(ON)=27mΩ@VGS=10V，VGS=20V；閾值電壓Vth=1.5V。 封裝：SOP8 詳細(xì)參數(shù)說明：該產(chǎn)品為雙N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
2024-03-20 11:42:33
G3403A-VB是VBsemi品牌的P—Channel溝道場效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。以下是該器件的詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：- **型號：** G3403A-VB- **絲印
2024-03-19 17:32:32
DMN2230U-7-VB是VBsemi生產(chǎn)的SOT23封裝的N溝道場效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介：- 參數(shù)： - 額定電壓：20V - 額定電流：6A
2024-03-16 17:42:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有過壓保護和阻斷場效應(yīng)晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 11:19:42
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有電平位移&可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制的1.2V-8V，3A 聚合物薄膜場效應(yīng)晶體管(PFET) 高側(cè)負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:38:190 柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。
2024-03-13 11:41:42
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車應(yīng)用中用于高頻CPU內(nèi)核功率的同步降壓場效應(yīng)晶體管 (FET) 驅(qū)動器TPS51604-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:08:470 據(jù)麥姆斯咨詢報道，德國弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所（Fraunhofer IPMS）開發(fā)出一種用于芯片式pH值測量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場效應(yīng)晶體管（ISFET）中。
2024-03-11 09:34:31152 
場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54832 IGBT，即絕緣柵雙極晶體管，是一種高效能的半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極結(jié)型晶體管（BJT）的特性。
2024-02-22 14:42:40395 
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，也稱為功率MOS場效應(yīng)晶體管。
2024-02-21 16:25:23518 
場效應(yīng)管，即場效應(yīng)晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 15:31:17517 
繼電器通過通斷線圈產(chǎn)生磁場來控制機械開關(guān)，實現(xiàn)對電路的控制。而場效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場效應(yīng)晶體管，通過柵極施加正負(fù)偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41546 
是設(shè)計成功的關(guān)鍵。 為了滿足這些要求，開關(guān)模式電源系統(tǒng)的設(shè)計者需要從使用傳統(tǒng)的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉(zhuǎn)為使用其它器件，因為硅器件正在迅速接近其理論極限。 因此設(shè)計者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件，如
2024-02-13 17:34:00657 
在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運，其“具有兩種極性”，所以被稱為雙極性晶體管。與此相比，N溝道FET是由電子來搬運電流的，P溝道FET是由空穴來搬運電流的，因此也稱之為單極晶體管。
2024-02-05 16:31:36667 
Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專為電動汽車（EV）而設(shè)計，符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 10:22:29167 是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強型場效應(yīng)晶體管 CJ2301數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-19 13:39:580 越大，而另一方面，漏源之間電壓越大，溝道電阻也越大，兩者相互作用，電流不隨有很大的變化達到平衡。此時場效應(yīng)管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大，因為此時電流基本不變。
以上是我對晶體管和場效應(yīng)管的理解，如有問題請指正。
2024-01-18 16:34:45
舉例而言，一個結(jié)型場效應(yīng)管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負(fù)載，此時場效應(yīng)管可以看做是一個互導(dǎo)放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應(yīng)該怎么求
2024-01-15 18:06:15
對于一個含有晶體管，場效應(yīng)管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同，場效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計方式與雙極晶體管電路的設(shè)計方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40373 晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進行電隔離。因此，它也被稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)。
2023-12-29 09:58:11727 
的區(qū)分進行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解N溝道和P溝道的基本概念。在N溝道場效應(yīng)晶體管中，導(dǎo)電溝道由N型半導(dǎo)體材料構(gòu)成；而在P溝道場效應(yīng)晶體管中，導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成。這兩種類型的場效應(yīng)晶體管在結(jié)構(gòu)和工作原理上有很多相似之處，但它們的主要區(qū)別在于導(dǎo)
2023-12-28 15:47:152282 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SDA09T N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:19:430 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T英文手冊.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:14:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場效應(yīng)功率晶體管英文資料.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:08:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-12-22 11:32:470 【科普小貼士】什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）
2023-12-13 14:36:44354 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
之一，它對FET的工作狀態(tài)和性能有著直接影響。本文將詳細(xì)介紹場效應(yīng)晶體管柵極電流的概念、計算方法以及其在不同工作狀況下的特點和影響。 一、場效應(yīng)晶體管柵極電流的概念 場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)由源極、漏極和柵極組成。當(dāng)FET處于工作狀態(tài)時，柵極電流即為通過柵極電極
2023-12-08 10:27:08655 選擇場效應(yīng)晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）或 IGFET（絕緣柵場效應(yīng)晶體管）是一種場效應(yīng)晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，MOSFET 是數(shù)字和模擬電路中最常見的晶體管類型。
2023-12-04 15:11:15408 
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)
2023-11-24 16:54:18633 JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管（FET），場效應(yīng)晶體管通過電場來控制導(dǎo)電溝道的電導(dǎo)率
2023-11-07 14:36:342292 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 最先進的計算機處理器制造商正在經(jīng)歷十年來器件架構(gòu)的第一次重大變革，即從鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）轉(zhuǎn)變到納米片（nanosheet）。
2023-10-12 18:09:13228 根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
