FRAM_READ_INST0x03 //讀存儲器數據
#define FRAM_WRITE_INST0x02//寫存儲器數據
#define FRAM_STATUS_REG0x0 //
#define
2024-03-20 08:08:05
光伏逆變器拓撲概述及關鍵技術
2024-02-21 09:47:20
197 
當我發送讀取請求或 RDID 請求時，我沒有收到從 FRAM 芯片返回的數據。
我不確定自己做錯了什么。
我已經將我的波形 HOLD_N、CS_N、FRAM 中的串行數據、串行數據附加到 FRAM、CLK、WP_N 中。
2024-01-25 07:07:12
FeRAM在汽車行駛記錄儀中應用:
存儲實時的數據如速度、剎車.
推薦型號：MB85RS64T
·非易失性存儲器
·高可靠性
·FeRAM無需寫等待，快速讀寫
·低功耗，靜態電流小于10uA
·無限次的擦寫次數(一萬億次)
2024-01-02 15:46:16314 
FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46412 x86-64:又簡稱為x64，最初開發為1999年AMD，為了擴充IA64。當時的x86-64架構誕生頗有時代意義，處理器的發展遇到了瓶頸，內存尋址空間由于受到32位CPU的限制而只能最大到約4G。于是就有了x86-64。后被INTEL所采用。
2023-12-10 14:48:511372 看出來采集信息的變化則需要存儲更多的數據，請問有什么辦法能存儲超過64K的樣本數據嗎？下面是我實驗采集的圖，第一個圖是
9M時鐘采樣10M被測信號；第二個圖是9．999M時鐘采樣10M被測信號。
希望您能抽出時間幫忙解答，非常感謝您。
2023-12-04 08:32:30
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設備，設計用于各種大容量的基于消費者的應用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執行。該設備靈活的擦除架構，其頁面擦除粒度也是數據存儲的理想選擇，消除了對額外數據存儲設備的需要。
2023-11-29 16:45:57397 
FLASH存儲器 64MB SPI NOR FLASH 2.7V~3.6V
2023-11-28 15:09:06
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統主要是實現數據的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
電表作為一個計量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測芯片的精度有關，而且與其存儲方式有關，如果檢測到的電量數據不能隨機寫入存儲器或寫入存儲器過程出錯電表的精度就會大大降低。 在智能電表數據
2023-11-21 09:59:20
其他存儲器 64GB 2.7V~3.6V
2023-11-17 14:41:09
要考慮到電能系統復雜多變的環境、低功耗、讀寫操作頻率和斷電保存的能力。目前符合電能質量監測系統存儲要求的是國產PB85RS2MC（富士通MB85RS2MT），兩款
2023-11-17 10:28:51
51單片機外部ram和rom能同時接64k嗎，一般都是rom64kram32k，請問同時試用控制線怎么接
2023-11-09 07:44:11
W25Q64 將 **8M** 的容量分為 **128 個塊（Block）** ，每個塊大小為 **64K 字節** ，每個塊又分為 **16個扇區（Sector）** ，每個扇區 **4K 個字節** 。
2023-10-24 09:50:49547 
的非易失性存儲器，既可以進行非易失性數據存儲，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫療設備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數據的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產鐵電存儲器PB85RS2MC在數據保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
溫度：-40°C ~ +85°C
? 存儲器組織結構：
- CW24C32A, 4096 × 8 (32K 位)
- CW24C64A, 8192 × 8 (64K 位)
- CW24C128A
2023-09-15 07:53:08
? 存儲器組織結構：
- CW24C256A, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512A, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發器，過濾輸入，實現
2023-09-15 07:45:35
? 存儲器組織結構：
- CW24C256B, 32768 × 8 (256K 位)
- CW24C512B, 65536 × 8 (512K 位)
? 2 線串行接口
? 施密特觸發器，過濾輸入，實現
2023-09-15 07:20:24
高達48 MHz的ARM?Cortex?-M0+內核、高速嵌入式存儲器(高達64K字節的閃存和高達8K字節的SRAM)，以及各種增強型外設和I/O。
所有器件均提供標準通信接口(三個UART、一個SPI
2023-09-14 08:54:22
CW32L031 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節 FLASH 和多至 8K
2023-09-14 08:26:49
CW32L052 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節 FLASH 和多至 8K
2023-09-14 06:28:26
FLASH存儲器 64Mb WLCSP8_4X2MM 1.65V~2V 133MHz
2023-09-05 10:19:13
Banana Pi BPI-M64 全志A64開發板硬件原理圖
以下是 Banana Pi BPI-M64 開發板的主要特點：
1. 處理器：搭載了全志 A64 四核 Cortex-A53
2023-09-04 16:52:36
