2024年3月21日,總部位于哈瑙的家族企業和科技公司賀利氏,向位于中國的高端工業金剛石材料供應商化合積電(廈門)半導體科技有限公司(簡稱“化合積電”)投資數百萬歐元。
2024-03-22 16:25:54133 中微公司的電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設備Primo nanova系列第500臺反應腔順利付運國內一家先進的半導體芯片制造商。
2024-03-21 15:12:4399 在進入今天的帖子討論Micro-x獨特的金剛石陽極以及它如何加快成像應用程序之前,這里有一些背景閱讀:本文中我們跟蹤了x射線從管內生成到x射線探測器單個像素上的檢測路徑。我們討論了x射線到達探測器
2024-03-14 08:14:42216 據悉,此項創新的核心在于金剛石優秀的導熱性能與絕緣特性。項目負責人坦言,金剛石可加工成優質的導電路徑,以極高效率將熱量傳導至銅制散熱器。
2024-03-10 10:01:54460 近日,德國弗勞恩霍夫研究所 (Fraunhofer) 的科學家們利用超薄金剛石膜成功降低了電子元件的熱負荷,并有望將電動汽車的充電速度提升五倍。
2024-03-07 16:33:25965 金剛石,以其無比的硬度和璀璨的光芒而聞名,也打開了其作為半導體的新視角,為下一代電子元件提供了新的可能。金剛石特有的特性,包括高導熱性和電絕緣特性,使其在一些特殊的電子和功率器件應用中具有極大的吸引力,特別是在高功率和高溫環境中。
2024-02-27 17:14:00141 等離子發動機原理: 等離子發動機是一種利用電磁力將離子加速并噴射出來產生推力的發動機。它主要包括等離子體產生器、離子加速器和噴嘴等組成。下面將詳細介紹等離子發動機的工作原理。 生成等離子體:等離子體
2024-02-14 18:18:003169 來源:IEEE Spectrum 金剛石半導體器件的尺寸為4 mm x 4 mm。圖源:伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校格蘭杰工程學院 本文是IEEE Spectrum與IEEE Xplore合作的獨家
2024-01-24 15:49:46112 。常見的干法刻蝕設備有反應離子刻蝕機(RIE)、電感耦合等離子體刻蝕機(ICP)、磁性中性線等離子體刻蝕機(NLD)、離子束刻蝕機(IBE),本文目的對各刻蝕設備的結構進行剖析,以及分析技術的優缺點。
2024-01-20 10:24:561106 金剛石半導體因其超寬帶許、高壓、高載流子飽和漂移速度和優良的熱導率而被青睞,尤其是其卓越的器件品質因子,使之成為制備耐高溫、高頻、大功率和抗輻射電子產品的理想襯底,有效解決了“自熱效應”和“雪崩擊穿”等關鍵問題。在5G/6G通信、微波/毫米波集成電路、探測與傳感等領域有著不可替代的應用前景。
2024-01-18 14:10:12196 金剛石材料具有自然界物質中最高的熱導率(高達2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領域的散熱均有重要的應用潛力。
2024-01-04 17:20:13536 隨著科技的不斷發展,金剛石在許多領域中都展現出了巨大的應用潛力。其中,化學氣相沉積(CVD)金剛石由于其獨特的物理和化學性質,尤其在機械密封領域中有著廣泛的應用前景。
2024-01-04 10:17:39259 ——利用在基板上的金屬薄膜中產生的表面波來散熱,是一個重要的突破。 韓國科學技術學院(KAIST)宣布,機械工程系Bong Jae Lee教授的研究小組在世界上首次成功測量了沉積在基板上的金屬薄膜中“表面等離子體激元”(surface pla
2024-01-03 15:32:39184 金剛石是我們都非常熟悉的超硬材料,人造金剛石晶體有多種不同的類型,大致可分為單形和聚形,每種類型都具有不同的特性和應用。本文梳理了金剛石晶體的不同類型及應用。
2024-01-02 15:47:27428 早稻田大學和 Power Diamonds Systems (PDS) 開發了一種結構,其中金剛石表面覆蓋有氧化硅終端(C-Si-O 終端),當柵極電壓為 0V 時,該結構會關閉晶體管。為此他們宣布開發出一種“常關”鉆石 MOSFET。
2024-01-02 11:44:10570 半導體設備主要應用于集成電路的制造和封測環節,可細分為晶圓制造設備(前道設備)和封裝、測試設備(后道設備)。其中,前道設備主要有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備、離子注入機、CMP設備、清洗機、前道檢測設備和氧化退火設備,后道設備主要分為測試設備和封裝設備。
2023-12-27 10:57:48281 01、重點和難點 等離子體通常被認為是物質的第四態,除了固體、液體和氣體之外的狀態。等離子體是一種高能量狀態的物質,其中原子或分子中的電子被從它們的原子核中解離,并且在整個系統中自由移動。這種狀態
2023-12-26 08:26:29209 熱管理在當代電子系統中至關重要,而金剛石與半導體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