場效應(yīng)管(MOSFET)也叫場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34559 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46799 在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細(xì)介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04947 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
的通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。氮化鎵場效應(yīng)晶體管能夠以較低的系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。
2023-09-25 08:17:54422 
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。 一、場效應(yīng)管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，另一個稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:05644 
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291491 
場效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別 場效應(yīng)管和晶體管是兩種不同的半導(dǎo)體器件，它們的工作原理和應(yīng)用場合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導(dǎo)體器件，但它們在制造、結(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有著顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹
2023-08-25 15:41:362302 晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動。雖然它們在某些方面可能有一些相似之處，但它們也有很多明顯的不同點。下面將會詳細(xì)
2023-08-25 15:29:343038 根據(jù)專利摘要，本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管，可以簡化集成電路的制造過程，降低生產(chǎn)費用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。
2023-08-23 10:05:13793 
場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。
2023-08-18 16:01:28591 
，基極端子提供的電流量較??少會導(dǎo)致從發(fā)射極端子到集電極提供大量電流。目前常用的BJT是NPN晶體管，因為電子遷移率比空穴遷移率更高。NPN晶體管的符號如下所示。
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管由 3 個
2023-08-02 12:26:53
Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章，回顧了集成傳感器的主要研究進展，并重點介紹了場效應(yīng)晶體管在化學(xué)和生化分析器件開發(fā)中的潛在應(yīng)用。
2023-07-28 10:23:32227 
MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241285 
NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管
2023-07-07 18:41:520 推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹，另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵（GAA）晶體管。這提供了柵極和溝道之間最顯著的電容耦合。GAAfinFET
2023-07-07 09:58:374421 
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類
2023-07-05 15:20:42370 
功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 供應(yīng)后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908場效應(yīng)晶體管參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-08 14:05:12
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
MOSFET又叫場效應(yīng)晶體管，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對標(biāo)三極管來學(xué)。我們說，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。
2023-05-26 17:27:192248 
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
采用兩個標(biāo)準(zhǔn)的雙平衡混頻器單元和一個90°混合器，在砷化鎵、金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MES）中制造。金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MESFET）工藝制造的90°混合器。
2023-05-24 12:52:51562 正常時陽值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應(yīng)晶體管的R和R的檢測
2023-05-24 10:35:15229 
柵型場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電子和空穴的雙極性導(dǎo)電性質(zhì)的三極管。與場效應(yīng)晶體管相比，雙極型晶體管的控制電流較大，但具有高電流放大系數(shù)和高頻特性等優(yōu)點。
2023-05-17 15:23:134371 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。
2023-05-17 15:15:374165 
場效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34848 場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041371 
場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081512 
場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23697 按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:022968 
功率場效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率
2023-05-01 18:36:131102 
MOS 場效應(yīng)晶體管部分載流子累積又使得此復(fù)合結(jié)構(gòu)中 BJT 部分的基極驅(qū)動電流顯著增加，二者協(xié)同工作，從而改善了整個器件的特性。
2023-04-24 16:51:291512 
BTS3410G
2023-03-29 22:08:46
共源雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 18:19:58
P-通道
增強模式
場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 18:19:26
場效應(yīng)晶體管 2個N溝道 20V 6A
2023-03-28 17:23:57
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 15:17:35
N溝道MOS場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:33:20
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:32:55
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 14:32:55
雙N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:54:37
n通道增強模場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:54:03
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:42
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:52:22
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-28 12:45:09
N溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-24 15:07:16
P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
2023-03-24 13:56:30
每個晶體管的兩個p-n結(jié)提供了電荷流動的電子能壘，而晶體管可以通過向溝道上方的柵極施加電壓來導(dǎo)通。
2023-03-24 10:58:255427 場效應(yīng)晶體管硅N通道結(jié)型
2023-03-24 10:04:49
場效應(yīng)晶體管硅N溝道結(jié)型
2023-03-24 10:04:48
一、物料概述ESN4485是P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以低柵極電荷提供出色的RDS（ON）。該裝置適用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品ESN4485不含
2023-03-23 18:08:46
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