藍寶石LED蝕刻的新要求

介紹

藍寶石LED蝕刻的新要求已經(jīng)被引入，因為LED照明的新應用正在推動正確，壽命和穩(wěn)定性的極限。量子效率的提高正在推動新的垂直結(jié)構，需要額外的蝕刻要求。蝕刻這些結(jié)構有獨特的高溫要求，實現(xiàn)比傳統(tǒng)方法提高10倍的吞吐量。雖然大多數(shù)公司使用干式蝕刻工藝來創(chuàng)建圖案表面，但干式蝕刻的缺點并不小，包括加工設備的成本高，吞吐量低，擴展性差等等。這種不利因素促使許多人重新燃起對濕法蝕刻的興趣。歷史上，標準工藝浴槽的溫度限制為190°C。藍寶石蝕刻速率隨溫度呈幾何級數(shù)增長，因此需要一個能達到300度工藝溫度的系統(tǒng)。高溫濕法蝕刻比干法蝕刻便宜得多，而且速度也更快。

在高溫濕法蝕刻過程中，用SiO2掩蓋的晶片被放置在高溫工藝槽中，槽中有蝕刻劑和緩沖劑的混合物:硫酸和磷酸，通常以1:1或3:1的比例。在浸沒之前，等離子體增強的化學蒸汽過程在藍寶石襯底上旋轉(zhuǎn)二氧化硅掩膜，光刻暴露所需的圖案。這種混合物的溫度范圍在260 - 300°C之間，遠遠高于傳統(tǒng)半導體制造中使用的150 - 180°C。

藍寶石晶圓濕法與干法蝕刻

LED有著非常光明的未來。根據(jù)strategy Unlimited (SU)發(fā)布的一份市場研究報告，高亮度(HB) LED市場在2009年至2010年間經(jīng)歷了93%的增長。 2009年，盒裝HB led的全球市場為56億美元。 2010年，這一數(shù)字增至108億美元。 SU預測，到2015年，全球市場價值將達到189億美元，復合年增長率(CAGR)為11.8%。盡管前景樂觀，但仍有一個因素可能抑制LED市場的增長:高(且不斷增長的)生產(chǎn)成本。

　　審核編輯：湯梓紅

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工藝(28544) 工藝(28544)
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中微投資！芯元基Micro LED印章巨量轉(zhuǎn)移重大突破

芯元基由行業(yè)資深專家郝茂盛博士于2014年創(chuàng)辦，上海創(chuàng)徒、張江科投、中微半導體等先后進行了投資，并在上海臨港建設了中試生產(chǎn)線。經(jīng)過5年多的潛心研發(fā)，芯元基已經(jīng)形成了以藍寶石復合圖形襯底技術（DPSS）

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PCB的蝕刻工藝及過程控制

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2023-12-06 15:03:45

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PCB堿性蝕刻常見問題原因及解決方法

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2023-12-06 15:01:46

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不同氮化鎵蝕刻技術的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成

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在氮化鎵和AlGaN上的濕式數(shù)字蝕刻

由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構。

2023-11-30 09:01:58

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FCC認證 | KDB484596 D01數(shù)據(jù)引用規(guī)則新要求發(fā)布

美國FCC發(fā)布數(shù)據(jù)引用規(guī)則的新要求《KDB 484596 D01 Referencing Test Data v02》。484596 D01 Referencing Test Data v02取代

2023-11-24 16:05:42

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氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻法

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2023-11-24 14:10:30

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LED燈具對低壓驅(qū)動芯片的要求

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2023-11-15 11:20:20

PCB加工之蝕刻質(zhì)量及先期問題分析

蝕刻設備的結(jié)構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結(jié)構問題，后面的章節(jié)將專門討論。

2023-11-14 15:23:10

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自動蝕刻機物聯(lián)網(wǎng)助力監(jiān)控運維更加高效

自動蝕刻機是利用電解作用或化學反應對金屬板進行處理，以獲得所需圖紋、花紋、幾何形狀的自動化設備，廣泛應用于芯片、數(shù)碼、航空、機械、標牌等領域中。現(xiàn)有一家蝕刻機設備制造商，要求對全國各地的蝕刻機設