2023-12-24 10:03:43547 金剛石具有極高的硬度、良好的耐磨性和光電熱等特性,廣泛應用于磨料磨具、光學器件、新能源汽車和電子封裝等領域,但金剛石表面惰性強,納米金剛石分散穩定性差,與很多物質結合困難,制約了其應用與推廣。金剛石
2023-12-21 15:36:01226 ? 01、重點和難點 在硅材料加工和研究領域,皮秒脈沖激光激發的等離子體對于提高加工技術、開發創新設備以及加深對材料物理特性的理解都有重大研究意義。這種影響尤其體現在硅材料表面等離子體形態變化的研究
2023-12-19 10:53:11236 眾所周知,化合物半導體中不同的原子比對材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對蝕刻速率和表面形態的精確控制,通過使用低至25nm的薄器件阻擋層的,從而增加了制造的復雜性。本研究對比了三氯化硼與氯氣的偏置功率,以及氣體比對等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 基于GaN的高電子遷移率,晶體管,憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度,應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言,GaN的相關材料,如AlGaN,憑借其物理和化學穩定性,為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 是物體,人體會釋放大量電荷,絕緣體的情況下放電能量要比外部物體大得多;當外部物體是設備時,如果不接地,即使導體也會積累電荷,一旦與半導體設備接觸,電流就會流過設備,導致靜電擊穿;除去人體和設備的外部原因
2023-12-12 17:18:54
或分子的集合。等離子體態可以用在半導體工藝流程中的工藝氣體方面,由于其高能量的特點,可以應用于高能射頻(RF)領域。它們在半導體技術中作為激勵源,用于引起氣體混合物中的化學反應。它們的優點之一是可以以更低的溫度來輸送能量,比傳統的系統,如烤箱的對流加熱溫度要更低。
2023-12-08 09:47:18234 光捕獲技術是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一,它可以減少材料厚度,從而降低成本。近年來,表面等離子體(SP)在這一領域取得了長足的進步。利用表面等離子體的光散射和耦合效應,可以大大提高太陽能電池的效率。
2023-12-05 10:52:27497 薄膜沉積技術主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類,目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質/半導體薄膜,廣泛用于層間介質層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18994 摘要:隨著半導體封裝載板集成度的提升,其持續增加的功率密度導致設備的散熱問題日益嚴重。金剛石-銅復合材料因其具有高導熱、低膨脹等優異性能,成為滿足功率半導體、超算芯片等電子封裝器件散熱需求的重要候選
2023-12-04 08:10:06430 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能,GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法,大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 )
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瓜蒂莫里,
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ghuart; 粗金剛石; 粗金剛石; 粗金剛石
2023-11-29 08:05:44
高壓放大器在等離子體實驗中有多種重要應用。等離子體是一種帶電粒子與電中性粒子混合的物質,其具有多種獨特的物理性質,因此在許多領域具有廣泛的應用,例如聚變能源、等離子體醫學、材料加工等。下面安泰電子將介紹高壓放大器在等離子體實驗中的應用。
2023-11-27 17:40:00189 半導體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 ? 一種使用等離子體激元的新型成像技術能夠以增強的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學納米生物光子學實驗室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設備在生物醫學、能源和環境方面的應用。該小組利用等離子體
2023-11-27 06:35:23121 摘要本發明涉及芯片制造技術領域。硅基的cu/sio2混合結合樣品和金剛石基礎的cu/sio2混合結合樣品的準備后,進行等離子體活性。經等離子體活性處理后,將cu/sio2混合結合試料浸泡在有機酸溶液中清洗后干燥。
2023-11-22 09:25:59285 提高電動車的能源效率意味著需要減少能源消耗,但這不應以需要大量能源且污染重的生產過程為代價。Driche 首席技術官稱,"制備金剛石晶圓的過程比制備SiC晶圓造成的二氧化碳排放少到20
