合的生產(chǎn)
工藝就直接影響了HDI板成品的可靠性,壓
合的方法也尤為重要,本文主要介紹HDI(盲、埋孔)板的壓
合工藝問題。
機械盲孔板壓
合
壓
合是利用高溫高壓使半固化片受熱融化,并使其流動,再轉(zhuǎn)變?yōu)楣袒?/div>
2023-10-13 10:26:48
在集成電路封裝行業(yè)中,引線鍵合工藝的應(yīng)用產(chǎn)品超過90%。引線鍵合是指在一定的環(huán)境下,采用超聲加壓的方式,將引線兩端分別焊接在芯片焊盤上和引線框架上,從而實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路與外部電路的連接。引線鍵合工藝
2023-10-13 08:48:24894 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是排電阻引線的識別資料詳細說明。排電阻也叫集成電阻,其外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)見圖。圖中BX表示產(chǎn)品型號,10表示有效數(shù)字,3表示有效數(shù)字后邊加“0”的個數(shù),103即10000
2023-09-25 07:44:17
設(shè)計目的:一鍵開關(guān)電路(控制LED亮或滅)
實現(xiàn)效果:上電LED常亮,按下SW1,LED熄滅,松開SW1 LED又會亮起,長按SW1 LED會高頻閃爍。
請幫忙分析一下原因是什么,并需要怎樣改進,謝謝。
2023-09-08 16:21:16
引線框架主要由兩部分組成:芯片焊盤(die paddle)和引腳(lead finger)。作為集成電路的芯片載體,引線框架是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)使芯片內(nèi)部電路引出端(鍵合點)通過內(nèi)引線與外引線的電氣連接,形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件,它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。
2023-09-07 18:16:451876 工藝審查是電氣互聯(lián)工藝設(shè)計的關(guān)鍵部分,工藝審查就是對電路設(shè)計、結(jié)構(gòu)設(shè)計的工藝性、規(guī)范性、繼承性、合理性和生產(chǎn)可行性等相關(guān)工藝問題進行分析與評價,并提出意見或建議,最后進行修改與簽字。同時可根據(jù)在制品的工藝執(zhí)行具體情況對生產(chǎn)工藝的正確性、合理性和可靠性進行審查。
2023-09-01 12:45:34522 倒裝芯片技術(shù)是通過芯片上的凸點直接將元器件朝下互連到基板、載體或者電路板上。引線鍵合的連接方式是將芯片的正面朝上,通過引線(通常是金線)將芯片與線路板連接。
2023-08-22 10:08:282165 從事半導(dǎo)體行業(yè),尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人,總繞不開幾種封裝工藝,那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-21 11:05:14524 從事半導(dǎo)體行業(yè),尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人,總繞不開幾種封裝工藝,那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-18 09:55:041632 商板廠開完會,估計是討論了板廠做金手指這類型板子的時候關(guān)于鍍金后的引線殘留工藝能力,于是隨口和Chris提了一嘴,說“不知道5mil到15mil的引線殘留到底對信號的SI性能有沒有影響啊!”的確,我們
2023-08-17 10:41:27
的傳輸路徑)的方法被稱為引線鍵合(Wire Bonding)。其實,使用金屬引線連接電路的方法已是非常傳統(tǒng)的方法了,現(xiàn)在已經(jīng)越來越少用了。近來,加裝芯片鍵合(Flip Chip Bonding)和硅穿孔
2023-08-09 09:49:471837 分辨率光學(xué)鏡頭,結(jié)合高精度圖像分析算法,并融入一鍵閃測原理。CNC模式下,只需按下啟動鍵,儀器即可根據(jù)工件的形狀自動定位測量對象、匹配模板、測量評價、報表生成,真正實
2023-08-08 11:29:04
評價、報表生成,真正實現(xiàn)一鍵式快速精準(zhǔn)測量。適用于手機配件、等小尺寸工件的批量測量,速度快,操作簡單;對于復(fù)雜工件,能實現(xiàn)快速測量,大大提高了測量效率。VX800
