光刻技術是什么,有哪些作用

光刻是在掩模中轉移幾何形狀圖案的過程，是覆蓋在表面的一層薄薄的輻射敏感材料(稱為抗輻射劑) ，也是一種半導體晶片。圖5.1簡要說明了光刻用于集成電路制造的工藝。如圖5.1(b)所示，輻射為通過口罩的透明部分傳播，使其暴露光刻膠不溶于顯影劑溶液，從而使之直接將掩模圖案轉移到晶圓上。在定義模式之后，需要采用蝕刻工藝選擇性地去除屏蔽部分基本層。光刻曝光的性能由三個參數決定: 分辨率、注冊和吞吐量。分辨率定義：半導體晶圓上的薄膜。注冊是衡量其準確性的一個指標連續掩模上的模式可以對齊或疊加在同一晶圓片上先前定義的圖案。吞吐量是數量每小時可以暴露在給定掩模水平下的晶圓。

光刻技術是什么,有哪些作用

潔凈室

集成電路制造設備需要一個潔凈室，特別是在光刻領域，沉積在半導體晶圓和光刻掩模上的灰塵顆?？赡茉斐稍O備缺陷。如圖5.2所示，空氣中的顆粒附著在掩模表面的圖案可以是不透明的隨后轉移到電路模式，從而導致不好的后果。例如，圖5.2中的粒子1可能導致底層有一個針孔粒子2可能引起的收縮電流在金屬流道中流動，而粒子3可能導致短路從而使電路失效。

光刻技術是什么,有哪些作用

審核編輯：湯梓紅

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晶圓(126258) 晶圓(126258)
工藝(28544) 工藝(28544)
光刻(29860) 光刻(29860)

納米壓印光刻技術應用在即，能否掀起芯片制造革命？

電子發燒友網報道（文/李寧遠）提及芯片制造，首先想到的自然是光刻機和光刻技術。而眾所周知，EUV光刻機產能有限而且成本高昂，業界一直都在探索不完全依賴于EUV光刻機來生產高端芯片的技術和工藝。納米

2024-03-09 00:15:00

2912

光刻廠落地雄安？中國電子院否認！真相是啥？

電子發燒友網報道（文/李彎彎）近期，各大視頻平臺瘋傳一條消息，稱清華大學EUV項目，把ASML的光刻機巨大化，實現了光刻機國產化，并表示這個項目已經在雄安新區落地，還在視頻中配了下面這張圖，表示圖片

2023-09-20 08:56:50

2579

繞開EUV光刻，下一代納米壓印光刻技術從存儲領域開始突圍

電子發燒友網報道（文/李寧遠）提及芯片制造技術，首先想到的自然是光刻機和光刻技術。眾所周知在芯片行業，光刻是芯片制造過程中最重要、最繁瑣、最具挑戰也最昂貴的一項工藝步驟。在光刻機的支持下，摩爾定律

2023-07-16 01:50:15

3008

光刻機的發展歷程及工藝流程

光刻機經歷了5代產品發展，每次改進和創新都顯著提升了光刻機所能實現的最小工藝節點。按照使用光源依次從g-line、i-line發展到KrF、ArF和EUV；按照工作原理依次從接觸接近式光刻機發展到浸沒步進式投影光刻機和極紫外式光刻機。

2024-03-21 11:31:41

芯片制造工藝：光學光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數工藝區域要求100級（空氣中每立方米內直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數不超過約3500）潔凈室，在光刻區域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 12:36:00

關于光刻膠的關鍵參數介紹

與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢撔?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠會在聚合物鏈之間產生鍵或交聯。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負像。

2024-03-20 11:36:50

195

電子束光刻的參數優化及常見問題介紹

本文從光刻圖案設計、特征尺寸、電鏡參數優化等方面介紹電子束光刻的參數優化，最后介紹了一些常見問題。

2024-03-17 14:33:52

174

傳光刻機巨頭ASML要搬離荷蘭？

據荷蘭《電訊報》3月6日報道，因荷蘭政府的反移民政策傾向，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃搬離荷蘭。

2024-03-08 14:02:15

179

淺談不同階段光刻機工作方式

在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機的縮放比為1:1，分辨率可達到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復接觸和分離，隨著曝光次數的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。

2024-03-08 10:42:37

一文解析半導體設計電路的“光刻工藝”