2023-11-21 15:34:38287 背景 客戶是 成都迪普金剛石鉆頭有限責任公司 ,這是一家專門從事各類金剛石鉆頭設計、制造、銷售和技術服務的公司。生產各種型號規格的金剛石全面鉆井、取芯及特殊應用的鉆頭,并廣泛應用于各油田的全面鉆井、定向鉆井、水平鉆井、
2023-11-17 17:04:20234 運用異質外延工藝,Diamond Foundry以可擴展的基底制造單晶金剛石,這是一項前所未有的技術突破。過去已有技術用于生產金剛石晶片,但這些晶片基于壓縮金剛石粉末制備,缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-10 16:04:03857 該公司使用一種稱為異質外延的工藝來沉積碳原子,并在可擴展的基底上制造單晶金剛石。以前已經生產過金剛石晶片,但它是基于壓縮金剛石粉末,缺乏單晶金剛石的特性。
2023-11-08 16:07:13449 ,已得到廣泛應用 ;而以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石等寬禁帶為代表的第3代半導體材料,由于其較第1代、第2代材料具有明顯的優勢,近年來得到了快速發展。
2023-10-25 15:10:27278 等離子體工藝是干法清洗應用中的重要部分,隨著微電子技術的發展,等離子體清洗的優勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點和應用,討論了它的清洗原理和優化設計方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關鍵技術及解決方法。
2023-10-18 17:42:36447 隨著科技的不斷發展,半導體技術在全球范圍內得到了廣泛應用。半導體設備在制造過程中需要經過多個工藝步驟,而每個步驟都需要使用到各種不同的材料和設備。其中,華林科納的PFA管在半導體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 束經過離子槍聚焦、加速后作用于樣品表面,實現離子的成像、注入、刻蝕和沉積。 截面分析是SEM/FIB(Scanning Electron Microscope/Focused Ion beam)雙束系統
2023-10-07 14:44:41393 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)金剛石是自然界中天然存在的最堅硬的物質,與此同時,實際上金剛石還是一種絕佳的半導體材料。作為超寬禁帶半導體材料,金剛石具備擊穿場強高、耐高溫、抗輻照等性能,在輻射探測
2023-10-07 07:56:201630 ×10-6/℃。它不僅在半導體、光學方面表現搶眼,還有很多其他優秀的特性。雖然金剛石本身并不適合用來制作封裝材料,而且成本也較高,但它的熱導率可是比其他陶瓷基板材料高出幾十甚至上百倍!這也讓很多大公司都爭先恐后地投入研究。
2023-09-22 17:00:49329 “此前,由于其較高的硬度和力學特性,金剛石也被譽為‘工業牙齒’,被廣泛用于地質鉆探,非鐵金屬及合金、硬質合金、石墨、塑料橡膠、陶瓷和木材等材料的切削加工等領域,也是石油天然氣鉆井、切割鉆頭上的核心部件。”鄒廣田表示。
2023-09-21 17:29:43785 背景 Adi Salomon 教授的實驗室主要致力于了解納米級分子與光的相互作用,并構建利用光傳感分子的設備。該小組設計并制造了金屬納米結構,并利用它們通過與表面等離子體激元的相互作用來影響納米級
2023-09-19 06:28:29223 我們華林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現象取決于許多參數,例如半導體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:31317 設備,涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示,對光刻和薄膜沉積設備的限制更有可能實施,從而影響中國先進的半導體制造。 值得注意的是,在刻蝕設備方面,Eric Chen指出,日本對硅鍺(SiGe)的
2023-08-28 16:45:011551 設備,涵蓋光刻、刻蝕、薄膜沉積、熱處理、清洗和檢驗等。DIGITIMES Research分析師Eric Chen表示,對光刻和薄膜沉積設備的限制更有可能實施,從而影響中國先進的半導體制造。 ? 2. 分析師:iPhone 15 系列因供應問題減產1100 萬部 ? 據報道,預計蘋果將在今
2023-08-28 11:19:30579 來自斯圖加特大學(德國)的 Harald Gie?en 教授的團隊正在致力于將光子學和納米技術用于新的應用和設備。研究人員正在研究通過控制等離子體效應來創建顯示器的技術。等離激元學研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33215 單晶金剛石中的低損耗毫米波導和光柵耦合器
2023-08-21 15:55:20299 在半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢?
