、襯底檢查、掃描電鏡檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、粗細(xì)撿漏、ESD 測(cè)試(2)常?失效模式分析:靜電損傷、過(guò)電損傷、鍵合
2024-03-15 17:34:29
服務(wù)范圍LED芯片、LED支架、LED封裝膠、銀漿、鍵合線、LED燈珠(COB、LAMP、TOP、CHIP)、LED燈具、燈具驅(qū)動(dòng)電源。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)● GB/T15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件
2024-03-15 09:23:03
服務(wù)范圍大規(guī)模集成電路芯片檢測(cè)項(xiàng)目(1)無(wú)損分析:X-Ray、SAT、OM 外觀檢查。(2)電特性/電性定位分析:IV 曲線量測(cè)、Photon Emission、OBIRCH
2024-03-14 16:12:31
開封以及機(jī)械開封等檢測(cè)方法。結(jié)合OM,X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。服務(wù)范圍IC芯片半導(dǎo)體檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)GB/T 37045-2018 信息技
2024-03-14 10:03:35
基本介紹功率器件可靠性是器件廠商和應(yīng)用方除性能參數(shù)外最為關(guān)注的,也是特性參數(shù)測(cè)試無(wú)法評(píng)估的,失效分析則是分析器件封裝缺陷、提升器件封裝水平和應(yīng)用可靠性的基礎(chǔ)。廣電計(jì)量擁有業(yè)界領(lǐng)先的專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)
2024-03-13 16:26:07
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試(DVDS)失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因,有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM,圓圈標(biāo)的地方是硅嗎?如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下,那些位置是硅?
2024-03-12 08:53:37
射線,表征材料元素方面的信息,可定性、半定量Be-U的元素 ;
定位測(cè)試點(diǎn),如在失效分析中可以用來(lái)定位失效點(diǎn),在異物分析中可以用來(lái)定位異物點(diǎn)。
博****仕檢測(cè)測(cè)試案例:
1.觀察材料的表面形貌
2024-03-01 18:59:58
共讀好書 吳彩峰 王修壘 謝立松 北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司,射頻識(shí)別芯片檢測(cè)技術(shù)北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 摘要: 在智能卡三輪測(cè)試中,失效表現(xiàn)為芯片受損,本文基于有限元模型來(lái)研究智能 IC
2024-02-25 17:10:20115 在智能卡三輪測(cè)試中,失效表現(xiàn)為芯片受損,本文基于有限元模型來(lái)研究智能 IC 卡(Integrated circuit card)芯片受力分析與強(qiáng)度提升方法,
2024-02-25 09:49:29215 貼片電阻阻值降低失效分析? 貼片電阻是電子產(chǎn)品中常見(jiàn)的元件之一。在電路中起著調(diào)節(jié)電流、電壓以及降低噪聲等作用。然而,就像其他電子元件一樣,貼片電阻也可能發(fā)生故障或失效。其中最常見(jiàn)的故障之一是電阻阻值
2024-02-05 13:46:22179 ; QJ3065.5-98元器件失效分析管理要求檢測(cè)項(xiàng)目試驗(yàn)類型試驗(yàn)項(xiàng)??損分析X 射線透視、聲學(xué)掃描顯微鏡、?相顯微鏡電特性/電性定位分析電參數(shù)測(cè)試、IV&a
2024-01-29 22:40:29
服務(wù)范圍LED芯片、LED支架、LED封裝膠、銀漿、鍵合線、LED燈珠(COB、LAMP、TOP、CHIP)、LED燈具、燈具驅(qū)動(dòng)電源。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)● GB/T15651-1995半導(dǎo)體器件分立器件