利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

2024-03-06 14:28:50

ASML光刻機技術的領航者，挑戰與機遇并存

ASML在半導體產業中扮演著舉足輕重的角色，其光刻機技術和市場地位對于全球半導體制造廠商來說都具有重要意義。

2024-03-05 11:26:00

123

光刻膠和光刻機的區別

光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。

2024-03-04 17:19:18

399

如何在芯片中減少光刻膠的使用量

光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時間蝕刻以形成深孔的應用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時間。

2024-03-04 10:49:16

131

基于SEM的電子束光刻技術開發及研究

電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設計圖形相符的微納結構。

2024-03-04 10:19:28

206

不同材料在晶圓級封裝中的作用

共讀好書本篇文章將探討用于晶圓級封裝（WLP）的各項材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統（WSS）中的粘合劑，這些材料均在晶圓級封裝中發揮著重要作用。光刻膠（Photoresists, PR

2024-02-18 18:16:31

277

佳能預計到2024年出貨納米壓印光刻機

Takeishi向英國《金融時報》表示，公司計劃于2024年開始出貨其納米壓印光刻機FPA-1200NZ2C，并補充說芯片可以輕松以低成本制造。2023年11月，該公司表示該設備的價格將比ASML的EUV機器便宜一位數。佳能表示，與利用光曝光電路圖案的傳統光刻技術不同，納米壓印光刻不需要光源，利用

2024-02-01 15:42:05

270

解析光刻芯片掩模的核心作用與設計

掩模在芯片制造中起到“底片”的作用，是一類不可或缺的晶圓制造材料，在芯片封裝（構筑芯片的外殼和與外部的連接)、平板顯示(TFT-LCD液晶屏和OLED屏〉、印刷電路板、微機電器件等用到光刻技術的領域也都能見到各種掩模的身影。

2024-01-18 10:25:22

145

光刻膠分類與市場結構

光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。

2024-01-03 18:12:21

346

改進芯片技術的關鍵因素——光刻技術

使用13.5nm波長的光進行成像的EUV光刻技術已被簡歷。先進的邏輯產品依賴于它，DRAM制造商已經開始大批量生產。

2023-12-29 15:22:31

172

英特爾搶下6種ASML HIGH NA光刻機

如果我們假設光刻機成本為 3.5 億至 4 億美元，并且 2024 年 10 個光刻機的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。

2023-12-28 11:31:39

406

激光微納加工技術詳解

激光微納加工技術利用激光脈沖與材料的非線性作用，可以<100nm精度實現傳統方法難以實現的復雜功能結構和器件的增材制造。而激光直寫（DLW）光刻是一項具有空間三維加工能力的微納加工技術，在微納集成器件制造中發揮著重要作用。

2023-12-22 10:34:20

401

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖

光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認為其物理極限在0.25，k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。

2023-12-18 10:53:05

326

晶圓級封裝(WLP)的各項材料及其作用

本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統(WSS)中的粘合劑，這些材料均在晶圓級封裝中發揮著重要作用。

2023-12-15 17:20:36

807

勻膠速度影響光刻膠的哪些性質？

勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關重要的參數，那么我們在勻膠時，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質？

2023-12-15 09:35:56

442

光刻各環節對應的不同模型種類

光學模型是基于霍普金斯（Hopkins）光學成像理論，預先計算出透射相交系數（TCCs），從而描述光刻機的光學成像。光學模型中，經過優化的光源，通過光刻機的照明系統，照射在掩模上。如果在實際光刻

2023-12-11 11:35:32

288

半導體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-12-04 09:17:24

1334

光刻膠國內市場及國產化率詳解

KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術已廣泛應用于0.13μm工藝的生產中,主要應用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產中。

2023-11-29 10:28:50

283

不僅需要***，更需要光刻膠

為了生產高純度、高質量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產過程中的反應釜鍍膜和金屬析出污染監測也是至關重要的控制環節。例如，2019年，某家半導體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導致上萬片12吋晶圓報廢

2023-11-27 17:15:48

550

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

2023-11-23 18:13:02

579

西隴科學9天8板，回應稱“未生產、銷售光刻膠”

　20日，西隴科學（株）發布公告稱，該公司沒有生產銷售礦產品。公司生產及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。

