本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 編輯
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極
2024-03-06 20:49:11
BLP15H9S100GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
電子發燒友網站提供《50V 輸入電壓、50mA 超高電壓線性穩壓器TPS7A4101數據表.pdf》資料免費下載
2024-02-29 16:04:22
0 電子發燒友網站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA114ET-Q產品數據表.pdf》資料免費下載
2024-02-22 09:33:100 電子發燒友網站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA114EU產品數據表.pdf》資料免費下載
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2024-02-22 09:24:570 電子發燒友網站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA114EM產品數據表.pdf》資料免費下載
2024-02-22 09:23:490 電子發燒友網站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA114EU-Q產品數據表.pdf》資料免費下載
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2024-02-21 14:23:340 電子發燒友網站提供《40 V，200 mA NPN開關晶體管MMBT3904-Q數據手冊.pdf》資料免費下載
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2024-02-21 11:10:180 電子發燒友網站提供《100 V，4.5 A NPN低VCEsat晶體管PBSS306NX數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 10:31:540 電子發燒友網站提供《100 V，4.5 A NPN低VCEsat晶體管PBSS306NX-Q數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 10:30:590 是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
電子發燒友網站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA143ZU數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-26 09:23:350 電子發燒友網站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA143ZM數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-26 09:21:430 電子發燒友網站提供《配備50 V、100 mA PNP電阻器的晶體管PDTA143ZT數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-26 09:18:400 推挽和互補放大電路的區別是什么？在晶體管的不同，BTJ和FET的不同？例如在NPN和PNP電路中，上級電路的輸入共同作用加在兩個基極之間？假設是高電平，為什么上面晶體管導通，下面晶體管不導通？當下
2024-01-25 22:28:59
我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當我從評估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時，該程序有效。但是當我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導通，則該多發射極晶體管集電極輸出導通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
)：13.0效率（％）：33額定電壓(V)：40形式：封裝形式分立晶體管封裝形式類別：法蘭盤技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認為晶體管處在關斷狀態
2、當基
2024-01-18 16:34:45
led燈泡芯片推薦：SM2082EGS 電流可達 100mA
2024-01-05 14:28:34
197 
事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
想把ADHV4702的輸出電流增大到100mA，
采用VP2540和VN2540兩個MOS管，按照datasheet上的圖設計電路。仿真看步到問題。但是，在實驗中，ADHV4702大概輸出電流50mA超過1分鐘就會燒芯片。已經燒了6pcs了，求幫忙
2023-11-13 08:37:16
MJD2873Q 產品簡介DIODES 的MJD2873Q這種雙極結型晶體管（BJT）設計用于滿足汽車應用的嚴格要求。產品規格 品牌
2023-10-18 19:18:31
AC847BWQ產品簡介DIODES 的AC847BWQ這種雙極結型晶體管 (BJT) 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。產品規格 品牌
2023-10-17 16:42:43
2DC4617SQ 產品簡介DIODES 的2DC4617SQ這種雙極結型晶體管 (BJT) 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。產品規格 品牌
2023-10-17 16:35:55
2DA1213YQ 產品簡介DIODES 的2DA1213YQ這款雙極結型晶體管 (BJT) 旨在滿足汽車應用的嚴格要求。產品規格 品牌
2023-10-17 12:55:10
, 100mA, Himalaya uSLIC Power Module DC-DC Converter with 50mA Linear Regulator Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝
2023-10-16 19:13:47
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電子發燒友網站提供《BST50 NPN達林頓晶體管手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:43:320 電子發燒友網站提供《BST50-Q NPN達林頓晶體管手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-27 11:42:320 電子發燒友網站提供《PBSS4160DS NPN/NPN低VCEsat晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2023-09-26 14:36:350 電子發燒友網站提供《PBSS4260PANS-Q NPN/NPN低VCEsat晶體管手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:12:450 電子發燒友網站提供《PBSS4160DS-Q NPN/NPN低VCESAT晶體管手冊.pdf》資料免費下載
2023-09-26 10:10:500 ) 額定值范圍為 80 mA 至 600mA。
這些晶體管有兩種形式，例如 PNP 和 NPN。該晶體管的最高工作頻率為 1 至 300 MHz。這些晶體管用于放大幾伏等小信號以及僅使用毫安電流時。一旦
2023-08-02 12:26:53
功率晶體管。