2024-01-29 22:04:38
什么是鋰離子電池失效?鋰離子電池失效如何有效分析檢測(cè)? 鋰離子電池失效是指電池容量的顯著下降或功能完全喪失,導(dǎo)致電池?zé)o法提供持久且穩(wěn)定的電能輸出。鋰離子電池失效是由多種因素引起的,包括電池化學(xué)反應(yīng)
2024-01-10 14:32:18216 去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無(wú)法觀察到失效點(diǎn),這時(shí)候就需要對(duì)芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理,對(duì)于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來(lái)逐一去除,直至最后一層金屬化和介質(zhì)層。
2024-01-09 15:17:27108 在鉆孔過(guò)程中鉆頭會(huì)發(fā)生磨損,評(píng)估和量化磨損的狀況至關(guān)重要,因?yàn)殂@頭的狀態(tài)會(huì)直接影響加工孔的質(zhì)量。如何簡(jiǎn)單、快速的獲取鉆頭的磨損狀態(tài)?如何精準(zhǔn)的定量分析鉆頭的磨損狀態(tài)?蔡司三本精密儀器可以通過(guò)同時(shí)提供
2024-01-08 15:12:5298 特性進(jìn)行更精確的分析氬離子拋光機(jī)可以實(shí)現(xiàn)平面拋光和截面研磨拋光這兩種形式:半導(dǎo)體芯片氬離子截面切割拋光后效果圖: 聚焦離子束FIB切割+SEM分析聚焦離子束FIB測(cè)試原理:聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)
2024-01-02 17:08:51
聚焦離子束(Focused Ion beam,FIB)是一種利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的顯微切割儀器。 聚焦后作用于樣品表面。
2024-01-02 10:14:26546 在了解了DIPIPM失效分析的流程后是不是會(huì)很容易地找到市場(chǎng)失效的原因了呢?答案是否定的。不管是對(duì)收集到的市場(chǎng)失效信息還是對(duì)故障解析報(bào)告的解讀、分析都需要相應(yīng)的專業(yè)技能作為背景,對(duì)整機(jī)進(jìn)行的測(cè)試也需要相應(yīng)的測(cè)試技能。
2023-12-27 15:41:37278 BGA(Ball Grid Array)是一種高密度的表面貼裝封裝技術(shù),它將芯片的引腳用焊球代替,并以網(wǎng)格狀排列在芯片的底部,通過(guò)回流焊與印刷電路板(PCB)上的焊盤連接。然而,BGA也存在一些可靠性問(wèn)題,其中最常見(jiàn)的就是焊點(diǎn)失效。本文主要介紹兩種典型的BGA焊點(diǎn)失效模式:冷焊和葡萄球效應(yīng)。
2023-12-27 09:10:47233 DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIPM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧,旨在幫助讀者全面了解并正確使用該產(chǎn)品。
2023-12-22 15:15:27241 常見(jiàn)的齒輪失效有哪些形式?失效的原因是什么?可采用哪些措施來(lái)減緩失效的發(fā)生? 齒輪是機(jī)械傳動(dòng)中常用的一種傳動(dòng)方式,它能夠?qū)?dòng)力從一個(gè)軸傳遞到另一個(gè)軸上。然而,在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中,齒輪也會(huì)出現(xiàn)各種失效
2023-12-20 11:37:151052 ESD失效和EOS失效的區(qū)別 ESD(電靜電放電)失效和EOS(電壓過(guò)沖)失效是在電子設(shè)備和電路中經(jīng)常遇到的兩種失效問(wèn)題。盡管它們都涉及電氣問(wèn)題,但其具體產(chǎn)生的原因、影響、預(yù)防方法以及解決方法
2023-12-20 11:37:023069 ▼關(guān)注公眾號(hào):工程師看海▼ 失效分析一直伴隨著整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)鏈,復(fù)雜的產(chǎn)業(yè)鏈中任意一環(huán)出現(xiàn)問(wèn)題都會(huì)帶來(lái)芯片的失效問(wèn)題。芯片從工藝到應(yīng)用都會(huì)面臨各種失效風(fēng)險(xiǎn),筆者平時(shí)也會(huì)參與到失效分析中,這一期就對(duì)失效
