嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15
513 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 ，但它的指標(biāo)是每個腳可驅(qū)動60毫安的負(fù)載（如匹配幾十歐姆的電阻），即滿負(fù)荷的功耗最大可達(dá)60*16=960mA，當(dāng)然只是電源電流這么大，熱量都落到負(fù)載身上了。
誤區(qū)六：存儲器有這么多控制信號，我
2024-01-09 08:04:28
低功耗是微控制器設(shè)計中非常重要的一個方面，尤其對于像STM32F030K4T6這樣的微控制器來說，低功耗設(shè)置是提高電池壽命、減少能耗的關(guān)鍵。本文將詳細(xì)介紹如何在STM32F030K4T6微控制器上進(jìn)
2024-01-04 10:41:51285 人工智能芯片通常使用 SRAM 存儲器作為緩沖器（buffers），其可靠性和速度有助于實現(xiàn)高性能。
2024-01-03 17:16:041432 
PY32L020 單片機(jī)是一款高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的 MCU。芯片嵌入了24Kbytes Flash 和 3Kbytes SRAM 存儲器，主頻
2023-12-20 16:02:38
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機(jī)訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細(xì)介紹SRAM的讀寫電路設(shè)計
2023-12-18 11:22:39496 SRAM是采用CMOS工藝的內(nèi)存。自CMOS發(fā)展早期以來，SRAM一直是開發(fā)和轉(zhuǎn)移到任何新式CMOS工藝制造的技術(shù)驅(qū)動力。
2023-12-06 11:15:31635 今天給大家介紹一款Soc 2.4G 收發(fā)一體模塊-SI24R03
Si24R03是一款高度集成的低功耗無線SOC芯片，芯片為QFN32 5x5mm封裝，集成了資源豐富的MCU內(nèi)核與2.4G收發(fā)器模塊
2023-12-05 11:50:06
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17914 
低功耗雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動
2023-11-21 09:37:36257 
，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一款低功耗LED燈驅(qū)動電路原理介紹.doc》資料免費下載
2023-11-14 11:23:17
0 SRAM 的數(shù)量是任何人工智能處理解決方案的關(guān)鍵要素，它的數(shù)量在很大程度上取決于您是在談?wù)摂?shù)據(jù)中心還是設(shè)備，或者是訓(xùn)練還是推理。但我想不出有哪些應(yīng)用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓(xùn)練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 單片機(jī)的存儲器主要有幾個物理存儲空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
20Kbytes的flash存儲器和3Kbytes的SRAM，為簡單的數(shù)據(jù)處理提供了充足的存儲空間。 在時鐘系統(tǒng)方面，PY32F002A配備了內(nèi)部8/24MHz RC振蕩器、內(nèi)部32.768KHz RC振蕩器
2023-10-25 19:05:03471 
PY32F002A系列微控制器是一款高性能、低功耗的MCU，它采用32位ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核，最高工作頻率達(dá)到24MHz，提供了強(qiáng)大的計算能力。此外，PY32F002A擁有最大20Kbytes的flash存儲器和3Kbytes的SRAM，為簡單的數(shù)據(jù)處理提供了充足的存儲空間。
2023-10-24 17:19:59557 
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
常見幾種硬盤的簡單介紹
硬盤是服務(wù)器托管用戶主機(jī)主要的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。目前硬盤的種類有三類，不同的選擇方案也會有不同的優(yōu)劣對比。下面講講他們之間有什么不同吧
固態(tài)硬盤： 用固態(tài)電子存儲芯片陣列
2023-10-18 16:56:11
設(shè)計。
三種設(shè)計相結(jié)合，才能達(dá)到業(yè)界最優(yōu)的低功耗目標(biāo)。
低功耗框架
任何廠家，低功耗的設(shè)計都需要分為電路設(shè)計和系統(tǒng)軟件設(shè)計兩部分，本書主要介紹的是低功耗系統(tǒng)架構(gòu)的設(shè)計。
一般，在復(fù)雜的系統(tǒng)中，會有獨立
2023-10-18 03:27:48
存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
功能，既能夠獨?應(yīng)?，也可以作為從機(jī)搭載于其他主機(jī) MCU 運?。當(dāng) ESP8266EX 獨?應(yīng)?時，能夠直接從外接 Flash 中啟動。內(nèi)置的?速緩沖存儲器有利于提?系統(tǒng)性能，并且優(yōu)化存儲系統(tǒng)。此外
2023-10-10 06:23:49
MCU干預(yù)
-OSC起振失敗監(jiān)測功能
其他特征
超低功耗，最低功耗達(dá)1.7uA（MCU模塊處于掉電模式，讀卡器模塊處于硬掉電模式）；
典型ACD模式功耗為4.1uA（MCU模塊處于掉電模式，讀寫器
2023-10-08 16:01:27
怎么隨機(jī)存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢，在各個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