保護電路來自圖。使用2歐姆負載時，還必須更改4。R24和R28值為3k9，R26和R28為220歐姆，D5、D6和R30全部消除。
70W/8歐姆版本的整流電壓±40V處于負載
2023-08-01 17:25:06
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規格書
2023-07-24 14:27:530 “NPN型晶體管”和“PNP型晶體管”在它們所連接的電路中都起到開關的作用，但連接負載的位置不同。
2023-07-06 11:30:291736 
ZXTN5551FL 產品簡介DIODES 的 ZXTN5551FL（NPN, 160V, 0.6A, SOT23）采用小外形表面貼裝封裝的高壓 NPN 晶體管。 產品規格
2023-06-09 16:19:47
ZXTN4004ZQ 產品簡介DIODES 的 ZXTN4004ZQ（NPN, 150V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 150V NPN °C 驅動晶體管 產品規格
2023-06-09 16:12:37
ZXTN4004Z 產品簡介DIODES 的 ZXTN4004Z（NPN, 150V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 150V NPN °C 驅動晶體管 產品規格
2023-06-09 16:06:39
ZXTN4004KQ 產品簡介DIODES 的 ZXTN4004KQ（NPN, 150V, 1A, TO252）150V NPN °C TO252 驅動晶體管 產品規格
2023-06-09 15:59:39
ZXTN4004K 產品簡介DIODES 的 ZXTN4004K（NPN, 150V, 1A, TO252）150V NPN °C TO252 驅動晶體管 產品規格
2023-06-09 14:13:11
ZXTN4002Z 產品簡介DIODES 的 ZXTN4002Z（NPN, 100V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 100V NPN °C 驅動晶體管 產品規格
2023-06-09 13:48:15
ZXTN4000Z 產品簡介DIODES 的 ZXTN4000Z（NPN, 60V, 1A, SOT89）SOT89 封裝的 60V NPN °C 驅動晶體管 產品規格
2023-06-09 13:40:34
ZXTN25100DZ 產品簡介DIODES 的 ZXTN25100DZ（NPN, 100V, 2.5A, SOT89）這款新型低飽和 NPN 晶體管采用 SOT89 封裝
2023-06-09 13:01:11
ZXTN25100DGQ 產品簡介DIODES 的 ZXTN25100DGQ（NPN, 100V, 3A, SOT223）采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有
2023-06-09 12:55:35
ZXTN25100DG 產品簡介DIODES 的 ZXTN25100DG（NPN, 100V, 3A, SOT223）采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有
2023-06-09 12:48:39
ZXTN25060BZ產品簡介DIODES 的 ZXTN25060BZ（NPN, 60V, 5A, SOT89）這種采用 SOT89 外形封裝的新型低飽和 60V NPN 晶體管具有極低的導通狀態
2023-06-09 12:12:51
ZXTN25050DFH 產品簡介DIODES 的 ZXTN25050DFH（NPN, 50V, 4A, SOT23）先進的工藝能力和封裝設計已被用于最大限度地提高這種小外形
2023-06-09 11:59:32
ZXTN25020DZ 產品簡介DIODES 的 ZXTN25020DZ（NPN, 20V, 6A, SOT89）這款新型低飽和 20V NPN 晶體管采用 SOT89 封裝，具有極低的導
2023-06-09 10:36:12
ZXTN25020DG 產品簡介DIODES 的 ZXTN25020DG（NPN, 20V, 7A, SOT223）采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導
2023-06-09 10:05:28
ZXTN04120HFF 產品簡介DIODES 的 ZXTN04120HFF 這種高性能NPN達林頓晶體管被封裝在小輪廓SOT23扁平封裝中，用于空間非常寶貴的應用。產品規格類別 達林頓
2023-06-06 21:47:20
今天為大家介紹晶體管由兩個PN結構成，分為NPN型和PNP型兩類，根據使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。
2023-06-03 09:29:111255 
NPN晶體管是由三個不同摻雜的半導體材料制成的電子元件，它是一種L6562ADTR雙極晶體管，是電子學中最常用的元件之一。它的名稱來源于其內部的三個摻雜區域，分別是N型區、P型區和N型區。其中，P型區稱為基區，N型區稱為發射區和集電區。NPN晶體管的基區是較薄的區域，而發射區和集電區是較厚的區域。
2023-05-31 11:52:081336 TIP122是一個 達林頓對 NPN 晶體管 ，由一對達林頓晶體管組成，它的工作原理類似于普通的 NPN 晶體管。
2023-05-23 09:23:451719 
晶體管2SD2686規格書
2023-05-16 17:19:540 嘗試在 GPIO1 和 R2 之間放置一個接地電阻。
從記憶中你需要一些東西來確保線路很低。
2023-05-12 07:11:17
嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設備。整個電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認為熱量
2023-04-28 06:59:43
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關工藝節點和晶體管數量的信息。NXP 網站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:51
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:50
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:49
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:47
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 18:20:46
NPN 100mA 50V通用晶體管
2023-03-28 18:20:38
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 15:06:58
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 14:59:43
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 14:59:41
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 14:59:40
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-28 14:59:39
NPN 100mA 50V數字晶體管（偏置電阻內置晶體管）
2023-03-28 13:03:08
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
NPN 100mA 50V數字晶體管(偏置電阻內置晶體管)
2023-03-24 16:08:21
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