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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>詳細(xì)說明熱力學(xué)中影響熱設(shè)計的因素

詳細(xì)說明熱力學(xué)中影響熱設(shè)計的因素

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2023-07-20 09:40:171104

玻璃化轉(zhuǎn)變溫度測試儀:原理、應(yīng)用與前景

在材料科學(xué)和熱力學(xué)中,玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是一個非常重要的參數(shù),它定義了物質(zhì)從彈性到塑性的轉(zhuǎn)變點。為了精確測量這一參數(shù),玻璃化轉(zhuǎn)變溫度測試儀應(yīng)運而生,它提供了一種可靠、高效且非破壞性的方法。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度
2023-07-11 14:47:31285

熱力學(xué)穩(wěn)定的雙改性LiF和FeF3層賦予高鎳陰極卓越的可循環(huán)性

LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2 (NCM811)層狀氧化物陰極具有≈200 mAh g?1的可逆容量,被認(rèn)為是下一代鋰離子電池(LIBs)極具前景的正極候選材料。
2023-07-10 10:23:09577

鉀電與鋰電電解質(zhì)離子輸運及熱力學(xué)性質(zhì)差異的根源!

自2021年初以來,鋰價格上漲了7倍多,這對鋰離子電池(LIB)供應(yīng)鏈提出了重大挑戰(zhàn)。預(yù)測顯示,到2030年可能出現(xiàn)嚴(yán)重的鋰供應(yīng)短缺。
2023-07-08 09:11:071625

熱力學(xué)穩(wěn)定的雙改性LiF和FeF3層賦予高鎳陰極卓越的可循環(huán)性

提高截止電位的極限允許富鎳層狀氧化物提供更大的能量密度和比容量,同時降低熱力學(xué)和動力學(xué)穩(wěn)定性。
2023-07-05 10:07:21672

開源RISC-V處理器(蜂鳥E203)學(xué)習(xí)筆記

需要使用我分享的EDA虛擬機(jī):IC_EDA_ALL虛擬機(jī)(豐富版)詳細(xì)說明.
2023-06-29 10:21:172488

應(yīng)力之手欲撩開CDW之面紗

之所以出現(xiàn)量子本源與測量相互影響這樣的疑問,是因為物理人歷經(jīng)千年,形成了牢固不破的約定:對物理規(guī)律的探測,需要有可靠的可觀測量 (liang4)。對凝聚態(tài)物理,可靠的可觀測量,更多是在熱力學(xué)意義上定義的。
2023-06-20 16:01:11302

仿真知識架構(gòu)之計算力學(xué)

計算力學(xué)的俠義定義通常是指結(jié)構(gòu)力學(xué),在這里我們拓展一下概念把流體力學(xué)、結(jié)構(gòu)力學(xué)、電磁/力學(xué)統(tǒng)稱為計算力學(xué)
2023-06-18 09:49:26475

肺活量檢測儀6915-1003-030傳感器的應(yīng)用

6915-1003-030傳感器主要用于控制和提供給病人或醫(yī)療設(shè)備進(jìn)行監(jiān)測的氣體或液體的流量。利用熱力學(xué)原理對流道之內(nèi)的氣體介質(zhì)進(jìn)行流量檢測。F1線性模擬電壓同時輸出。
2023-06-13 14:25:35294

奧拓電子與中影集團(tuán)共同打造大型虛擬拍攝影棚

第十九屆中國(深圳)國際文化產(chǎn)業(yè)博覽會于6月在深圳國際會展中心盛大舉行。本屆文博會,奧拓電子再次攜手中影集團(tuán),為與會觀眾打造了一場虛擬拍攝技術(shù)盛宴,讓觀眾沉浸式地體驗到了虛擬拍攝技術(shù)的科技魅力。這也
2023-06-12 11:32:06754

制冷原理與技術(shù)

溫度單位通常用℃表示(水的冰點為0℃,沸點為100℃),在計算熱量時一般使用熱力學(xué)絕對溫度K。
2023-06-12 10:25:51553

ddr電源詳細(xì)說明

2023-05-29 12:35:56

DASP GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算

,基于材料基因組數(shù)據(jù)庫和第一性原理軟件包,自動計算并輸出半導(dǎo)體的熱力學(xué)穩(wěn)定性,缺陷和雜質(zhì)形成能及離化能級,半導(dǎo)體樣品中缺陷、雜質(zhì)和載流子濃度及費米能級,關(guān)鍵缺陷和雜質(zhì)誘導(dǎo)的光致發(fā)光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。 針對任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性
2023-05-26 10:49:50386

MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用

導(dǎo)電材料Ti3C2Tx MXene 被用來作為氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵電極,MXene和氮化鎵之間形成沒有直接化學(xué)鍵的范德華接觸。氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極控制能力得到顯著增強(qiáng),亞閾值擺幅61 mV/dec接近熱力學(xué)極限,開關(guān)電流比可以達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的~1013。
2023-05-25 16:11:29599