2023-11-08 13:59:52

146

藍思科技：已有多款高端旗艦手機在量產(chǎn)組裝正在加班加點開展Q4訂單生產(chǎn)

現(xiàn)在藍思科技業(yè)務范圍包括智能手機和電腦、智能頭顯與智能穿戴、新能源汽車及智能駕駛艙等智能終端的結(jié)構件、模組、組裝結(jié)構、金屬，藍寶石玻璃、陶瓷、塑料、碳纖維等新材料和世界著名家電和汽車品牌長期、建立了穩(wěn)定的戰(zhàn)略合作關系。

2023-11-06 10:34:22

312

歐盟對LED燈最新生態(tài)設計要求分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《歐盟對LED燈最新生態(tài)設計要求分析.pdf》資料免費下載

2023-11-03 09:25:10

第三代半導體GaN產(chǎn)業(yè)鏈研究

功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技術是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已經(jīng)在手機快充上大量出貨。國內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍寶石基氮化鎵高壓保護開關器件，單管耐壓2000V

2023-10-18 15:59:20

LED路燈有哪些技術要求?

發(fā)生變化時，保證其工作電流值不變。因此可以解決這個問題，散熱器的效果LED路燈電源、電源恒流精度LED路燈市場上的一些電源恒流精度較差，市面上流行的LED路燈推薦等方案，誤差達±8%，恒流誤差過大，總體要求±3%即可，按照百分之三的設計方案，生

2023-10-18 10:22:56

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印制電路噴淋蝕刻精細線路流體力學模型分析

在精細印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一。現(xiàn)有很多的文章對精細線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒有從本質(zhì)上認識噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問題。

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PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素

蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導線側(cè)壁接近垂直。

2023-10-16 15:04:35

553

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

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2023-10-12 14:11:32

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LED顯示屏怎么選擇型號？有哪些技巧？

室內(nèi)LED顯示屏和室外LED顯示屏的亮度要求是不一樣的，比如室內(nèi)要求亮度大于800cd/m，半室內(nèi)要求亮度大于2000CD/M2；

2023-10-11 09:55:43

239

關于氮化鎵的干蝕刻綜述

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2023-10-07 15:43:56

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TüV萊茵舉辦線上研討會，探討歐盟車輛設計與回收新要求

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銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。

2023-09-22 09:57:23

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PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細節(jié)問題

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。

2023-09-18 11:06:30

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TDG 23版新增鈉離子電池運輸要求

鈉離子電池因其成本與環(huán)保等優(yōu)勢，應用范圍越來越廣，相關法規(guī)及標準也在不斷完善。近期，聯(lián)合國《關于危險貨物運輸?shù)慕ㄗh書規(guī)章范本》（以下簡稱TDG）第23修訂版已發(fā)布。鈉離子電池運輸規(guī)定新要求01新增

2023-09-15 16:26:20

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淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問題

要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。

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474

藍寶石振蕩器和光電振蕩器有什么區(qū)別呢？

光電振蕩器（Optoelectronic oscillator,OEO）一般是由光源、強度調(diào)制器、濾波器、光電探測器(PD)構成的具有正反饋光電混合回路的微波光子自激振蕩系統(tǒng)。

2023-09-07 14:06:58

506

pcb蝕刻是什么意思

　在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

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人工智能/機器學習使原型設計變得越來越具有挑戰(zhàn)性

不斷的更新、更多的變量以及對性能的新要求正在推動設計前端發(fā)生變化。

2023-09-04 11:03:39

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使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導制造與蝕刻材料對非晶硅進行納米級厚度控制

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半導體蝕刻系統(tǒng)市場預計增長到2028年的120億美元，復合年增長率為2.5%

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LED晶膜屏全方位講解

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如何實現(xiàn)PCB蝕刻工藝中的均勻性呢？有哪些方法？

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2023-08-10 18:25:43

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2023-08-04 15:03:20

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LED驅(qū)動電源CE認證要求是什么?