2023-12-20 08:41:04530 的焊錫空洞。 2)SEM表面特征分析 #位置3: 測(cè)試結(jié)果:剝離面有應(yīng)力斷裂痕跡,PCB鎳層有裂紋。 ? #位置2: 測(cè)試結(jié)果:焊接面有較大的焊錫空洞,斷裂面有應(yīng)力斷裂痕跡。 ? 3)EDS成分分析 ? 測(cè)試結(jié)果:剝離面主要成分為Sn、Ni, 未發(fā)現(xiàn)異常元素。 4)切片斷面分析 #PCB側(cè)脫落點(diǎn)切片斷面
2023-12-18 09:56:12155 計(jì)失效模式和影響分析(DFMEA,Design Failure Mode and Effects Analysis)在汽車工業(yè)中扮演著非常重要的角色。
2023-12-14 18:21:402297 保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45262 成分發(fā)現(xiàn),須莊狀質(zhì)是硫化銀晶體。原來(lái)電阻被來(lái)自空氣中的硫給腐蝕了。 失效分析發(fā)現(xiàn),主因是電路板上含銀電子元件如貼片電阻、觸點(diǎn)開關(guān)、繼電器和LED等被硫化腐蝕而失效。銀由于優(yōu)質(zhì)的導(dǎo)電特性,會(huì)被使用作為電極、焊接材料
2023-12-12 15:18:171020 1、案例背景 LED燈帶在使用一段時(shí)間后出現(xiàn)不良失效,初步判斷失效原因?yàn)殂~腐蝕。據(jù)此情況,對(duì)失效樣品進(jìn)行外觀觀察、X-RAY分析、切片分析等一系列檢測(cè)手段,明確失效原因。 2、分析過(guò)程 2.1 外觀
2023-12-11 10:09:07188 晶振失效了?怎么解決?
2023-12-05 17:22:26230 無(wú)源電位襯度(Passive Voltage Contrast,PVC)定位基于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的FIB或SEM圖像或多或少的亮度差異,可用于半導(dǎo)體電路的失效定位。
2023-12-01 16:18:08514 常規(guī)的TEM使用固定的入射電子束,而SEM的電子束在兩個(gè)垂直的(X和Y)方向上水平掃描樣品。
2023-12-01 11:37:50686 DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡(jiǎn)稱,由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIPM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧,旨在幫助讀者全面了解并正確使用該產(chǎn)品。
2023-11-29 15:16:24414 損壞的器件不要丟,要做失效分析!
2023-11-23 09:04:42181 壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07721 FPC在后續(xù)組裝過(guò)程中,連接器發(fā)生脫落。在對(duì)同批次的樣品進(jìn)行推力測(cè)試后,發(fā)現(xiàn)連接器推力有偏小的現(xiàn)象。據(jù)此進(jìn)行失效分析,明確FPC連接器脫落原因。
2023-11-20 16:32:22312 將詳細(xì)分析光耦失效的幾種常見(jiàn)原因。 首先,常見(jiàn)的光耦失效原因之一是LED失效。LED是光耦發(fā)光二極管的核心部件,它會(huì)發(fā)出光信號(hào)。常見(jiàn)的LED失效原因有兩種:老化和損壞。LED的使用壽命是有限的,長(zhǎng)時(shí)間使用后會(huì)逐漸老化。老化后的LE
2023-11-20 15:13:441445 那么就要用到一些常用的失效分析技術(shù)。介于PCB的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與失效的主要模式,其中金相切片分析是屬于破壞性的分析技術(shù),一旦使用了這兩種技術(shù),樣品就破壞了,且無(wú)法恢復(fù);另外由于制樣的要求,可能掃描電鏡分析和X射線能譜分析有時(shí)也需要部分破壞樣品。
2023-11-16 17:33:05115 介紹LGA器件焊接失效分析及對(duì)策
2023-11-15 09:22:14349 關(guān)于解密設(shè)備其實(shí)是很多種工具,例如我們常常聽說(shuō)到得FIB設(shè)備,其實(shí)不能說(shuō)FIB是解密設(shè)備,FIB是聚焦離子束設(shè)備,是在納米級(jí)的對(duì)材料切割和連接的一種儀器,當(dāng)然在微電子領(lǐng)域應(yīng)用最多,如果使用FIB解密芯片,那么就是要對(duì)芯片電路進(jìn)行修改,讓加密的芯片變成了不加密的芯片。