2023-11-21 14:54:57

315

基于JSM-35CF SEM的納米電子束光刻系統實現與應用

在電子和電氣制造業中，光刻技術是制造無源/有源器件的重要步驟。

2023-11-20 09:30:05

406

儲能技術對智能電網的建設作用

電子發燒友網站提供《儲能技術對智能電網的建設作用.pdf》資料免費下載

2023-11-14 10:44:33

光刻膠黏度如何測量？光刻膠需要稀釋嗎？

光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？

2023-11-13 18:14:11

571

ASML攜全景光刻解決方案亮相進博會

第六屆進博會于近日在上海國家會展中心正式收官，ASML2023進博之旅也圓滿落幕! 今年，ASML繼續以“光刻未來，攜手同行”為主題，攜全景光刻解決方案驚艷亮相，還創新性地帶來了“芯”意滿滿的沉浸

2023-11-11 15:23:53

595

片內和片間非均勻性是什么？如何計算？有什么作用呢？

導語：均勻性在芯片制程的每一個工序中都需要考慮到，包括薄膜沉積，刻蝕，光刻，cmp，離子注入等。較高的均勻性才能保證芯片的產品與性能。那么片內和片間非均勻性是什么？如何計算？有什么作用呢？

2023-11-01 18:21:12

503

半導體關鍵材料光刻膠市場格局發展現狀

生產光刻膠的原料包括光引發劑（光增感劑、光致產酸劑幫助其更好發揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。

2023-11-01 15:51:48

138

什么是EUV光刻？EUV與DUV光刻的區別

EUV 光是指用于微芯片光刻的極紫外光，涉及在微芯片晶圓上涂上感光材料并小心地將其曝光。這會將圖案打印到晶圓上，用于微芯片設計過程中的后續步驟。

2023-10-30 12:22:55

615

半導體制造領域光刻膠的作用和意義

光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環節關鍵耗材，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關。

2023-10-26 15:10:24

359

光學光刻技術有哪些分類光刻技術的原理

光學光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規模集成電路器件的結構圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發生化學反應，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統能獲得的分辨率直接相關，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。

2023-10-24 11:43:15

271

PCB激光投影光刻照明系統的設計

電子發燒友網站提供《PCB激光投影光刻照明系統的設計.pdf》資料免費下載

2023-10-23 09:38:18

arduino平臺millis()函數有什么作用？

有關arduino平臺millis()函數，有什么作用？

2023-10-20 06:30:17

各種光刻技術你都了解嗎？

當制程節點演進到5nm時，DUV和多重曝光技術的組合也難以滿足量產需求了，EUV光刻機就成為前道工序的必需品了，沒有它，很難制造出符合應用需求的5nm芯片，即使不用EUV能制造出一些5nm芯片，其整個生產線的良率也非常低，無法形成大規模的商業化生產。

2023-10-13 14:45:03

834

半導體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產業的關鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學敏感性的混合液體。其利用光化學反應，經曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上，是用于微細加工技術的關鍵性電子化學品。

2023-10-09 14:34:49

1674

MDK的里面代碼補全的功能是有什么作用的？

MDK的里面代碼補全的功能是有什么作用的

2023-10-09 08:51:32

關于光刻技術的五大分類

光刻是通過一系列操作，除去外延片表面特定部分的工藝，在半導體器件和集成電路制作中起到極為關鍵的作用。

2023-10-08 10:11:23

696

sprintf和printf有什么區別？返回值有什么作用？

sprintf和printf有什么區別，返回值有什么作用？

2023-10-08 08:19:04

極紫外 (EUVL) 光刻設備技術應用分析

歐洲極紫外光刻（EUVL）技術利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產生這種光的主要來源是使用強大激光器產生的熱錫等離子體。激光參數被調整以產生大多數在13.5納米附近發射的錫離子（例如Sn10+-Sn15+）。

2023-09-25 11:10:50

264

芯片和線路板的光刻技術不同？差別在哪里？

線路板的光刻技術

2023-09-21 10:20:34

607

化學機械拋光(CMP) 技術的發展應用及存在問題

性能和速度上同時滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術是機械削磨和化學腐蝕的組合技術 , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學腐蝕作用在被研磨的介質表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術對于

2023-09-19 07:23:03

EUV光刻膠開發面臨哪些挑戰？

EUV光刻膠材料是光敏物質，當受到EUV光子照射時會發生化學變化。這些材料在解決半導體制造中的各種挑戰方面發揮著關鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩定性。

