在并聯二極管電路中，每個二極管的正負極都需要正確連接，確保電流能夠順暢地通過。同時，由于不同二極管的特性可能略有差異，因此在選擇并聯的二極管時，應盡量選擇性能相近、參數一致的器件，以保證電路的穩定性和可靠性。
2024-03-15 18:22:11
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IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。
2024-03-13 11:46:21108 
型號和規格，以確保其穩定、高效地工作。IGBT的選型涉及到多個參數的考慮，下面將詳細介紹這些參數。 額定電壓（Vce）：這是指IGBT能夠承受的最大電壓。根據應用需求，選擇的IGBT型號的額定電壓應大于應用中最高電壓。 額定電流（Ic）：這是指IGBT能夠承受的最大連續電流。根據應用需求，選擇的
2024-03-12 15:31:12258 十分重要，正確的驅動電路設計將直接影響IGBT的性能和穩定性。以下將詳細介紹IGBT對驅動電路的要求。 電源和電流能力： IGBT的開關過程需要大量的電源能量和電流能力。驅動電路需要提供足夠的電流來形成電流增益，以確保IGBT的快速開關和關閉。此外，驅動電路還需要穩定的電源來確保IGBT的
2024-03-12 15:27:38208 亥姆霍茲線圈并聯和串聯的異同點。 一、并聯連接 1.連接方式： 并聯連接指的是將兩個亥姆霍茲線圈的末端通過導線連接在一起，形成電路中的平行分支。 2.工作原理： 在并聯連接中，兩個亥姆霍茲線圈通過共享電流分流器將電流分流，使它
2024-03-09 09:31:39341 Hi512D 是一款支持最高可達 200Kbps - 2Mbps 的并聯差分 DMX512 協議解碼恒流驅動芯片， 支持 5 路恒流輸出，支持 1/2/3/4/5 通道數量可 配，波特率自適應范圍廣
2024-03-01 10:55:10
IGBT應用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動變頻器，此時這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
在IGBT短路時，假設在導通時短路，此時IGBT驅動電壓達到穩定高值，就是IGBT已經完全導通，此時刻觸發外部電路短路，用示波器查看驅動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時間內響應后，驅動電壓
2024-02-25 11:31:12
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機電機控制中，IGBT經常燒壞，主要有哪些原因導致它損壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實驗時，在IGBT開通時刻做出短路動作，IGBT的CE電壓會從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達到穩定。
但是在具體波形時，IGBT
2024-02-21 20:12:42
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發生退飽和現象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28479 隨電壓升高而增大，試了幾次仍然是這樣，按理說輸出功率限制后不應該明顯增大，而我設置時輸出功率達到了上百瓦進而直流源觸發保護，斷電后放電測量IGBT的續流二極管，二極管壓降正常0.381V，但是測量
2024-02-18 19:52:20
IGBT導通過程發生的過流、短路故障 IGBT導通過程中可能發生的過流、短路故障一直是電力電子領域研究的熱點問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導體器件，它結合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT開通過程發生的過流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導體器件，常用于電力電子領域。它具有開關速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優點，因此在各種電源、驅動、變換和控制系統中得到廣泛應用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 短路 這種短路是指IGBT內部出現了開路或短路的情況。其中，IGBT的開路指IGBT的關鍵部件之一，即PN結（N型硅片和P型硅片）出現斷裂，導致電流無法通過。而短路則是指PN結短路或者IGBT內部導線短路，導致電流難以正常流動。這種短路可能由于材料、制造工藝、熱應力等
2024-02-18 10:21:57222 時間。 在測量IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的短路耐受時間時，我們通常使用一個特定的測試電路。該電路中，一個電容器通過柵極驅動電路與IGBT相連。當IGBT處于關閉狀態時，施加電源電壓VCC。 隨后，通過柵極驅動電路使IGBT導通，電容器中積蓄的電
2024-02-06 16:43:251317 