2023-11-08 11:45:58394 關(guān)于解密設(shè)備其實(shí)是很多種工具,例如我們常常聽說(shuō)到得FIB設(shè)備,其實(shí)不能說(shuō)FIB是解密設(shè)備,FIB是聚焦離子束設(shè)備,是在納米級(jí)的對(duì)材料切割和連接的一種儀器
2023-11-08 11:44:17454 在電子主板生產(chǎn)的過(guò)程中,一般都會(huì)出現(xiàn)失效不良的主板,因?yàn)槭且驗(yàn)楦鞣N各樣的原因所導(dǎo)致的,比如短路,開路,本身元件的問(wèn)題或者是認(rèn)為操作不當(dāng)?shù)鹊人鸬摹?所以在電子故障的分析中,需要考慮這些因素,從而
2023-11-07 11:46:52386 什么是FIB?FIB有哪些應(yīng)用?如何修改線路做FIB?FIB怎么做失效分析?FIB還能生長(zhǎng)PAD?FIB案例有些? FIB是Focused Ion Beam(聚焦離子束)的縮寫,是一種利用離子束刻蝕
2023-11-07 10:35:041668 一、案例背景 車門控制板發(fā)生暗電流偏大異常的現(xiàn)象,有持續(xù)發(fā)生的情況,初步判斷發(fā)生原因?yàn)镃3 MLCC電容開裂。據(jù)此情況,結(jié)合本次失效樣品,對(duì)失效件進(jìn)行分析,明確失效原因。 二、分析過(guò)程 1、失效復(fù)現(xiàn)
2023-11-03 11:24:22279 等問(wèn)題,分析其失效原因,通過(guò)試驗(yàn),確認(rèn)鍵合點(diǎn)間距是弧形狀態(tài)的重要影響因素。據(jù)此,基于鍵合設(shè)備的能力特點(diǎn),在芯片設(shè)計(jì)符合鍵合工藝規(guī)則的前提下,提出鍵合工藝的優(yōu)化。深入探討在設(shè)計(jì)芯片和制定封裝工藝方案時(shí),保證鍵合點(diǎn)與周圍金屬化區(qū)域的合理間距以及考慮芯片PAD與管殼鍵合指的距離的重要性。
2023-11-02 09:34:05378 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《大功率固態(tài)高功放功率合成失效分析.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-20 14:43:470 芯片粘接質(zhì)量是電路封裝質(zhì)量的一個(gè)關(guān)鍵方面,它直接影響電路的質(zhì)量和壽命。文章從芯片粘接強(qiáng)度的失效模式出發(fā),分析了芯片粘接失效的幾種類型,并從失效原因出發(fā)對(duì)如何在芯片粘接過(guò)程中提高其粘接強(qiáng)度提出了四種
2023-10-18 18:24:02395 本文涵蓋HIP失效分析、HIP解決對(duì)策及實(shí)戰(zhàn)案例。希望您在閱讀本文后有所收獲,歡迎在評(píng)論區(qū)發(fā)表您的想法。
2023-10-16 15:06:08299 UltraScale / UlraScale+系列的SEM IP一共有6種工作模式
2023-10-13 10:06:59432 經(jīng)過(guò)離子槍聚焦、加速后作用于樣品表面,實(shí)現(xiàn)離子的成像、注入、刻蝕和沉積。 截面分析是SEM/FIB(Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam)雙束系統(tǒng)
2023-10-07 14:44:41393 本文主要設(shè)計(jì)了用于封裝可靠性測(cè)試的菊花鏈結(jié)構(gòu),研究了基于扇出型封裝結(jié)構(gòu)的芯片失效位置定位方法,針對(duì)芯片偏移、RDL 分層兩個(gè)主要失效問(wèn)題進(jìn)行了相應(yīng)的工藝改善。經(jīng)過(guò)可靠性試驗(yàn)對(duì)封裝的工藝進(jìn)行了驗(yàn)證,通過(guò)菊花鏈的通斷測(cè)試和阻值變化,對(duì)失效位置定位進(jìn)行了相應(yīng)的失效分析。
2023-10-07 11:29:02410 CD-SEM,全名Critical Dimension Scanning Electron Microscopy,中文翻譯過(guò)來(lái)是:特征尺寸掃描電子顯微鏡。
2023-10-07 10:34:231434 NO.1 案例背景 某攝像頭模組,在生產(chǎn)測(cè)試過(guò)程中發(fā)生功能不良失效,經(jīng)過(guò)初步的分析,判斷可能是LGA封裝主芯片異常。 NO.2 分析過(guò)程 #1 X-ray分析 樣品#1 樣品#2 測(cè)試結(jié)果:兩個(gè)失效