)等。LED驅(qū)動電源出口歐盟的話是需要辦理CE認證的，那么LED驅(qū)動電源CE認證的要求是什么呢？19107516775 LED驅(qū)動電源CE認證要求包括2個部分:EMC和LVD，一、EMC,包括EMS和EMI

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2023-07-28 15:16:59

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LED芯片對使用的錫膏有什么要求？操作不同嗎？

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解析LED晶膜屏與LED貼膜屏的區(qū)別

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深度剖析串聯(lián)LED照明的電路保護

其藍寶石襯底，對附近雷擊引起的電壓瞬變非常敏感。即使在家庭應用中，LED燈串仍然需要靜電放電（ESD）保護，以確保整個組件的長期可靠運行。在沒有這種保護的情況下，如果串聯(lián)中的一個LED發(fā)生故障并且電路斷開，則所有其他LED都將熄滅。

2023-06-30 14:38:51

2105

越南MIC發(fā)布發(fā)證新要求：制造商沒有分公司不再簽發(fā)型式認可證書

越南MIC發(fā)布發(fā)證新要求近期越南信息和通信部MIC(vnta)的發(fā)證中心發(fā)布發(fā)證新要求---制造商在越南當?shù)貨]有分公司且制造商有任何工廠，不再簽發(fā)型式認可證書，可以繼續(xù)簽發(fā)證書的條件如下：可以繼續(xù)

2023-06-30 06:00:00

477

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側(cè)壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究

2023-06-27 13:24:11

318

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質(zhì)非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。

2023-06-26 13:32:44

1053

III族氮化物半導體外延層薄膜

基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍寶石模板，藍寶石氮化預處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯threading dislocations的再生。

2023-06-25 16:26:11

359

上海伯東大口徑射頻離子源成功應用于12英寸IBE 離子束蝕刻機

上海伯東美國?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機, 實現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕

2023-06-15 14:58:47

665

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業(yè)開發(fā)先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應。

2023-06-15 11:05:05

526

遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。

2023-06-14 11:03:53

1779

你見過由藍寶石基板制作的陶瓷電路板嗎？

陶瓷電路板

slt123發(fā)布于 2023-06-09 14:20:36

5G技術大發(fā)展，PCB板廠工藝和技術新要求，你都了解嗎

、可靠性、電性能、熱性能和產(chǎn)品品質(zhì)要求嚴格，而且要求產(chǎn)品使用壽命達到十年以上，這就對PCB板廠工藝和技術提出了更高要求。近期，筆者從通訊領域行業(yè)專家的了解并學習到通訊產(chǎn)品對PCB的技術要求，現(xiàn)在分享給

2023-06-09 14:08:34

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。

2023-05-30 15:19:54

452

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。

2023-05-30 15:14:11

1071

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法

2023-05-29 09:42:40

618

“東數(shù)西算”對算力網(wǎng)絡高效傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">新要求

ERPC是一款自主研發(fā)的RPC遠程調(diào)用框架。相比較于同領域知名的框架（例如Apache Brpc），ERPC針對高性能存儲以及算力網(wǎng)絡場景設計了高效的IO線程模型。并即將搭載于移動云“高性能極速云硬盤”的最新版本完成上云。未來ERPC將進一步演進成為移動云算力網(wǎng)絡傳輸?shù)男禄?/div>

2023-05-25 16:49:26

TiF-100鈦寶石飛秒激光器Ti:Sapphire固態(tài)飛秒振蕩器

TiF-100鈦寶石飛秒激光器Ti:Sapphire固態(tài)飛秒振蕩器產(chǎn)品簡介 TiF-100鈦寶石飛秒激光器Ti:Sapphire固態(tài)飛秒振蕩器激光

2023-05-24 15:02:45

如何在蝕刻工藝中實施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。

2023-05-19 10:27:31

575

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金

2023-05-18 16:23:48

4917

高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用

蝕刻是微結(jié)構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。

2023-05-18 09:13:12

700

藍寶石陶瓷基板在MEMS器件中發(fā)揮的作用

藍寶石是一種高硬度、高強度、高熔點的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm

2023-05-17 08:42:00

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國內(nèi)薄片飛秒激光器領域研究獲重大進展

摻鈦藍寶石晶體作為迄今產(chǎn)生超快激光最優(yōu)異的增益介質(zhì)，結(jié)合克爾透鏡鎖模(KLM)和啁咪脈沖放大(CPA)技術，可得到大于10PW的峰值功率及小于4fs的少周期脈沖，成為人們開展極端非線性光學

