發展到以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代以及以氧化鎵、氮化鋁為代表的第四代半導體。目前以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體器件正發展得如火如荼，在商業化道路上高歌猛進。 ? 與此同時，第四代半導體材料的研究也頻頻取得
2023-04-02 01:53:36
6101 
深圳市薩科微半導體有限公司，技術骨干來自清華大學和韓國延世大學，掌握第三代半導體碳化硅功率器件國際領先的工藝，和第五代超快恢復功率二極管技術。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
2023年，東芝半導體的功率器件銷售額估計約為1000億日元，其中35%用于汽車市場，20%用于工業市場。
2024-03-04 18:10:33307 將大幅調整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領域歷練，第三代接班梯隊正式成軍。 魏哲家未來接任董事長兼總裁，成為繼創辦人張忠謀后，臺積電擁有參與公司決策方針和統帥三軍大權的第二人。 據調查，臺積電首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區啟用，由深圳市重投天科半導體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設運營，預計今年襯底和外延產能達25萬片
2024-02-29 14:09:14234 總計投資32.7億元人民幣的第三代半導體碳化硅材料生產基地是中共廣東省委和深圳市委重點關注的項目之一，同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。
2024-02-28 16:33:34336 。Xeon?可擴展處理器（第三代）基于平衡、高效的結構，可提高芯體性能、儲存器和I/O帶寬，以加速從數據中心到邊緣的各種工作負載。 這些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內存速度和增加內存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進的安全技術以及內置工作負載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數據中心的基礎。這些處理器具有內置AI加速、先進的安全技術和出色的多插槽處理性能，設計用于任務關鍵
2024-02-27 11:57:15
近日，中國證監會正式披露了芯三代半導體科技（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“芯三代”）首次公開發行股票并上市的輔導備案報告。這標志著這家尖端半導體芯片制造設備公司正式踏上了資本市場的發展之路，將為中國第三代半導體產業的崛起注入新的活力。
2024-02-25 17:57:40720 今日，小米召開主題為“新層次”的新品發布會，正式推出了小米14 Ultra手機。新機搭載第三代驍龍8移動平臺，集小米領先技術于一身，帶來全方位跨越的新一代專業影像旗艦，讓真實有層次。
2024-02-23 09:17:36352 在清潔能源、電動汽車的發展趨勢下，近年來第三代半導體碳化硅和氮化鎵受到了史無前例的關注，市場以及資本都在半導體行業整體下行的階段加大投資力度，擴張規模不斷擴大。在過去的2023年，全球第三代半導體
2024-02-18 00:03:002542 服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊檢測標準l GJB548B-2005微電子器件試驗?法和程序l
2024-01-29 22:40:29
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導體器件等分立器件，以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰經驗，為您提供專業可靠的AEC-Q101認證服務，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
2024-01-24 16:42:04843 
第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導體材料。
2024-01-23 10:06:04258 
據云塔科技消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發計劃“戰略性科技創新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質集成射頻微系統芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。
2024-01-23 09:56:16448 為首的第三代半導體材料在這一趨勢下逐漸從科研走向產業化，并成為替代部分硅基功率器件的明確趨勢。然而，目前行業仍存在一些挑戰和改進的空間。未來需要對產業鏈各環節進行
2024-01-19 08:30:303696 
第三代半導體性能優越，應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發展的 基礎，經歷了數代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產業化加速放量階段。相較
2024-01-16 10:48:49314 
