負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協(xié)會藍牙技術聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種新型藍牙物聯(lián)網(wǎng)設備》，深入分析了這種新型物聯(lián)網(wǎng)設備。
2024-03-11 15:08:54 284 濕電子化學 品屬于電子化學 品領域的一個分支，是微電子、光電子濕法 工藝制程（主要包括濕法 蝕刻 、清洗、顯影、互聯(lián)等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03 239 該環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)研究報告 預測了物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展演變和市場增長趨勢 ? 北京， 2024 年 3 月 6 日 ——負責監(jiān)管藍牙技術的行業(yè)協(xié)會藍牙技術聯(lián)盟（SIG）近日發(fā)布了中文版市場研究報告 《環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)：一種
2024-03-06 11:07:24 87 根據(jù)已公開的研究報告 ，東京電子的新式蝕刻 機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻 的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻 工作。此外，設備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22 109 蝕刻 時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究 的目的是確定蝕刻 ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻 ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45 306 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學 機械研磨、濕法 蝕刻 和等離子體干法化學 蝕刻 。
2024-01-26 09:59:27 547 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化 鎵 (GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
氮化 物半導體具有寬禁帶、可調(diào)，高光電轉(zhuǎn)化效率等優(yōu)點，在紫外 傳感器，功率器件，射頻電子器件，LED照明、顯示、深紫外 殺菌消毒、激光器、存儲等領域具有廣闊的應用前景，被認為是有前途的發(fā)光材料。
2024-01-15 18:18:56 672 通過化學 鍍鎳沉積增強 納米多孔硅光電陰極的光電化學 性能 可再生能源，特別是太陽能，是我們脫碳努力的關鍵。本文研究 了納米多孔硅及其Ni涂層雜化體系的光電化學 行為。這些方法包括將Ni涂層應用于NPSi
2024-01-12 17:06:13 112
請問半橋上管氮化 鎵 這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化 鎵 半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化 鎵是一種化合物，化學 式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構(gòu)成。 氮化 鎵具有堅硬的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學 性質(zhì)，是一種重要的半導體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:01 1040 氮化 鎵是一種無機化合物，化學 式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化 鎵具有許多重要的物理和化學 性質(zhì)，使其在科學研究 和工業(yè)應用領域中具有廣泛的應用。 氮化 鎵是一種具有低能隙的半導體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于
2024-01-10 10:05:09 346 氮化 鎵是第三代半導體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外 線的發(fā)光二極管，1990年起開始被廣泛應用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應用于功率器件、集成電路、光電子、軍工電子、通訊等領域
2023-12-26 14:38:54 270 轉(zhuǎn)自：存儲產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 2023年11月30日， 存 儲產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中國電子技術標準化研究 院聯(lián)合發(fā)布《分布式融合存儲研究報告 （2023）》，詳細闡釋分布式融合存儲概念和技術要求
2023-12-21 18:05:01 270 世界各國不僅把6G作為構(gòu)筑未來數(shù)字經(jīng)濟與社會發(fā)展的重要基石，也將其視為國家間前沿科技競爭的制高點。全球主要國家的多。個研究 機構(gòu)和聯(lián)盟組織相繼發(fā)布了6G總體愿景、技術趨勢、網(wǎng)絡架構(gòu)等方面的白皮書和研究報告 ，陳述各國發(fā)展6G的宏偉愿景與技術思考。
2023-12-19 11:23:36 151 Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化 鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化 鎵 器件用于通信基礎設施、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化 鎵 -用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學 穩(wěn)定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24 294 GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化 物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學 和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法 蝕刻 是困難的，并且導致低的蝕刻 速率和各向同性的蝕刻 輪廓。
2023-12-05 14:00:22 220 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究 。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻 方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39 259 存儲研究報告 》（以下簡稱：《報告 》）正式發(fā)布。《報告 》首次系統(tǒng)梳理并深入分析了分布式融合存儲的概念、技術架構(gòu)和應用場景，為融合存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供參考和指引。 中國電子技術標準化研究 院領導表示，“數(shù)據(jù)成為重要的生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)