FPGA AXI4協(xié)議學(xué)習(xí)筆記(三)

上文FPGA IP之AXI4協(xié)議1_信號說明把AXI協(xié)議5個通道的接口信息做了說明,本文對上文說的信號進(jìn)行詳細(xì)說明
2023-05-24 15:06:41669

DASP 雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

針對任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。
2023-05-24 10:15:16281

雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

,基于材料基因組數(shù)據(jù)庫和第一性原理軟件包,自動計算并輸出半導(dǎo)體的熱力學(xué)穩(wěn)定性,缺陷和雜質(zhì)形成能及離化能級,半導(dǎo)體樣品中缺陷、雜質(zhì)和載流子濃度及費米能級,關(guān)鍵缺陷和雜質(zhì)誘導(dǎo)的光致發(fā)光譜、載流子輻射和非輻射俘獲截面及少子壽命。
2023-05-23 14:11:56346

空間擾動模擬的壓電納米運動解決方案!

空間擾動模擬 空間擾動模擬是用于模擬物理系統(tǒng)中的空間擾動現(xiàn)象。它可以用來研究流體力學(xué)熱力學(xué)、電磁學(xué)等領(lǐng)域中的現(xiàn)象,如湍流、熱對流、電磁波傳播等。這種模擬技術(shù)在工程、科學(xué)研究和軍事領(lǐng)域中都有廣泛
2023-05-17 13:58:39338

基于DASP ZnGeP2的本征缺陷計算

針對任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。
2023-05-16 17:22:22327

DASP雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計算預(yù)測

針對任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。
2023-05-16 10:39:20281

ZnGeP2的本征缺陷計算(非輻射俘獲系數(shù)計算CDC)

針對任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。
2023-05-11 16:37:28545

2.4 晶體生長的熱力學(xué)理論(下)

半導(dǎo)體
jf_90840116發(fā)布于 2023-05-08 01:58:37

2.3 晶體生長的熱力學(xué)理論(中)

半導(dǎo)體
jf_90840116發(fā)布于 2023-05-08 01:56:52

2.2 晶體生長的熱力學(xué)理論(上)

半導(dǎo)體
jf_90840116發(fā)布于 2023-05-08 01:55:36

H摻雜Ga2O3的缺陷計算(熱力學(xué)穩(wěn)定性和元素化學(xué)勢計算TSC)

TSC模塊將使用與 Materials Project 數(shù)據(jù)庫完全一致的輸入?yún)?shù)(INCAR,KPOINTS,POTCAR)來對用戶給定的原胞做結(jié)構(gòu)優(yōu)化和靜態(tài)計算。因此,該計算得到的總能與MP數(shù)據(jù)庫的總能是可比的。此步驟是為了得到影響Ga2O3穩(wěn)定性的 關(guān)鍵雜相 。
2023-04-26 09:26:32441

求分享ESP32 AT + BLEHIDMUS指令參數(shù)詳細(xì)使用說明

我在使用 ESP32AT 命令模擬 BLE 鼠標(biāo)時遇到 了一個問題,在 AT 指令集中查到了 AT+BLEHIDMUS=,,,指令參數(shù)的簡單說明, 但實際使用中不清楚< wheel
2023-04-24 09:08:43

PCB外殼對PCB設(shè)計的影響因素

  5.1 介紹  在前一章中考慮了不同的PCB和器件配置對行為的影響。通過對多種情況的分析和比較,可以得出許多關(guān)于提供LFPAK MOSFETs散熱片冷卻的最佳方式的結(jié)論。  在第4章中考
2023-04-20 17:08:27

PCB設(shè)計概述

器件的系統(tǒng)時,電路設(shè)計人員應(yīng)該注意以下的因素:  l 即使完全打開,MOSFET也會因為I2.R而耗散功率。(RDS(on)為器件導(dǎo)通電阻)  l I2.RDS(on)損失將導(dǎo)致器件和其他地方的溫度
2023-04-20 16:49:55

PCB設(shè)計中設(shè)計的規(guī)劃

引起:  1、器件選型不合理電,氣功耗過大 2、未安裝散熱片,導(dǎo)致熱傳導(dǎo)異常3、PCB局部不合理,造成局部或全局溫升4、布線散熱設(shè)計不合理,造成集中。  02 設(shè)計規(guī)劃  針對上節(jié)我們提到的常見散熱因素
2023-04-17 17:41:16

我的LDO怎么了

熱力學(xué)中常犯的一個錯誤就是選擇和線性穩(wěn)壓器一樣簡易的裝置。當(dāng)設(shè)計上臺面后,設(shè)計師通常會意識到自己的錯誤。更糟的是,由于穩(wěn)壓器的運行溫度超過其額定溫度,這種設(shè)計在實際使用中會發(fā)生故障。憑借新型線性穩(wěn)壓器的新功能和規(guī)格,很容易忽視封裝中消散的功率。
2023-04-15 09:31:22424

為什么MFR4310E1MAE40型號的絲印是1M63J而不是0M63J?

