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LED引線鍵合工藝評價

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一文讀懂半導(dǎo)體引線框架

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,轉(zhuǎn)換損耗為 7-9 dB,隔離度 (LR) 為 35 dB,隔離度 (LI) 為 20 dB。它可作為引線鍵合芯片 (0.152 x 0.090 x 0.015)
2023-05-24 14:56:14

ML1-0732 雙平衡混頻器

,轉(zhuǎn)換損耗為 8-11 dB,隔離度 (LR) 為 42 dB,隔離度 (LI) 為 25 dB。它以可引線鍵合芯片(0.152 x 0.090 x 0.015 英寸
2023-05-24 14:45:55

ML1-0113 微片雙平衡混頻器

    Marki Microwave 的 ML1-0113 是一種微片雙平衡混頻器,可作為引線鍵合芯片或 SMA 連接器封裝提供。它的工作頻率為 1.5 至
2023-05-24 14:41:04

MM1-0320H 無源雙平衡 MMIC 混頻器

寬內(nèi)具有出色的轉(zhuǎn)換損耗、隔離和雜散性能。該混頻器可用作尺寸為 0.055" x 0.043" x 0.004" 的引線鍵合芯片或 SMA 連接器模塊。與大多數(shù) Ma
2023-05-24 12:30:17

MMIQ-0626L 超寬帶低 LO 驅(qū)動、無源 GaAs MMIC IQ 混頻器

,中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 40 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連接器模塊
2023-05-24 11:52:36

MMIQ-0520L 超寬帶低 LO 驅(qū)動、無源 GaAs MMIC IQ 混頻器

,中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 35 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連接器模塊
2023-05-24 11:50:45

MMIQ-0520H 高線性無源 GaAs MMIC IQ 混頻器

GHz,中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 40 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連
2023-05-24 11:46:59

MM2-0530H 三平衡無源二極管 GaAs MMIC 混頻器

的 IF 頻率。它具有 8 dB 的低轉(zhuǎn)換損耗,并具有出色的雜散抑制。MM2-0530H 可作為引線鍵合芯片或連接器 SMA 封裝提供。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號MM2-
2023-05-24 11:44:06

MM1-1850S GaAs 三平衡 MMIC 混頻器

DC 至 20 GHz。該混頻器在其寬帶寬內(nèi)具有出色的轉(zhuǎn)換損耗、隔離和雜散性能。它可以作為尺寸為 0.058" x 0.046" x 0.004" 的引線鍵合芯片提
2023-05-23 16:15:43

MMIQ-1865H 無源 GaAs MMIC IQ 混頻器

,中頻范圍為 DC 至 23 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 35 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作可引線鍵合芯片或連
2023-05-23 16:10:57

MT3L-0113HSM GaAs 三平衡 MMIC 混頻器

,中頻頻率為 0.25 至 5 GHz。該混頻器具有 8.5 dB 的轉(zhuǎn)換損耗、39 dB 的 LO 到 RF 隔離度和高動態(tài)范圍。它既可用作引線鍵合芯片,也可用
2023-05-23 16:08:51

MACOM梁式引線電容器

MACOM的MMI-9000和9100系列片式電容器通過氮化合物/氧化物電介質(zhì)具有較高的斷開電壓和低介質(zhì)損耗。金引線鍵合表層、頂部和底部提供方便于引線鍵合和最低的絕緣電阻。MACOM的梁式引線電容器
2023-05-18 09:07:08450

關(guān)于MPC5534MVM80編程的問題求解

不知道如何擦除和重新編程它們。出于某種原因,我們只能對 ***中的 50 個進行編程。 僅供參考,我們驗證了裸片和引線鍵合,并確認這些是原裝零件。
2023-05-18 08:47:16

一文帶你了解芯片制造過程!

除了傳統(tǒng)的引線鍵合方法外,還有另一種封裝方法,即使用球形凸點連接芯片和基板的電路。這提高了半導(dǎo)體速度。這種技術(shù)稱為倒裝芯片封裝,與引線鍵合相比,它具有更低的電阻、更快的速度和更小的外形尺寸。
2023-05-16 09:51:13573

MFB-2400 帶通濾波器

的插入損耗和高于和低于通帶的 25 dB 抑制。它可以處理高達 30 dBm 的輸入功率。MFB-2400 可用作引線鍵合芯片,是 K 波段和 SATCOM 應(yīng)用
2023-05-09 13:34:30

505nm、785nm、808nm、940nm激光二極管TO56 封裝、 500mW 100mw

1300NM 金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座,在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進行連接,外引線通過金屬-玻璃(或陶瓷)組裝工藝穿過金屬外殼,將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07

集成電路封裝工藝——鋁線鍵合特性及優(yōu)勢

將半導(dǎo)體芯片壓焊區(qū)與框架引腳之間用鋁線連接起來的封裝工藝技術(shù)!季豐電子所擁有的ASM綁定焊線機AB550為桌面式焊線機,其為全自動超聲波焊線機,應(yīng)用于細鋁線的引線鍵合,主要應(yīng)用于COB及PCB領(lǐng)域。
2023-05-08 12:38:512924

MQH-0920 90 度正交混合耦合器

平衡為 0.55 dB,相位平衡為 +/- 2 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用,包括單邊帶上變頻器、
2023-05-06 10:46:47

MQH-2R58R5CH

,幅度平衡為 0.4 dB,相位平衡為 +/- 3 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用,包
2023-05-06 10:37:55

MQS-0218 90 度混合耦合器

的隔離度、+/- 2 dB 的幅度平衡和 +/- 3 度的相位平衡。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于
2023-05-06 10:35:31