2023-11-30 16:25:01 172 由于其獨特的材料特性，III族氮化 物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻 已經(jīng)被用于去除III族氮化 物材料中干法蝕刻 引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58 166 濕法 刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17 452 目前，大多數(shù)III族氮化 物的加工都是通過干法等離子體蝕刻 完成的。干法蝕刻 有幾個缺點，包括產(chǎn)生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻 側(cè)壁。干法蝕刻 產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30 241 氮化 鎵是什么材料提取的 氮化 鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學 性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化 鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20 719 近日，日本研究 研究 團隊制造出一種基于AlGaN的垂直深紫外 發(fā)光半導體激光設備，有望應用于激光加工、生物技術和醫(yī)學領域。
2023-11-21 18:27:22 606 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《工業(yè)控制系統(tǒng)及其安全性研究報告 .pdf》資料免費下載
2023-11-16 14:29:13 0 蝕刻 設備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻 液都會對蝕刻 因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學 成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻 設備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10 217 GaN材料的研究 與應用是目前全球半導體研究 的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。上次帶大家了解了它的基礎特性：氮化 鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學
2023-11-09 11:43:53 434 艾瑞咨詢：2023年中國家用智能照明行業(yè)研究報告
2023-11-07 16:37:39 0 、H1N1流感病毒、金黃色葡萄球菌的有效殺滅。研究 的發(fā)現(xiàn)對人類社會在寒冷條件下使用深紫外 光子消毒具有重要意義。
2023-10-17 15:22:23 878 蝕刻 液的化學 成分的組成：蝕刻 液的化學 組分不同，其蝕刻 速率就不相同，蝕刻 系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻 液的蝕刻 系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻 液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻 液可以達到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻 后的導線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35 553 氮化 鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學 穩(wěn)定性，在室溫下用濕法 化學 蝕刻 來蝕刻 或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32 244 深紫外 光電探測器在導彈預警、臭氧層監(jiān)測、火焰探測等軍事和民用領域均有著廣泛的應用。
2023-10-09 18:16:12 383 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外 線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化 物的濕法 化學 蝕刻 結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻 工藝。干法蝕刻 開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻 速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻 。
2023-10-07 15:43:56 319 報道，近日，波蘭華沙理工大學（Warsaw University of Technology）的研究 人員開發(fā)了一種增強 型光譜電化學 裝置，其中，基于雙域（光學和電化學 ）光纖的傳感器直接用作工作電極，同時像光譜電化學 一樣單獨測量分析物的光學特性。該傳感器采
2023-09-26 09:11:38 645 香港上市公司ESG表現(xiàn)積極 ?但仍需持續(xù)改進 香港2023年9月20日 /美通社/ -- 方圓企業(yè)服務繼2021年以來，于2023年9月19日，連續(xù)第三年發(fā)布ESG 研究報告 。通過對上市公司ESG
2023-09-21 03:36:58 265 近日，中國信息通信研究 院在“2023 SecGo云和軟件安全大會”上發(fā)布了 《零信任發(fā)展研究報告 （2023年）》 （以下簡稱“報告 ”），全面介紹了在數(shù)字化轉(zhuǎn)型深化背景下，零信任如何解決企業(yè)面臨的安全
2023-09-06 10:10:01 488 為慶祝河北工業(yè)大學校慶120周年，《紅外與激光工程》聯(lián)合河北工業(yè)大學共同出版“河北工業(yè)大學校慶專刊“，特邀請張紫輝教授團隊撰寫“AlGaN基深紫外 微型發(fā)光二極管的研究 進展” 文章，總結(jié)了深紫外
2023-09-05 11:16:48 337 實現(xiàn)深紫外 光通信的一個關鍵器件是深紫外 光源。早期深紫外 光源利用高壓汞燈實現(xiàn)，但汞燈的調(diào)制帶寬非常小，這嚴重影響了深紫 光通信的傳輸速率。
2023-09-05 11:13:00 484 濕法 腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學 的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:04 1705 氮化 鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化 鎵 （GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
半導體蝕刻 設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學 溶液通過將晶片浸入化學 溶液（蝕刻 劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區(qū)域，化學 溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58 319 用于深紫外 線傳感應用的GaN型紫外 線傳感器。
與Si型紫外 線傳感器相比，新產(chǎn)品對UV-B和UV-C深紫外 線具有更高的靈敏度。
通過使用GaN,產(chǎn)品的靈敏度是Si型UV傳感器的三倍。
2023-08-11 11:50:40 261 的影響及UV特殊的生物學和化學 效應，因此倍受氣象、工業(yè)、建筑、醫(yī)學方面的重視，廣泛應用于暴曬引起的紅斑劑量、綜合環(huán)境生態(tài)效應、氣候變化的研究 及紫外 線監(jiān)測和預報。
2023-08-07 14:06:03 91 一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外 光探測器。日盲紫外 探測器對可見光具有很低的響應，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優(yōu)化和軍事應用等領域都有重要的應用。由于紫外 光在很多領域中具有重要的研究 和應用價值，日盲紫外 探測器的發(fā)展對于提高測量的精確性和可靠性具有重要意義。
