研究生新生，導師安排了一個和企業合作的永磁電機FOC驅動項目。希望選用H7或F4的某一款，除了基本的六路PWM，電壓電流溫度反饋保護等功能外，還希望支持Ethernet，CClink等現場總線通信
2024-03-22 07:18:08
有誰遇到過 cubemx 生成的F4 usb audio的代碼，能枚舉成功，但沒有同步端點（OTG_FS）的情況嗎？
有大佬指點一下嗎？
2024-03-18 07:32:36
STM32F103使用ST-LINK Utility量產模式，選擇開啟RDP后，單片機Flash讀寫功能出現問題。但是在程序中開啟RDP，同樣的程序，Flash讀寫功能正常。
請教下這2種開啟RDP方式的區別是什么？
2024-03-07 08:22:36
途。
單相電源應用廣泛。例如，它適用于運行高達5hp的電機，它們可用于為非工業企業和家用電器提供充足的電力。
4.三相供電
那么，三相電源呢？如果您想將它們與單相進行比較并了解單相和三相發電機之間的區別
2024-03-01 09:28:47
數碼管可以用于顯示數字信息，一個七段數碼管分別由a、b、c、d、e、f、g控制位和表示小數點的dp位段組成。實際是由8個LED燈組成的，控制每個LED的點亮或熄滅實現數字顯示。通常數碼管分別為共陽極
2024-02-29 09:01:47
工頻逆變器和高頻逆變器之間的區別是什么? 工頻逆變器和高頻逆變器是兩種不同類型的逆變器，其主要區別體現在以下幾個方面。 一、工作頻率不同 工頻逆變器是指工作頻率為50Hz或60Hz，與電網頻率相同
2024-01-31 16:27:08
490 1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
齊納管的兩種不同的工作機制：齊納擊穿（低壓下）和雪崩擊穿（高壓下），這兩種擊穿方式對齊納管的反向電壓電流以及齊納管的壽命有什么影響和區別？
如果僅需齊納管實現穩定的電壓參考源，就無需關心具體電壓
2024-01-26 23:28:52
推挽和互補放大電路的區別是什么？在晶體管的不同，BTJ和FET的不同？例如在NPN和PNP電路中，上級電路的輸入共同作用加在兩個基極之間？假設是高電平，為什么上面晶體管導通，下面晶體管不導通？當下
2024-01-25 22:28:59
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
的變化。
1、當柵極電壓未達到門檻電壓時，漏源之間基本處于關斷狀態，即使漏源之間加上電壓漏電流也很小。
2、當柵極電壓達到門檻電壓時，導電溝道開始出現，場效應管進入線性區，漏源之間電阻開始減小，此時漏源
2024-01-18 16:34:45
FLM5964-4F/001型號簡介Sumitomo的FLM5964-4F/001是一種功率砷化鎵場效應管，內部匹配標準通信頻段，在50歐姆系統中提供最佳功率和增益。型號規格 廠家
2023-12-20 10:19:33
9，按鍵 K2 控制第二個數碼管，按一下數字加 1，顯示從 0 到 9，類似的，按鍵 K3 控制第三個數碼管，按鍵 K4 控制第四個數碼管
依然使用官方提供的Demo，再次基礎上學習實現功能。
1
2023-12-17 15:42:37
經常發現運放電源與輸出之間加二極管，求解
2023-11-27 06:47:15
光伏、光電與光熱三者之間的區別是什么？ 光伏、光電和光熱是與太陽能有關的三個重要概念，它們都利用了太陽的能量，但在實際應用和原理方面存在一些差異。下面是一篇詳盡、詳實和細致的1500字文章，介紹
2023-11-21 16:15:341049 電機的極數什么意思？2極，4極，6極，8極的區別是什么？ 電機的極數指的是電機中磁極或繞組的數目。常見的電機極數有2極、4極、6極、8極等，不同的極數對電機的性能和應用有著重要影響。下面將詳細介紹
2023-11-17 11:41:453444 動力電池和儲能電池之間的區別是什么？ 動力電池和儲能電池在用途、設計、性能以及技術特點等方面存在著顯著的差異。本文將從這些方面進行詳細解析，幫助讀者全面了解和區分這兩種類型的電池。 一、用途
2023-11-13 12:19:33876 arduino和單片機的區別是什么
2023-11-07 08:34:41
1.共陽極/共陰極數碼管內部組成結構
2.設計共陰/共陽數碼管驅動電路
3.數碼管顯示的字符與段選/位選之間的關系
共陰從左往右第三個數碼管顯示0
共陽從左往右第三個數碼管顯示0
0對應的段選就是
2023-11-06 11:06:42
TI的FAE給推薦了一款基于Arm Cortex R4F內核的MCU TMS570系列，不知道這個內核與ARM Cortex M4F內核有什么區別？只知道R系列內核實時性很強。
2023-11-06 07:13:19
