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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>IGBT總覽:為什么稱之為電力電子行業(yè)的“CPU”

IGBT總覽:為什么稱之為電力電子行業(yè)的“CPU”

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DshanMCU-R128s2 燒寫固件

編譯系統(tǒng)源碼后,打包后生成的系統(tǒng)文件稱之為固件。固件一般為.img格式。把固件下載到開發(fā)板或者產(chǎn)品上的過程稱之為 燒寫固件 。
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igbt與mos管的區(qū)別

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IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)有哪些?

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蜂鳴器的介紹 如何控制蜂鳴器的工作?

單片機(jī)開發(fā)板上蜂鳴器分為兩種:一種稱之為有源蜂鳴器,另一種是無源蜂鳴器。
2023-11-10 11:34:19975

IGCT和IGBT的區(qū)別

IGCT(集成門極換流晶閘管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是廣泛應(yīng)用于電力電子電力傳輸?shù)陌雽?dǎo)體器件。雖然它們的用途相似,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有明顯的差異。IGCT 和 IGBT 都是電力
2023-11-09 14:31:36363

什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)

開關(guān)器件,常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測(cè)試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試,旨在檢測(cè)IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測(cè)試平臺(tái)是一種用于進(jìn)行IGBT
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基于信號(hào)完整性的電源分配系統(tǒng)設(shè)計(jì)

一類問題是與信號(hào)路徑相關(guān)的反射問題和相鄰路徑間的串?dāng)_問題,這類問題都與信號(hào)的上升時(shí)間和時(shí)鐘工作頻率有關(guān),稱之為信號(hào)路徑問題。
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磁珠特性說明

磁珠的阻抗為Z=R+JWL,下圖所示,箭頭處對(duì)應(yīng)的頻率稱之為交叉頻率,有的叫轉(zhuǎn)頻率。
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igbt可以反向?qū)▎??如何控?b class="flag-6" style="color: red">igbt的通斷?

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igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件

、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力,廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件,以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT
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FPGA數(shù)字電路時(shí)序分析案例

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IGBT基礎(chǔ)知識(shí)及國內(nèi)廠商盤點(diǎn)

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基于PE的脈動(dòng)陣列設(shè)計(jì)

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2023-08-08 11:50:001055

IGBT會(huì)用到哪些陶瓷基板?IGBT增長將拉動(dòng)陶瓷基板需求?

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
2023-08-08 10:24:15210

電驅(qū)系統(tǒng)三大核心之IGBT模塊如何工作?主要汽車IGBT模塊供應(yīng)商介紹

最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極型晶體管芯片)。作為電力電子行業(yè)里的“CPU”,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是國際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊,其功率更大、散熱能力
2023-08-07 10:29:201349

IGBT—?jiǎng)榆嚱M“心臟”的CPU

IGBT
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-26 21:07:39

磁場計(jì)電路圖分析

如今,電子電路幾乎可以在任何地方找到,有些人擔(dān)心*,有一種不同的環(huán)境污染。他們稱之為電霧(這個(gè)詞沒有出現(xiàn)在任何字典中-甚至沒有技術(shù)詞典),但在本文中,我們將稱之為雜散磁場(SMF)。一些“專家”認(rèn)為
2023-07-23 15:22:371616

c++之函數(shù)對(duì)象與內(nèi)建函數(shù)

重載函數(shù)調(diào)用操作的類,其對(duì)象常稱之為函數(shù)對(duì)象。
2023-07-17 09:46:27333

華為射頻基礎(chǔ)知識(shí)講義詳解

利用電磁波的輻射和傳播,經(jīng)過空間傳送信息的通信方式稱之為無線電通信( Wireless Communication) ,也稱之為無線通信。利用無線通信可以傳送電報(bào)、電話、傳真、數(shù)據(jù)、圖像以及廣播和電視節(jié)目等通信業(yè)務(wù)。
2023-07-15 10:59:34701

中芯集成車規(guī)級(jí)IGBT芯片產(chǎn)能年底前將超過12萬片每月

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,也被稱為電力電子裝置的“CPU”。它是新能源汽車必不可少的組件。新能源汽車通過電池驅(qū)動(dòng)電機(jī),從而提供動(dòng)能。電池充電和電池放電的過程,都需要通過使用IGBT設(shè)計(jì)的電路來實(shí)現(xiàn)。
2023-07-12 11:22:41652

雙脈沖電源 微弧氧化脈沖電源 高頻脈沖電源 雙極性脈沖電源

行業(yè)簡介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 14:30:20

750V微弧氧化電源,高壓脈沖電源,脈沖氧化電源設(shè)備

行業(yè)簡介:微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是:在普通
2023-07-11 12:18:07

如何計(jì)算IGBT的損耗和結(jié)溫呢?

IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一,其結(jié)溫Tj高低,不僅影響IGBT選型與設(shè)計(jì),還會(huì)影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:303816

一文解析IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性

IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯:黃飛
2023-07-07 09:36:321089

信號(hào)完整性基礎(chǔ)-反射

信號(hào)在傳輸線傳播的過程中遇到阻抗不連續(xù)時(shí)造成部分信號(hào)回彈的現(xiàn)象,稱之為反射。
2023-07-05 09:10:09550

安科瑞ACR120E網(wǎng)絡(luò)電力儀表

,所以我們稱之為網(wǎng)絡(luò)電力儀表。它非常適合于實(shí)時(shí)電力監(jiān)控系統(tǒng)。 該表具有很高的性能價(jià)格比,可以直接取代常規(guī)電力變送器及測(cè)量儀表。作為一種先進(jìn)的智能化、數(shù)字化的前端采集元件,該系列網(wǎng)絡(luò)儀表已廣泛應(yīng)用于各種控制系統(tǒng)、
2023-07-03 15:32:49215

電力電子新基石:氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的應(yīng)用研究

氮化鋁陶瓷(AlN)因其優(yōu)越的熱、電性能,已成為電力電子器件如絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊的理想基板材料。本文對(duì)其應(yīng)用于IGBT模塊的研究進(jìn)行深入探討。
2023-07-01 11:08:40580

網(wǎng)卡的MAC和PHY之間的關(guān)系是什么?

網(wǎng)卡工作在osi的最后兩層,物理層和數(shù)據(jù)鏈路層,物理層定義了數(shù)據(jù)傳送與接收所需要的電與光信號(hào)、線路狀態(tài)、時(shí)鐘基準(zhǔn)、數(shù)據(jù)編碼和電路等,并向數(shù)據(jù)鏈路層設(shè)備提供標(biāo)準(zhǔn)接口.物理層的芯片稱之為PHY.數(shù)據(jù)鏈
2023-06-26 07:04:39

橫向型與垂直型MOSFET簡介

橫向型MOSFET,又稱之為橫向?qū)щ娦偷腗OSFET,結(jié)構(gòu)如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動(dòng)方向與晶圓襯底之間的方向。
2023-06-25 17:14:54925

2023年中國新型功率半導(dǎo)體器件(IGBT)產(chǎn)業(yè)鏈上中下游市場分析

被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)電子、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域。一、產(chǎn)業(yè)鏈IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上游為半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商;中
2023-06-25 15:37:321287

TZ和鍍錫銅TZX幕墻防雷銅導(dǎo)線

TZ和鍍錫銅TZX幕墻防雷銅導(dǎo)線-防雷銅導(dǎo)線又被稱之為避雷接地銅帶,銅索,防雷跨接線,編織軟銅導(dǎo)線等
2023-06-23 12:00:171105

好消息!第7代IGBT功率模塊成功研制

IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件,被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管,是國際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。
2023-06-16 14:37:521025

七張圖看懂IGBT

功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域,雖不像集成電路一樣被大眾熟知,但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種,作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”,高效節(jié)能減排的主力軍。*免責(zé)聲明:本文由作者原創(chuàng)
2023-06-15 16:33:451988

Armv9核心A710、A715和A510微架構(gòu)解讀

在介紹Armv9系列前,我們先看一下ARM的Cortex-X定制CPU計(jì)劃。Cortex-X方案先于Armv9發(fā)布,在Arm發(fā)布A78時(shí),同時(shí)也發(fā)布了Cortex-X1這一顆性能強(qiáng)大的CPU,后續(xù)大家習(xí)慣稱之為超級(jí)大核。
2023-06-12 09:27:1916594

芯片設(shè)計(jì)里的Multi-Bit FF探究

在現(xiàn)代的芯片設(shè)計(jì)里邊,工程師在優(yōu)化功耗和面積上無所不有其極,這里討論的multi-bit FF 就是其中的一種方法或者稱之為一種流程。
2023-06-09 16:57:05842

博途的多重背景調(diào)用

當(dāng)函數(shù)塊 (FB) 調(diào)用另一個(gè)函數(shù)塊時(shí),可其實(shí)例數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在調(diào)用函數(shù)塊的背景數(shù)據(jù)塊中。這種塊調(diào)用又稱之為多重實(shí)例。
2023-06-08 15:50:561987

如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評(píng)估呢?

IGBT廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,其可靠性一直都是制造商和用戶重點(diǎn)關(guān)注的問題。
2023-06-08 10:19:43533

數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中為什么要做門級(jí)仿真?

