摘要

一種光刻圖案化方法包括在基板上形成第一抗蝕劑圖案，第一抗蝕劑圖案在基板上包括多個開口；在基板上以及在第一抗蝕劑圖案的多個開口內形成第二抗蝕劑圖案，第二抗蝕劑圖案在基板上包括至少一個開口。去除第一抗蝕劑圖案以露出第一抗蝕劑圖案下方的基板。

背景

半導體技術不斷發展到更小的特征尺寸，例如縮小到 65 納米、45 納米及以下的特征尺寸。用于產生如此小的特征尺寸的圖案化光刻膠（抗蝕劑）層通常具有高縱橫比。由于各種原因，尤其是對于具有高縱橫比的抗蝕劑層，保持所需的臨界尺寸 (CD) 可能非常困難。引入雙重圖案化工藝以形成具有更小尺寸的各種特征。然而，傳統的雙重圖案化工藝涉及多個蝕刻工藝，制造成本高且產量低。

詳細說明

應當理解，以下公開提供了許多不同的實施例或示例，用于實現各種實施例的不同特征。下面描述部件和布置的具體示例以簡化本公開。當然，這些僅是 55 個示例，并非旨在進行限制。例如，在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征直接接觸形成的實施例，并且還可以包括其中可以在之間形成另外的60個特征的實施例。第一和第二特征，使得第一和第二特征可以不直接接觸。此外，本公開可以在各種示例中重復參考數字和/或字母。

底層材料層可以包括在各種應用中具有不同功能的多個膜。在一實施例中，在基板 上形成材料層 。材料層112包括介電材料。在一個示例中，材料層 包括氧化硅和/或低介電常數（低k）材料。在其他實例中，材料層112可包括硅、多晶硅、介電材料、導電材料或其組合。材料層的厚度可介于約100埃至約9000埃之間。在一實例中，材料層的厚度范圍介于約1000埃至3500埃之間。在一實施例中，材料層112包括介電材料fbr層間介電(ILD)或金屬間介電(IMD)。

結論

本文還提供了雙重圖案化方法的另一個實施例。該方法包括在基板上形成正抗蝕劑圖案，該正抗蝕劑圖案包括多個正抗蝕劑特征；在襯底上和由多個正抗蝕劑特征限定的開口內形成負抗蝕劑層，其中正抗蝕劑圖案包括基本上沒有負抗蝕劑層的頂面；暴露負抗蝕劑層，在襯底上定義多個未暴露的負抗蝕劑特征；并施加溶劑以去除正抗蝕劑圖案。

審核編輯：符乾江