2023-08-04 11:14:40
從事半導(dǎo)體行業(yè),尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人,總繞不開幾種封裝工藝,那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-08-01 11:48:081174 鏡頭,結(jié)合高精度圖像分析算法,并融入一鍵閃測原理。CNC模式下,只需按下啟動鍵,儀器即可根據(jù)工件的形狀自動定位測量對象、匹配模板、測量評價、報表生成,真正實現(xiàn)一鍵
2023-07-31 09:13:30
我們以多層板的工藝流程作為PCB工藝介紹的引線,選擇其中的圖形電鍍工藝進行流程說明
2023-07-28 11:22:239300 將一個或多個IC芯片用適宜的材料封裝起來,并使芯片的焊區(qū)與.封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來,使之成為有實用功能的器件或組件。
2023-07-27 11:21:04258 焊接工藝評定工作是整個焊接工作的前期準(zhǔn)備。焊接工藝評定工作是驗證所擬定的焊件及有關(guān)產(chǎn)品的焊接工藝的正確性而進行的試驗過程和結(jié)果評價。
2023-07-23 15:04:26672 從事半導(dǎo)體行業(yè),尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人,總繞不開幾種封裝工藝,那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
2023-07-21 10:08:083124 將一個或多個IC芯片用適宜的材料封裝起來,并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來,使之成為有實用功能的器件或組件。
2023-07-20 10:43:29278 在本文中,將介紹如何使用8051單片機實現(xiàn)雙極LED驅(qū)動器電路。雙極LED與常規(guī)雙色LED的不同之處在于,雙極LED只有兩個引線,而常規(guī)雙色LED具有三個引線。
2023-07-07 11:45:081530 結(jié)合 FOWLP 近期技術(shù)發(fā)展和 應(yīng)用的現(xiàn)狀, 總結(jié)了發(fā)展趨勢; 從 FOWLP 結(jié)構(gòu)的工藝缺陷和失效模式出發(fā), 闡述了 FOWLP 的工藝流程和重點工藝環(huán)節(jié)。
2023-07-01 17:48:391372 中圖儀器VX8000一鍵閃測儀測量儀采用雙遠心高分辨率光學(xué)鏡頭,結(jié)合高精度圖像分析算法,并融入一鍵閃測原理。CNC模式下,只需按下啟動鍵,儀器即可根據(jù)工件的形狀自動定位測量對象、匹配模板、測量評價
2023-06-27 10:59:51
TSV封裝技術(shù)被認為是第四代封裝技術(shù),并正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),8英寸晶圓級封裝實現(xiàn)了更好的電氣互聯(lián)性能、更低的功耗、更小的尺寸、更輕的質(zhì)量,以及更具競爭力的封裝成本。
2023-06-12 10:25:07623 來處理小而敏感的芯片并進行精細的引線鍵合。 因此,許多客戶購買壓力傳感器封裝,其中芯片已經(jīng)安裝并引線鍵合。 本文將討論 Merit Sensor 的三種封裝類型: 沒有補償?shù)? 被動補償及 完全補償.
2023-06-07 15:25:301500 連接器和引線提供了LVDT位移傳感器的線圈與信號調(diào)理電子設(shè)備之間的電氣連接。下面是一些有用的建議,可指導(dǎo)您確定為下一個傳感器指定連接器還是引線。
2023-06-03 10:45:40420 的發(fā)展重點。 ? 當(dāng)前最主要的封裝形式仍然為倒裝鍵合和引線鍵合,先進封裝(包括2.5D集成、Fan-out WLP/PLP等)已經(jīng)進入市場并占據(jù)一定市場份額,3D集成是當(dāng)前技術(shù)研究熱點。2018年底,英特爾發(fā)布了首個商用3D集成技術(shù):FOVEROS混合封裝。 ? 傳統(tǒng)的集成電
2023-05-31 11:02:401312 ,轉(zhuǎn)換損耗為 8-11 dB,隔離度 (LR) 為 43 dB,隔離度 (LI) 為 20 dB。它可作為引線鍵合芯片 (0.152' x 0.090' x 0.
