刻蝕機的刻蝕過程和傳統的雕刻類似，先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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開關電源的高頻變壓器的頻率是由什么決定的呢
2024-03-01 06:52:45
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
隨著科技的飛速發展，超材料和超表面作為新興研究領域，吸引了廣泛關注。它們通過人工設計的結構，能夠在特定條件下表現出特殊的物理性質，為光電子領域帶來革命性的變革。COMSOL Multiphysics
2024-02-20 09:20:23
輪廓儀，也被稱為白光干涉儀，是利用白光干涉原理進行成像測量的儀器，是一種通過測量干涉光的干涉條紋來獲取物體表面形貌的方法。該儀器通過發射一束寬光譜的白光，并將其照射到
2024-02-20 09:10:09
0 臺階儀通過掃描被測樣品表面，獲取高分辨率的表面形貌數據，能夠揭示微觀結構的特征和性能。了解工作原理和性能特點臺階儀利用掃描探針在樣品表面上進行微觀測量，通過探測探針和樣品表面之間的相互作用力，獲取
2024-02-20 09:06:240 光學3D表面輪廓儀利用白光干涉原理，以0.1nm分辨率精準捕捉物體表面細節，實現三維顯微成像測量。廣泛應用于材料學領域，可測量各種材料表面形貌，提高超光滑表面形貌的測試精度。
2024-02-19 13:47:01237 
臺階儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀，能高精度測量微觀表面形貌，揭示表面微觀特征。它具有高速掃描能力，測量范圍廣泛，可應用于科學研究、材料表征、納米技術等領域。臺階儀的優勢包括高精度、快速測量和廣泛適用范圍。
2024-02-18 10:51:05242 
在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現，有著千絲萬縷的聯系，這一節介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學物質來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數的調控，可以實現各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結構
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產生和自偏壓的產生分離
2024-01-14 14:11:59511 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量設備采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
中圖儀器CP系列臺階儀接觸式表面形貌測量儀器主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數的測量。測量時通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺移動樣品時掃描其表面，測針的垂直位移距離被轉換
2024-01-04 10:08:52
中圖儀器VT6000系列3D共聚焦形貌顯微鏡以共聚焦技術為原理、結合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等，測量表面物理形貌，進行微納米尺度的三維形貌分析，如3D表面形貌、2D的縱深形貌、輪廓（縱深
2024-01-03 10:05:05
LT3748的工作頻率是由什么決定的呢，我查看了芯片手冊，里面的參考設計并沒有說清楚。另外，LT3748的最大工作頻率是多少
2024-01-03 07:24:04
微納米表面輪廓形貌的測量可以幫助我們了解材料的物理特性、表面形態以及質量狀況。如白光干涉儀是一種常見的微納米表面輪廓儀測量儀器，常用于研究產品的微觀形貌和粗糙度；而共聚焦顯微鏡大傾角超清納米測量，在滿足精度的情況下使用場景更具有兼容性。選擇適合的測量儀器對于準確獲取樣品表面形貌和特征至關重要。
2023-12-20 16:38:09358 
IC的片內和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？ IC的片內和片間非均勻性是指在IC設計和制造的過程中，芯片內部或芯片之間出現的性能或結構的不均勻分布現象。這種非均勻性可以在多個層面上存在，例如晶體管
2023-12-19 11:48:24204 片內和片間非均勻性是什么？有什么作用呢？ 片內和片間非均勻性是指光學元件（如透鏡）表面上的厚度/形狀/折射率等參數的變化，以及元件之間的相對位置誤差所引起的光學性能差異。這種非均勻性在光學系統
2023-12-19 11:48:19198 眾所周知，化合物半導體中不同的原子比對材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對蝕刻速率和表面形態的精確控制，通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復雜性。本研究對比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
電磁波的激發原理主要分為電極激發原理和磁極激發原理，兩者均需要調整電場和磁場，激發物理過程從而產生電磁波。
2023-12-13 16:43:37984 
變頻器控制一個電機，最高轉速由什么決定
2023-12-13 08:31:48
是在銅面上包裹一層厚厚的、電性良好的鎳金合金，是常見的表面處理工藝。
好處主要包括表面平整和保質期長。