門級(jí)仿真(gate levelsimulation)也稱之為后仿真,是數(shù)字IC設(shè)計(jì)流程中的一個(gè)重要步驟。
2023-06-07 09:55:421206

PyTorch教程23.6之為本書做貢獻(xiàn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PyTorch教程23.6之為本書做貢獻(xiàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-06-06 09:18:400

圖文并茂告訴你MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?

MOSFET的全稱為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱之為,金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管。
2023-06-01 09:39:31375

如何使用2個(gè)FTM模塊實(shí)現(xiàn)脈沖訓(xùn)練輸出?

我正在研究 Kinetis 處理器 MK10DX128。 我正在嘗試實(shí)現(xiàn)輸出給定長度的受控脈沖序列。 為了做到這一點(diǎn),我將 2 個(gè) FTM 連接在一起,這樣一個(gè) FTM 輸出一些脈沖(我們稱之為輸出
2023-06-01 06:16:33

什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析

800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V,取中間值400V,籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng);而伴隨著快充應(yīng)用,整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍達(dá)到550-930V,取中間值800V,可籠統(tǒng)稱之為800V系統(tǒng)。
2023-05-31 09:39:492405

現(xiàn)代電子集成技術(shù)分析

人類目前已知的118種元素中,來自自然界的元素有92種,其余的元素則是由人工合成的。代表元素的最小單位我們稱之為原子,不同的原子構(gòu)成了不同的物質(zhì)。
2023-05-26 15:02:38396

PCB和FPC的工作原理和區(qū)別

PCB,就是所謂印制電路板,通常都會(huì)被稱之為硬板。是電子元器件當(dāng)中的支撐體,是很重要的電子部件。
2023-05-09 10:03:56565

芯片設(shè)計(jì)里的Multi-Bit FF方法討論

在現(xiàn)代的芯片設(shè)計(jì)里邊,工程師在優(yōu)化功耗和面積上無所不有其極,這里討論的multi-bit FF 就是其中的一種方法或者稱之為一種流程。
2023-05-08 09:34:00760

如何在Linux下使用TC優(yōu)雅的實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)限流

通過對(duì)包的排隊(duì),我們可以控制數(shù)據(jù)包的發(fā)送方式。這種控制,稱之為數(shù)據(jù)整形,shape the data,包括對(duì)數(shù)據(jù)的以下操作。
2023-05-06 09:24:35627

FFT快速傅立葉變換的工作原理

信號(hào),其中1個(gè)(N/2+1)點(diǎn)的信號(hào)稱之為實(shí)部,另一個(gè)(N/2+1)點(diǎn)的信號(hào)稱之為虛部,實(shí)部和虛部分別是正弦和余弦信號(hào)的幅度。
2023-05-05 09:54:18857

石墨烯和氮化硼的特殊“三明治”結(jié)構(gòu)助力下一代微電子學(xué)!

石墨烯是由碳構(gòu)成的,就像木炭和鉆石一樣。石墨烯的與眾不同之處在于碳原子的組合方式:它們以六角形或蜂窩狀連接。由此產(chǎn)生的材料是已知存在的最薄的材料,薄到科學(xué)家稱之為二維材料。
2023-04-26 14:31:53489

科普篇:電力電子無處不在

今天這一篇主要是寫給剛接觸電力電子技術(shù)或者準(zhǔn)備接觸電力電子技術(shù)的朋友們。談到電力電子技術(shù),很多人總覺得離自己或生活很遙遠(yuǎn),其實(shí)不然。現(xiàn)今社會(huì),電力電子技術(shù)早已無處不在。電力電子技術(shù)起源于20世紀(jì)50
2023-04-19 10:53:41

EPLAN在電力行業(yè)的應(yīng)用

EPLAN在電力行業(yè)的應(yīng)用
2023-04-12 14:34:060

常用電子元器件的識(shí)別

電阻器我們習(xí)慣稱之為電阻,是電子設(shè)備中最常應(yīng)用的電子元件之一, 電阻在電路中用“r”加數(shù)字表示,如:r13表示編號(hào)為13的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波(與電容器組合使用)和阻抗匹配等。
2023-04-12 08:37:002240

淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽到一種失效率,閂鎖失效,今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
2023-04-06 17:32:551089

電力電子IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546

整流與逆變有何區(qū)別

整流是一種物理現(xiàn)象,指的是在相同的驅(qū)動(dòng)力推動(dòng)下正向和逆向的電流幅值大小不同,英文名稱為:RecTIficaTIon。在電力電子方面:將交流電變換為直流電稱為AC/DC變換,這種變換的功率流向是由電源傳向負(fù)載,稱之為整流。
2023-03-31 14:33:044893

SiC MOSFET為何替代不了IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品,是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件,IGBT 被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。
2023-03-30 10:58:011094

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