公司發(fā)展,掌握國際領(lǐng)先的第三代半導體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列,可以替換英飛凌、安森美、意法半導體、富士、三菱、科銳cree等品牌的產(chǎn)品
2024-03-18 11:39:25
隨著5G技術(shù)的迅猛發(fā)展和廣泛應用,紫光展銳作為通信行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),不斷加大對5G垂直行業(yè)的投入與研發(fā),引領(lǐng)著5G標準從R15到R16,再到R17的演進。紫光展銳攜手眾多生態(tài)合作伙伴,共同推出了一系列創(chuàng)新性解決方案,特別是在5G RedCap和5G新通話等領(lǐng)域取得了顯著的新突破。
2024-03-11 09:44:34106 FPGA,即現(xiàn)場可編程門陣列,作為可重構(gòu)電路芯片,已經(jīng)成為行業(yè)“萬能芯片”,在通信系統(tǒng)、數(shù)字信息處理、視頻圖像處理、高速接口設(shè)計等方面都有不俗的表現(xiàn)。近幾年,隨著國家戰(zhàn)略支持和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,國產(chǎn)FPGA
2024-03-01 19:02:59
FPGA,即現(xiàn)場可編程門陣列,作為可重構(gòu)電路芯片,已經(jīng)成為行業(yè)“萬能芯片”,在通信系統(tǒng)、數(shù)字信息處理、視頻圖像處理、高速接口設(shè)計等方面都有不俗的表現(xiàn)。近幾年,隨著國家戰(zhàn)略支持和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,國產(chǎn)
2024-03-01 15:16:13
**一、微弧氧化脈沖電源技術(shù)原理**微弧氧化脈沖電源技術(shù)是一種基于電化學原理的電源技術(shù)。其工作原理是利用脈沖電流在電解質(zhì)中產(chǎn)生的電化學反應,使金屬表面形成一層致密的氧化膜,從而提高金屬表面的耐磨性
2024-02-25 17:57:30
有限公司,技術(shù)骨干來自清華大學和韓國延世大學,掌握國際領(lǐng)先的碳化硅器件技術(shù),slkor愿景是成為“半導體行業(yè)領(lǐng)導者”。產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等三大系列,發(fā)展成為集成電路設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)
2024-02-02 09:52:12
請問紫光同創(chuàng)FPGA有哪些型號?分別用于什么場景?
2024-01-24 10:48:12
紫光同創(chuàng)是紫光集團旗下紫光國微的子公司,成立于2013年,有十余年可編程邏輯器件研發(fā)經(jīng)歷,布局覆蓋高中低端FPGA產(chǎn)品。
早在2015年,紫光同創(chuàng)就成功推出國內(nèi)第一款實現(xiàn)千萬門級規(guī)模的全自主知識產(chǎn)權(quán)
2024-01-24 10:45:40
近期,紫光展銳憑借在技術(shù)和產(chǎn)品創(chuàng)新領(lǐng)域的實力和成果,接連斬獲多項行業(yè)重要榮譽。
2024-01-20 17:21:00909 的行列中,推出相關(guān)產(chǎn)品。
國內(nèi)規(guī)模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產(chǎn)品,而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進入車規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比,這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎?
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路,采樣的全隔離的驅(qū)動方案,但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高,不知道為啥?是因為驅(qū)動芯片的原因嗎?上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的功率半導體器件,具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優(yōu)點: 1.高頻率特性:GaN芯片具有優(yōu)秀的高頻特性,可以實現(xiàn)高頻率工作,適合用于射頻和微波
2024-01-10 10:16:52467 氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應用的潛力。以下是幾個氮化鎵芯片的應用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵作為材料,而硅芯片則采用硅作為材料。氮化鎵具有優(yōu)秀的物理特性,包括較高的電子與空穴遷移率、較高的飽和電子漂移速度和較高的擊穿電壓等,這些特性使得氮化鎵芯片在高功率、高頻率和高溫環(huán)境下表現(xiàn)出較好的性能。
2024-01-10 10:08:14512 ,并對目前市場上的幾種主要氮化鎵芯片進行比較分析,幫助讀者了解不同型號芯片的特點和適用場景。 一、氮化鎵芯片的基本原理 氮化鎵(GaN)是一種硅基半導體材料,具有較高的載流子遷移率和較大的擊穿電場強度,使其具備優(yōu)秀的高
2024-01-10 09:25:57354 ,22年獲得優(yōu)勝獎后,連續(xù)第三年參加該項競賽并獲表彰。
深圳市福田區(qū)2023年職工“五小”創(chuàng)新與質(zhì)量技術(shù)成果競賽是一項旨在鼓勵和促進員工積極參與創(chuàng)新和質(zhì)量改進活動的競賽。該競賽活動涵蓋各類組織的員工
2024-01-04 12:01:23
。 在同期舉辦的2023電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會上,宏微科技憑借先進的技術(shù)實力和創(chuàng)新的產(chǎn)品能力,榮獲“ 國產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎 ”、 “ 功率器件-IGBT行業(yè)優(yōu)秀獎 ” 雙料大獎。 世紀電源網(wǎng)是電源行業(yè)有影響力的技術(shù)交流 平 臺,此次評選通過
2023-12-26 20:00:02304 瑞芯微RK2606USB驅(qū)動軟件求分享!