1 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:152 PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:047 發出警報聲。 本文主要介紹國產鐵電存儲器PB85RS2MC用于醫療生命監護儀的存儲方案中。對于這些應用，鐵電存儲器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設備可以
2023-08-16 10:30:26
內核：ARM?Cortex?-M0+–最高主頻64MHz?工作溫度：-40℃至105℃；工作電壓：1.65V至5.5V?存儲容量–64K字節FLASH，數據保持25年@85℃–8K字節RAM，支持
2023-08-09 10:42:020 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS2502P-E64相關產品參數、數據手冊，更有DS2502P-E64的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS2502P-E64真值表，DS2502P-E64管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-07 18:30:24
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS2502-E64相關產品參數、數據手冊，更有DS2502-E64的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS2502-E64真值表，DS2502-E64管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-08-04 19:06:01
W25Q64 將 8M 的容量分為 128 個塊（Block），每個塊大小為 64K 字節，每個塊又分為 16個扇區（Sector），每個扇區 4K 個字節。
2023-07-22 11:09:092643 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
R1EX24064ASAS0I/R1EX24064ATAS0I 數據表 (Two-wire serial interface / 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) )
2023-07-13 19:34:320 8051單片機使用8位數據總線，因此它們最多可以支持64K的外部數據存儲器和64k的外部程序存儲器。總的來說，8051單片機可以尋址128k的外部存儲器。
2023-07-07 12:31:33736 
記錄儀器、數據采集、可移動數據存儲器等方面的應用。本文主要介紹鐵電存儲器PB85RS2MC在智能配電箱中的應用。
2023-06-29 09:39:03382 的信息不會丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當使用了FRAM（鐵電存儲器）上述問題就將迎刃而解。將國產FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
，鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據，特別適合在那些對寫入時間和次數有較高要求的應用場合，而且與其MCU接口電路簡單，應用方便，本文介紹了國產鐵電存儲器PB85RS2MC在其多MCU系統中的應用。
2023-06-20 14:19:25391 
我定義了一個64K字節的數組，如果把數組定義成Const常量，編輯之后運行都正常。
但如果把數組定義成變量數組，可以編譯（占的空間比較大：Program Size: Code=8776
2023-06-13 08:36:12
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:12308 
任何人都可以幫助我面對像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無法將超過 8K 的數據寫入 64k 的問題嗎？即使是 64K 容量的扇區在閃存寫入期間也只允許 8k 數據。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
/* 32K */ int_dtcm：起點 = 0x20000000，長度 = 0x000100 00 /* 64K *
/
int_sram : ORIGIN = 0x20400000, 長度
2023-06-07 08:21:37
使用國產鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨特的優點性能是其它存儲器都無法達到的。
2023-06-01 10:59:48187 
作為一種非易失性存儲器，鐵電存儲器兼具動態隨機存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優點，雖然容量和密度限制了其大規模應用，但在要求高安全性與高可靠性等工業應用場合，鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
和耐久性設計，這些要求使國產鐵電存儲器PB85RS2MC成為最佳的存儲選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
PB85RS2MC應用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內工作，芯片的數據在85℃工作環境下可以保存10年，在25℃工作環境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環境條件。
2023-05-25 10:08:41495 
鐵電存儲器硬件接線圖傳統的數據存儲器，讀寫速度較慢，存儲單元反復擦寫后容易損壞，無法滿足機艙油氣濃度數據存儲的要求，故此，國產鐵電存儲器可快速讀寫，擦寫次數可達1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21137 
我想將 i.MX RT1024 與外部 64MB SDRAM 一起使用。根據數據表，它支持 8/16 位 SDRAM 外部存儲器接口。從性能的角度來看，哪種模式更好？如何？如果有任何鏈接/參考可以通過此詳細信息，請告訴我。謝謝