高達(dá)48 MHz的ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核、高速嵌入式存儲器(高達(dá)64K字節(jié)的閃存和高達(dá)8K字節(jié)的SRAM)，以及各種增強(qiáng)型外設(shè)和I/O。
所有器件均提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(三個UART、一個SPI
2023-09-14 08:54:22
CW32L083是一款基于eFlash的單芯片低功耗微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+
核心，主頻高達(dá)64MHz，高速嵌入式存儲器（高達(dá)256K字節(jié)的FLASH和
高達(dá)24K字節(jié)
2023-09-14 06:41:28
CW32L052 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節(jié) FLASH 和多至 8K
2023-09-14 06:28:26
CW32L083 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達(dá) 64MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 256K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 06:27:07
CW32L031是一款基于eFlash的單芯片低功耗微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+
核心，主頻高達(dá)48MHz，高速嵌入式存儲器（高達(dá)64KB的FLASH和
高達(dá)8K字節(jié)的SRAM
2023-09-14 06:02:27
)都是獨立和軟件可配置的 每個通道都有3個事件標(biāo)志位DMA半傳輸DMA傳輸完成和DMA傳輸出錯 支持存儲器->存儲器外設(shè)->存儲器存儲器->外設(shè)和外設(shè)-&
2023-09-13 08:06:16
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲空間
? 存儲器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動模式
? 代碼空間的動態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
ST低功耗MCU產(chǎn)品介紹? STM32Lx 低功耗產(chǎn)品特性? STM32Lx 低功耗模式對比? 低功耗MCU ULPBench? 低功耗市場應(yīng)用? 解決問題案例? 案例：外部GPIO的漏電流? 案例：硬件上的“小”問題? 案例：低功耗模式引起的外設(shè)工作異常? 案例：數(shù)據(jù)采集中的省電模式BAM
2023-09-11 06:04:06
存儲器是計算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機(jī)存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 ，介紹下函數(shù)名字，參數(shù)，但是完全不知道接口為什么要這么設(shè)計，設(shè)計原理時什么，思路時什么，有什么借鑒的。
缺乏理論結(jié)合實踐，缺乏擴(kuò)展
比如第一章講低功耗的3種主要設(shè)計思路，其實這是低功耗設(shè)計的核心了，應(yīng)該
2023-09-08 23:38:15
本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯碼（ECC）的管理和實現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對保護(hù)內(nèi)部存儲器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
根據(jù)專利要點，提供本申請的一種存儲器是檢測方法及存儲半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲單元中寫設(shè)定存儲。
2023-09-07 14:27:24524 
包含了? ST低功耗MCU產(chǎn)品介紹? STM32L4 低功耗產(chǎn)品特性? STM32L 低功耗模式對比? 如何評估功耗，如何根據(jù)應(yīng)用選擇? 低功耗MCU ULPBench? 低功耗市場應(yīng)用
2023-09-07 08:12:41
庫的慢-慢工藝點對塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù)，因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
發(fā)出警報聲。 本文主要介紹國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲方案中。對于這些應(yīng)用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
XL32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的MCU。嵌入高達(dá)64 Kbytes flash和8 Kbytes SRAM存儲器，最高工作頻率
2023-08-11 13:57:28
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032205 器件中的高功耗雖然是可以容忍的，但是在設(shè)計過程中，我們往往都在追求低功耗實現(xiàn)。上篇文章中，小編對MCU的低功耗設(shè)計有所解讀。為增進(jìn)大家對功耗的了解程度，本文將對寄存器傳輸級低功耗設(shè)計方法予以介紹。
2023-07-23 15:38:11957 
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
低功耗藍(lán)牙協(xié)議棧介紹