謝謝大師們!
2023-12-21 10:46:16
泛海微Fhchip-OC6700 升壓恒流芯片泛海微Fhchip-OC6700是一款專為LED照明應用設(shè)計的升壓恒流芯片。它集成了最新的功率MOSFET和PWM控制技術(shù),具有高效率、高可靠性、高精度
2023-12-20 21:54:50
、高可靠性、高穩(wěn)定性等特點,為LED照明和背光應用提供了優(yōu)秀的解決方案。一、高效穩(wěn)定泛海微Fhchip-OC3002采用最新的芯片技術(shù),具有高效率、高穩(wěn)定性的特點。它采用
2023-12-20 21:52:41
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
年會千峰之夜頒獎晚宴上,在一百余位產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)決策人、投資人及業(yè)界人士的共同見證下,2023產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)千峰獎正式揭曉。華秋憑借其卓越的數(shù)字化實力和創(chuàng)新能力,在眾多優(yōu)秀的候選者中脫穎而出,榮獲了
2023-12-15 09:57:04
年會千峰之夜頒獎晚宴上,在一百余位產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)決策人、投資人及業(yè)界人士的共同見證下,2023產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)千峰獎正式揭曉。華秋憑借其卓越的數(shù)字化實力和創(chuàng)新能力,在眾多優(yōu)秀的候選者中脫穎而出,榮獲了
2023-12-15 09:53:36
項“杰出二等獎” 和 26項“優(yōu)秀三等獎”。 此次 活動旨推進ICT應用基礎(chǔ)研究,突出 關(guān)鍵核心技術(shù) 、為城市或行業(yè)ICT深度應用尋找“中國樣本”,助推經(jīng)濟社會數(shù)字化轉(zhuǎn)型和高質(zhì)量發(fā)展。 5項“卓越一等獎” ??? ?引領(lǐng)ICT技術(shù)創(chuàng)新? ? ? 基于中興通訊GoldenDB分布式數(shù)
2023-12-11 18:05:02206 深圳市三佛科技有限公司供應FT838NB1-RT輝芒微SOP8電源管理芯片,原裝現(xiàn)貨FT838NB1-RT輝芒微SOP8電源管理芯片產(chǎn)品介紹:FT838NB1/NB2是一種先進的國產(chǎn)集成芯片,由
2023-11-30 15:48:30
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件,將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件,具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點,被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151100 鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。 GaN是極穩(wěn)定的化合物,又是堅硬的高熔點材料,熔點約為17
2023-11-24 11:05:11822 在測量微電流時,由于電流的正負都可能出現(xiàn),進行I-V轉(zhuǎn)換后,電壓也是正負都可能出現(xiàn),我的芯片是ADUCM360,它的內(nèi)置AD只能測量正電壓,怎樣才能測量正負微電流呢?我運放 用的是AD8605,求測量正負電流的電路圖
2023-11-22 06:25:31
基于瑞芯微RK3588芯片平臺設(shè)計的多功能行業(yè)應用板LKD3588是基于瑞芯微RK3588芯片平臺精心設(shè)計的一款多功能行業(yè)應用板,其由LCB3588核心模塊與底板組成。核心模塊與底板采用B2B連接器
2023-11-21 18:51:36
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領(lǐng)域,如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 【法國,巴黎,2023年11月16日】在2023年華為全聯(lián)接大會巴黎站的第二天,華為表示其業(yè)界領(lǐng)先的ICT創(chuàng)新技術(shù)將助力歐洲千行百業(yè)加速實現(xiàn)綠色和數(shù)字化轉(zhuǎn)型。 ICT創(chuàng)新助力全行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型 華為
2023-11-17 20:55:02319 近日,2023中國眼谷眼視光創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)全球挑戰(zhàn)賽總決賽落下帷幕,經(jīng)過多輪激烈又精彩的角逐,靈犀微光從眾多的全球前沿眼健康科技項目中脫穎而出,榮獲本次大賽優(yōu)秀獎。
2023-11-15 17:30:36273 ",“雙目路面預瞄(魔毯)系統(tǒng)”榮獲“2023第八屆鈴軒獎-量產(chǎn)-智能駕駛類優(yōu)秀獎”。此次獲獎,體現(xiàn)了行業(yè)評委會對保隆科技ADAS系統(tǒng)方案的認可,也凸顯了保隆科技自身過硬的綜合開發(fā)實力和市場競爭力!