2023-08-17 15:33:27370 金剛石作為超寬禁帶半導體材料的代表,近年來成為大家關注的熱點。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進展,但半導體摻雜技術至今沒有很好解決。氫終端金剛石由于具有典型的二維空穴氣被廣泛應用于微波
2023-08-17 09:47:18910 具有通孔結構的金剛石在高精度引線成型及高功率微波器件散熱領域, 具有良好的應用前景。
2023-08-12 14:49:181202 等離子體顯示器在對比度、視角和響應速度等方面的優勢較為顯著,適合用于娛樂和家庭影院等方面;而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優勢,適合辦公和移動設備等領域。選擇時,可以根據使用需求和個人偏好來進行選擇。
2023-08-10 14:38:36766 以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩定性、擊穿場強等優勢,是國際半導體領域的研究熱點。
2023-08-09 16:14:42522 金剛石是由單一碳原子組成的具有四面體結構的原子晶體,屬于典型的面心立方(FCC)晶體,空間點群為 oh7-Fd3m。每個碳原子以 sp3雜化的方式與其周圍的 4 個碳原子相連接,碳原子密度 1.77
2023-08-08 11:19:312535 半導體材料是信息技術產業的基石,Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導體,GaN、SiC等寬禁帶半導體前景廣闊。
2023-08-07 14:39:40535 金剛石礦物的晶體結構屬于等軸晶系同極鍵四面體結構。碳原子位于四面體的角部和中心,具有高度的對稱性。晶胞中的碳原子以同極鍵連接,距離為154pm。。常見的晶形有八面體、菱形十二面體、立方體、四面體
2023-08-04 11:50:01458 金剛石具有優良的光學性能,高質量 CVD 金剛石薄膜具有十分優良的光學性能,除 3~6 μm 范圍內的雙聲子區域存在晶格振動而產生的本征吸收峰外,在室溫下,從紫外至遠紅外甚至微波段,都有很高的透過性,理論透過率高達71.6%。
2023-08-03 10:51:43276 雖然在半導體業界具有極具魅力的特性,但由于沒有將其用晶片有效切割的技術,因此在應用上存在局限性。因此,晶片必須一張一張地合成,因此在大多數工業中制造成本過高。
2023-08-02 11:42:44497 金剛石對于半導體行業來說是一種很有前景的材料,但將其切成薄片具有挑戰性。
2023-08-02 11:07:16861 關鍵詞:金剛石,半導體封裝,散熱材料,高端國產材料引言:基板是裸芯片封裝中熱傳導的關鍵環節。隨著微電子技術的發展,高密度組裝、小型化特性愈發明顯,組件熱流密度越來越大,對新型基板材料的要求越來越高
2023-07-31 22:44:313863 基于業界長期的研發活動,如今金剛石半導體已經開始逐步邁向實用化。但要真正普及推廣金剛石半導體的應用,依然需要花費很長的時間,不過已經有報道指出,最快在數年內,將會出現金剛石材質的半導體試用樣品。業界對金剛石半導體的關注程度越高,越易于匯集優勢資源、加速研發速度。
2023-07-31 14:34:08816 在材料科學領域,金剛石因其絢麗的外形和卓越的物理特性而長期占據主導地位。它們無與倫比的硬度和導熱性,加上優異的電絕緣性能,開辟了眾多工業應用。
2023-07-26 10:15:09584 金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導率、達5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質
2023-07-25 09:30:44668 材料往往因特定優勢而聞名。金剛石正因為在室溫下具有最高的熱導率(2000W/m.K),兼具帶隙寬、擊穿場強高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗輻照等優越性能,而在高功率、高頻、高溫領域有至關重要的應用。金剛石,已被認為是目前最有發展前途的寬禁帶半導體材料之一。
2023-07-19 10:29:54456 金剛石、氧化鎵、氮化鋁等具有更寬的禁帶寬度,被稱為超寬禁帶半導體,未來有可能用來制造具有更低電阻、更高工作功率、更高耐溫能力的功率器件,因此研發熱度一直不減。
2023-07-19 09:56:091006 面向天文觀測等領域對高功率單頻 589 nm 鈉導星激光器的應用需求,通過金剛石拉曼諧振及腔內倍頻技術結合 1 018 nm 摻鐿光纖激光技術,實現了最高功率 16.5 W 的連續波單頻 589