2023-05-24 15:02:52
9 dBm,轉(zhuǎn)換損耗為 8-11 dB,隔離度 (LR) 為 35 dB,隔離度 (LI) 為 25 dB。它可作為引線鍵合芯片 (0.152" x 0.090"
2023-05-24 14:57:58
,轉(zhuǎn)換損耗為 7-9 dB,隔離度 (LR) 為 35 dB,隔離度 (LI) 為 20 dB。它可作為引線鍵合芯片 (0.152 x 0.090 x 0.015)
2023-05-24 14:56:14
,轉(zhuǎn)換損耗為 8-11 dB,隔離度 (LR) 為 42 dB,隔離度 (LI) 為 25 dB。它以可引線鍵合芯片(0.152 x 0.090 x 0.015 英寸
2023-05-24 14:45:55
Marki Microwave 的 ML1-0113 是一種微片雙平衡混頻器,可作為引線鍵合芯片或 SMA 連接器封裝提供。它的工作頻率為 1.5 至
2023-05-24 14:41:04
寬內(nèi)具有出色的轉(zhuǎn)換損耗、隔離和雜散性能。該混頻器可用作尺寸為 0.055" x 0.043" x 0.004" 的引線鍵合芯片或 SMA 連接器模塊。與大多數(shù) Ma
2023-05-24 12:30:17
,中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 40 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連接器模塊
2023-05-24 11:52:36
,中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 35 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連接器模塊
2023-05-24 11:50:45
GHz,中頻范圍為 DC 至 6 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 40 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作引線鍵合芯片或連
2023-05-24 11:46:59
的 IF 頻率。它具有 8 dB 的低轉(zhuǎn)換損耗,并具有出色的雜散抑制。MM2-0530H 可作為引線鍵合芯片或連接器 SMA 封裝提供。產(chǎn)品規(guī)格產(chǎn)品詳情零件號MM2-
2023-05-24 11:44:06
DC 至 20 GHz。該混頻器在其寬帶寬內(nèi)具有出色的轉(zhuǎn)換損耗、隔離和雜散性能。它可以作為尺寸為 0.058" x 0.046" x 0.004" 的引線鍵合芯片提
2023-05-23 16:15:43
,中頻范圍為 DC 至 23 GHz。由于其片上 LO 正交混合器具有出色的相位和幅度平衡,它可提供高達 35 dB 的鏡像抑制。該混頻器可用作可引線鍵合芯片或連
2023-05-23 16:10:57
,中頻頻率為 0.25 至 5 GHz。該混頻器具有 8.5 dB 的轉(zhuǎn)換損耗、39 dB 的 LO 到 RF 隔離度和高動態(tài)范圍。它既可用作引線鍵合芯片,也可用
2023-05-23 16:08:51
MACOM的MMI-9000和9100系列片式電容器通過氮化合物/氧化物電介質(zhì)具有較高的斷開電壓和低介質(zhì)損耗。金引線鍵合表層、頂部和底部提供方便于引線鍵合和最低的絕緣電阻。MACOM的梁式引線電容器
2023-05-18 09:07:08450 不知道如何擦除和重新編程它們。出于某種原因,我們只能對 ***中的 50 個進行編程。
僅供參考,我們驗證了裸片和引線鍵合,并確認這些是原裝零件。
2023-05-18 08:47:16
除了傳統(tǒng)的引線鍵合方法外,還有另一種封裝方法,即使用球形凸點連接芯片和基板的電路。這提高了半導(dǎo)體速度。這種技術(shù)稱為倒裝芯片封裝,與引線鍵合相比,它具有更低的電阻、更快的速度和更小的外形尺寸。
2023-05-16 09:51:13573 的插入損耗和高于和低于通帶的 25 dB 抑制。它可以處理高達 30 dBm 的輸入功率。MFB-2400 可用作引線鍵合芯片,是 K 波段和 SATCOM 應(yīng)用
2023-05-09 13:34:30
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座,在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進行鍵合連接,外引線通過金屬-玻璃(或陶瓷)組裝工藝穿過金屬外殼,將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
將半導(dǎo)體芯片壓焊區(qū)與框架引腳之間用鋁線連接起來的封裝工藝技術(shù)!季豐電子所擁有的ASM綁定焊線機AB550為桌面式焊線機,其為全自動超聲波焊線機,應(yīng)用于細鋁線的引線鍵合,主要應(yīng)用于COB及PCB領(lǐng)域。
2023-05-08 12:38:512924 平衡為 0.55 dB,相位平衡為 +/- 2 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用,包括單邊帶上變頻器、
2023-05-06 10:46:47
,幅度平衡為 0.4 dB,相位平衡為 +/- 3 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用,包
2023-05-06 10:37:55
的隔離度、+/- 2 dB 的幅度平衡和 +/- 3 度的相位平衡。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于
2023-05-06 10:35:31
金線與金線短路
客戶: Atheros (CABGA)
不良: 金線與金線引腳短路
失效模式: 測試失效 (短路)
2023-04-29 07:21:00946 平衡為 0.5 dB,相位平衡為 +/- 3 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于廣泛的應(yīng)用,包括單邊帶
2023-04-28 16:32:37
dB 的隔離、0.5 dB 的幅度平衡和 +/- 6 度的相位平衡。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器可用于
2023-04-28 16:07:37
的隔離度為 16 dB,幅度平衡為 0.4 dB,相位平衡為 +/- 0.5 度。它是使用無源 GaAs MMIC 技術(shù)開發(fā)的,可用作引線鍵合芯片或連接器模塊。該耦合器
2023-04-28 16:04:15
能夠保護PCB導(dǎo)體不被氧化,還能提供一個界面用于電路和元器件的焊接,包括集成電路(IC)的引線鍵合。合適的表面處理應(yīng)有助于滿足PCB電路的應(yīng)用以及制造工藝。由于材料成本不同,表面處理所需的加工過程和類型
2023-04-19 11:53:15
霍爾元件的工作電流引線與霍爾電壓引線能否互換?為什么?