2023-09-11 11:58:42

349

濕法去膠液的種類有哪些？去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

光刻技術通過光刻膠將圖案成功轉移到硅片上，但是在相關制程結束后就需要完全除去光刻膠，那么這個時候去膠液就發揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？

2023-09-06 10:25:01

1152

光伏刻蝕工藝流程光刻蝕刻加工原理是什么

光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術，用于制造微細結構和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學和物理作用，通過光罩的設計和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。

2023-08-24 15:57:42

2270

半導體制造工藝之光刻工藝詳解

2023-08-24 10:38:54

1221

什么是光刻工藝？光刻的基本原理

光刻是半導體芯片生產流程中最復雜、最關鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導體芯片生產的難點和關鍵點在于將電路圖從掩模上轉移至硅片上，這一過程通過光刻來實現，光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。

2023-08-23 10:47:53

1586

浸沒式光刻，拯救摩爾定律

2000年代初，芯片行業一直致力于從193納米氟化氬（ArF）光源光刻技術過渡到157納米氟（F 2 ）光源光刻技術。

2023-08-23 10:33:46

798

光刻技術概述及其分類

光刻是一種圖像復制技術，是集成電路工藝中至關重要的一項工藝。簡單地說，光刻類似照相復制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護下對硅片進行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。

2023-08-07 17:52:53

1480

EUV光刻市場高速增長，復合年增長率21.8%

EUV掩膜，也稱為EUV掩?；駿UV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術，用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導體器件。

2023-08-07 15:55:02

396

次時代EUV光刻已箭在弦上！

半導體技術的未來通常是通過光刻設備的鏡頭來看待的，盡管高度挑戰性的技術問題幾乎永無休止，但光刻設備仍繼續為未來的工藝節點提供更好的分辨率。

2023-07-28 17:41:16

1130

深紫外光刻復雜照明光學系統設計

摘要：隨著微電子產業的迅猛發展，我國迫切需要研制極大規模集成電路的加工設備-光刻機。曝光波長為193nm的投影式光刻機因其技術成熟、曝光線寬可延伸至32nm節點的優勢已成為目前光刻領域的主流設備

2023-07-17 11:02:38

592

光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學系統測溫儀

GK-1000光刻掩膜版測溫儀，光刻機曝光光學系統測溫儀光刻機是一種用于微納米加工的設備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機電系統）等微細結構。光刻機是一種光學投影技術，通過將光線通過

2023-07-07 11:46:07

虹科案例 | 用于低成本改造光刻設備的UV紫外光源

? ? 紫外光刻和曝光是半導體行業生產各種高端芯片、微觀電路結構的核心技術。在紫外光刻過程中，光源發射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細圖案。長期以來

2023-07-05 10:11:24

1026

3D IC對光刻技術的新技術要求

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優化》研討課。在授課過程中，除教師系統地講授

2023-06-30 10:06:02

261

基于機器學習的逆向光刻技術

2023-06-29 10:02:17

327

晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術？

EUV微影技術的落實延續了摩爾定律的壽命，這里的EUV指的其實是一種紫外光源，跟過去光刻技術所采用的光源比起來，EUV的波長更短，因此有助于大幅提高分辨率。

2023-06-27 10:11:42

248

光刻對準原理與精度控制

2023-06-26 17:00:19

766

一文了解光刻的歷史

如今，光刻技術已成為一項容錯率極低的大產業。全球領先的荷蘭公司 ASML 也是歐洲市值最大的科技公司。它的光刻工具依賴于世界上最平坦的鏡子、最強大的商用激光器之一以及比太陽表面爆炸還高的熱度，在硅上刻出微小的形狀，尺寸僅為幾納米。

2023-06-26 16:59:16

569

與EUV相比，這一光刻技術更具發展潛力

對于半導體行業而言，光刻技術和設備發揮著基礎性作用，是必不可少的。

2023-06-25 10:25:08

443

光刻中承上啟下的半導體掩膜版

電子發燒友網報道（文/周凱揚）在上游的半導體制造產業中，除了光刻機等設備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質量與良率的關鍵因素。就拿掩膜版來說，這個承載設計圖形的材料，經過曝光后將圖形信息轉移到

2023-06-22 01:27:00

1984

硅基光刻技術在柔性電子器件制造中的應用

近日，湖南大學段輝高教授團隊通過開發基于“光刻膠全干法轉印”技術的新型光刻工藝，用于柔性及不規則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高精度、高可靠性和高穩定性柔性電子器件的制造提供

