您好,我的應用程序大于1MB后,勾選IROM2后,下載失敗,提示:Load linking...Program Size: Code=225528 RO-data=866252 RW-data
2024-03-22 07:58:13
電子發燒友網站提供《40V、8mΩ 單通道智能高側開關TPS1HB08-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-18 18:18:520 國產高端FPGA芯片有多種,以下是一些知名的國產FPGA芯片,
2024-03-15 14:01:06147 MEMORY CARD SRAM 1MB
2024-03-14 22:15:42
MEMORY CARD SRAM 1MB
2024-03-14 22:15:42
獨立雙核,32位CPU
主頻150MHz
flash 1MB ,SRAM1MB
單精度浮點運算FPU
三角函數運算TMU
24個增強型外設ePWM
16個高分辨率HRPWM(150PS)
3個12位ADC,采樣率3MSPS
2024-03-11 14:52:13
云塔科技(安努奇)發布世界首個LB/MB/HB/UHB四工器,基于云塔自主知識產權的SPD技術,其芯片制程工藝實現100%國產化。
2024-03-11 11:33:39233 隨著新能源汽車和自動駕駛的飛速發展,汽車電源芯片在應用中出現較多EMI問題
2024-03-01 09:19:02818 復用模式寫時序圖
SRAM寫時序參數,看-55的
SRAM寫時序1,有刪減
.SRAM寫時序2
鎖存器74LVC273參數,算上上升沿和下降沿,延遲至少11ns
其中sram
2024-01-04 10:46:19
Star MCU , up to 192 MHz - Memories - 1MB SRAM - SiP 8 MB/16 MB Flash - 8 MB H S PSRAM in R128
2023-12-26 10:57:00314 當今時代,以數字化、網絡化、智能化為特征的第四次工業革命正在進行,伴隨著國內汽車新能源的普及,加速了國產高安全芯片的快速發展,D9360是芯馳推出的一款六核CPU的高度集成、低功耗化、高安全性芯片
2023-12-22 18:07:58
AD9122的內部時鐘HB1_CLK、HB2_CLK、HB3_CLK的頻率是多少呢?
2023-12-21 06:51:22
據了解,恒爍股份公司的nor flash產品覆蓋1mb~256mb容量的再系列產品,可以滿足大容量、中小容量顧客的需求,目前公司的重大容量產品銷售比小容量產品占更多的比重。
2023-12-04 09:46:29204 超低價、超靈活、超全能!飛凌嵌入式FET113i-S全國產核心板正式發布!整板采用100%國產工業級元器件,含稅價最低僅需88元!
FET113i-S核心板基于全志T113-i工業級處理器開發
2023-11-20 16:32:40
EMI騷擾源有啥特征呢?為何du/dt和di/dt是產生騷擾的條件? EMI(Electromagnetic Interference,電磁干擾)是指電磁場中的電荷、電流和場的變化引起的一系列電磁波
2023-11-17 15:00:59589 9LPRS501 數據表
2023-11-14 18:30:360 9LPR501 數據表
2023-11-14 18:30:190 在現代電子設備的制造過程中,電磁干擾(EMI)成為了一個不可忽視的問題。特別是在集成電路的設計和生產過程中,隨著電子設備的普及和發展,電磁干擾(EMI)對芯片性能的影響變得越來越重要,而芯片
2023-11-11 08:30:49460 有些簡單的異步SRAM芯片為了與CPU配合使用可能只需要一個3.3V的電源
2023-10-31 11:40:072014 *附件:和芯潤德 USB3.0HUB 設計資料.rar
推薦一款國產 USB3.0 HUB芯片,型號SL6340
推薦一款國產3.0HUB,型號SL6340,是一款由和芯潤德科技自主研發的國產
2023-10-20 18:20:58
stc8g1k08的硬件i2c可以從機模式嗎
2023-09-20 06:38:16
一、特性參數
1、獨立雙核,32位CPU,單核主頻400MHz
2、IEEE 754 單精度浮點單元 (FPU)
3、三角函數單元 (TMU)
4、1MB 的 FLASH (ECC保護)
5、1MB
2023-09-19 10:08:53
提高了數倍。 結構框圖芯片特性ARM Cortex-M0 32位處理器 存儲配置 ? 128KB-8MB Flash? 64KB SRAM? 4-way Instruction Cache? 8KB