2023-07-13 09:40:52606 金剛石異質外延已發展 30 年有余,而基于 Ir 襯底的大面積、高質量的異質外延單晶金剛石已取得較大進展。本文主要從關于異質外延單晶金剛石及其電子器件兩個方面對異質外延單晶金剛石的發展進行了闡述。
2023-07-12 15:22:23843 行業簡介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強電化學表面陶瓷化(PECC)。該技術的基本原理及特點是:在普通
2023-07-11 14:27:42
和在刻蝕工藝中一樣,半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質量。例如,降低壓強,沉積速率就會放慢,但可以提高垂直方向的沉積質量。因為,壓強低表明設備內反應氣體粒子
2023-07-02 11:36:401211 在半導體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實也是在基底上形成各種薄膜;又如氧化工藝中晶圓(硅)氧化,也需要在基底表面添加各種新材料。那為什么唯獨要強調“沉積”工藝呢?
2023-06-29 16:58:37404 在前幾篇文章(點擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到,為制作巧克力夾心,需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,然后倒入巧克力糖漿,再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 學技術迎來了重大進展。通過化學氣相沉積(CVD)合成光學質量金剛石的創新,金剛石色心工程,以及用于制造金剛石光學元件和光子結構的技術,使這些進展成為可能。 ?基于金剛石優異內在特性的光子學應用? 高純度的金剛石,在紫
2023-06-28 11:03:25367 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓,但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 近日,Nano Letters(《納米快報》)在線發表武漢大學高等研究院梁樂課題組和約翰霍普金斯大學Ishan Barman課題組關于高效構建等離子增強NV色心的納米器件研究進展,他們利用自下向上的DNA自組裝方法開發了一種混合型獨立式等離子體納米金剛石
2023-06-26 17:04:52396 交流電源板過載防護高電壓氣體放電管 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器 2R3600ML5 Gas Discharge
2023-06-14 17:30:02
與傳統上用于半導體的硅和其他材料相比,金剛石可以承受更高的電壓,可以以更高的速度和頻率運行,并且可以用于外層空間等高輻射環境。金剛石半導體作為下一代功率半導體的發展勢頭強勁。
2023-06-12 15:17:511249 近日,教育部高等學校大學物理課程教學指導委員會課程思政工作委員對2022年高等學校“大學物理”和“大學物理實驗”課程思政案例立項情況進行了公示,同濟大學《金剛石NV色心量子計算實驗》課程作為優秀
2023-06-12 11:04:19538 離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術,可與濺射或熱蒸發工藝一起使用,以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質量薄膜。
2023-06-08 11:10:22983 金剛石半導體具有優異的特性,作為功率器件材料備受期待。
2023-06-05 18:17:271436 集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類,包括光刻(光刻機)、刻蝕(刻蝕機)、薄膜生長(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備)、擴散(擴散爐)、離子注入(離子注入機)、平坦化(CMP設備)、金屬化(ECD設備)、濕法工藝(濕法工藝設備)等。
2023-05-30 10:47:121131 。 PVD 沉積工藝在半導體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺,在
2023-05-26 16:36:511749 上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應用.
