SMT焊接溫度曲線智能仿真系統(tǒng)是一個(gè)全流程模擬PCB SMT焊接受熱過(guò)程的智能化仿真系統(tǒng)。系統(tǒng)通過(guò)虛擬化構(gòu)建數(shù)字化PCBA模型、回流爐模型，關(guān)聯(lián)錫膏、器件、產(chǎn)品的工藝要求，通過(guò)熱仿真軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)焊點(diǎn)
2024-03-18 17:00:11
任務(wù)要求：
了解微電子封裝中的引線鍵合工藝，學(xué)習(xí)金絲引線鍵合原理，開(kāi)發(fā)引線鍵合工藝仿真方法，通過(guò)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析和仿真結(jié)果，分析得出引線鍵合工序關(guān)鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口，并給出工藝參數(shù)和鍵合質(zhì)量之間的關(guān)系
2024-03-10 14:14:51
隨著新能源發(fā)電及電動(dòng)汽車(chē)等的快速發(fā)展，儲(chǔ)能的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。在進(jìn)行仿真建模時(shí)，如何搭建一個(gè)準(zhǔn)確的電池單體模型變得十分重要。
2024-01-22 09:37:48
1302 
DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:33120 
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開(kāi)關(guān)器件，為壓控器件；其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小，開(kāi)關(guān)速度快，工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點(diǎn)
2024-01-09 10:22:43112 
過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。現(xiàn)在，通過(guò)引入物理
2024-01-05 10:04:55316 
用multisim中的LTC1043模型進(jìn)行F/V轉(zhuǎn)換仿真沒(méi)有成功，是模型有問(wèn)題嗎？
2024-01-05 07:01:34
得到略有不同的結(jié)果。 首先，不同的仿真軟件可能采用不同的模型和假設(shè)。在仿真建模過(guò)程中，軟件開(kāi)發(fā)者可能對(duì)系統(tǒng)的特性和行為有不同的理解，因此在模型中可能存在一些差異。例如，在模擬交通系統(tǒng)時(shí)，一個(gè)軟件可能將車(chē)輛的速度和加
2023-12-28 15:37:58363 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們?cè)趯W(xué)校都學(xué)過(guò)，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)
2023-12-25 19:10:02451 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《潮濕、再流焊和工藝敏感器件的操作、包裝、運(yùn)輸及使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-22 10:41:02
0 技術(shù)革新日新月異，大模型的興起更是顛覆了千行百業(yè)。自ChatGPT問(wèn)世以來(lái)，大模型的應(yīng)用前景充滿了無(wú)限的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。 12月16日，在2023開(kāi)放原子開(kāi)發(fā)者大會(huì)的“大模型應(yīng)用開(kāi)發(fā)之道”分論壇
2023-12-21 19:35:01412 離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對(duì)離子的注入過(guò)程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測(cè)材料性能的變化。以下將詳細(xì)介紹離子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256
通過(guò)網(wǎng)上的教程將AD8436的仿真模型添加到pspice中，已添加AD8436的lib。但是卻不能進(jìn)行仿真，請(qǐng)問(wèn)怎么解決
2023-12-18 08:06:09
在做一個(gè)采集電路，選用了ad7606，官網(wǎng)上只有ibis模型，貌似只有spice模型才能被添加到multisim里去，怎樣才能在multisim里添加ad7606的元器件來(lái)仿真呢？
2023-12-13 06:23:18
隨著電路仿真技術(shù)在原型設(shè)計(jì)行業(yè)的不斷普及，仿真模型可能成為廣大終端市場(chǎng)客戶的一項(xiàng)關(guān)鍵需求。SPICE 和 IBIS 模型是非常受歡迎的兩種仿真模型，有助于在電路板開(kāi)發(fā)的原型設(shè)計(jì)階段節(jié)省成本。本文
2023-12-08 18:20:02517 
工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 系統(tǒng)級(jí)仿真是產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的重要組成部分，這種仿真包括與設(shè)備模型相結(jié)合的電路組件。