2023-08-04 11:21:08 762 佐思汽研發(fā)布了《2023年汽車車內(nèi)通信及網(wǎng)絡接口芯片行業(yè)研究報告 》。 根據(jù)通信連接形態(tài)的不同，汽車通信應用分為無線通信和有線通信。
2023-08-02 10:56:43 1401 預登記展會領取門票還可以獲得由AIoT星圖研究 院出品2023行業(yè)報告 之《蜂窩物聯(lián)網(wǎng)系列之LTE Cat.1市場跟蹤調(diào)研報告 》、《中國光伏物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)分析報告 》、《2023中國智慧工地行業(yè)市場研究報告
2023-07-31 11:14:32 525 自己的模板
研究 報告 《 容、感、阻被動元器件市場
報告 》，如需領取
報告 ，請關注公眾號，后臺回復 ? 元器件? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-17 17:15:04 246 。照明系統(tǒng)是光刻機的重要組成部分，其主要作用是提供高均勻性照明、控制曝光劑量和實現(xiàn)離軸照明，以提高光刻分辨率和增大焦深。論文以深紫外 光刻照明系統(tǒng)光學設計為研究 方向，對照明系統(tǒng)關鍵單元進行了光學設計與仿真研究 。
2023-07-17 11:02:38 592 年7月6日 作為致力于助力企業(yè)實現(xiàn)數(shù)據(jù)、資產(chǎn)和人員智能互聯(lián)的先進數(shù)字解決方案提供商，斑馬技術公司（納斯達克股票代碼：ZBRA）今日發(fā)布2023年《汽車生態(tài)系統(tǒng)愿景研究報告 》。報告 結(jié)果表明，汽車制造商正面對著來自各方面的壓力，他們需要滿足消費者對整體制造過
2023-07-07 16:07:24 321 自己的模板
研究 報告 《 虛擬人產(chǎn)業(yè)鏈及市場前景
報告 》，如需領取
報告 ，請關注公眾號，后臺回復 ? 虛擬人? 即可領取！ 聲明 ： 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ，轉(zhuǎn)載請注明以上來源。如需入群交流 ，請?zhí)砑?/div>
2023-07-03 17:25:02 283 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻 變得更有必要。為了防止蝕刻 掩模下的橫向蝕刻 ，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻 的研究
2023-06-27 13:24:11 318 CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學 性質(zhì)非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻 時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻 速率以及橫向或分層膜的蝕刻 速率降低，濕法 化學 也會有問題。
2023-06-26 13:32:44 1053 氮化 鎵 (GaN)是一種全新的使能技術，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關于 氮化 鎵 半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關于 氮化 鎵 技術
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化 鎵 (GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化 鎵 器件具備卓越的開關性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
氮化 鎵 (GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化 鎵 電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化 鎵 )的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化 鎵 )的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化 鎵 )
2023-06-19 08:36:25
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化 鎵 充電器的制造商，公司具有標準無塵生產(chǎn)車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化 鎵 充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化 鎵 功率芯片實現(xiàn)氮化 鎵 器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化 鎵 (GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化 鎵 的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化 鎵 擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵 ，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化 鎵 的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
% 化學 物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化 鎵 的環(huán)保優(yōu)勢，將遠遠大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
氮化 鎵 ，由鎵 （原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化 鎵 的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化 鎵 為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化 鎵 的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化 鎵 器件提升到的 200kHz。
氮化 鎵 電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化 鎵 電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化 鎵 功率芯片的學術研究 ，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化 鎵 功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化 鎵 (GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化 鎵 芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化 鎵 功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
研究報告 1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究 和分析
2023-06-09 10:32:36 550 發(fā)展研究報告 1.0版》，總計192頁，分為技術篇、產(chǎn)業(yè)篇、評測篇、職業(yè)篇、風險篇、哲理篇、未來篇、團隊篇等多個篇章，對AIGC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢進行了詳盡研究 和分析。 以下為報告 內(nèi)容 受篇幅限制，以上僅為部分報告 預覽 后臺回復【 AIG