為什么MFR4310E1MAE40型號的絲印是1M63J而不是0M63J?說明書里有詳細(xì)說明,怎么看?
2023-04-14 06:09:49

JSCC精研變頻器B150使用說明

1、 B150外觀,詳細(xì)說明書可登錄官網(wǎng)2、 B150電氣特性:輸入電壓220V,功率1.5KW 3、 B150接線圖 4、 參數(shù)設(shè)置: 5、 參數(shù)清單
2023-04-10 10:26:430

顛覆“熱力學(xué)第二定律”

? 來源?|高分子科學(xué)前沿 溫度是一種衡量物質(zhì)熱度的物理量,一般來說,粒子運動得越快,溫度就越高。有些系統(tǒng)中的粒子只能在有限的幾種能量狀態(tài)之間跳躍且存在一個最高能級,這時候如果給系統(tǒng)加熱,讓更多的粒子占據(jù)最高能級,那么系統(tǒng)的溫度就會變成負(fù)數(shù)。 ? 德國耶拿大學(xué)Ulf Peschel課題組和中佛羅里達(dá)大學(xué)?Demetrios Christodoulides課題組合作開發(fā)出一種光子時間合成網(wǎng)格晶格(photonic time-synthetic mesh lattice)的光學(xué)平臺。平臺由兩個長度略有差異
2023-04-07 09:11:35315

一文解析DASP CdTe的本征缺陷計算

針對任一半導(dǎo)體,DASP軟件可以計算給出如下性質(zhì):熱力學(xué)穩(wěn)定性、元素化學(xué)勢空間的穩(wěn)定范圍、缺陷(含雜質(zhì),下同)形成能、缺陷轉(zhuǎn)變能級、各生長條件下的費米能級、載流子和缺陷濃度、缺陷的光致發(fā)光譜、缺陷對載流子的俘獲截面、輻射和非輻射復(fù)合速率等。
2023-04-05 10:16:00373

智能電網(wǎng)中影響繼電保護(hù)的因素

智能電網(wǎng)是以物理電網(wǎng)為基礎(chǔ),充分利用先進(jìn)的傳感測量技術(shù)、通信技術(shù)、信息技術(shù)、計算機(jī)技術(shù)、控制技術(shù)、新能源技術(shù),把發(fā)、輸、配、用各環(huán)節(jié)互聯(lián)成一個高度智能化的新型網(wǎng)絡(luò)。作為電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定第一道防線的繼電保護(hù),按傳統(tǒng)電網(wǎng)進(jìn)行設(shè)計和配置不能適應(yīng)于智能電網(wǎng)。智能電網(wǎng)的技術(shù)特點將影響現(xiàn)有繼電保護(hù)的應(yīng)用。
2023-04-03 15:08:11214

Xilinx FPGA 開發(fā)流程及詳細(xì)說明

不多說,上貨。Xilinx FPGA 開發(fā)流程及詳細(xì)說明本篇目錄1. 設(shè)計前準(zhǔn)備2. 建立工程3. 輸入設(shè)計4. 綜合分析5. RTL仿真6. 鎖定管腳7. 布局布線8. 生成配置文件并下載9.
2023-03-30 19:04:10

ISE 14.7 安裝教程及詳細(xì)說明

本系列將帶來FPGA的系統(tǒng)性學(xué)習(xí),從最基本的數(shù)字電路基礎(chǔ)開始,最詳細(xì)操作步驟,最直白的言語描述,手把手的“傻瓜式”講解,讓電子、信息、通信類專業(yè)學(xué)生、初入職場小白及打算進(jìn)階提升的職業(yè)開發(fā)者都可以有
2023-03-29 21:28:27

90*130

說明書 90*130
2023-03-28 15:15:19

Phase Lab相場模塊-枝晶凝固

相場模塊作為Phase Lab 2023A版本新增的功能模塊,可以實現(xiàn)多種凝固過程模擬。通過耦合CALPHAD方法和熱力學(xué)數(shù)據(jù)庫,準(zhǔn)確描述多元合金中各相的Gibbs自由能,建立多元合金凝固過程的相場模型,從而更加準(zhǔn)確地模擬多元合金凝固過程中組織形成及演化現(xiàn)象
2023-03-23 10:58:48610

Phase Lab相場模塊-定向凝固

相場模塊作為Phase Lab 2023A版本新增的功能模塊,可以實現(xiàn)多種凝固過程模擬。通過耦合CALPHAD方法和熱力學(xué)數(shù)據(jù)庫,準(zhǔn)確描述多元合金中各相的Gibbs自由能,建立多元合金凝固過程的相場模型,從而更加準(zhǔn)確地模擬多元合金凝固過程中組織形成及演化現(xiàn)象。
2023-03-23 10:41:53503

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