2023-12-05 10:52:29407 
本推文包含兩個(gè)部分，一個(gè)是雪崩擊穿和碰撞電離的關(guān)系，一個(gè)是光電器件仿真簡(jiǎn)介。旨在提倡用理論知識(shí)去指導(dǎo)仿真，和通過(guò)仿真結(jié)果反過(guò)來(lái)加深對(duì)理論理解的重要性。
2023-11-27 18:26:32699 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類(lèi)似，都難以通過(guò)離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:091025 
本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:011013 
本推文簡(jiǎn)述三極管即BJT器件，具體包括NPN和PNP的仿真相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:09:06647 
能否利用器件的IBIS模型對(duì)器件的邏輯功能進(jìn)行仿真？如果不能，那么如何進(jìn)行電路的板級(jí)和系統(tǒng)級(jí)仿真？ 可以利用器件的IBIS模型對(duì)器件的邏輯功能進(jìn)行仿真。IBIS（Input/Output
2023-11-24 14:50:58288 有壓接器件的高速PCB，為何不建議做噴錫工藝？ 在高速PCB中使用壓接器件而不建議使用噴錫工藝的原因可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)闡述： 一、信號(hào)完整性問(wèn)題： 1. 壓接器件一般是通過(guò)金屬片的壓力來(lái)實(shí)現(xiàn)
2023-11-22 18:18:16517 現(xiàn)想用Cadence做PCB的的SI仿真，但是AD8139沒(méi)有IBIS仿真模型，只有SPICE模型，請(qǐng)問(wèn)利用SPICE模型能不能進(jìn)行PCB的SI仿真？謝謝
2023-11-22 08:11:44
在Altium designer中想要仿真一個(gè)自舉電路，由AD549作為運(yùn)放，可是庫(kù)中的元器件AD549卻沒(méi)有仿真模型，無(wú)法進(jìn)行仿真，有沒(méi)有AD549的仿真元器件庫(kù)？求解。
2023-11-22 06:15:21
最近需要用到AD539乘法器，由于Multisim里面沒(méi)有該仿真器件，在ADI官網(wǎng)上找AD539的spice模型也沒(méi)有找到，無(wú)法仿真。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)上的電路圖在面包板上進(jìn)行測(cè)試，輸入1mv,1KHZ
2023-11-21 08:03:20
SCR在CMOS技術(shù)的ESD保護(hù)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。一個(gè)主要的挑戰(zhàn)是為這些器件在ESD應(yīng)力條件下開(kāi)發(fā)有效的緊湊仿真模型。
2023-11-20 18:21:32548 
HI ，我問(wèn)一下，ADIsimPE 如何導(dǎo)入 SPICE 模型，進(jìn)行設(shè)計(jì)仿真？
2023-11-17 14:36:55
我按照help文件說(shuō)明，將AD8428的Spice模型導(dǎo)入到ADIsimPE。設(shè)計(jì)完成后，進(jìn)行增益測(cè)試和噪聲仿真，都出現(xiàn)的如下錯(cuò)誤：
謝謝各位
以下內(nèi)容為評(píng)論
出現(xiàn)warning是因?yàn)殡娐分性?b class="flag-6" style="color: red">器件太多了。只保留一個(gè)AD8428電路，試試。
2023-11-17 06:50:27
因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">仿真環(huán)境是ADS，并且目前還是在初步的學(xué)習(xí)階段，所以并不清楚如何能通過(guò)官網(wǎng)提供的其他軟件的模型來(lái)生成ADS仿真模型，希望在論壇里獲得幫助。
2023-11-15 06:39:21
最近在使用ADI官方的Spice模型進(jìn)行仿真時(shí)，發(fā)現(xiàn)有一些元器件的官方Spice模型在LTSpice中導(dǎo)出仿真文件時(shí)，元件符號(hào)是一個(gè)矩形，引腳上也沒(méi)有對(duì)應(yīng)的引腳序號(hào)和名稱，如：“AD8638
2023-11-14 08:23:18
我先用的TINA下載的模型進(jìn)行仿真，發(fā)現(xiàn)不對(duì)。
不對(duì)的點(diǎn)在于8226單電源不能正常使用，但是8221可以，我覺(jué)得這是差不多的東西，而且應(yīng)用應(yīng)該也是OK的。
然后我用了LTSPICE，直接在LTSPICE里面調(diào)的器件，還是一樣
非常奇怪，我就想確認(rèn)一點(diǎn)，是仿真錯(cuò)了還是這個(gè)器件就是不能單電源使用
2023-11-14 06:53:52
大功率電子器件應(yīng)用范圍十分廣泛，散熱會(huì)影響其可靠性，因此需要模擬元件在各種工作狀態(tài)下的隨時(shí)間變化的溫度曲線。本文將簡(jiǎn)單介紹一種能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)并預(yù)測(cè)結(jié)溫的熱網(wǎng)絡(luò)模型。
2023-11-13 18:20:19506 
最近在看CN-0312電路筆記，想仿真看一下，有沒(méi)有AD8271的仿真模型?