缺點是成本較高，焊接強度一般。
綠油板
綠油是指涂覆在PCB銅箔上面的油墨，也叫液態光致阻焊劑
2023-12-12 13:35:04
20多米的四氟傳輸帶在運行的過程中老是跑偏，控制是變頻控制，求各位大俠幫忙?謝謝
電機的功率；3KW
2023-12-11 07:01:06
中圖儀器SuperViewW系列3d表面微觀形貌輪廓儀可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。它是以3D非接觸方式，測量
2023-12-08 11:27:29
中圖儀器SuperViewW1非接觸表面形貌儀白光干涉儀具有測量精度高、功能全面、操作便捷、測量參數涵蓋面廣的優點。它基于白光干涉原理，以3D非接觸方式，測量分析樣品表面形貌的關鍵參數和尺寸，測量
2023-12-06 14:04:23
該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應，避免產生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 中圖儀器SuperViewW1白光干涉表面形貌檢測儀是利用光學干涉原理研制開發的超精細表面輪廓測量儀器。它具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數涵蓋面廣的優點，測量單個精細器件的過程用時短
2023-12-04 14:52:41
晶圓測溫系統tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法 在半導體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個重要的參數
2023-12-04 11:36:42
在工業應用中，光學3D表面輪廓儀超0.1nm的縱向分辨能力能夠高精度測量物體的表面形貌，可用于質量控制、表面工程和納米制造等領域。與其它表面形貌測量方法相比，SuperViewW系列光學3D表面
2023-11-29 10:04:380 與其它表面形貌測量方法相比，SuperViewW系列光學3D表面輪廓儀達到納米級別的相移干涉法(PSI)和垂直掃描干涉法(VSI)，具有快速、非接觸的優點。它結合了跨尺度納米直驅技術、精密光學干涉
2023-11-28 10:59:58241 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
中圖儀器CP200國產臺階形貌儀是一種接觸式表面形貌測量儀器，可以對微米和納米結構進行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。測量時通過使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺移動
2023-11-09 09:11:26
干涉現象，使用白光源照射物體，并將反射光經過干涉儀的分光裝置后形成干涉圖樣。通過觀察干涉圖樣的變化，就可以獲得物體表面形貌的細節信息。
如何使用白光干涉儀來測量坑的形貌？在使用白光干涉儀測量坑的形貌
2023-11-06 14:27:48
晶圓在加工過程中的形貌及關鍵尺寸對器件的性能有著重要的影響，而形貌和關鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺階高度、應力及線寬測量等就成為加工前后的步驟。以下總結了從宏觀到微觀的不同表面測量方法：單種測量手段
2023-11-03 09:21:580 晶圓在加工過程中的形貌及關鍵尺寸對器件的性能有著重要的影響，而形貌和關鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺階高度、應力及線寬測量等就成為加工前后的步驟。以下總結了從宏觀到微觀的不同表面測量方法：單種測量手段
2023-11-02 11:21:54462 
均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。
2023-11-01 18:21:13608 
導語：均勻性在芯片制程的每一個工序中都需要考慮到，包括薄膜沉積，刻蝕，光刻，cmp，離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產品與性能。那么片內和片間非均勻性是什么？如何計算？有什么作用呢？
2023-11-01 18:21:12503 
？它是利用干涉現象，使用白光源照射物體，并將反射光經過干涉儀的分光裝置后形成干涉圖樣。通過觀察干涉圖樣的變化，就可以獲得物體表面形貌的細節信息。 如何使用白
2023-10-26 10:47:58
WD4000無圖晶圓幾何量測系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2023-10-24 09:42:25554 
WD4000半導體晶圓表面三維形貌測量設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
眾所周知，傾斜光纖光柵可以激發眾多的包層模式，并且對光纖表面周圍環境敏感。當光纖包層模式與表面等離子共振相位匹配時，傾斜光纖光柵可以在金表面激發倏逝表面等離子體共振波。
2023-10-20 15:48:08330 
但是，在刻蝕SOI襯底時，通常會發生一種凹槽效應，導致刻蝕的形貌與預想的有很大出入。那么什么是凹槽效應？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應呢？
2023-10-20 11:04:21454 
白光干涉儀廣泛應用于科學研究和工程實踐各個領域中。它作為一款用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量的檢測儀器，在測量坑的形貌方面扮演著舉足輕重的角色。白光干涉儀怎么測量坑的形貌？它是利用