要點亮數碼管中 a、b、c、d、e、f、g、dp ）:
1.共陰極 LED 顯示器字形碼對應關系如下：
數字對應： 0x3f: 0； 0x06:1； 0x5b:2; 0x4f: 3；
0x66:4; 0x6d
2023-11-05 18:37:57
字段發光二極管的陽極為高電平時，相應字段就點亮。
2. Keil工程和過程截圖
/**********
*實驗名：LED顯示器動態顯示
*實驗效果：在4位一體LED顯示器左數第4位顯示4，過1s，
*在左數
2023-11-04 23:53:28
?RT1052?號稱跨界處理器
F7 與H7都是ST的產品。
他們都是M7的內核，為何差別會這么大
他們三者都有什么區別
2023-11-02 06:23:20
CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V,高電子遷移率晶體管CMPA0527005F，CREE/科銳，5W, 0.5 - 2.7 GHz, 50 V
2023-10-17 16:12:54
STM32的G4與F4有哪些區別
2023-09-25 07:38:25
stm32f030c6t6和f031c6t6有什么區別
2023-09-25 07:19:35
請問stm32f1系列自帶dfu嗎，我知道f4是自帶的
2023-09-25 07:09:52
口等。該芯片的配置十分強悍，很多功能相對STM32F1來說進行了重大改進，比如FSMC的速度，F4刷屏速度可達3300W像素/秒，而F1的速度則只有500W左右。現在收集了一些原理圖、PCB、源碼以及文檔手冊分享給大家。
2023-09-22 07:06:30
f4的pwm管腳可以輸出100MHz左右的頻率嗎，那么是不是可以做調頻發射電路
2023-09-22 06:48:09
管是p型MOSFET。這兩種管子的主要區別是導通時的極性。 本文將詳細介紹使用NMOS和PMOS管的兩級運放輸入級之間的區別。 1.結構區別： 兩級運放的輸入級通常由一個差分放大器和一個共源共極放大器組成。在差分放大器中使用了兩個輸入MOS管，而共源共極放大器則使用一個單端輸入MOS管。 對于兩
2023-09-17 17:14:341950 產品系列概述
? F1/F2/F4特征比較
? 突出顯示的功能
? 引導和重映射功能
? RTC校準和同步
? 復位和調節器功能
? I2S新功能
? F1至F2至F4端口導向器
2023-09-12 07:44:21
Keil Middleware版本6.0依賴于CMSIS驅動程序API 2.0。
您需要升級到STM32F2或F4 Device Family Pack(DFPS)版本2.x或更高版本。
這些DFP
2023-09-04 07:33:25
衛星通話和聯網的區別是什么？? 衛星通話和聯網雖然涉及到衛星技術，但是它們之間還是有很大的區別的。下面我們將從技術的角度來詳細解釋一下衛星通話和聯網的區別。 一、衛星通話 衛星通話是指通過衛星傳輸
2023-08-30 17:27:0711227 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
差異。本文將詳細介紹晶閘管和MOS管之間的區別。 一、結構 晶閘管由四個半導體層組成，分別是P型半導體，N型半導體，P型半導體和N型半導體。結構從外到內進行排列。與之相比，MOS管由三個半導體層組成：源極，漏極和柵極。其中柵極是一
2023-08-25 15:53:572470 晶閘管和晶體管區別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導體器件的范疇，它們的出現都徹底改變了電子行業的發展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關鍵的區別，這些區別在分析它們的工作原理、特點、應用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管和mos管的區別是什么？ 晶體管（transistor）和MOS管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）都是半導體器件，它們
2023-08-25 15:29:314219 儲能和氫能源的區別是什么？ 儲能和氫能源是兩種不同的能源技術，雖然它們都被認為是未來能源發展的方向，但是它們之間存在著很多區別。 儲能技術是指將能量儲存在儲能設施中，以便在需要時釋放出來。目前，常見
2023-08-22 17:06:511381 請問 Hbird-SDK、Nuclei-SDK和NucleiStudio這三者之間的關系和區別是什么啊？有沒有誰包含誰了？
2023-08-12 08:08:18