2023-05-25 10:18:34501 金剛石光學真空窗片高質量的金剛石晶圓應用作為光學窗口是理想的,主要為紅外,遠紅外和太赫茲范圍。這些金剛石晶片由高功率微波等離子體輔助化學氣相沉積(CVD)生長的高純多晶金剛石組成。 
2023-05-24 11:26:37
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性,有著顯著的優勢和巨大的發展潛力,越來越得到國內外的重視。
2023-05-24 10:44:29568 金剛石是一種“終極材料”,在硬度、聲速、熱導率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能;其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長光譜的透射率、熱穩定性和化學穩定性以及可控的電阻和導電性。這些特性使金剛石可用于各種應用,如散熱器、加工工具、光學元件、音頻元件和半導體。
2023-05-23 12:41:381291 為了形成高密度等離子體,需要有激發混合氣體的射頻(RF)源,并直接使高密度等離子體到達硅片表面。在HDP-CVD反應腔中,主要是由電感耦合等離子體反應器(ICP)來產生并維持高密度的等離子體。當射頻電流通過線圈(coil)時會產生一個交流磁場
2023-05-22 15:47:373162 在天體物理學中,有許多天體都具有強大的磁場,例如恒星、行星和黑洞。這些天體周圍通常有大量的等離子體,例如恒星風、行星際介質和吸積盤。
2023-05-17 09:24:16452 DPC(DirectPlatingCopper)薄膜工藝是一種利用磁控濺射技術制備銅薄膜的方法。該工藝是將目標材料為銅的銅靶放置在真空腔室中,通過磁控濺射技術使得銅靶表面產生等離子體,利用等離子體中的離子轟擊靶表面,將其濺射成細小顆粒并沉積在基底上形成銅薄膜的過程。
2023-05-11 17:38:18843 因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準射頻等離子體源 RF2100ICP Plasma Source上海伯東代理美國 KRi 考夫
2023-05-11 14:57:22
色心之所以得名,是因為它們的光學特性。雖然金剛石本身對可見光是透明的,但色心是其中的斑點,具有技術吸引力的能力,可以吸收光并在相當窄的光譜帶(即具有非常特定的顏色(波長))中有效地重新發射光。重要的是,色心可以有效地發射單光子。這種窄帶單光子發射有幾個潛在的應用。
2023-04-24 09:27:57495 等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術節點,高的產量、低的成本是與現有生產系統競爭的關鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統,從長遠來看,可以為客戶節省大量費用,有可能
2023-04-21 09:20:221349 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 器中的熱量越多,被回收的熱量也越多。因此在余熱回收中提高重力熱管的傳熱性能是重要的研究方向與熱點之一。納米金剛石具有優異的傳熱性能,能夠分散在水中形成金剛石-水納米流體作為重力熱管的工質強化傳熱。然而
2023-04-14 09:46:53365 全硅等離子體色散效應環形諧振器調制器具有誘人的發展前景。然而,其性能目前受限于調制深度和開關速度之間的權衡。
2023-04-12 09:12:121594 2RM3600A6L2 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器3600Discharge 2-Electrode Arrester 5.5*6 直流擊穿電壓3600V氣體
2023-03-27 17:04:09
金剛石中的氮-空位(NV)色心是一種可在室溫下操作的優良量子體系, 因具有獨特的電子自旋態及其可光學讀取特性,近年來已迅速發展成為一種可探測多種物理量和生物對象的有力手段。
2023-03-25 16:40:511872 CVD金剛石窗片鉆石基片真空太赫茲窗片 CVD金剛石具有很高的硬度,熱導率高(> 1800 W / mK,是銅的五倍),且具有寬帶光學透射效率。在UV紫外、可見光、中遠
2023-03-23 09:46:55
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