電子發燒友網報道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲能等新興領域的需求帶動下，第三代半導體市場近幾年高速增長。盡管今年半導體經濟不景氣，機構投資整體更理性下，第三代半導體企業的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導體以此特有的性能優勢，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。2020年9月，第三代半導體被寫入“十四五”規劃，在技術、市場與政策的三力驅動下，近年來國內涌現出多家第三代半導體領域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導體外延十強企業”稱號，其生產的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產品獎”。這一榮譽充分體現了中電化合物在第三代半導體外延領域的卓越實力和領先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布將募集3.5億元資金，用于多個關鍵項目的發展。這些項目涵蓋了補充公司流動資金、建設石金（西安）研發中心及生產基地、光伏關鍵輔材集成服務生產以及第三代半導體熱場及材料的生產。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半導體產業知名媒體與產業研究機構“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎”頒獎典禮在深圳正式拉開帷幕，數家SiC&GaN企業代表參加，共同見證第三代半導體產業的風采。
2023-12-27 10:47:55225 
的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學
2023-12-26 14:15:215610 
芯聯集成已全力挺進第三代半導體市場，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術的研究開發與產能建設。短短兩年間，芯聯集成便已成功實現技術創新的三次重大飛躍，器件性能與國際頂級企業齊肩，并且已穩定實現6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規模生產。
2023-12-26 10:02:38247 “時間就是金錢”這句話在半導體器件的生產測試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:03286 
領先的測試與測量解決方案提供商泰克科技，5系列B MSO混合信號示波器榮獲年度優秀產品獎。 本屆行家極光獎特別設立了【年度企業】、【年度優秀產品】、【十強榜單】三大獎項，力圖為第三代半導體行業樹立標桿，提升企業品牌認知度和影響力，為行業發展注入
2023-12-21 17:40:02266 
半導體材料目前已經發展至第三代。傳統硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業的發展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20820 
派恩杰半導體專注第三代半導體功率器件領域，產品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個方向。始創于2018年，公司擁有國內最為全面的碳化硅功率器件產品。
2023-12-18 14:38:17447 12月14日，第三代半導體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業”稱號。
2023-12-15 10:57:45466 2023年11月29日，第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)和“第三代半導體標準與檢測研討會”成功召開，是德科技參加第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)，并重磅展出第三代半導體動靜態測試方案
2023-12-13 16:15:03241 
根據不同的誘因，常見的對半導體器件的靜態損壞可分為人體，機器設備和半導體器件這三種。
當靜電與設備導線的主體接觸時，設備由于放電而發生充電，設備接地，放電電流將立即流過電路，導致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
快科技11月21日消息,今天星紀魅族集團董事長兼CEO沈子瑜發文正式宣布,魅族21將首批搭載行業最強的第三代驍龍8。 新機發布會此前已經官宣,將會在11月30日揭曉。 值得注意的是,這次魅族表示將會
2023-11-21 11:48:12453 —AMD加強廣受好評的第三代EPYC CPU產品組合，為支持主要業務基礎設施的服務器提供性能和能效— —包括Cisco、Dell Technologies、Gigabyte、HPE、Lenovo
2023-11-11 10:37:54934 對于半導體器件而言熱阻是一個非常重要的參數和指標，是影響半導體性能和穩定性的重要因素。如果熱阻過大，那么半導體器件的熱量就無法及時散出，導致半導體器件溫度過高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導體熱阻測試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測試的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
2023年10月25日 - 2023全國第三代半導體大會今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會議廳隆重開幕。本屆大會由今日半導體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業參與，共同探討第三代半導體產業的發展趨勢和應用前景。
2023-11-06 09:45:31234 點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
SiC 襯底是由 SiC 單晶材料制造 而成的晶圓片。襯底可以直接進入 晶圓制造環節生產半導體器件，也 可以經過外延加工，即在襯底上生 長一層新的單晶，形成外延片。
2023-10-18 15:35:39
4 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 一 F-200A-60V 半導體器件測試機專為以下測試需求研制： 二 技術參數
2023-10-12 15:38:30
隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有許多優勢，這些優勢源于新材料和器件結構的創新。
2023-10-10 16:34:28295 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