2023-11-13 06:23:49
在工作中會(huì)遇到不少建立模型，建立頂層仿真并在后期進(jìn)行驗(yàn)證的工作。應(yīng)版主把個(gè)人零星的一些感受總結(jié)一下。
2023-11-06 17:05:16241 
在研究MOSFET的實(shí)際工作原理前我們來(lái)考慮這種器件的一個(gè)簡(jiǎn)化模型,以便對(duì)晶體管有一個(gè)感性認(rèn)識(shí):我們預(yù)期它有什么樣的特性以及特性的哪些方面是重要的。
2023-10-21 11:35:221403 
、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 提前確認(rèn)和驗(yàn)證電路是否按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)
2023-10-17 11:24:11257 智慧華盛恒輝仿真軟件的架構(gòu)可以根據(jù)不同的仿真應(yīng)用場(chǎng)景和需求而有所不同，但一般來(lái)說(shuō)，以下是一些常見(jiàn)的仿真軟件架構(gòu)： 前向仿真架構(gòu)：前向仿真是一種基于模型的仿真方法，它通過(guò)建立系統(tǒng)模型來(lái)模擬系統(tǒng)行為
2023-10-16 17:02:22348 2023年10月11日-13日，在中國(guó)移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì)舉辦期間，中興通訊“星云研發(fā)大模型”亮相，旨在輔助開(kāi)發(fā)人員進(jìn)行需求分析、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、編程、測(cè)試、版本部署等，全流程助力研發(fā)提效。經(jīng)第三方
2023-10-12 19:35:03385 IBIS(Input/Output Buffer Information Specification)是一個(gè)用于仿真的描述性文件，它從元件的行為出發(fā)描述了器件輸入輸出端口的電氣特性，不會(huì)涉及具體電路結(jié)構(gòu)以及芯片的工藝參數(shù)等信息，半導(dǎo)體制造商很容易提供這種模型給客戶，而不暴露自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
2023-09-28 16:24:41818 
上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時(shí)候推薦平面工藝MOSFET呢，有時(shí)候推薦用Trench工藝MOSFET, 上海雷卯EMC小哥簡(jiǎn)單介紹如下。
2023-09-27 09:27:49934 
KINDERGARTEN上海雷卯電子有Trench工藝和平面工藝MOSFET，為什么有時(shí)候推薦平面工藝MOSFET呢，有時(shí)候推薦用Trench工藝MOSFET,上海雷卯EMC小哥簡(jiǎn)單介紹如下。1.