導通時，當柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時，VCE（集電極-發射極電壓）下降的速度。
2024-02-06 10:42:42268 
標準。安森美(onsemi)作為一家半導體供應商，為高要求的應用提供能在惡劣環境下運行的產品，且這些產品達到了高品質和高可靠性。之前我們分享了如何對IGBT進行可靠性測試，今天我們來介紹如何通過可靠性審核程序確保IGBT的產品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
低導通壓降和高開關速度的特點，因此被廣泛應用于各種功率電子系統。 IGBT驅動電路的主要功能是控制IGBT的開關狀態，并提供足夠的電流和電壓以確保IGBT的正常工作。IGBT驅動電路通常包括輸入電路、隔離電路、驅動邏輯電路和輸出電路等部分。 輸入電路用于接收輸入信
2024-01-23 13:44:51678 電子負載并聯操作及注意事項 電子負載是一種測試和模擬電路負載的設備，可以模擬不同負載條件下的電流和電壓。電子負載的并聯操作是指將兩個或更多個電子負載連接在一起以增加負載容量和靈活性。通過并聯操作
2024-01-22 13:42:56185 電子和工業控制系統中。它是一種用于高電壓和高電流應用的開關和放大器。 IGBT的基本結構由四個摻雜的半導體層組成：N型溝道、P型基區、N型漏結和P型柵結。控制其導通和截止狀態的是其柵極。當IGBT柵極電壓低于閾值時，它處于關閉狀態，沒有電流通過。當柵極電壓高于閾值時，形成電場，電流可以流過
2024-01-22 11:14:57273 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導體器件，它的特點是結合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 了MOSFET和BJT的優點，具備高電壓和高電流開關能力。 IGBT的工作原理可以分為四個階段：導通、關斷、過渡和飽和。 1. 導通階段：在導通階段，IGBT的門極電壓（V_GS）通過控制電壓源施加，使得MOSFET部分的導電層建立。這導致P型基區變窄，觸發NPN晶體管的導通。 2. 關斷階段
2024-01-12 14:43:521681 ：在進行任何電氣設備的維修或更換操作之前，首先必須斷開電源，以確保安全。確保設備完全斷電，并使用萬用表確認電源已斷開。 移除散熱器：IGBT模塊通常安裝在散熱器上，以幫助散熱。使用螺絲刀或其他工具，將散熱器上的固定螺絲擰下，然后
2024-01-10 17:54:57268 
都只能做到500W，假如先做4路并聯，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個2KW并聯，這個并聯均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
設計需求，2A恒流源，LTM8042是1A恒流，可以直接把2個芯片并聯，實現2A恒流輸出嗎？
2024-01-05 12:43:38
LTM4630電源模塊在多路并聯時在pcb設計時需要注意那些細節
比如在3路或者4路并聯時在畫pcb時走線需要注意那些地方，要加入對稱設計和阻抗匹配嗎，
如何才能做到并聯均流效果最好，
請大家提出一些建議和指導，謝謝。
2024-01-05 08:07:28
ADP5138 1到4通道每一路都最大支持1A的電流，我現在想將1到3通道并聯使用來達到2.1A左右的輸出。請問這樣可以嗎？如果可以這樣使用告訴具體的實現方法？是直接將輸出并在一起就行了嗎？
2024-01-04 07:54:05
線性穩壓器ADM7172可否降兩個并聯使用實現擴流，ADM7172在電流增加的同時，其輸出電壓會下降，所以我想說能否使用兩個ADM7172直接并聯在實現擴流并保持輸出在電流增加后的穩定性。
2024-01-04 06:59:47
近日，有朋友詢問了關于變壓器并聯運行的問題。變壓器并聯運行是一種常見的電力運行方式，為了確保并聯運行的穩定性和安全性，必須滿足以下四個條件
2023-12-26 09:51:44521 
速度、效率、損耗、應用范圍等方面有一些不同之處。 工作原理： 硬開關模式下，當IGBT開關從關斷狀態切換到導通狀態時，由于電流和電壓較大，會產生大量的開關損耗。而在軟開關模式下，IGBT在開關轉換過程中能夠在合適的時機通過控制電壓和電流的波形，來減少開關損耗。 開關速度： 硬開關
2023-12-21 17:59:32658 MOSFET的并聯使用
2023-12-19 09:40:33308 
逆變器是一種將直流電源轉換為交流電源的裝置。它廣泛應用于太陽能發電系統、電池存儲系統、風能發電系統等，可以有效地提高電能的利用率和質量。逆變器并聯技術則是一種將多個逆變器連接在一起的方法，通過并聯
2023-12-15 15:51:25555 時，會影響電路的阻抗，從而改變石英晶體諧振器的振動頻率。通過調整并聯電阻的值，可以對晶振電路的頻率進行微調，使其精確地穩定在所需的頻率上。
2.改善電路性能
并聯電阻可以改善晶振電路的性能。在晶振電路中
2023-12-13 09:38:27
三種LED接線：串聯、并聯和串并聯，我們該如何選？
2023-12-08 17:21:04883 
柵場效應晶體管（IGFET）和雙極型晶體管（BJT）的特征，既具備晶體管放大和柵極控制的優點，又同時具備功率開關的能力。IGBT 的作用和功能非常廣泛，下面將詳細介紹。 1. 功率開關功能：IGBT 主要用作功率開關，在高電壓和高電流的條件下，可以快速切換電路的電流。通過將柵極電壓從0V調整到高電壓（通態）或從