2023-09-18 17:05:13
使用MM32F3270 FSMC驅動SRAM
2023-09-18 16:29:50918 湖北芯擎科技有限公司(以下簡稱:芯擎科技)于2021年推出,并已于去年年底前實現量產。隨著領克08全新發售,芯擎科技在國產高端汽車芯片領域的開發能力和量產經驗得到進一步認證,并一舉打破高性能車規級芯片被國外廠商壟斷的局面,為中國車
2023-09-14 09:44:27450 PC由于沒有電池,電源適配器對其尤為重要。今天來講講USB適配器的國產適用芯片。一、GP232RL,直接軟硬件兼容FT232RL,無需更改就可直接替換使用,大大節約了芯片成本主要參數1、集成USB
2023-09-12 17:37:26
?與F4x完全兼容
?高達180MHz,具有過驅動模式
?雙組2 x 1MB閃存
?256KB SRAM
?支持SDRAM+的FMC
32位數據
?音頻PLL+串行音頻I/F
?LCD-TFT控制器
2023-09-12 08:12:59
領克 08在中國首次開發了7納米規模的自主開發半導體芯片——“龍鷹1號”。這兩個芯片集成在1000pro的entola計算平臺上,擁有業界最高的16 tops的npu運算能力,滿足了駕駛艙的各種智能要求。
2023-09-11 09:30:441448 與F4x完全兼容
?高達216MHz,具有過驅動模式
?雙組2 x 1MB閃存
?512KB SRAM
?支持SDRAM+的FMC
32位數據
?音頻PLL+串行音頻I/F
?LCD-TFT控制器
2023-09-11 07:19:42
國產5G方案 國產手機芯片,采用紫光展銳新推出的T820芯片采用了6納米EUV工藝,具備強大的處理能力和多項實用功能。該芯片擁有八核CPU架構,其中包括1顆主頻為2.7GHz的Arm
2023-09-06 18:59:461209 宇凡微在2023年推出了全新的2.4G合封芯片YE08,該芯片結合了32位高性能MCU和強大的2.4GHz無線通信功能,為各種遠程遙控應用提供卓越性能和廣泛應用潛力。 深入了解YE08內部構造
2023-09-06 11:33:47424 國產芯片與外資芯片差距一目了然,主要就在CPU領域。國產芯片陣營CPU最高的是主要做手機芯片的展訊,其A7870平臺配置了車規級6nm制程處理器,8核設計,包括1個2.7GHz的A76
2023-08-28 17:06:59894 /1MB?Flash 程序存儲器,64KB的SRAM存儲器。此外,PAN1080配置了豐富的外設,包括高達48個GPIO,24路PWM,三個32位定時器,1路I2C,2路UART,2路SPI,11個通路的ADC,WDT,WWDT,I2S?master,I2S slave,USB2.
2023-08-22 16:46:260 1、替代TI 的 TMS320F280049
2、獨立雙核,主頻400MHz
3、單精度浮點運算,三角函數運算
4、Flash 1MB,SRAM 1MB
5、12bit ADC,采樣率
2023-08-22 15:38:33
開搞芯馳D9,這是一個國產車規級的芯片,現在國產的芯片廠商們發展的真不錯啊,蒸蒸日上,看資料的話這個芯片的性能挺強大的,器 6 核 ARM Cortex-A55 和 2 核 Arm
2023-08-18 14:23:34
大家非常關心的汽車DCDC EMI優化。 觀看 視頻 視 頻文字部分 一個DCDC系統能夠通過嚴苛的CISPR 25 ,離不開兩點: 需要一個EMI性能優秀的電源芯片 豐富的系統EMI設計經驗 點擊圖片進入小程序,觀看 《汽車電子DCDC芯片的EMI優化設計》 圖1 本期我們將從芯片設計角度出發,討
2023-08-16 12:25:02943 特性:
1、替代TI 的 TMS320F280049
2、獨立雙核,主頻400MHz
3、單精度浮點運算,三角函數運算
4、Flash1MB,SRAM1MB
5、12bitADC,采樣率
2023-08-15 10:01:15
ICS501A 數據表
2023-08-10 18:30:320 501B 數據表
2023-08-04 18:30:010 電子發燒友網站提供《LPS22HB/LPS25HB數字壓力傳感器:系統硬件集成指南.pdf》資料免費下載
2023-07-31 09:19:382 501 數據表
2023-07-10 18:34:030 BB501C 數據表
2023-06-29 18:39:290 BB501M 數據表
2023-06-29 18:35:570 RKV501KG 數據表