2023-05-05 11:17:30
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 我們的 RAM (64k) 不足，現在當我將一些操作系統任務堆棧移動到系統 Ram (384K) 時，它會影響系統的性能。請讓我知道如何進行。為系統 Ram 啟用數據緩存會有幫助嗎？如果是這樣，請告訴我該怎么做？
2023-04-20 09:27:20
...................................117 結論....................................12插圖清單圖 5-1. 使用 LP873364 為支持 LPDDR4 存儲器的 AM64x 供電
2023-04-14 16:40:42
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執行代碼，存儲語音、文本和數據，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 
需配置且無需實時操作系統3.369coremark/MHz100%單周期指令，無需分支預測最高 200MHz 系統主頻2 存儲器：128KB SRAM可按需分配為：96K代碼空間+32K數據空間64K
2023-04-10 11:52:16
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數據。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復位，看門狗定時器，非易失性事件計數器，可鎖定的64位序列號區域以及
2023-04-07 16:23:11
隨著萬物智聯時代的到來，智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY
2023-04-07 11:24:481501 R1EX24064ASAS0I/R1EX24064ATAS0I 數據表 (Two-wire serial interface / 64k EEPROM (8-kword x 8-bit) )
2023-03-30 20:02:570 大家好，有人可以告訴我在哪里可以找到 20140530_k20dx128_k64f_if_mbed.bin 引導加載程序固件嗎？我需要這個來完成 FRDM K64F 板的一些實驗。如果您可以提供指向固件或 Github 云存儲庫的鏈接，那將非常有幫助。
2023-03-30 07:57:09
FRAM存儲器 I2C 3~5.5V 80μA SOP8_150MIL
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 128K（16 K×8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 16 K（2 K x 8）位SPI
2023-03-29 21:29:57
存儲器FRAM 64 K（8 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:56
存儲器FRAM 16 K（2 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位I2C
2023-03-29 21:29:55
存儲器FRAM 1M（128 K×8） 40MHz SPI
2023-03-29 20:47:53
存儲器FRAM 256 K（32 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:37
窄帶內存FRAM 512K（64 K×8）位SPI
2023-03-29 20:47:00
我已插入全新的 FRDM-K64F。我已經安裝了 MCUXpresso SDK、IDE、配置工具和 (windows) 串行驅動程序。我已經編譯了“hello world”演示。但是當我點擊“調試
2023-03-29 06:30:07
FLASH存儲器 SOIC8_208MIL 64(8Mx8)MB SPI-四 I/O 133MHz 2.7V~3.6V
2023-03-28 18:28:15
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:27
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:59
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOP
2023-03-28 00:13:44
IC FRAM 64KBIT SPI 10MHZ 8SON
2023-03-28 00:13:44
FRAM存儲器 SOIC8_150MIL 1MHz 64kb
2023-03-27 13:53:02
FRAM存儲器 2.7~3.65V 64KB 20MHz SOIC8_150MIL
2023-03-27 13:53:02
IC FRAM 64KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:50
IC FRAM 64KBIT SPI 33MHZ 8SOP
2023-03-27 13:52:49
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOP
2023-03-27 13:42:07
64 K（8 K×8）位I2C存儲器FRAM
2023-03-27 13:39:18
IC FRAM 64KBIT I2C 1MHZ 8SOP
2023-03-27 13:36:52
1.8 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
存儲器容量：64Kb (8K x 8) 存儲器接口類型：I2C 工作電壓：1.7V ~ 5.5V
2023-03-27 11:43:20
雙線串行EEPROM 64K（8位寬）
2023-03-25 03:55:03
單片機程序存儲器64KB是外擴的還是外擴加內部的呢？
2023-03-24 17:44:04
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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