工藝設計與優化應用領域：集成電路（硅柵、鋁柵CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特種器件、光電子器件、半導體傳感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
(opal),但是具有實際應用價值的光子晶體都來源于人工設計和制造,通常利用當今先進的半導體微加工技術,比如電子束刻蝕技術和聚焦離子束刻蝕技術, 其精度可優于5nm,基本能夠滿足光子晶體集成光電子器件產品
2014-10-14 10:25:04
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導體發展至今，無論是從結構和加工技術多方面都發生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預測的一樣，半導體器件的規格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
半導體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
` 誰來闡述一下半導體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
在制造半導體器件時，為什么先將導電性能介于導體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導體，使之導電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導體中摻入雜質形成N型半導體或P型半導體改善其導電性？
2012-07-11 20:23:15
是各種半導體晶體管技術發展豐收的時期。第一個晶體管用鍺半導體材料。第一個制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀60年代——改進工藝此階段，半導體制造商重點在工藝技術的改進，致力于提高集成電路性能
2020-09-02 18:02:47
的那樣，半導體行業第四個時代的主旨就是合作。讓我們來仔細看看這個演講的內容。
半導體的第一個時代——IDM
最初，晶體管是在貝爾實驗室發明的，緊接著，德州儀器 (TI)做出了第一個集成電路。當仙童
2024-03-13 16:52:37
半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導體基礎知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著極為密切的關聯。集成電路是一種微型電子器件或部件，采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管
2021-09-15 07:24:56
集成嵌入式功率半導體在電動車窗中有何應用？
2021-05-14 06:11:55
集成電路是一種微型電子器件或部件，它是采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有
2021-09-15 06:45:56
NanoIdent Technologies公司開發了一款有機半導體光子傳感器。在柔性基底上印制有機傳感器可用于各種工業領域，也可用于現有的基于硅片傳感器市場。 NanoIdent有機光子傳感器
2018-11-20 15:43:46
梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學工業工程研究所/微電子發展中心，上海 200093）摘要：由于半導體制造工藝過程的復雜性，一般很難建立其制造模型，不能對工藝過程狀態有效地監控，所以迫切需要先進
2018-08-29 10:28:14
一個比較經典的半導體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導體制造工藝》學習筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V族半導體納米線結構的光子學特性編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對電子和光子
2021-07-09 10:20:13
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導體材料達到有用的電阻率范圍。半導體的這種特性允許在材料中創建具有非常精確電阻率值的區域。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：半導體行業的濕化學分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進行
2021-07-09 11:30:18
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的純硅有一個主要的電氣特性：它是一種絕緣材料。因此，必須通過良好控制的工藝來改變硅的某些特征。這是通過“摻雜”硅獲得的。金屬沉積過程：蝕刻過程：組裝過程描述：文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:34:50
。圖 2 - 集成電路芯片的封裝：(a) 剖視圖顯示了芯片連接到引線框架并封裝在塑料外殼中，以及 (b) 用戶看到的封裝。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:37:00
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應用編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：Ga-N 系統的熱力學分析編號：JFSJ-21-043作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：純冷凝和氣態鎵
2021-07-07 10:28:12
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度計的設計與制作編號：JFSJ-21-042作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發射器器件應用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技關鍵字：InGaP，濕法蝕刻，蝕刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：n-GaN的電化學和光刻編號：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學創建
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：用于半導體封裝基板的化學鍍 Ni-P/Pd/Au編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設備的普及，BGA（球柵陣列）越來越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
或 Ni 的鹽，Mg、Zn、Ni 的不溶性氫氧化物沉積以防止腐蝕。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-01 09:40:10
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：超大規模集成電路制造技術簡介編號：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據其導電特性可分為三大類：絕緣體導體半導體
2021-07-09 10:26:01
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
去的三十年里，III-V 技術（GaAs 和InP）已經逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續不斷地減小，硅技術已經加入了這個“游戲”。在本文中，按照半導體特性和器件要求，對可用
2019-07-31 07:43:42
在產品工序的繁多，對設備的高利用率要求，和最特殊的是，“再進入”（Re-entry）的流程特點，也就是產品在加工過程中要多次返回到同一設備進行不同工序的加工。這種特殊的工藝流程特點決定了半導體集成
2009-08-20 18:35:32
請教，關于MIP705半導體集成電路的應用，請有識之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