2023-11-13 16:46:18988 芯片T97-315E 憑借領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢 和 市場表現(xiàn) 獲頒第八屆鈴軒獎-量產(chǎn)·集成電路類·優(yōu)秀獎。 量產(chǎn)實力,權(quán)威認可 紫光汽車芯方案獲行業(yè)大獎 作為 中國汽車零部件年度貢獻獎——鈴軒獎 ,自2016年創(chuàng)立以來,已經(jīng)發(fā)展成為 中國最具權(quán)威的汽車供應鏈企業(yè)產(chǎn)品和技術(shù)評價
2023-11-12 19:10:01482 獲獎的團隊作品涌現(xiàn)出很多創(chuàng)新亮點,充分體現(xiàn)了開源生態(tài)蓬勃共建的良好勢頭和巨大潛力。
一等獎花落選擇行業(yè)使能賽隊的華中科技大學“名稱暫定隊”賽隊,他們提交的病床巡檢終端作品,能夠更快速、方便地獲取病床
2023-11-07 17:10:05
微能量MF9006,+V13715153786,是一款微光下能發(fā)電給設(shè)備供電的芯片,對便攜式,低功耗設(shè)備,具有增加設(shè)備續(xù)航能力,微光下永不停電,綠色環(huán)保
2023-11-06 20:11:36
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發(fā),結(jié)合實際使用場景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景,如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同,因此在選擇氮化鎵芯片時,要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:18412 近日,國家知識產(chǎn)權(quán)局發(fā)布《國家知識產(chǎn)權(quán)局關(guān)于第二十四屆中國專利獎授獎的決定》,其中和芯星通發(fā)明專利《一種基于GNSS接收機的授時方法及GNSS接收機》(專利號:201910039569.1)獲得第二十四屆中國專利優(yōu)秀獎。
2023-10-25 16:14:18327 將單片機接入到微信上是如何實現(xiàn)的?
2023-10-23 08:16:28
作為第三代半導體材料,氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點,是制作功率芯片的理想材料。如今,電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率,減少熱量的產(chǎn)生,并且縮小了充電器的體積,使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33414 總決賽,斬獲殊榮!
本篇優(yōu)秀作品:2023集創(chuàng)賽全國總決賽紫光同創(chuàng)杯賽一等獎獲獎作品,來自東莞理工+BugMaker的內(nèi)容分享。
獲獎作品:《基于紫光同創(chuàng)FPGA的圖像采集及AI加速》獲獎隊伍: 東莞
2023-09-22 16:24:14
賦能,載譽而歸。此次華大北斗斬獲“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎,再次體現(xiàn)了其在北斗GNSS衛(wèi)星導航定位芯片領(lǐng)域收獲的行業(yè)認可。未來,公司將繼續(xù)通過核心產(chǎn)品研發(fā)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)布局,為推動北斗規(guī)模應用貢獻“中國芯”力量。
2023-09-22 14:46:30
2023年中國芯“優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品”獎 。 持續(xù)創(chuàng)新 又雙叒叕獲得業(yè)內(nèi)權(quán)威肯定! “中國芯”活動由廣東省工業(yè)和信息化廳、中國半導體行業(yè)協(xié)會指導,中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院、珠海市人民政府和橫琴粵澳深度合作區(qū)執(zhí)行委員會聯(lián)合主辦, 被譽為集成電路產(chǎn)品和技術(shù)
2023-09-22 11:55:02559 ,一板多用,滿足多方位的開發(fā)需求。
盤古22K開發(fā)板詳情
盤古22K開發(fā)板(MES22GP)是基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國產(chǎn)FPGA開發(fā)套件。開發(fā)板電源采用
2023-09-21 18:16:52
脫穎而出,一路沖刺到全國總決賽,斬獲殊榮!