2023-06-28 18:56:100 BB501M數據表
2023-06-27 20:52:370 本帖最后由 Tronlong創龍科技 于 2023-6-15 10:46 編輯
1 評估板簡介創龍科技TLA40i-EVM是一款基于全志科技A40i處理器設計的4核ARM Cortex-A7
2023-06-15 10:20:50
電子發燒友網站提供《用于PCChips M919的3.3V 1MB緩存棒設計.zip》資料免費下載
2023-06-08 10:52:290
重 SRAM 帶寬 9.70 MB/批
輸出 SRAM 帶寬 0.00 MB/批
總 SRAM 帶寬 21.77 MB/批
每個輸入的總 SRAM 帶寬 21.77 MB/推理(批大小 1)
平均
2023-06-05 11:36:22
我有許多主要運行 tasmota 固件的 sonoff 基本設備。在上次嘗試將 WLED 安裝到“新”設備上時,我遇到了問題,因為我只有 1 臺計算機(在 4 臺嘗試過的 2 臺帶 wifi
2023-06-01 08:20:56
賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM,由256K字16位組成。通過斷言芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入LOW來執行數據寫入,同時在I/O0到I/O15上提供數據,在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 放大器,增益4倍-32倍
6+4通道PWM輸出
1個I2C接口 -通訊速率最快可達1Mb/s
1個SSP/SPI接口
2個UART -內建可編程波特率發生器
支持不同的工作模式
2023-05-24 09:53:33
國產XY51S03B是一款適用于OBU方案上的主控芯片,此款藍牙芯片是InnoStar新一代高性能、超低功耗的藍牙5.1芯片,采用32位ARM Cortex-M0內核,最高工作主頻64MHz,片上集成48KB?SRAM,512KB?Flash。
2023-05-23 17:31:27672 東軟載波SSC1670芯片是一款寬帶電力線載波通信芯片,集成32位高性能MCU微控制器,內嵌1MB SRAM、1MBeFLASH 及豐富的外設資源,支持多路 UART、SPI、I2C、PWM、GPIO等接口,支持多路AD模擬輸入。
2023-05-18 15:30:182066 I2C接口
1個SPI接口
支持4種振蕩方式
支持四種工作模式
30個通用GPIO
封裝類型:SSOP24,QFN40及LQFP48
歡迎聯系咨詢
TEL:180 2833 7418
QQ:3101377292*附件:CMS32M55xx數據手冊_V1.1.6.pdf
2023-05-17 09:31:47
一、特性參數 1、獨立雙核,32位CPU,單核主頻400MHz 2、IEEE 754 單精度浮點單元 (FPU) 3、三角函數單元 (TMU) 4、1MB 的 FLASH (ECC保護) 5、1MB
2023-05-16 14:20:051111 (HC_SR501_GPIO, &GPIO_InitStruct);
}
static void HC_SR501_ScanDelay(void)
{
uint32_t i,j
2023-05-14 17:51:05
BB501C 數據表
2023-05-12 18:47:500 BB501M 數據表
2023-05-12 18:43:470 。當從深度睡眠中重新連接時,此過程會導致變化和過多的時間。如果預先指定固定頻道,連接時間可以減少到最大頻道掃描時間的 1/3 以下。
這個論壇上有人知道任何 microPython 構建的 1MB ESP8266 允許在站模式下設置頻道嗎?
2023-05-12 06:08:42
BB501M數據表
2023-05-09 19:30:480 color_buf[480 * 800] __attribute__((section(\".ext_sram\")));
//分配到外部1MB sram的最起始處
然后需要修改鏈接
2023-05-08 20:01:14
flexspi_nor_sdram.icf 可用于存儲在閃存中。
如果我錯了請糾正我,我的觀察是 -
1) 使用的地址在FlexSPI, DTCM, OCRAM2, SEMC0, ITCM空間
2)我的理解是SEMC0直接連接到外部SDRAM內存,空間幾乎等于67 MB
3)片上SRAM只有2MB,那么SEMC0地址空間怎么替換?