2023-10-20 09:52:210 CAN總線上最多掛多少設備由什么決定？
2023-10-16 06:39:28
在刻蝕SOI襯底時，通常會發生一種凹槽效應，導致刻蝕的形貌與預想的有很大出入。那么什么是凹槽效應？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應呢？
2023-10-11 18:18:43978 
納米級測量中，由于物體尺寸的相對較小，傳統的測量儀器往往無法滿足精確的要求。而納米級測量儀器具備高精度、高分辨率和非破壞性的特點，可以測量微小的尺寸。1、光學3D表面輪廓儀SuperViewW1光學3D
2023-10-11 14:37:46
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區域的材料以形成相應微結構。但是，在目標材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
有過深硅刻蝕的朋友經常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
SuperViewW系列白光干涉顯微形貌儀是以白光干涉技術原理，通過測量干涉條紋的變化來測量表面三維形貌，是一款用于精密零部件之重點部位表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸的納米級測量儀器。產品簡介
2023-09-26 14:12:49
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
SuperViewW1白光干涉表面形貌儀用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量，可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等
2023-09-19 14:31:26
IO的電平難道不是由對應bank電源引腳的輸入電壓決定的嗎？在硬件上已經把bank0的電源連接到3.3V了，通過sysctl_set_power_mode似乎不能把某個引腳設定到1.8V，請問是這個函數作用是什么？
2023-09-15 07:17:14
臺階儀是一種接觸式表面形貌測量儀器，可以對微米和納米結構進行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。中圖儀器CP系列臺階儀接觸式表面形貌測量儀廣泛應用于：大學、研究實驗室和研究所
2023-09-14 16:10:14
SuperViewW1三維白光干涉表面形貌儀采用光學干涉技術、精密Z向掃描模塊和3D重建算法組成測量系統，高精度測量；隔振系統能夠有效隔離頻率2Hz以上絕大部分振動，消除地面振動噪聲和空氣中聲波振動
2023-09-13 10:30:22
表面貼裝技術中的鋼網設計是決定焊膏沉積量的關鍵因素，而再流焊后形成的焊點形貌與鋼網的開口設計有著千絲萬縷的聯系。從SMT錫膏印刷工藝的理論基礎出發，結合實際PCB（印制線路板）上錫膏印刷量，針對在不同線寬的高速信號線衍生形成的焊盤上印刷不同體積的錫膏量，論證再流焊后形成的焊點形貌。
2023-09-12 10:29:03383 
SuperViewW1光學材料表面形貌測試儀是利用光學干涉原理研制開發的超精細表面輪廓測量儀器，具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數涵蓋面廣的優點，測量單個精細器件的過程用時2分鐘以內，確保
2023-09-08 17:32:10
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
白光干涉儀是一種常見的測量設備，它能夠利用不同的光束干涉原理來觀察和測量顯微形貌。當白色光經過分束鏡分成兩束光線，這些光線在目標物體上反射后重新合并。這樣，生成的光束會發生干涉，由此產生一系列明暗相間的干涉條紋。這些條紋的形狀和間距與目標物體的表面形貌直接相關。
2023-08-23 10:35:21441 
激光共聚焦顯微鏡原理是由LED光源發出的光束經過一個多孔盤和物鏡后，聚焦到樣品表面。之后光束經樣品表面反射回測量系統。再次通過MPD上的針孔時，反射光將只保留聚焦的光點。最后，光束經分光片反射后在
2023-08-22 15:19:49
白光干涉儀以白光干涉為原理，廣泛應用于材料科學等領域，對各種產品、部件和材料表面的平面度、粗糙度、波紋度、面形輪廓、表面缺陷、孔隙間隙、臺階高度、彎曲變形情況、磨損情況、腐蝕情況、加工情況等表面形貌
2023-08-21 13:46:12
光學3D表面輪廓儀是基于白光干涉技術，結合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等快速、準確測量物體表面的形狀和輪廓的檢測儀器。它利用光學投射原理，通過光學傳感器對物體表面進行掃描，并根據反射光的信息來
2023-08-21 13:41:46
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 和共聚焦3D顯微形貌檢測技術，廣泛應用于涉足超精密加工領域的三維形貌檢測與表面質量檢測方案。其中，VT6000系列共聚焦顯微鏡，在結構復雜且反射率低的表面3D微觀形貌重構與檢測方面具有不俗的表現。
一
2023-08-04 16:12:06
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 電子發燒友網報道（文/周凱揚）在半導體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術難度最大的主要三大流程當屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進程度直接決定了晶圓廠所能實現的最高工藝節點，所用產品