2023-05-16 10:07:59

492

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準備好為設備制造。

2023-05-16 10:03:00

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藍寶石RX580-8G白金版黑屏維修本來以為撿漏結(jié)果顯存還是有問題 #藍寶石顯卡維修 #顯卡維#硬聲創(chuàng)作季

電路維修

也許吧發(fā)布于 2023-05-15 08:57:55

上次礦難買的藍寶石470壞了，拆開看，供電直接少一組#硬聲創(chuàng)作季

電路維修

也許吧發(fā)布于 2023-05-15 08:21:37

再看一下這個藍寶石590，確認翻車#硬聲創(chuàng)作季

電路維修

也許吧發(fā)布于 2023-05-15 08:06:19

解讀IEC有關“雷擊防護”的新要求

有關“雷擊防護”的新要求表示符合I級、或II級、或III級實驗的地凱科技浪涌保護器SPD； 2. 在低壓裝置里安裝I級、II級、I

2023-05-10 10:28:04

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藍寶石580黑屏不顯示，問題看起來很嚴重，實際小問題#硬聲創(chuàng)作季

電腦/辦公電路維修

也許吧發(fā)布于 2023-05-09 12:42:03

藍寶石陶瓷電路板在MEMS器件發(fā)揮的作用

藍寶石是一種高硬度、高強度、高熔點的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點為2040℃。

2023-05-05 16:35:28

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氮化鎵（GaN）的晶體結(jié)構與性質(zhì)

生長中主要以藍寶石、Si、砷化鎵、氧化鎂等的立方相結(jié)構作為襯底，以（011）面為基面有可能得到比較穩(wěn)定的閃鋅礦結(jié)構的氮化鎵納米材料。

2023-04-29 16:41:00

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上海光機所在光學操控二維納米片運動方面獲得進展

研究團隊利用傳統(tǒng)的機械剝離法在藍寶石襯底上制備了二維金屬納米片，利用光學顯微鏡將飛秒脈沖激光垂直輻射在納米片上：當脈沖激光照射時，二維納米片開始運動，并在均勻光照區(qū)域內(nèi)持續(xù)運動，通過激光的移動來改變輻照區(qū)域

2023-04-28 10:35:17

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藍寶石陶瓷電路板在MEMS器件發(fā)揮的作用

藍寶石陶瓷基板是一種高硬度、高強度、高熔點的陶瓷材料，其主要成分是氧化鋁（Al2O3）。藍寶石陶瓷基板的制備方法是在高溫高壓下燒結(jié)制成。藍寶石陶瓷基板的晶體結(jié)構具有六方晶系，其晶體密度為3.98 g/cm3，熔點為2040℃。

2023-04-25 15:38:04

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光刻技術的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

2023-04-25 11:11:33

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《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技摘要采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷

2023-04-23 11:15:00

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LED驅(qū)動電源的設計與應用

1、LED燈具驅(qū)動工作原理； 2、LED光源工作原理； 3、LED燈具對驅(qū)動芯片的技術要求； 4、LED燈具的低電壓大電流驅(qū)動芯片； 5、LED燈具的高電壓中電流驅(qū)動芯片； 6、AC隔離LED驅(qū)動

2023-04-18 16:16:20

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應離子蝕刻

反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業(yè)中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。

2023-04-14 14:26:16

1253

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）

2023-04-12 14:54:33

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iPhone 13Pro 拆解！#賽翡藍寶石手機膜 #手機維修 #北京手機維修 ##賽翡藍寶石#硬聲創(chuàng)作季

電路維修產(chǎn)品拆解

也許吧發(fā)布于 2023-04-11 09:47:38

Roban系列飛秒激光加工系統(tǒng)應用案例

。左圖直徑800 mm、500 mm、 300 mm 和 200 mm 微孔陣列. 右圖直徑5mm、3mm、 2mm、1mm、800 mm and 500 mm 微孔圖樣。圖2. 藍寶石晶體表面光柵刻劃，周期2 mm和3 mm。圖3. 透明材料（藍寶石）內(nèi)部激光誘導折射率變化--衍射光柵審核編輯?黃宇

2023-04-06 07:43:13

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