2023-07-04 19:32:482 鐵電存儲器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 ，非易失性存儲器在計算機(jī)關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機(jī)中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 PHY6222
超低功耗藍(lán)牙芯片
是一款低功耗藍(lán)牙芯片，主要應(yīng)用在數(shù)據(jù)傳輸?shù)漠a(chǎn)品領(lǐng)域。例如，車載藍(lán)牙、手環(huán)、醫(yī)療、藍(lán)牙鎖、藍(lán)牙自拍桿、藍(lán)牙健身器材等等。處理器為32位的ARM Cortex M0
2023-06-27 17:30:17
如果您正在尋找一款高性能、低功耗的微控制器，那么XL32F002A是一個您值得考慮的選擇。這款MCU在價格上非常的具有性價比。32位ARM Cortex-M0+處理器擁有多項強(qiáng)大的特性，包括最高24MHz的工作頻率、20Kbytes的flash存儲器和3Kbytes的SRAM。
2023-06-27 17:21:43443 Card外部存儲器。LTM32F103ZET6芯片支持多種省電模式，使其能夠滿足各種低功耗應(yīng)用的要求，其內(nèi)部框架圖如下： LTM32F103ZET6芯片主要特性： ARM 32位Cortex-M3內(nèi)核 512KB閃存、64KB SRAM高
2023-06-26 14:12:19797 
PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775 靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421 
UPF是一個統(tǒng)一的，被廣泛應(yīng)用的低功耗實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)。它用一些標(biāo)準(zhǔn)的語言描述用戶的低功耗設(shè)計意圖。
2023-06-05 17:48:141295 
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
介紹低功耗的概述
2023-06-03 12:43:14802 介紹Cortex-M0、Cortex-M0+超低功耗
2023-06-02 09:36:01409340 存儲器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251 
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
UPF編碼基礎(chǔ)（內(nèi)容：電源網(wǎng)絡(luò)定義，多電壓域設(shè)計，低功耗模式，低功耗單元規(guī)則（rules)，芯片邊緣供電定義，IP供電描述）
2023-05-15 14:22:43716 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 32MHz- 單周 期硬件乘法器- 0 等待周期取指 @0~32MHz- 指令效率 1.11 DMIPS/MHz @Dhrystone? 存儲器- 16KB SRAM 、 64KB e F lash
2023-05-11 10:45:50
單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個非易失性存儲器是PROM（可編程只讀存儲器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫可編程只讀存儲器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實驗室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462547 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
“隨手關(guān)燈”的概念，盡可能的縮短暫時不使用的模塊通電的時間，以降低系統(tǒng)運行時總的平均功率。 簡單來說低功耗就是能耗低，電耗小，量大可以節(jié)能。 而低功耗語音芯片是指能耗低，電耗小的語音ic，那么有哪些低功耗語音芯片呢？ N
2023-04-14 16:06:27466 
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
的RAM或常規(guī)的非易失性存儲。該存儲器真正是非易失性的，而不是由電池供電的。引腳配置特征高集成度設(shè)備替代了多個零件?串行非易失性存儲器?帶鬧鐘的實時時鐘（RTC）?低VDD檢測驅(qū)動復(fù)位?看門狗窗口定時器
2023-04-07 16:23:11
這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂谩Ｕ堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機(jī)角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
的頻率限制。另外，尋找 SRAM 的使用情況。 問題 1：使用外部 SRAM 時，SEMC 控制器是否有頻率上限（如 166MHz，低于或高于）限制？問題 2：是否有具體的文檔描述使用 SEMC
2023-03-30 07:11:18
當(dāng)系統(tǒng)時鐘頻率降至 2 MHz 以下時，可實現(xiàn)此模式。代碼從 SRAM 或閃存中執(zhí)行。穩(wěn)壓器處于低功耗模式以最小化其工作電流。 ? ? 3.2配置低功耗運行模式 3.2.1 STM32CubeMX
2023-03-23 14:40:05431 
低功耗模式介紹 默認(rèn)情況下，微控制器在系統(tǒng)或電源復(fù)位后處于運行模式。當(dāng) CPU 不需要保持運行時，例如等待外部事件時，可以使用多種低功耗模式來節(jié)省電量。超低功耗 STM32L476xx 支持七種
2023-03-23 14:30:25853 
我正在使用 iMXRT1160，IVT 標(biāo)頭的版本描述及其用法是什么？
2023-03-23 09:10:07
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