2023-07-30 03:24:481556 
白光干涉儀利用白光干涉原理，通過測量光的相位變化來獲取物體表面的形貌信息。在工業制造、科學研究等領域，被廣泛用于測量精密器件的形貌、表面缺陷檢測等方面。白光干涉儀通過對干涉條紋進行圖像處理，可以獲得
2023-07-21 11:05:48418 
白光干涉儀測量的結果通常以二維形貌圖或三維形貌圖的形式展示。二維形貌圖是對干涉條紋進行圖像處理得到的，顯示出被測物體表面的高低起伏。而三維形貌圖則是在二維圖像的基礎上，進一步還原出物體表面的立體形貌
2023-07-21 11:03:00522 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
NightN光學表面形貌測試儀HION產品介紹：光學測試儀HION用于光學表面測試。該技術基于 Shack-Hartmann 方法。激光束從被測光學表面反射并進入 Shack-Hartmann 波前
2023-06-29 14:12:45
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會嚴重降低焊接質量，從而降低最終產品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發生，需要對PCB進行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 11:17:44
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會嚴重降低焊接質量，從而降低最終產品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發生，需要對PCB進行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 10:37:54
白光干涉儀是以白光干涉技術原理，對各種精密器件表面進行納米級測量的光學3D表面輪廓測量儀，通過測量干涉條紋的變化來測量表面三維形貌，專用于精密零部件之重點部位表面粗糙度、微小形貌輪廓及尺寸的非接觸
2023-06-16 11:53:051106 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353319 
刻蝕硅，硅的均勻剝離，同時帶走表面顆粒。隨著器件尺寸縮減會引入很多新材料（如高介電常數和金屬柵極），那么在后柵極制程，多晶硅的去除常用氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，制程關鍵是控制溶液的溫度和濃度，以調整刻蝕對多晶硅和其他材料的選擇比。
2023-06-05 15:10:011597 等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
白光干涉儀又叫做非接觸式光學3D表面輪廓儀，是以白光干涉掃描技術為基礎研制而成用于樣品表面微觀形貌檢測的精密儀器。它以白光干涉技術為原理，光源發出的光經過擴束準直后經分光棱鏡后分成兩束，一束經被
2023-05-23 13:58:04
表面形貌即為表面微觀幾何形態，不僅對接觸零件的機械和物理特性起著決定作用，而且對一些非接觸零件的光學和外部特性影響也很大。所以對表面形貌的精準測量能正確地識別出加工過程的變化和缺陷，對研究表面幾何
2023-05-19 16:52:10411 
PTFE表面等離子改性是一種有效的技術手段，可以改變PTFE表面的性質，增加其在各個領域的應用。通過引入親水基團、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式，可以提高PTFE表面的粘附性、潤濕性、抗腐蝕性、耐磨性、生物相容性和電性能。
2023-05-19 10:45:39628 
決定PCB表面成型的參考之一。當然，這些項目永遠不可能是具有同等重要性的平均重要性。然后，在你準備好依賴這個列表并考慮你具體的產品情況之前，應該澄清每個項目的重要性程度。
ENIG和ENEPIG
2023-04-24 16:07:02
形成的鍍層更一致、更均勻，但是缺少如ENIG中鎳層提供的保護和持久性。雖然它的表面處理工藝比ENIG更簡單，而且比ENIG更劃算，但是它不適合在電路制造商那里長期儲存。4、化學沉錫化學沉錫工藝通過一個
2023-04-19 11:53:15
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 為什么電流互感器的二次測電流由一次側電流決定呢？
2023-04-13 10:47:57
%） 的圓臺硅通孔刻蝕方法被研究探索出來。該方法通過調節 下電極功率 （≤30 W），獲得了側壁角度可調 （70°~88°）、通孔底部開口尺寸小于光刻定義特征尺寸 的圓臺硅通孔結構。這一方法有望向三維集成電路領域推廣，有助于在封裝階段延續摩爾定律。
2023-04-12 14:35:411569 在DPC陶瓷基板制備過程中，由于電鍍電流分布不均勻，導致基板表面電鍍銅層厚度不均勻（厚度差可超過100μm），表面研磨是控制電鍍銅層厚度，提高銅層厚度均勻性的關鍵工藝，直接影響陶瓷基板的性能和器件封裝質量。
2023-04-12 11:25:121592 金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 開關電源功率是由開關管的最大電流決定嗎？例如5v1a的電源，開關管選多大的電流，這個電流是如何算出來的？謝謝
2023-04-04 16:56:04
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