2023-09-27 08:02:48856 
整合88個(gè)國(guó)外網(wǎng)站下載的電子元器件3D模型，省去逐一下載的麻煩。
2023-09-25 07:47:32
經(jīng)過(guò)了工程批工藝開(kāi)發(fā)、工藝平臺(tái)逐步穩(wěn)定、小批量交付客戶、器件參數(shù)穩(wěn)定以及客戶模塊參數(shù)驗(yàn)證和模塊產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證等一系列的驗(yàn)證后，中科漢韻于今年開(kāi)始批量交付車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品，良率達(dá)到70%以上。
2023-09-21 17:30:50315 
? ? ? 前言 隨著電子系統(tǒng)高速、高帶寬、大功耗、低壓大電流的發(fā)展，電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨更大挑戰(zhàn)。從元器件到電路模塊、系統(tǒng)都需要進(jìn)行建模仿真，優(yōu)化元器件電性能和可靠性，從而提升電子系統(tǒng)穩(wěn)定性。電容
2023-09-21 16:57:272506 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《助力軟件開(kāi)發(fā)者—擴(kuò)展FPGA應(yīng)用開(kāi)發(fā).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-18 10:14:460 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521084 
IBIS模型屬于一種行為模型，它不是從要仿真的元件的結(jié)構(gòu)出發(fā)進(jìn)行定義的，而是從元件的行為出發(fā)進(jìn)行定義的，描述了器件在特定負(fù)載、特定封裝下的輸入／輸出行為，而不是實(shí)際的電氣組成。IBIS模型主要用于板極的系統(tǒng)仿真，可以幫助設(shè)計(jì)者在存在高速設(shè)計(jì)規(guī)則約束的設(shè)計(jì)中獲取準(zhǔn)確的信息以進(jìn)行分析和計(jì)算。
2023-09-01 16:38:09325 
IBIS模型屬于一種行為模型，它不是從要仿真的元件的結(jié)構(gòu)出發(fā)進(jìn)行定義的，而是從元件的行為出發(fā)進(jìn)行定義的，描述了器件在特定負(fù)載、特定封裝下的輸入／輸出行為，而不是實(shí)際的電氣組成。
2023-08-29 14:29:27193 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講SMT無(wú)鉛工藝選擇元器件需考慮哪些因素?SMT無(wú)鉛工藝需要注意的問(wèn)題。受環(huán)保因素的影響，目前SMT貼片加工基本上都是采用無(wú)鉛工藝，SMT無(wú)鉛工藝選擇元器件要注意
2023-08-28 10:11:05246 據(jù)介紹，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 （(HIL)測(cè)試設(shè)備和快速控制原型(RCP)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域，歷經(jīng)數(shù)年產(chǎn)品已完成多次升級(jí)，助力電力電子科研領(lǐng)域高速發(fā)展。Easygo實(shí)時(shí)仿真平臺(tái)產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高端設(shè)備、新能源系統(tǒng)、電力機(jī)車(chē)、智能電網(wǎng)等各個(gè)領(lǐng)域
2023-08-16 17:29:37
通用流體仿真軟件VirtualFlow 提供了比較完整的多相流模型的框架，針對(duì)界面流、混合流與離散相流體等流動(dòng)問(wèn)題的特點(diǎn)提供了相應(yīng)的多相流動(dòng)的模型。
2023-08-15 15:20:05826 
DSM是周期精確的仿真模型，您可以將其包含在一系列目標(biāo)HDL仿真器中。
每個(gè)DSM特定于一個(gè)主機(jī)平臺(tái)。
DSM與RTL模型的架構(gòu)和功能完全匹配。
DSM直接從RTL模型派生而來(lái)。
DSM可以與多種
2023-08-12 06:44:10
2023年8月1日，九峰山實(shí)驗(yàn)室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測(cè)試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
2023-08-11 17:00:54226 MBD（Model-Based Design，基于模型的設(shè)計(jì)）是通過(guò)模型生成代碼的，所有我們有必要弄清楚模型仿真與實(shí)際應(yīng)用之間的區(qū)別。
2023-07-14 16:15:42728 
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來(lái)越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
本文以鋰電池?cái)?shù)學(xué)模型為基礎(chǔ)，在Matlab/Simulink的仿真系統(tǒng)中，建立了一種Thevenin/RC電池模塊仿真模型，通過(guò)實(shí)際工況試驗(yàn)，測(cè)試精度在允許誤差范圍內(nèi)，為電池SOC/SOH研究提供了極大的參考價(jià)值。
2023-06-28 10:49:532928 
圖1中的仿真電路圖是升壓轉(zhuǎn)換器功率級(jí)的仿真電路圖，此處用于評(píng)估柵極電阻對(duì)功率級(jí)的影響。在此仿真中，我將瞬態(tài)電壓、電流和導(dǎo)通功率的大小視為潛在可靠性和EMI問(wèn)題的指標(biāo);與組件選擇相關(guān)的問(wèn)題;和布局寄生效應(yīng)。因此，應(yīng)該很好地理解MOSFET模型以及所有組件模型。
2023-06-28 10:29:27367 
通常情況下，在Simulink環(huán)境下搭建的電力電子控制系統(tǒng)的仿真模型，都是多速率的仿真模型。
2023-06-27 15:31:28659 
