引言

我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的，但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形，這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六邊形經(jīng)過高溫退火后，六邊形轉(zhuǎn)化為十二邊形，十二角形轉(zhuǎn)化為十八邊形。 1).不同邊緣方向的六邊形和十邊形的十二邊形在退火過程中經(jīng)歷了不同的轉(zhuǎn)變。 2).一條對應(yīng)于一個{1-10x}面的邊顯示為一條直線，似乎是最可取的。與{11-2x}面對應(yīng)的邊緣也出現(xiàn)在一個曲線特征中，這表明它是第二大首選。明顯的結(jié)構(gòu)(密集)，但在11-2倍的表面上微弱(微弱)。 3).因此，在考慮退火變換的情況下，需要在實際器件中設(shè)計形狀及其方向。

我們報告了在SiC溝槽型MOSFET的制作中，通過SiH4/Ar和H2氣氛中的2階段高溫退火，可以改善溝槽形狀控制和蝕刻側(cè)壁的平滑性(6)。 研究過程中發(fā)現(xiàn)SiC表面形狀的變化具有晶面取向各向異性。 此次，我們調(diào)查了高溫退火引起的變形因蝕刻面積和形狀的不同而不同，以及退火形成的晶面方位的穩(wěn)定性。

實驗方法

對4H―SiC基板(n型，8°關(guān)斷，C面)進行清洗后，使用等離子CVD裝置成膜了厚度為2.5μm的SiO2膜。 使用一般的照相工藝，在直徑不同的圓形、6角形、12角形上對光刻膠進行了圖案化。 然后用抗蝕劑作為掩模，用干法蝕刻法蝕刻SiO2圖案化了。 干蝕刻是用CHF3/Ar氣體在3Pa的壓力下使用RIE裝置進行的。 剝離光刻膠后，以SiO2圖案為掩模，使用ICP蝕刻裝置對SiC進行干法蝕刻。 蝕刻條件為ICP功率450W，偏壓8W，用SF6/O2/Ar氣體在2Pa的壓力下進行。 蝕刻深度約為4μm。 剝離氫氟酸殘留的SiO2膜后，在80Torr的壓力下，在添加SiH4―0.09%的Ar氣氛中，在1700℃下進行10分鐘至120分鐘的退火。 利用掃描電子顯微鏡(SEM)評價了蝕刻后和退火后的形狀。

實驗結(jié)果討論

將圖案化成面積不同的圓形(光掩模為72角形)的試料進行干蝕刻時的蝕刻形狀的SEM觀察結(jié)果如圖1所示。 圓的直徑約為1.7μm時，蝕刻形狀為具有與{1―10x}面對應(yīng)邊的6角形(Hexagon)。 直徑約為5.6μm時為12角形(Dodecagon)，直徑約為12.5μm時為18角形(Octadecagon)。 隨著蝕刻面積的增加，被蝕刻成更多的多角形，根據(jù)蝕刻面積的不同，形狀也不同。 需要考慮的是，即使是相同的圖案形狀，干蝕刻形狀也會因面積而異。

實驗中，將蝕刻成約9μm大小的圓形的試料在SiH4/Ar氣氛中，在80Torr下，在1700℃下退火120分鐘后的SEM觀察結(jié)果。并記載了從圓形變形為12角形后的面指數(shù)。 觀察12角形的各邊，可知與屬于{1―10x}的各面相對應(yīng)的邊為直線，而與屬于{11―2x}的各面相對應(yīng)的邊稍有彎曲。 這些結(jié)果可以預(yù)測，在12角形中，也有因變形而容易出現(xiàn)的穩(wěn)定面和難以出現(xiàn)的面。

如果進行非常長時間的退火，估計最終會變成6角形。 通過退火變形為12角形時，明確出現(xiàn)屬于{11―2x}的面，可以認(rèn)為是由于表面張力的周長最小化的力起作用，在變形過程中這些面在表面能上穩(wěn)定。 在Si中，也有在H2退火的變形過程中觀察到小面的報道，在SiC中，在12角形中，屬于{1―10x}的面變得穩(wěn)定，認(rèn)為可以觀測到小面在本論文中，對4H―SiC上形成的干蝕刻形狀的高溫退火引起的變形進行了論述。

干蝕刻當(dāng)蝕刻面積較小時，蝕刻形狀為6角形。 通過面積的增加和之后的退火，變形為12角形和18角形的多邊形。 6角形和12角形根據(jù)形成方向有無變形，屬于{1―10x}的面比屬于{11―2x}的面形成穩(wěn)定。 這樣，在使用4H―SiC基板制作器件時，由于退火后穩(wěn)定出現(xiàn)的晶面會因蝕刻的形狀、方向而發(fā)生變化，因此需要考慮變形的設(shè)計。 例如，在4H-SiC的C面基板上形成溝槽MOSFET時，如果在溝槽側(cè)壁上以(1―100)和(―1100)面出現(xiàn)的方向進行蝕刻，退火后也能形成穩(wěn)定的側(cè)壁面，但如果方向相差90°，側(cè)壁面就會彎曲，推測難以形成直線。 另外，作為周邊耐壓結(jié)構(gòu)，即使在通過蝕刻形成臺面時，也需要考慮角部的形狀。

審核編輯：湯梓紅