2023-06-17 10:19:38

507

面向光刻的設計規則建立及優化

2023-06-14 10:16:38

226

芯片制造之光刻工藝詳細流程圖

光刻機可分為前道光刻機和后道光刻機。光刻機既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機用于芯片的制造，曝光工藝極其復雜，后道光刻機主要用于封裝測試，實現高性能的先進封裝，技術難度相對較小。

2023-06-09 10:49:20

5857

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個環節，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。

2023-06-08 10:57:09

3765

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統是當今使用的最先進的光刻系統。本文將介紹這項重要但復雜的技術。

2023-06-06 11:23:54

688

知識分享---光刻模塊標準步驟

通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準、曝光、顯影和適當的抗蝕劑調節。光刻工藝步驟需要按順序進行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側壁輪廓。

2023-06-02 16:30:25

418

逆向光刻的原理及其優勢

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設計優化》研討課。

2023-05-26 14:59:17

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化學放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時間內芯片制造的產出越高，經濟效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩定性。

2023-05-25 09:46:09

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光刻技術：光學關鍵尺寸測量（OCD）原理

　　集成電路芯片持續朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發展，其中最為關鍵的一個參數就是柵極線條寬度。任何經過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條寬度與設計尺寸的偏離都會直接影響最終器件的性能

2023-05-24 09:25:19

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EUV光刻技術優勢及挑戰

EUV光刻技術仍被認為是實現半導體行業持續創新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發展和成熟，預計EUV光刻將在未來繼續推動芯片制程的進步。

2023-05-18 15:49:04

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一文講透光刻膠及芯片制造關鍵技術

在集成電路制造領域，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。

2023-05-13 11:28:38

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二極管的鉗位作用和穩壓作用有什么不同?。?/a>

二極管的鉗位作用和穩壓作用有什么不同?。?

2023-05-05 10:00:38

EUV光刻的無名英雄

晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個轉移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應該減小。

2023-04-27 16:25:00

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NVIDIA H100 GPU為2nm芯片加速計算光刻！

現代工藝技術將晶圓廠設備要求推向極限，需要實現突破其物理極限的高分辨率，這正是計算光刻技術發揮作用的地方。計算光刻就是為芯片生產制作光掩模的技術，它結合來自ASML設備和測試晶圓的關鍵數據，是一個模擬生產過程的算法。

2023-04-26 10:05:29

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淺談光刻技術

在整個芯片制造過程中，幾乎每一道工序的實施都離不開光刻技術。光刻技術也是制造芯片最關鍵的技術，占芯片制造成本的35%以上。

2023-04-26 08:57:03

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光刻技術的種類介紹

根據維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。

2023-04-25 11:11:33

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光刻技術的詳細工序

清洗硅片（Wafer Clean）清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

2023-04-25 11:09:40

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光刻技術的原理及發展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用

2023-04-25 11:05:32

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什么是光刻技術

光刻技術簡單來講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過程，是大規模集成電路的基礎。目前市場上主流技術是193nm沉浸式光刻技術，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術獲得的電路尺寸。

2023-04-25 11:02:32

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光刻技術簡述

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程

2023-04-25 09:55:13

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計算光刻技術有多重要？計算光刻如何改變2nm芯片制造？

光刻是在晶圓上創建圖案的過程，是芯片制造過程的起始階段，包括兩個階段——光掩膜制造和圖案投影。

2023-04-25 09:22:16

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音圈電機模組在主流光刻掩模臺系統中的應用

光刻機是芯片智造的核心設備之一，也是當下尤為復雜的精密儀器之一。正因為此，荷蘭光刻機智造商阿斯麥通研制的EUV光刻機才會“千金難求”。很多人都對光刻機有所耳聞，但其實不同光刻機的用途并不

2023-04-06 08:56:49

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Dev Error Detect有什么作用？

我想知道 OSIF 的含義以及有關其配置的一些信息。 1. “Dev Error Detect”有什么作用？它是否啟用斷言來檢查/檢測有關 Osif 驅動程序的錯誤？2.“使用系統定時器”選項

2023-03-27 08:56:50

GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導體光刻計算光刻技術提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計算引入半導體光刻計算光刻技術提速40倍 NVIDIA cuLitho的計算光刻庫可以將計算光刻技術提速40倍。這對于半導體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說

2023-03-23 18:55:37

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光刻技術是什么,有哪些作用

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