本篇優(yōu)秀作品:2023集創(chuàng)賽全國總決賽紫光同創(chuàng)杯賽一等獎獲獎作品,來自北京郵電大學+逐日隊的內(nèi)容分享。
獲獎作品:《多通道高性能視頻采集與加速系統(tǒng)》
獲獎
2023-09-21 17:34:51
伍提交作品
OpenHarmony創(chuàng)新賽特別設(shè)立“創(chuàng)新激勵獎”!
前100名按要求提交完整作品的參賽隊伍
即可獲得激勵獎——創(chuàng)新賽周邊限定禮包一份!
PS:按照提交代碼倉的時間排序前100位,
賽事結(jié)束
2023-09-21 15:32:17
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。
2023-09-11 17:17:531560 納微半導體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù),創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件(PDK),以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器,邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)
2023-09-01 14:46:04409 40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國產(chǎn)FPGA開發(fā)套件。開發(fā)板電源采用圣邦微SGM61032解決方案,HDMI 接口采用宏晶微 MS7200方案,更大程度實現(xiàn)國產(chǎn)化。預留 HDMI
2023-08-31 14:21:56
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-28 17:03:082027 、Qorvo、廣芯微、順絡(luò)電子、兆訊等全球嵌入式與AIoT行業(yè)廠商重磅亮相,呈現(xiàn)一場國內(nèi)AI的饕餮盛宴!
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當前,不論是汽車的電動化智能化,還是芯片技術(shù)在PPA道路上的演進,最終都是在應用端
2023-08-24 11:49:00
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時,GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
如下:
1)直接發(fā)送給小眼睛科技微信客服,在小眼睛科技微信公眾號“小眼睛FPGA”進行推文發(fā)表,優(yōu)質(zhì)文章將直接推薦在紫光同創(chuàng)官微發(fā)表;
2)自行在電子發(fā)燒友FPGA開發(fā)者技術(shù)社區(qū)發(fā)表,地址鏈接如下
2023-08-21 16:16:13
主控芯片_logos2系列 :PG2L100H-6IFBG676,板卡電源采用圣邦微(SGM61132)+ 艾諾(EZ8303)解決方案,HDMI 接口采用宏晶微MS7200和MS7210,更大程度實現(xiàn)
2023-08-11 11:40:32
控制系統(tǒng)》榮獲優(yōu)秀獎。這已經(jīng)是ZLG致遠電子連續(xù)四屆獲得此獎項了,再次證明了致遠電子在技術(shù)創(chuàng)新和行業(yè)貢獻方面的卓越地位。中國專利獎由國家知識產(chǎn)權(quán)局于1989年設(shè)立
2023-07-31 23:24:41352 相對于傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少,因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下,氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233602 《基于嵌入式系統(tǒng)的外設(shè)控制系統(tǒng)》 榮獲優(yōu)秀獎。這已經(jīng)是ZLG致遠電子連續(xù)四屆獲得此獎項了,再次證明了致遠電子在技術(shù)創(chuàng)新和行業(yè)貢獻方面的卓越地位。 中國專利獎由國家知識產(chǎn)權(quán)局于1989年設(shè)立,是我國唯一的專門對授予專利權(quán)的發(fā)明創(chuàng)造給予獎勵的政
2023-07-24 17:40:02379 深圳市三佛科技有限公司供應PN8044芯朋微DIP8封裝18V300MA非隔離電源芯片,原裝,庫存現(xiàn)貨 PN8044芯朋微DIP8封裝18V300MA非隔離電源芯片 產(chǎn)品介紹:PN8044
2023-07-10 14:01:38
深圳市三佛科技有限公司供應PN8034芯朋微12V300MA DIP7非隔離電源芯片,原裝現(xiàn)貨 PN8034芯朋微12V300MA DIP7非隔離電源芯片概述
2023-07-10 11:39:04
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷 NCP1342原裝65W氮化鎵快充電源主控芯片特性集成高壓啟動電路,帶停電檢測集成X2電容放電
2023-07-05 15:38:22
在2023 MWC上海期間,華為舉行產(chǎn)品與解決方案創(chuàng)新實踐發(fā)布會,發(fā)布ICT服務與軟件最新創(chuàng)新實踐,與全球運營商及行業(yè)客戶一起持續(xù)使能行業(yè)數(shù)智化轉(zhuǎn)型。 華為全球技術(shù)服務部副總裁荀速表示,基于創(chuàng)新
2023-07-04 15:40:52341 ? 紫光集團旗下核心企業(yè)紫光展銳,是世界領(lǐng)先的平臺型芯片設(shè)計公司,全球公開市場3家5G芯片企業(yè)之一。 紫光集團高度重視紫光展銳在通信領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)與持續(xù)增長,為進一步助力紫光展銳的高質(zhì)量發(fā)展,加強
2023-06-27 09:12:12162 ,氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件,使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設(shè)計。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能,有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
33μF400V。
另一顆規(guī)格為47μF400V。
差模電感采用磁環(huán)繞制,外套熱縮管絕緣。
橙果這款65W氮化鎵充電器內(nèi)部采用兩路PI的電源芯片,對應兩顆不同大小的變壓器,組成兩路快充電源。其中