通常情況下，在Simulink環(huán)境下搭建的電力電子控制系統(tǒng)的仿真模型，都是多速率的仿真模型。
2023-06-21 16:00:22599 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元的一致性較好，雪崩能量比較高。但是，這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 UltraEM可以使用Corner Sweep來(lái)仿真工藝變化對(duì)器件結(jié)構(gòu)造成的影響，具體包含三種仿真模式：MonteCarlo仿真、Perturbation仿真與Corner仿真。
2023-06-19 10:25:53386 
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類(lèi)似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展而來(lái)。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號(hào)。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動(dòng)了功率
2023-06-17 14:24:52591 
本文詳細(xì)演繹了從Simulink創(chuàng)建模型，仿真驗(yàn)證，之后再生成C源碼部署到plus-f5270開(kāi)發(fā)板的全過(guò)程。其中描述的方法和操作步驟，為后續(xù)部署更多仿真模型奠定了基礎(chǔ)。
2023-06-16 10:52:551541 
李彥宏認(rèn)為，未來(lái)，所有的應(yīng)用都將基于大模型來(lái)開(kāi)發(fā)，每一個(gè)行業(yè)都應(yīng)該有屬于自己的大模型。大模型會(huì)深度融合到實(shí)體經(jīng)濟(jì)當(dāng)中去，賦能千行百業(yè)，助力中國(guó)經(jīng)濟(jì)開(kāi)創(chuàng)下一個(gè)黃金30年。
2023-06-02 15:34:56895 組件輸出仿真模型可以通過(guò)半物理模型或數(shù)學(xué)模型實(shí)現(xiàn)，根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同可以選擇不同模型觀察和研究組件特性。
2023-06-01 16:18:502369 
據(jù)外媒報(bào)道，仿真軟件專家rFpro宣布與索尼半導(dǎo)體解決方案集團(tuán)（Sony Semiconductor Solutions Corporation）合作開(kāi)發(fā)集成到rFpro軟件中的高保真?zhèn)鞲衅?b class="flag-6" style="color: red">模型
2023-05-19 08:45:41387 煙臺(tái)數(shù)字孿生工廠3D交互模型，3d可視化建模，智慧城市園區(qū)三維仿真模型。可以幫助企業(yè)構(gòu)建基于真實(shí)工廠搭建的以實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的虛擬工廠，實(shí)現(xiàn)虛擬工廠與真實(shí)工廠之間虛實(shí)映射、虛實(shí)同步、共生演進(jìn)、閉環(huán)優(yōu)化
2023-05-15 09:23:02407 
BSIM3模型的核心是它的I-V模型，即電流-電壓特性模型，它描述了MOSFET器件在不同的偏置條件下的電流響應(yīng)。
2023-05-10 11:22:181196 
實(shí)現(xiàn)了集成電路，MOSFET電路可以從大信號(hào)模型小信號(hào)模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號(hào)模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號(hào)模型可以在大信號(hào)模型線性化
2023-05-09 09:46:23674 proteus的電路仿真和虛擬模型仿真的區(qū)別是什么？
2023-04-23 16:41:22
MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39988 
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長(zhǎng)，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817 N32G430C8L7_STB開(kāi)發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開(kāi)發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開(kāi)發(fā)，開(kāi)發(fā)板主MCU芯片型號(hào)N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
Candence中的Pspice仿真軟件功能非常強(qiáng)大，可以在我們的設(shè)計(jì)前期對(duì)我們的電路進(jìn)行一個(gè)詳細(xì)的仿真，并與我們實(shí)際的計(jì)算結(jié)果進(jìn)行對(duì)比，從而判斷我們?cè)O(shè)計(jì)的合理性。關(guān)于Pspice中自帶的仿真器件
2023-03-29 12:00:205091 
ST-LINK仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:06:38
DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
USB Blaster仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:06:20
高速DAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:06:20
ATK-DAP仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-USB Blaster仿真器 BURNER 5V
2023-03-28 13:05:53
ATK-HSDAP仿真器 BURNER
2023-03-28 13:05:52
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