2023-12-07 16:32:552943 這里，我們只關注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312609 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯的續流二極管（下文簡稱FRD）的相關參數進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:10521 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關參數。
2023-11-24 16:36:421612 
電子發燒友網站提供《IGBT模塊在并聯時的降額必然性問題.doc》資料免費下載
2023-11-14 11:33:10
2 IGBT整流器是用于將交流電轉換為直流電的關鍵設備，它們通過精確控制IGBT的導通時間來實現對輸出的調節，確保提供高質量、穩定的直流電供電。在某些情況下，還可以實施功率因數校正（PFC）以提高輸入
2023-11-10 17:31:05730 
和性能，動態測試是必不可少的。下面將詳細介紹IGBT動態測試的參數。 1. 開通特性測試（Turn-on Characteristics Test）： 開通特性測試是通過控制IGBT的輸入信號，來檢測
2023-11-10 15:33:51885 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281269 什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 驅動電路對動態均流的影響：驅動電路對并聯均流的影響也是顯而易見的，如果并聯工作的IGBT驅動電路不同步，則先驅動的IGBT要承擔大得多的動態電流。
2023-10-20 10:31:551224 
IGBT在控制極上加正電壓可以控制導通，電壓為0時可以讓其關斷，那么加一個反壓呢？IGBT會是什么情況？ 關于IGBT在控制極上加反壓的情況，我們需要探討IGBT的結構、工作原理以及反壓對其產生
2023-10-19 17:08:11860 igbt可以反向導通嗎？如何控制igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051888 、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關能力，廣泛應用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導通和關斷是通過控制門極電壓來實現的。下文詳細介紹IGBT的導通和關斷條件，以及具體的導通和關斷過程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028161
簡介：南京銀茂微電子專注于工業和其他應用的功率IGBT和MOSFET模塊產品的設計和制造。
通過采用現代化的設備來處理和表征高達3.3kV的電源模塊，建立了先進的電源模塊制造能力。自2009年以來，已
2023-10-16 11:00:14
的差異，導致IGBT并聯時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯均流特性，設計了輸出電抗器參數，給出了仿真和試驗結果，試驗結果表明了對并聯特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
變壓器可以并聯使用，可以將兩個相同的變壓器并聯使用，但要確保輸出電壓相序相同。 并聯運行是發電廠和變電站中常見的運行方式。在這種方式下，兩臺或多臺變壓器的一、二次繞組分別接在一、二次公共母線上，同時
2023-09-14 16:56:385950 為了劃分所涉及的功率并創建可以承受更多功率的器件，開關、電阻器和 MOSFET 并聯連接。
2023-08-29 11:47:48302 
igbt反向并聯二極管作用? IGBT反向并聯二極管，也稱為快速反向二極管，是一種非常重要的器件，它廣泛應用于各種電子設備和電氣系統中。以下將詳細介紹IGBT反向并聯二極管的作用、原理、特點
2023-08-29 10:32:243491 igbt為什么要反并聯二極管 IGBT是一種功率器件，它是一種膜材料型結構，它采用P型部分、N型部分、漂移區、隔離氧化層、金屬控制電極和保護結構等元件組成，為集成化的功率MOSFET和雙極性晶體管
2023-08-29 10:25:592926 igbt反向并聯二極管作用 IGBT是一種強勁的功率半導體器件，被廣泛應用于高電壓、高電流和高速開關的領域。與傳統的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 路原理 IGBT逆變電路是由IGBT管、反并聯二極管、電感、電容等組成的電路。在正常工作時，IGBT管的門級隔離驅動，控制IGBT管的導通和截止，使電路中的電感儲存電能，當IGBT管截止時，電感產生的反電動勢將使反并聯二極管導通，將儲存在電感中的電能傳遞到負載中
2023-08-29 10:25:543321 的發展趨勢采用新型的功率器件實現小型、輕量、高效率的電源模塊化，通過并聯進行擴容。電源并聯運行是電源產品模塊化、大容量化的一個有效方案，是電源技術發展的趨勢之一，是實