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關(guān)的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業(yè)“主力”開關(guān)速度慢,損耗低?MOSFET:更快的開關(guān),更好?氮化鎵:幾乎沒有開關(guān)損耗
2023-06-16 11:31:56
通過SMT封裝,GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
超低的電阻和電容,開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力,電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后,氮化鎵充電器的開關(guān)頻率,已經(jīng)從 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
鎵在自然界中不以元素形式存在。它通常是在鋁土礦加工成鋁的過程中,或閃鋅礦提煉為鋅的過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品。因此鎵的提取和精煉,碳足跡非常低。
鎵每年產(chǎn)量超過 300 噸,預計全世界的存儲量超過 100
2023-06-15 15:50:54
的設(shè)計和集成度,已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體,其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計,如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心,都升級為使用氮化鎵功率芯片器件,那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵,由鎵(原子序數(shù) 31)和氮(原子序數(shù) 7)結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷(低電容)、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件,以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率(65kHz)相比,集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast? 功率芯片,可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量節(jié)約方面,它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快:氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究,始于 2009 年左右的香港科技大學,但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn),則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
行業(yè)標準,成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件,即一個能將最小能量的數(shù)字信號,轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
。共計推薦98個項目晉級深創(chuàng)賽半決賽。在過往八屆賽事參賽項目,累計在中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽(國賽)項目路演評選中獲得1個二等獎,4個優(yōu)秀獎。
全國科技工作者日,致敬硬創(chuàng)先鋒
時值5月30日全國科技工作者日
2023-06-01 13:47:41
的應用特點,開發(fā)的一套全新的國產(chǎn)FPGA開發(fā)套件。MES100P開發(fā)板采用紫光同創(chuàng)28nm工藝的FPGA 作為主控芯片(logos2系列:PG2L100H-6IFBG676),板卡電源采用圣邦微
2023-04-13 16:23:47
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件,它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導體器件相比,合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù),將多個半導體器件集成在一個芯片上,使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 高性價比板卡。紫光盤古22K開發(fā)板聯(lián)系我們:公司官網(wǎng):www.meyesemi.com微信/電話:***淘寶店鋪:https://shop372525434.taobao.comOr 搜索淘寶店鋪:小眼睛半導體微信公眾號:小眼睛FPGA
2023-04-11 16:25:46
常軍鋒先生、監(jiān)事長朱小安先生分別進行了產(chǎn)業(yè)總結(jié)報告、深半?yún)f(xié)工作總結(jié)匯報。隨后,在現(xiàn)場的頒獎儀式上,華秋電子憑借專注的電子產(chǎn)業(yè)一站式服務能力,以及與深圳市半導體行業(yè)協(xié)會全方位、多領(lǐng)域的深度合作,榮獲優(yōu)秀
2023-04-03 15:28:32
自氮化鎵進軍快充市場以來,不過短短幾年時間,其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性,使得采用氮化鎵功率芯片的充電器, 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充電器的一半的前提下,提升3倍的充電速度, 迅速
2023-03-28 13:58:021193 ,可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式,同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能;當負載降低時,芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率,空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓,可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管;芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式,同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能;當負載降低時,芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率,空載待機
2023-03-28 10:24:46
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