2023-04-13 11:06:12
和基板介質(zhì)間還要具有較高的粘附性能。 BGA封裝技術(shù)通常采用引線鍵合、等離子清洗、模塑封裝、裝配焊料球、回流焊等工藝流程。引線鍵合PBGA的封裝工藝流程包括PBGA基板的制備和封裝工藝
2023-04-11 15:52:37
在集成電路中,引線框架和封裝材料起著固定芯片,保護內(nèi)部元件,傳遞電信號并向外散發(fā)元件熱量的作用。
2023-04-11 12:40:115778 引線鍵合技術(shù)是封裝技術(shù)的主力,有著兼容性強、成本低、可靠性高、技術(shù)成熟等優(yōu)點。據(jù)不完全統(tǒng)計,目前超過90%的芯片互連封裝依靠引線鍵合技術(shù)完成,未來引線鍵合將在多數(shù)芯片封裝中作為主要的互聯(lián)技術(shù)長期存在
2023-04-11 10:35:16510 引線鍵合步驟完成后,就該進行成型步驟了。注塑完成所需形狀的芯片封裝,并保護半導(dǎo)體集成電路免受熱和濕氣等物理因素的影響。使用環(huán)氧樹脂密封引線鍵合芯片,這樣就完成了我們所知道的半導(dǎo)體芯片。
2023-04-11 09:26:325082 引線鍵合技術(shù)是封裝技術(shù)的主力,有著兼容性強、成本低、可靠性高、技術(shù)成熟等優(yōu)點。據(jù)不完全統(tǒng)計,目前超過90%的芯片互連封裝依靠引線鍵合技術(shù)完成,未來引線鍵合將在多數(shù)芯片封裝中作為主要的互聯(lián)技術(shù)長期存在
2023-04-10 14:36:47342 引線鍵合是指在半導(dǎo)體器件封裝過程中,實現(xiàn)芯片(或其他器件)與基板或框架互連的一種方法。作為最早的芯片封裝技術(shù),引線鍵合因其靈活和易于使用的特點得到了大規(guī)模應(yīng)用。引線鍵合工藝是先將直徑較小的金屬線
2023-04-07 10:40:125069 芯片上的IC管芯被切割以進行管芯間連接,通過引線鍵合連接外部引腳,然后進行成型,以保護電子封裝器件免受環(huán)境污染(水分、溫度、污染物等);保護芯片免受機械沖擊;提供結(jié)構(gòu)支撐;提供電絕緣支撐保護。它可以更輕松地連接到PCB板上。
2023-04-06 11:06:393839 封裝互連是指將芯片I/0端口通過金屬引線,金屬凸點等與封裝載體相互連接,實現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合( Wire Bonding, WB)載帶自動鍵合(Tape Automated Bonding,TAB)和倒裝焊 (Flip Chip Bonding)。
2023-04-03 15:12:202874 IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術(shù)進行電氣連接。
2023-04-01 11:31:371751 本文要點將引線鍵合連接到半導(dǎo)體的過程可以根據(jù)力、超聲波能量和溫度的應(yīng)用進行分類。倒裝芯片技術(shù)使用稱為凸塊的小金屬球進行連接。在倒裝芯片QFN封裝中,倒裝芯片互連集成在QFN主體中。基于倒裝芯片QFN
2023-03-31 10:31:571311 引線框架 (Lcad Frame, LF)類封裝通常是指以銅基合金、鐵鎳合金等制作的引線框架為載體的封裝。
2023-03-30 10:52:253109 作為半導(dǎo)體制造的后工序,封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:377224 引線鍵合:特點
●批量、自動;
●鍵合參數(shù)可精密控制,導(dǎo)線機械性能重復(fù)性高,
●高速焊接: 100- 125ms/互連
2023-03-24 10:52:28382
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