2023-09-28 11:42:21399 為什么有的萬(wàn)用表點(diǎn)不亮led
2023-09-20 07:37:06
眾所周知,經(jīng)過(guò)一系列工藝制成的芯片,內(nèi)部是復(fù)雜多樣的,其電路中可能存在著很多制造上的缺陷,并且芯片產(chǎn)生故障的原因也是多樣的,可能是連線的短路或開路,摻雜濃度不穩(wěn)定,不規(guī)則的排線,工藝環(huán)境等。
2023-09-15 16:16:20985 滾動(dòng)軸承的可靠性與滾動(dòng)軸承的失效形式有著密切的關(guān)系,要提高軸承的可靠性,就必須從軸承的失效形式著手,仔細(xì)分析滾動(dòng)軸承的失效原因,才能找出解決失效的具體措施。今天我們通過(guò)PPT來(lái)了解一下軸承失效。
2023-09-15 11:28:51212 失效分析是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及,它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。
2023-09-12 09:51:47291 LED模組上面有好幾種芯片,每一種芯片所控制的信號(hào)和功能都各有不同,下面我們以單個(gè)模組控制信號(hào)的走向來(lái)逐一認(rèn)識(shí)和分析它們的不同。
2023-09-08 10:09:231313 失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。
2023-09-06 10:28:051331 截面分析 FIB-SEM測(cè)試
FIB技術(shù)可以精確地在器件的特定微區(qū)進(jìn)行截面觀測(cè),形成高分辨的清晰圖像,并且對(duì)所加工的材料沒(méi)有限制,同時(shí)可以邊刻蝕邊利用SEM實(shí)時(shí)觀察樣品,截面分析是FIB最常
2023-09-05 11:58:27
博仕檢測(cè)聚焦離子束FIB-SEM測(cè)試案例
2023-09-04 18:49:41461 IC。然而,IC在使用過(guò)程中也可能出現(xiàn)失效的情況,從而影響到整個(gè)設(shè)備的使用效果。因此,對(duì)IC失效分析的研究變得越來(lái)越重要。 IC失效的原因有很多,例如因?yàn)楣に囘^(guò)程中的不良導(dǎo)致芯片內(nèi)部有缺陷,或者長(zhǎng)時(shí)間使用導(dǎo)致老化而出現(xiàn)失效等。為了找出IC失效的原因,在
2023-08-29 16:35:13627 芯片失效分析方法 芯片失效原因分析? 隨著電子制造技術(shù)的發(fā)展,各種芯片被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)生產(chǎn)和家庭電器中。然而,在使用過(guò)程中,芯片的失效是非常常見(jiàn)的問(wèn)題。芯片失效分析是解決這個(gè)問(wèn)題的關(guān)鍵。 芯片
2023-08-29 16:29:112800 半導(dǎo)體失效分析? 半導(dǎo)體失效分析——保障電子設(shè)備可靠性的重要一環(huán) 隨著電子科技的不斷發(fā)展,電子設(shè)備已成為人們生活和工作不可或缺的一部分,而半導(dǎo)體也是電子設(shè)備中最基本的組成部分之一。其作用是將電能轉(zhuǎn)化
2023-08-29 16:29:08736 電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。對(duì)于硬件工程師來(lái)講電子元器件失效是個(gè)非常麻煩的事情,比如某個(gè)半導(dǎo)體器件外表完好但實(shí)際上已經(jīng)半失效
2023-08-29 10:47:313729 鉭電容失效分析 鉭電容失效原因分析 鉭電容燒壞的幾種原因 鉭電容是一種電子元器件,通常用于將電場(chǎng)儲(chǔ)存為電荷的裝置。它們具有高電容和低ESR等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、模擬電路和電源等領(lǐng)域。然而
2023-08-25 14:27:562133 TEM在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有非常廣泛的用途,如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、鍍膜及刻蝕等半導(dǎo)體工藝分析等等,客戶群體遍布晶圓廠、封裝廠、芯片設(shè)計(jì)公司、半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)、材料研發(fā)、高校科研院所等。