想請教一下，國內有妍和江豐兩家半導體靶材（Ti,Niv,Ag）三種靶材的壽命及價格區間，12inch wafer！感謝了
2022-09-23 21:40:51
，是控制激光器制備工藝的穩定性，激光器性能可靠性的關鍵環節。半導體激光器是半導體光電轉換器件。如圖1所示，半導體激光器由多層材料構成。自下而上包括背電極，襯底，下光限制層，下波導層，有源層，上波導層
2019-07-22 06:36:35
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
變化。SiGeBiCMOS工藝技術幾乎與硅半導體超大規模集成電路(VLSI)行業中的所有新技術兼容，包括絕緣體硅(SOI)技術和溝道隔離技術。不過硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41
`60V50A 50N06 惠海半導體 高性能低結電容SGT工藝N溝道MOS管HG012N06L TO-252封裝 高性能 穩定可靠東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注
2020-08-29 14:51:46
問個菜的問題:半導體(或集成電路)工藝 來個人講講 半導體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區別以及聯系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
摘要：介紹了氧化物半導體甲烷氣體敏感元件的工作機理，論述了改善氧化物半導體甲烷氣敏傳感器性能的幾種途徑。采用加入催化劑、控制材料的微細結構、利用新制備工藝和表面修飾等新方法、新技術可提高氧化物半導體
2018-10-24 14:21:10
電子器件制備工藝
2012-08-20 22:23:29
芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
電路集成電路（integrated circuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后
2020-04-22 11:55:14
半導體制造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列直插式等多種形式
2020-02-18 13:23:44
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
半導體各工藝簡介:1、單晶硅片的制備CZ法主要工藝工程: 籽晶熔接: 加大加熱功率，使多晶硅完全熔化，并揮發一定時間后，將籽晶下降與液面接近，使籽晶預熱幾分鐘
2009-11-24 17:57:12
49 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號：
2010-03-04 12:16:16
3788 阿爾卡特朗訊貝爾實驗室、Thales與CEA-Letu日前聯合宣布，CEA-Leti已加入III-V實驗室，增強研發中心的產業研發能力，該實驗室居于全歐洲III-V半導體材料研究領域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003 適用于光子集成的半導體微腔雙穩態激光器，在高速光存儲、光交換等光信息處理方面具有重要的應用價值。模式競爭產生的雙穩態半導體激光器，主要依靠非線性增益抑制實現雙穩態的變換，塒應的載流子濃度變化很小
2017-11-08 10:29:139 晶元光電總經理周銘俊博士在“上游芯片技術創造下游應用新局面”發表了題為《實現III-V光電創新，推動未來智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:133885 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體材料與集成電路基礎教程之單晶硅生長及硅片制備技術。
2018-11-19 08:00:0021 晶圓（wafer）是制造半導體器件的基礎性原材料。極高純度的半導體經過拉晶、切片等工序制備成為晶圓，晶圓經過一系列半導體制造工藝形成極微小的電路結構，再經切割、封裝、測試成為芯片，廣泛應用到各類電子設備當中。
2019-01-28 09:33:4913004 
單晶半導體材料制備技術說明。
2021-04-08 11:53:2935 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V的光子學特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導體納米線已顯示出巨大的潛力光學、光電和電子器件的構建
2023-04-19 10:03:0093 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V族化學-機械拋光工藝開發 編號：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術
2023-04-18 10:05:00151 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅光子集成芯片的耦合策略編號：JFKJ-21-545作者：炬豐科技摘要硅光子學最有吸引力的一個方面是它能夠提供極小的光學元件，其典型尺寸比光纖器件的尺寸小一個數
2021-12-17 18:41:4513 和光隔離器等。 從產業發展的大趨勢來看，未來光通信器件將主要以光集成技術(PIC)為核心，其中一大分支技術是基于III-V簇化合物半導體材料的光集成技術。通過硅光子學 (SiPho)技術，業界能夠將傳統用于CMOS集成電路上的技術經驗轉移到光通信器件上。
2022-01-01 11:03:332029 ，這些問題變得更加重要。在本文中，我們提出了一種濕式微溝蝕刻工藝，允許單個太陽能電池的電隔離而不損害側壁。用溴-甲醇蝕刻，通常用于III-V化合物的非選擇性蝕刻的溶液，會在半導體表面形成不必要的蝕孔。我們研究了空穴形成的
2022-01-21 13:33:01427 
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環丁烯(簡稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術出現適合在工業規模上實現這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:481357 
摘要 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件， 這項工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設備。 最初，設計，制造和光學表征研究了鋁砷化鎵波導增強光學非線性
2022-02-24 14:55:40950 
了人們生活的方方面面。將硅光子集成電路（PIC）納入到先進CMOS集成電路中的努力往往集中在那些僅靠II-VI或III-V族化合物半導體材料技術無法應對的要求上。但未來計算、汽車、健康和眾多其他應用將（或已經）受益于利用各種硅或混合技術的集成化光子
2022-11-01 10:48:06592 
半導體。例如，砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個不同列的元素形成，例如，碲化汞銦(HgIn 2 Te 4)，一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs)，這是
2023-02-27 14:46:243 工程師們已經能夠在硅光子芯片上集成幾乎所有重要的光學功能，包括調制和檢測的基本功能，除了一項：發光。硅本身不能有效地做到這一點，所以由所謂的III-V材料制成的半導體，以其成分在周期表上的位置命名，通常用于制造單獨封裝的組件來發光。
2023-04-12 10:57:131078 半導體材料在開發納米光子技術方面發揮著重要作用。
2023-05-14 16:58:55590 
該研究提出模塊化局域元素供應生長技術，成功實現了半導體性二維過渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備，晶圓尺寸可從2英寸擴展至與現代半導體工藝兼容的12英寸，有望推動二維半導體材料由實驗研究向產業應用過渡，為新一代高性能半導體技術發展奠定了材料基礎。
2023-07-10 18:20:39510 
硅光子是一種光子集成電路，經過幾十年的發展，硅光子學已經取得了重大進展
2023-12-26 11:33:08375 
選擇合適的靶材在半導體工藝中十分重要。
2023-12-28 16:03:14315
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