西安電子科技大學表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準備、密封測試等整個工程的研發和技術服務能力。接著革新中心是第三代半導體技術公共服務平臺和產業，圍繞國家第三代半導體產業的重大戰略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領域的、芯片和微系統模塊的開展關鍵技術研發。
2023-09-25 11:20:56840 行業協會指導，深圳市人民政府聯合中國半導體行業協會集成電路設計分會、“核高基”國家科技重大專項總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后，汽車芯片與第三代半導體應用論壇作為本屆峰會亮點正式開啟。 ? 當前，隨著汽車四化時代來臨，汽車產業迎來更大風口，
2023-09-25 09:09:35521 
隨著全球進入物聯網、5G、綠色能源和電動汽車時代，能夠充分展現高電壓、高溫和高頻能力、滿足當前主流應用需求的寬禁帶半導體高能量轉換效率半導體材料開始成為市場寵兒，開啟了第三代半導體的新紀元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，它突破硅基半導體材料物理限制，成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優勢引領功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
? 新能源汽車和光伏、儲能設施在全球加速普及，為第三代半導體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產業的落地提供了前所未有的契機。 長電科技厚積薄發定位創新前沿，多年來面向第三代半導體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯合研發中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
已廣泛應用于PD快充、電動汽車、光伏儲能、數據中心以及充電樁等領域的第三代半導材料，近年來越來越受到半導體各行業的關注。目前，領先器件供應商在第三代半導體領域做了什么?有什么技術難點?如何平衡性
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲能設施在全球加速普及,為第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發定位創新前沿,多年來面向第三代半導體功率器件開發
2023-09-18 16:11:25261 材料領域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271932 
意法半導體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍牙SIG核心規范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點對多點連接和藍牙SIG
2023-09-08 06:57:13
。面對新材料、新器件和新特性在設計、生產和使用中的全新挑戰， 泰克結合多年在第三代半導體產業的豐富經驗和領先的功率器件動態參數測試系統為客戶提供支持服務 ，同時在北京成立第三代半導體測試實驗室，幫助行業內客戶、合作
2023-09-04 12:20:01234 據錫山經濟技術開發區消息，芯動第三代半導體模塊將在測試項目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產。凱威特斯半導體設備配件再制造事業已經完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產。
2023-08-31 09:25:07447 據融合資產消息，此次融資后融合資產將在芯片生產線、家具用、工商能源儲存、充電包、新能源汽車等多個領域展開合作，幫助建設第三代半導體智能電力模塊生產線。
2023-08-30 09:24:55228 隨著科技的不斷進步，新的半導體材料正在為整個電子行業帶來深刻的變革。在這場技術革命的前沿，第三代半導體材料嶄露頭角。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體在高溫、高壓、高頻等應用環境中展現出了更為出色的性能。從材料分類的角度來看，第三代半導體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產業結構。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代
2023-08-04 14:57:57348 近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網、第三代半導體產業主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
如今砷化鎵、磷化銦等作為第二代化半導體因其高頻性能效好主要是用于射頻領域，碳化硅、和氮化鎵等作為第三代半導體因禁帶寬度和擊穿電壓高的特性。
2023-07-25 10:52:23405 來源：內容轉自公眾號21tech（News-21），作者：李強。于代輝英飛凌科技高級副總裁英飛凌科技零碳工業功率事業部大中華區負責人減碳趨勢下的節能、高效需求同樣給第三代半導體的登場搭好了舞臺。過去
2023-07-06 10:07:54367 
半導體是當今世界的基石，幾乎每一項科技創新都離不開半導體的貢獻。過去幾十年，硅一直是半導體行業的主流材料。然而，隨著科技的發展和應用需求的增加，硅材料在一些方面已經無法滿足需求，這促使第三代半導體
2023-07-05 10:26:131322 
? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? ? ?雙方將合作研發先進功率半導體技術，推動航空業向混動和純電動系統轉型 ? ?合作研發的半導體器件將助力未來的混動直升機、飛機
2023-06-29 08:10:02343 
據藍色空港消息，先進半導體制造項目主要從事第三代半導體功率器件的設計、研發、制造、功率器件clip先進工程包裝、電力驅動產品應用方案的開發和銷售。該項目總投資8億元，分三期建設，一期投資2億元，計劃建設6條clip先進包裝生產線。