2023-08-26 08:26:44537 
。在IGBT中，P型區和N型區被分別放置在一個PNPN結構中，然后通過MOSFET的柵極進行控制。MOSFET是由金屬氧化物半導體場效應管構成的，MOSFET的柵極由氧化物隔離。 2. 開關速度 MOSFET的開關速
2023-08-25 14:50:013236 摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優點的問題，設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進一步改善短路與通態壓降的矛盾關系，研究了
IGBT 背面工藝對抗短路能力的影響。通過 TCAD 仿真，在 IGBT 處于負載短路工作期間，針對
2023-08-08 10:14:470 摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規模化 IGBT 并聯封裝設計具有
2023-08-08 09:58:280 IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統稱NTC）用于溫度檢測，如圖1所示。在實際應用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-08-03 09:31:33531 
本文介紹了一種通過SCR并聯穩壓器電路保護電容式LED驅動器電路的有效方法，并解釋了它如何防止濾波電容器爆炸和LED損壞。
2023-07-11 14:44:16821 
IGBT的開關特性是通過對門極電容進行充放電來控制的，實際應用中經常使用＋15V的正電壓對IGBT進行開通，再由-5V…-8V…-15V的負電壓進行關斷。
2023-07-04 14:54:051690 
盡管當前全球半導體產業處于下行周期，總體市場氛圍需求不振，但依然存在IGBT等少數供不應求的領域。消息稱，英飛凌、意法半導體國外大廠IGBT交期均在50周以上，產能緊張或將持續至2025年。而這
2023-06-19 15:35:08360 IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模塊主要由若干混聯的IGBT芯片構成，個芯片之間通過鋁導線實現電氣連接。標準的IGBT封裝中，單個IGBT還會并有續流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231257 
每次談到IGBT都要把它的優點先說一遍，就當我嘮叨了。IGBT結合了電力場效應管和電力晶體管導通、關斷機制的優點，相比于其他大功率開關器件，IGBT的驅動功率小、開關速度快、沒有二次擊穿效應且易于并聯。
2023-05-25 17:31:342956 
之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺
2023-05-25 17:24:253995 
一般情況下，常見的IGBT主要定義的是其正向阻斷電壓，而反向阻斷電壓一般不會在Datasheet中被提及到，這是因為IGBT通常會反并聯續流二極管
2023-05-25 17:21:031078 
一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結構和工作原理，不同的行業對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關器件，開通和關斷的過程
2023-05-25 17:16:251261 
IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統稱NTC）用于溫度檢測。在實際應用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-05-05 10:52:141600 
有關并聯電路的知識，在電路中將不同的元件首首相連，同時尾尾相連在一起，這種電路連接方式，就稱為并聯電路，怎么計算并聯電路的電壓與電流，并聯電路的特點有哪些，下面來了解下。
2023-05-02 16:44:005002 
信號驅動時，時常會無奈發生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。以1700V/1000A IGBT4 E4來看，規格書中在結溫Tvj.op
2023-04-19 09:27:11569 IGBT由柵極（G）、發射（E）和集電極（C）三個極控制。 如圖1，IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。 反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷
2023-04-08 09:36:261455 IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。
2023-04-01 11:31:371751 紹，企業預防并聯電容器出現故障的方法。 確保電容器質量 并聯電容器的質量，是其安全運行的前提。質量差的并聯電容器在運行時，會出現鼓肚、漏油、著火、燃燒等故障且使用壽命較短。庫克庫伯是進口電力電容器廠家，生產的并聯電容
2023-03-24 11:35:21565 
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