2023-08-21 14:53:561041 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SEM5000正式上線使用左側(cè)設(shè)備為鎢燈絲掃描電鏡SEM3200右側(cè)設(shè)備為場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SEM5000近日,國(guó)儀量子場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡SEM5000交付中國(guó)農(nóng)科院作科所重大
2023-07-31 23:30:26350 本文通過(guò)對(duì)典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過(guò)對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對(duì)各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效的機(jī)理;并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930 隨著市場(chǎng)需求的不斷增加,近年從事LED制造和研發(fā)的人員大大增加。LED企業(yè)亦如雨后春筍般成長(zhǎng)。由于從事LED驅(qū)動(dòng)研發(fā)的企業(yè)和人眾多,其技術(shù)水平參 差不齊,研發(fā)出來(lái)的LED驅(qū)動(dòng)電路質(zhì)量好壞不一。導(dǎo)致LED燈具的失效時(shí)常發(fā)生,阻礙了LED照明的市場(chǎng)推廣。
2023-07-25 09:12:046864 SEM IP是一種比較特殊的IP。它的基本工作就是不停地后臺(tái)掃描檢測(cè)FPGA配置RAM中的數(shù)據(jù)
2023-07-10 16:40:23420 這是Amanda王莉第55篇文章,點(diǎn)這里關(guān)注我,記得標(biāo)星在當(dāng)今世界,SEM掃描電子顯微鏡分析技術(shù),一種介于透射電子顯微鏡和光學(xué)顯微鏡之間的一種觀察手段,主要應(yīng)用在半導(dǎo)體、材料科學(xué)、生命科學(xué)和納米材料
2023-07-05 10:04:061995 與開封前測(cè)試結(jié)果加以比較,是否有改變,管殼內(nèi)是否有水汽的影響。進(jìn)一步可將表面氧化層、鋁條去掉,用機(jī)械探針扎在有關(guān)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行靜態(tài)(動(dòng)態(tài))測(cè)試、判斷被隔離部分是否性能正常,分析失效原因。
2023-07-05 09:43:04317 與外界的連接。然而,在使用過(guò)程中,封裝也會(huì)出現(xiàn)失效的情況,給產(chǎn)品的可靠性帶來(lái)一定的影響。因此,對(duì)于封裝失效的分析和解決方法具有很重要的意義。
2023-06-28 17:32:001779 BGA失效分析與改善對(duì)策
2023-06-26 10:47:41438 為了防止在失效分析過(guò)程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機(jī)理,封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進(jìn)行。
2023-06-25 09:02:30315 集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效中封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學(xué)過(guò)程(失效機(jī)理),為集成電路封裝糾正設(shè)計(jì)、工藝改進(jìn)等預(yù)防類似封裝失效的再發(fā)生,提升
2023-06-21 08:53:40572 EMMI:Emission microscopy 。與SEM,FIB,EB等一起作為最常用的失效分析手段。
2023-06-12 18:21:182310 LED驅(qū)動(dòng)電源作為LED照明中不可或缺的一部分,對(duì)其電子封裝技術(shù)要求亦愈發(fā)嚴(yán)苛,不僅需要具備優(yōu)異的耐候性能、機(jī)械力學(xué)性能、電氣絕緣性能和導(dǎo)熱性能,同時(shí)也需要兼顧灌封材料和元器件的粘接性。那么在LED驅(qū)動(dòng)電源的使用中,導(dǎo)致LED驅(qū)動(dòng)電源失效的原因都有哪些呢?下面就跟隨名錦坊小編一起來(lái)看看吧!