2023-06-27 10:31:18602 據公告，此次建設的第三代半導體輸出配件生產項目位于湖北省武漢市東湖新技術開發區，總投資額約為60億元，包括36億元股權融資和24億元銀行貸款。構筑第3代半導體外延、晶片制造、組裝測試等生產線的該事業，將具備能夠生產6英寸硅晶片及外延36萬個、輸出配件模塊6100萬個的能力。
2023-06-27 09:54:38539 繼第一代和第二代半導體技術之后發展起來的第三代寬禁帶半導體材料和器件，是發展大功率、高頻高溫、抗強輻射和藍光激光器等技術的關鍵核心。因為第三代半導體的優良特性，該半導體技術逐漸成為了近年來半導體研究
2023-06-25 15:59:21
近年來，隨著技術的不斷發展和計算機應用范圍的不斷擴大，半導體技術變得愈加重要。在半導體技術的發展歷程中，第三代半導體技術的出現為半導體技術的發展帶來了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國家第三代半導體技術創新中心（以下簡稱“國創中心”）獲批建設兩年以來，瞄準國家和產業發展全局的創新需求，以關鍵技術研發為核心使命，進一步推動我國第三代半導體產業發展，形成立足長三角、輻射全國的技術融合點和產業創新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 隨著全球宏觀環境的逐步恢復，SiC/GaN等第三代半導體產業于2023年邁向新的發展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導體前沿趨勢研討會”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 當前，第三代半導體中的碳化硅功率器件，在導通電阻、阻斷電壓和結電容方面，顯著優于傳統硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統硅基功率器件已成為行業發展趨勢。面對當前行業發展新趨勢，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關村論壇“北京（國際）第三代半導體創新發展論壇”上，科技部黨組成員、副部長相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網、新能源汽車等領域有巨大的市場。
2023-06-15 11:14:08313 為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設置了高品質白光LED及第三代半導體兩大展區，鮮明的主題，引來了行業的高度關注。 其中，在第三代半導體
2023-06-14 10:02:14437 
元旭半導體天津生產基地有新的第三代半導體光電芯片研發中心和裝備了生產線晶片材料、芯片設計、芯片制造、芯片包裝以及測試等多個重要產業鏈鏈接積聚著，新一代Micro-LED半導體集成顯示器垂直整合制造重點開展的。
2023-06-09 11:29:15903 第三代半導體設備 第三代半導體設備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設備以及GaN HVPE單晶生長爐、MOCVD外延設備等。
2023-06-03 09:57:01787 
成長期。而國內第三代半導體產業經過前期產能部署和產線建設，國產第三代半導體產品相繼開發成功并通過驗證，技術穩步提升，產能不斷釋放，國產碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機”，生態體系逐漸完善，自主可控能力不斷增強，整體競爭實力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
確立，產業步入快速成長期。而國內第三代半導體產業經過前期產能部署和產線建設，國產第三代半導體產品相繼開發成功并通過驗證，技術穩步提升，產能不斷釋放，國產碳化硅(SiC）器件及模塊開始“上機”，生態體系逐漸完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
、新能源汽車、智能電網、5G通信射頻等市場的發展，具有較大的發展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導體材料的應用，半導體分立器件市場逐步向高端應用
2023-05-26 15:15:01657 
、新能源汽車、智能電網、5G通信射頻等市場的發展，具有較大的發展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導體材料的應用，半導體分立器件市場逐步向高端應用市場推進。隨著我國分立器件企業產品
2023-05-26 14:24:29
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 
第三代半導體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導體功能材料和微波器件、半導體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。
2023-04-26 10:21:32718 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-04-04 14:46:2912684 1200V高速開關系列第三代
2023-03-28 14:59:26
，芯片支撐系統”模式布局第三代半導體 SiC 功率模塊以及系統應用，基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯的市場成績。而且中科意創成功研發了國內首臺ASIL-D最高功能安全等級的SiC電機控制器，并獲得了國內首張ASIL-D產品認證證書。 對
2023-03-24 18:24:394106 氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長光電器件以及5G通訊等領域具有硅半導體無法比擬的優勢。然而，散熱問題是制約其發展和應用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過渡層連接到具有高導熱系數的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570
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