2023-05-05 06:38:08
國產uPc494貼片芯片有哪些品牌和型號?。扛魑淮髱熐蟾嬷?
2023-04-28 13:48:22
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM,外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應用中。串行訪問的靜態隨機存取存儲器采用先進的CMOS技術進行設計和制造,以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 來源:中國電子報 近日,搭載兩顆芯擎科技7納米車規級智能座艙芯片“龍鷹一號”的領克汽車旗下全新新能源中型SUV車型領克08亮相上海車展。此次“龍鷹一號”上車領克08,彰顯湖北芯擎科技有限公司(簡稱
2023-04-26 16:52:28489 PSoC 62 專為物聯網應用而設計,適用于可穿戴設備、智能家居、工業物聯網、便攜式醫療設備等。PSoC 62 還支持高達 2MB 的閃存、1MB 的片上 SRAM 和高達 104 個GPIO。
2023-04-25 16:18:57583 我正在使用 S32k358 uC,我想禁用內存區域的數據緩存。在框圖中,我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數據緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數據緩存?
2023-04-23 08:01:09
IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異
2023-04-21 08:31:29
[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動并設置一個新項目,編譯后,我沒有任何錯誤,SRAM
2023-04-20 09:06:04
引導,我們只能看到前 2MB 的 SRAM。我們有可用的 IVT、DCD 和 FSBL,但仍然不能使用超過 2MB 的內存。我們將 PRAMIAS 設置為 0x0,將 PRAMIAE 設置為 0x1FFFF,訪問權限沒有變化。啟用完整 8MB SRAM 的過程是什么?
2023-04-19 09:23:38
9LPRS501 數據表
2023-04-17 18:55:390 9LPR501 數據表
2023-04-17 18:55:280 芯片:MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個SRAM。但是當SRAM_ITC_cm7用完時它不會使用下一個SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個SRAM,而是
2023-04-14 08:01:47
ICS501A 數據表
2023-04-13 18:47:570 501B 數據表
2023-04-12 19:13:590 MGV100-08-P55MACOM 的 MGV100-08-P55 是電容為 0.13 pF、電容比為 1.4 至 3.4、正向連續電流為 100 mA、功耗為 100 mW、Q 因子為 4000
2023-04-10 16:59:28
MGV075-08-P55MACOM 的 MGV075-08-P55 是電容為 0.13 pF、電容比為 0.9 至 2.2、正向連續電流為 100 mA、功耗為 100 mW、Q 因子為 4000
2023-04-10 15:36:46
我非常需要有關 SRAM - SEMC 中異步模式工作邏輯的信息。我無法從 RM 獲得所需的相關信息。你能請口頭定義或文件嗎?只有下面的圖片能夠給我一些見解。 我只是想決定在我的場景中是應該使用 SYNC 還是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到這一點。
2023-04-07 13:28:31
PM254-2-08-W-8.5
2023-04-06 23:35:18
08-55-0103
2023-04-06 23:34:07
08-55-0105
2023-04-06 23:34:07
連接外部SRAM或者兼容SRAM訪問接口的器件。 SD卡-通訊接口:1個高速USB OTG,集成PHY,1個百兆網口,2個CAN FD,9個UART,4個SPI,4個I2C-電機系統:2組共32路
2023-04-03 14:32:24
設計,適配的國產多通道并口AD為核芯互聯的CL1606、CL1616。圖1 SOM-TLT3F工業核心板正反面圖2 TLT3F-EVM工業評估板資源框圖TronCL1606是一款16位、8通道同步采樣
2023-03-31 16:48:05
08-55-0101
2023-03-29 21:51:08
08-55-0129
2023-03-29 17:52:29
08-55-0130
2023-03-28 14:50:53
08-55-0110
2023-03-28 14:47:05
FAULT 處理程序應從 SRAM 執行。(硬故障處理程序應啟動全芯片 復位)從深度睡眠中喚醒似乎與硬故障處理程序在閃存中而不是在 SRAM 中一起工作,但對于其他一些掉電模式來說可能有所不同?
2023-03-27 06:22:28
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