Wire Bond引線鍵合不良原因有哪些

金線與金線短路 客戶: Atheros (CABGA) 不良: 金線與金線引腳短路 失效模式: 測試失效 (短路)
2023-04-29 07:21:00946

MQS-0209 90 度正交混合耦合器

平衡為 0.5 dB,相位平衡為 +/- 3 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用,包括單邊帶
2023-04-28 16:32:37

MQH-0517 MMIC 正交 [90 度] 混合耦合器

dB 的隔離、0.5 dB 的幅度平衡和 +/- 6 度的相位平衡。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于
2023-04-28 16:07:37

MQS-0418 MMIC 正交 [90 度] 混合耦合器

的隔離度為 16 dB,幅度平衡為 0.4 dB,相位平衡為 +/- 0.5 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器
2023-04-28 16:04:15

PCB印制線路該如何選擇表面處理

能夠保護PCB導(dǎo)體不被氧化,還能提供一個界面用于電路和元器件的焊接,包括集成電路(IC)的引線鍵合。合適的表面處理應(yīng)有助于滿足PCB電路的應(yīng)用以及制造工藝。由于材料成本不同,表面處理所需的加工過程和類型
2023-04-19 11:53:15

霍爾元件的工作電流引線與霍爾電壓引線能否互換?

霍爾元件的工作電流引線與霍爾電壓引線能否互換?為什么?
2023-04-13 11:06:12

BGA封裝是什么?BGA封裝技術(shù)特點有哪些?

和基板介質(zhì)間還要具有較高的粘附性能。  BGA封裝技術(shù)通常采用引線鍵合、等離子清洗、模塑封裝、裝配焊料球、回流焊等工藝流程。引線鍵合PBGA的封裝工藝流程包括PBGA基板的制備和封裝工藝
2023-04-11 15:52:37

什么是引線框架 半導(dǎo)體引線框架的生產(chǎn)工藝

在集成電路中,引線框架和封裝材料起著固定芯片,保護內(nèi)部元件,傳遞電信號并向外散發(fā)元件熱量的作用。
2023-04-11 12:40:115778

創(chuàng)新賦能,大族封測引線鍵合技術(shù)水平比肩國際龍頭

引線鍵合技術(shù)是封裝技術(shù)的主力,有著兼容性強、成本低、可靠性高、技術(shù)成熟等優(yōu)點。據(jù)不完全統(tǒng)計,目前超過90%的芯片互連封裝依靠引線鍵合技術(shù)完成,未來引線鍵合將在多數(shù)芯片封裝中作為主要的互聯(lián)技術(shù)長期存在
2023-04-11 10:35:16510

芯片封裝的主要五個步驟介紹

引線鍵合步驟完成后,就該進行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝,并保護半導(dǎo)體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環(huán)氧樹脂密封引線鍵合芯片,這樣就完成了我們所知道的半導(dǎo)體芯片。
2023-04-11 09:26:325082

品質(zhì)口碑俱佳,大族封測與多家知名封裝企業(yè)達成戰(zhàn)略合作

引線鍵合技術(shù)是封裝技術(shù)的主力,有著兼容性強、成本低、可靠性高、技術(shù)成熟等優(yōu)點。據(jù)不完全統(tǒng)計,目前超過90%的芯片互連封裝依靠引線鍵合技術(shù)完成,未來引線鍵合將在多數(shù)芯片封裝中作為主要的互聯(lián)技術(shù)長期存在
2023-04-10 14:36:47342

引線鍵合工藝流程講解

引線鍵合是指在半導(dǎo)體器件封裝過程中,實現(xiàn)芯片(或其他器件)與基板或框架互連的一種方法。作為最早的芯片封裝技術(shù),引線鍵合因其靈活和易于使用的特點得到了大規(guī)模應(yīng)用。引線鍵合工藝是先將直徑較小的金屬線
2023-04-07 10:40:125069

Wafer晶圓半導(dǎo)體工藝介紹

芯片上的IC管芯被切割以進行管芯間連接,通過引線鍵合連接外部引腳,然后進行成型,以保護電子封裝器件免受環(huán)境污染(水分、溫度、污染物等);保護芯片免受機械沖擊;提供結(jié)構(gòu)支撐;提供電絕緣支撐保護。它可以更輕松地連接到PCB板上。
2023-04-06 11:06:393839

一文詳解封裝互連技術(shù)

封裝互連是指將芯片I/0端口通過金屬引線,金屬凸點等與封裝載體相互連接,實現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合( Wire Bonding, WB)載帶自動鍵合(Tape Automated Bonding,TAB)和倒裝焊 (Flip Chip Bonding)。
2023-04-03 15:12:202874

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進行電氣連接。
2023-04-01 11:31:371751

技術(shù)資訊 | 通過倒裝芯片 QFN 封裝改善散熱

本文要點將引線鍵合連接到半導(dǎo)體的過程可以根據(jù)力、超聲波能量和溫度的應(yīng)用進行分類。倒裝芯片技術(shù)使用稱為凸塊的小金屬球進行連接。在倒裝芯片QFN封裝中,倒裝芯片互連集成在QFN主體中。基于倒裝芯片QFN
2023-03-31 10:31:571311

引線框架類封裝介紹

引線框架 (Lcad Frame, LF)類封裝通常是指以銅基合金、鐵鎳合金等制作的引線框架為載體的封裝。
2023-03-30 10:52:253109

介紹芯片鍵合(die bonding)工藝

作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:377224

3種典型封裝+互連技術(shù)

引線鍵合:特點 ●批量、自動; ●鍵合參數(shù)可精密控制,導(dǎo)線機械性能重復(fù)性高, ●高速焊接: 100- 125ms/互連
2023-03-24 10:52:28382

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