
SC054 ASB靜態存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構（AMBA）的片上系統外圍設備，由ARM開發、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級系統總線
2023-08-02 07:39:45
可訪問外部存儲器的AHB端口。AHB端口具有到內存控制器的橋接接口。有一個單獨的AHB端口用于配置內存控制器。SMC的特定配置被實例化以針對特定存儲器設備。圖1-1顯示了AHB MC（PL241）配置
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四個可訪問外部存儲器的AHB端口。每個AHB端口都有一個到內存控制器的橋接接口。有一個單獨的AHB端口用于配置內存控制器。SMC和DMC的特定配置被實例化以針對特定存儲器設備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
HC89F0431A/0421A/0411A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發的增強型 8 位單片機，內 部有 16K Bytes FLASH 程序存儲器，256Bytes
2023-07-28 15:43:46
電子發燒友網站提供《MR16 EMC的參考設計.pdf》資料免費下載
2023-07-24 10:52:050 ADSP-21992進一步擴展了ADSP-2199x混合信號DSP產品系列的性能，可提供32K字程序存儲器RAM和16K字數據存儲器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
iButton?溫度記錄器(DS1922L/T)是堅固耐用的自供電系統，能夠測量溫度并將測量結果記錄在受保護的存儲器內。記錄溫度的頻率由用戶定義。總共可以保存8192個8位數據記錄或4096個16
2023-07-14 09:24:23
iButton?溫度/濕度記錄器(DS1923)是堅固耐用的自供電系統，能夠測量溫度與/或濕度，并將測量結果記錄在受保護的存儲器內。記錄頻率由用戶定義。總共可以保存8192個8位讀數或4096個16
2023-07-14 09:18:41
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
帶存儲器的雙路可尋址開關DS2406提供了一種簡便的方法，通過1-Wire?總線遠程控制一對漏極開路晶體管和回讀每個晶體管的邏輯電平，從而實現閉環控制。每個DS2406都具有工廠刻度在片內的64位
2023-07-13 16:16:25
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術。DS28E80具有248字節用戶存儲器，分成8字節大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
片選提供了許多選項，可以在每個片選上設置這些選項，以允許連接到各種外部器件。存儲器映射的外部片選區域地址從 0x60000000 開始。有關更多詳細信息，請參見《硬件用戶手冊》。 8.5.1 使用外部16位存儲器器件 連接具有字節選擇線的外部16位存儲器器件時，將MCU的A1連接到存
2023-06-28 12:10:02348 
易失性存儲器的發展歷程 繼續關于存儲器的發展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲器的發展史，本期內容我們將回顧易失性存儲器的發展歷程。易失性存儲器在計算機開機時存儲數據，但在關閉時將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數據信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數據會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲的數據在斷電后依然存在，不會丟失，因此也被稱為非易失性存儲器。而RAM是易失性存儲器，當斷電時，其中的數據將會丟失。
2023-06-20 16:38:442016 作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 我使用 Wemos D1 mini 制作了一款簡單但具有挑戰性的游戲。
我盡量使說明盡可能詳細，但如果您對此有任何疑問，請告訴我。
您所要做的就是將魔杖從電線的一端拿到另一端。它有一個 OLED
2023-05-23 06:14:41
在單板設計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統或者是復雜的單板設計，都離不開存儲器設計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統
2023-05-19 15:59:37
我們想在 16 位模式下使用帶 DDR4 的 LS1043A 定制板。關于這一點，請按照附件文檔確認 LS1043A 和 DDR4 之間的接口連接。
16位模式下MA14\\\\MBG1有什么用。
2023-05-17 11:21:19
MAX17000A脈寬調制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可源出/吸入電流的LDO穩壓器以及一路基準緩沖器，能夠產生
2023-05-17 09:48:45
描述? BL24CM2A提供2097152位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為262144字，每個8位。? 該設備被優化用于許多工業和商業應用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:42:25
描述? BL24CM1A提供1048576位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為131072字，每位8位。? 該設備被優化用于許多工業和商業應用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:32:07
單片機的程序存儲器和數據存儲器共處同一地址空間為什么不會發生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進一步開發。
2023-05-10 11:03:57408 通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應該將其設置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設傳輸方式，本章將講解DMA外設到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設，通過串口調試助手等向開發板發送數據，數據會被返回給開發板并通過串口調試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關于DMA，具有三種數據傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設、外設到存儲器。前面已講解過關于存儲器到存儲器數據傳輸方式，本章將講解存儲器到外設的傳輸方式以及在下一章將會講解外設到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想將數據寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現數據在兩個內存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態的源數據，存放在內部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數據拷貝到目標地址上（內部SRAM），最后對比源數據和目標地址的數據，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
存儲設備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
樣具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們如何使用。請指導我們實現這一目標
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
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