2023-06-04 16:15:01 503 等離子體蝕刻 是氮化 鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻 特性。在小型單個芯片上制造氮化 鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究 中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究 蝕刻 過程中蝕刻 速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54 452 納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻 步驟包括虛擬柵極蝕刻 、各向異性柱蝕刻 、各向同性間隔蝕刻 和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻 是各向異性的，并使用氟化化學 。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻 （壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11 1071 氮化 鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化 鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化 鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學 鍵是高度離子化的氮化 鎵化學 鍵，該化學 鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-05-26 10:10:41 758 導電材料Ti3C2Tx MXene 被用來作為氮化 鎵高電子遷移率晶體管的柵電極，MXene和氮化 鎵之間形成沒有直接化學 鍵的范德華接觸。氮化 鎵高電子遷移率晶體管的柵極控制能力得到顯著增強 ，亞閾值擺幅61 mV/dec接近熱力學極限，開關電流比可以達到創(chuàng)紀錄的~1013。
2023-05-25 16:11:29 599 微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外 光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強烈的共振。然而，用于制造微孔的技術是耗時的，并且需要昂貴的設備和專業(yè)人員。因此，英思特開發(fā)了一種通過濕化學 蝕刻 硅襯底來制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51 846 蝕刻 可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻 速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻 率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻 化學 ，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31 575 蝕刻 是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法 蝕刻 和干法蝕刻 ，濕法 蝕刻 進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻 。硅濕法 各向異性蝕刻 廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12 700 減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學 機械平面化，(3)濕法 蝕刻 (4)等離子體干法化學 蝕刻 (ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻 。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學 漿液結(jié)合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻 則使用化學 物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06 979 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法 蝕刻 和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法 腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究 了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00 118 【摘要】 在半導體濕法 工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法 清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究 ，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性。【關鍵詞
2023-04-20 11:45:00 823 自己的模板
研究 報告 《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析
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2023-04-12 15:10:02 390 干法蝕刻 與濕法 蝕刻 之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻 劑來制作電子芯片，是液體（濕法 蝕刻 ）還是氣體（干法蝕刻 ）
2023-04-12 14:54:33 1004 濕法 蝕刻 工藝的原理是使用化學 溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10 453 全國普通高校大學生計算機類競賽研究報告 鏈接：https://mp.weixin.qq.com/s/bdcp-wGqvXY_8DPzn8dhKw各高校在計算機類競賽中的表現(xiàn)情況是評估相關高校計算機
2023-04-10 10:16:15
半導體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學 氣相沉積或干法蝕刻 ，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法 化學 工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48 408 濟南2023年3月31日?/美通社/ -- 近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布了《中國工業(yè)邊緣市場分析》研究報告 （以下簡稱《報告 》）。浪潮云洲憑借云邊緣一體化機器視覺等特色解決方案布局，入選工業(yè)邊緣
2023-04-01 08:03:30 540 清洗過程在半導體制造過程中，在技術上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19 314 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學 反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻 進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07 886 ，可直接用于驅(qū)動氮化 鎵 功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動氮化 鎵 功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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