CHKA012a99F 是一款 140W 氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為雷達和電信等各種射頻功率應用提供通用寬帶解決方案。它是在 SiC 襯底上采用 0.5μm 柵極長度 GaN HEMT
2023-08-10 10:50:22
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設計的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封裝 GaN 晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封裝晶體管，輸入和輸出端口完全匹配 50 歐姆
2023-08-08 10:35:45
8.8 - 9.6 GHz、300 W、45 V、封裝 GaN 晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1A250F 是一款 300 W 封裝晶體管，輸入和輸出端口完全匹配 50 歐姆
2023-08-08 10:25:26
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷達放大器應用。晶體管的輸入匹
2023-08-07 17:27:44
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH31240F 非常適合 2.7 –3.1-GHz；S波段；雷達放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
120-W；2.9 - 3.8 GHz；50V；用于 S 波段雷達系統的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV35120F 是一款專為高效率而設計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 16:28:32
請問stm32F427IIH6和stm32f429iih6有哪些區別啊？
2023-08-07 11:17:29
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH21240F 非常適合 1.8 – 2.3 GHz WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體
2023-08-07 09:34:30
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGH25120F 非常適合 2.3-2.7GHz WiMAX；LTE 和 BWA 放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金
2023-08-07 09:18:04
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH09120F 非常適合 MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
2023-08-07 09:13:02
有誰遇到過 cubemx 生成的F4 usb audio的代碼，能枚舉成功，但沒有同步端點（OTG_FS）的情況嗎？
有大佬指點一下嗎？
2023-08-07 08:31:38
Cgh2760F成為甚高頻、通信、3G、4G、LTE、2.3-9.9zWMAX和Bwa放大器的理想應用。無與倫比的晶體管由陶瓷/金屬法蘭封裝提供。
2023-08-04 17:01:17
高效率;高增益和寬帶寬能力;使Cgh40035F成為線性和壓縮放大電路的理想。晶體管可在一個旋下法蘭包中使用。 特點多達4千兆赫的操作2.0千兆
2023-08-04 10:16:16
高效率;高增益和寬帶寬能力;使Cgh40035F成為線性和壓縮放大電路的理想。晶體管可在一個旋下法蘭包中使用。 特點多達4千兆赫的操作2.0千兆
2023-08-04 09:15:44
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它們之間最大的區別是電流、電壓和響應速度。
從某種意義上說，1N4007可以代替1N4148，只要響應速度不是太苛刻，1N4148注定只能用在弱電低電流感性負載上。
III.1N4148
2023-07-31 16:07:44
600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設計，比
2023-07-25 10:07:08
003f4可以直接驅動3位數碼管動態顯示嗎 還有003f4我用5V供電可以嗎？有大佬麻煩幫我解答一下疑惑好不好，謝謝