2023-05-18 11:21:19851 紅光LED芯片是單電極結(jié)構(gòu),它兩個(gè)電極之間的材質(zhì)、厚度、襯底材料與雙電極的藍(lán)綠光LED不一樣,所承受的靜電能量要比雙電極的高很多。
2023-05-15 09:26:20423 失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì),使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。
2023-05-13 17:16:251365 。
通過(guò)對(duì)TVS篩選和使用短路失效樣品進(jìn)行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時(shí)所受的應(yīng)力等。采用理論分析和試驗(yàn)證明等方法分析導(dǎo)致7rvS器件短路失效的原因。
2023-05-12 17:25:483678 失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。
2023-05-11 14:39:113227 , line); }}看一下打印信息里的參數(shù),提示是下面函數(shù)的斷言失效,問(wèn)題一:在什么情況下,一個(gè)信號(hào)量的類型不是信號(hào)量呢?
rt_err_t rt_sem_release(rt_sem_t sem
2023-05-11 14:35:31
芯片對(duì)于電子設(shè)備來(lái)說(shuō)非常的重要,進(jìn)口芯片在設(shè)計(jì)、制造和使用的過(guò)程中難免會(huì)出現(xiàn)失效的情況。于是當(dāng)下,生產(chǎn)對(duì)進(jìn)口芯片的質(zhì)量和可靠性的要求越來(lái)越嚴(yán)格。因此進(jìn)口芯片失效分析的作用也日漸凸顯了出來(lái),那么進(jìn)口芯片失效分析常用的方法有哪些呢?下面安瑪科技小編為大家介紹。
2023-05-10 17:46:31548 在信號(hào)量的api中有一個(gè)api: rt_sem_control ,目前只支持一個(gè)命令RT_IPC_CMD_RESET 即重置信號(hào)量值,在官方的demo中經(jīng)常看到這種用法rt_sem
2023-05-05 17:26:37
芯片封裝的目的在于對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)與支撐作用、形成良好的散熱與隔絕層、保證芯片的可靠性,使其在應(yīng)用過(guò)程中高效穩(wěn)定地發(fā)揮功效。
2023-04-24 16:18:161067 為了將制程問(wèn)題降至最低,環(huán)旭電子利用高精度3D X-Ray定位異常元件的位置,利用激光去層和重植球技術(shù)提取SiP 模組中的主芯片。同時(shí),利用X射線光電子能譜和傅立葉紅外光譜尋找元件表面有機(jī)污染物的源頭,持續(xù)強(qiáng)化SiP模組失效分析領(lǐng)域分析能力。
2023-04-24 11:31:411357 芯片封裝的目的在于對(duì)芯片進(jìn)行保護(hù)與支撐作用、形成良好的散熱與隔絕層、保證芯片的可靠性,使其在應(yīng)用過(guò)程中高效穩(wěn)定地發(fā)揮功效。
2023-04-23 09:21:051064 失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)
2023-04-18 09:11:211360 對(duì)所有制造材料進(jìn)行100%全面檢查。 制造商測(cè)試實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)中心、材料研究小組和質(zhì)量控制部門,尋找微小缺陷正在刺激對(duì)掃描聲學(xué)顯微鏡(SAM)設(shè)備的投資。失效分析和可靠性檢測(cè)計(jì)量技術(shù)已變得至關(guān)重要,現(xiàn)在SAM與X射線和掃描電子顯微鏡(SEM)等其他實(shí)驗(yàn)室測(cè)試和測(cè)量?jī)x器并駕齊驅(qū)。
2023-04-14 16:21:39925 BGA失效分析與改善對(duì)策
2023-04-11 10:55:48577 程中出現(xiàn)了大量的失效問(wèn)題。 對(duì)于這種失效問(wèn)題,我們需要用到一些常用的失效分析技術(shù),來(lái)使得PCB在制造的時(shí)候質(zhì)量和可靠性水平得到一定的保證,本文總結(jié)了十大失效分析技術(shù),供參考借鑒。
2023-04-10 14:16:22749
評(píng)論
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