2023-06-15 07:04:50
ZXTP2041F 產品簡介DIODES 的 ZXTP2041F（PNP, 40V, 1A, SOT23）該晶體管結合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅動
2023-06-12 17:28:12
ZXTP2027F 產品簡介DIODES 的 ZXTP2027F（PNP, 60V, 4A, SOT23）先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率
2023-06-12 10:15:19
ZXTP2025F 產品簡介DIODES 的 ZXTP2025F（PNP、50V、5A、SOT23）先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該
2023-06-12 10:06:02
ZXTN2040F 產品簡介DIODES 的 ZXTN2040F 該晶體管結合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅動和低損耗功率開關的理想選擇。
2023-06-08 06:47:03
ZXTN2038F 產品簡介DIODES 的 ZXTN2038F 該晶體管結合了高增益、高電流操作和低飽和電壓，使其成為功率 MOSFET 柵極驅動和低損耗功率開關的理想選擇
2023-06-08 06:38:43
ZXTN2031F 產品簡介DIODES 的 ZXTN2031F 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值
2023-06-07 22:58:24
ZXTN2020F 產品簡介DIODES 的 ZXTN2020F 先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形晶體管的功率處理能力和性能。該設備的緊湊尺寸和額定值使其非常適合
2023-06-07 21:17:56
請問模塊有什么區別（除了一個LED二極管和對應的電阻）？
謝謝你！
2023-05-25 09:00:40
兩者之間有什么區別。
想要確定部件號 FXPS7250A4S 末尾的“S”標記表示什么？另外，這部分的預計開發完成日期是什么時候？當原件過時時它會可用嗎？
2023-05-17 06:38:43
n-mos管截止如果在s-d之間加上正向電壓，體二極管會不會導通？
2023-05-16 14:30:44
在推挽電路中，三極管PNP的基極和發射集之間連了一個5V穩壓二極管，這個穩壓二極管起什么作用？
2023-04-28 14:37:18
、半導體放電管。
半導體放電管電壓范圍為6~800 V，通量為150A/250A/400A，用于中低浪涌保護。
陶瓷氣體放電管，半導體放電管，玻璃氣體放電管的參數區別：
1、通流量不同。
陶瓷氣體
2023-04-27 11:54:23
有人可以幫我解決 TJA1044 和 TJA1049 之間的區別嗎？
2023-04-17 08:09:07
有人可以說， UJA1169ATK/ X/F 和UJA1169ATK/ X/F Z之間是否有任何區別？如果我們同時使用這兩種類型，我們是否會得到具有任何寄存器或功能的問題？不幸的是，我沒有找到關于 UJA1169ATK/ X/FZ的任何信息
2023-04-11 08:04:03
下午好，我需要確認 (Freescale /NXP) 組件的兩個選項之間的兼容性。第一版 MCHC11F1VFNE4 和第二版 MCHC11F1CFNE4。我知道差異是溫度范圍。但是合適的形式和功能會是一樣的嗎？對芯片進行閃存/編程怎么樣，那也是一樣的嗎？兩個版本之間。
2023-04-06 07:08:56
你能幫我找出S912ZVCA96AMLF和S912ZVCA96F0MLF之間的區別嗎？我的客戶想訂購S912ZVCA96F0MLF，但我們只能找到S912ZVCA96AML。如果它們在功能上相同？
2023-04-04 08:55:21
雙繞組變壓器和三繞組變壓器、三相變壓器之間的區別是什么呢？求解答
2023-04-03 11:25:52
請教大神二極管的正向飽和電流Ior和Isc有什么區別嗎？
2023-03-31 16:26:00
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
我不明白 mCAN、msCAN 和 FlexCAN 之間的區別是什么，或者為什么存在這么多不同版本的 can 外設。 是否有關于每個產品的文檔？
2023-03-29 08:19:06
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