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電子發燒友網>今日頭條>使用酸性溶液對硅晶片進行異常各向異性蝕刻

使用酸性溶液對硅晶片進行異常各向異性蝕刻

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2023-06-14 11:03:531779

關于KMA36位置傳感器的應用描述

KMA36位置傳感器將其連接到使用可配置IC通信的Grove兼容擴展端口的系統。 將磁阻元件同模數轉換器和信號處理功能一起置于一個標準的小型封裝內。傳感器以5V的外部電壓工作。通過使用各向異性磁阻 (AMR) ,KMA36 能夠以非接觸方式確定外部磁鐵360°范圍內的磁場角度。
2023-06-08 15:44:10261

華林科納的半導體晶圓干燥的研究

通過測量晶片上的殘留物得知,晶片上已經分配并干燥了含有金屬鹽作為示蹤元素的溶液。假設有兩種不同的沉積機制:吸附和蒸發沉積。
2023-06-08 10:57:43220

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液晶片加工中,會用到強堿作表面腐蝕或減薄,器件生產中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597

MS32磁性傳感器的常見問題解答

MS32是一種磁場傳感器,采用惠斯通電橋。它的四個電阻中的每一個都有坡莫合金,一種顯示各向異性磁力的材料阻力效應。表面的單向磁場沿y軸平行于芯片(x-y 平面)將提供一個乳場依賴的輸出信號。一個磁性
2023-06-03 10:39:06259

KMXP5000磁柵尺傳感器在石油石化的應用

KMXP5000磁柵尺傳感器測量原理基于各向異性磁阻效應(AMR 效應)。這些傳感器提供兩種不同的DFN封裝,可用于多個定位選項。這些封裝可以輕松集成到自動裝配過程中。
2023-06-03 10:16:34249

ELAF-100L-T30009力傳感器的技術應用

ELAF-100L-T30009力傳感器由晶體制成,晶體是各向異性的,非晶是各向同性的。 當某些晶體介質在一定方向受到機械力的作用時,會發生極化效應; 當除去機械力時,它又會恢復到不帶電狀態,即受到拉力或壓力時。 有些晶體可能會產生電效應,也就是所謂的極化效應。
2023-06-02 10:50:06190

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數進行了優化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片
2023-05-31 10:30:062215

LED封裝晶片便攜式推拉力測試機

博森源LED封裝晶片便攜式推拉力測試機是一種非常實用的測試設備,可以方便地進行LED封裝晶片的推拉力測試,從而保證LED產品的質量。該測試機具有便攜式設計、數字顯示屏、高精度、高穩定性、高可靠性等特點,可以滿足各種LED封裝晶片的測試需求。
2023-05-31 10:05:25387

載體晶圓對蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟,然而,載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵(GaN)設備,通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中,英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452

淺談蝕刻工藝開發的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻各向異性蝕刻各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻各向異性的,并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片各向異性蝕刻過程,測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據,提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

led晶片推拉力機半導體推拉力測試儀

led晶片
力標精密設備發布于 2023-05-24 17:40:04

如何在蝕刻工藝中實施控制?

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝,因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定,蝕刻率就會變化,因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

G-MRCO-052位移傳感器原理

,KMXP 傳感器提供比常用的霍爾傳感器更高的精度,設計為在包括高溫在內的嚴苛環境中提供可靠和準確的測量。G-MRCO-050傳感器測量原理基于各向異性磁阻效應(AMR
2023-05-18 17:25:04314

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917

高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用

蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻,濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

KMXP1000磁阻直線位移傳感器

KMXP磁阻傳感器沿著磁尺移動,位置的變化產生正弦和余弦輸出信號。為了取得滿意的測量結果,KMXP磁阻傳感器邊沿與磁尺表面的間隙不能超過半個磁極距。由于KMXP磁阻傳感器是基于各向異性磁阻效應,信號
2023-05-17 10:30:330

KMXP2000磁阻傳感器

KMXP磁阻傳感器沿著磁尺移動,位置的變化產生正弦和余弦輸出信號。為了取得滿意的測量結果,KMXP磁阻傳感器邊沿與磁尺表面的間隙不能超過半個磁極距。由于KMXP磁阻傳感器是基于各向異性磁阻效應,信號
2023-05-17 10:30:030

G-MRCO-016磁阻角位移傳感器

G-MRCO-016磁性角度傳感器是基于各向異性磁阻效應的磁場傳感器。例如,G-MRCO-016磁性角度傳感器可以在磁場強度大于25kA/m的應用中獨立感測磁場方向。G-MRCO-016磁性角度傳感器包含兩個平行的惠斯通電橋,每個電橋可以測量45度。
2023-05-16 16:00:380

G-MRCO-015磁阻傳感器

G-MRCO-015磁性角度傳感器是基于各向異性磁阻效應的磁場傳感器。例如,KMT32B磁性角度傳感器可以在磁場強度大于25kA/m的應用中獨立感測磁場方向。G-MRCO-015磁性角度傳感器包含兩個平行的惠斯通電橋,每個電橋可以測量45度。
2023-05-16 16:00:040

晶片的酸基蝕刻:傳質和動力學效應

拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584

簡述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法,(1)機械研磨,(2)化學機械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成:研磨和蝕刻。為了研磨晶片,將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄,而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979

酸性化學品供應控制系統

[技術領域] 本實用新型涉及半導體制造技術領域,具體地說是一種酸性化學品供應控制系 統。 由于半導體行業中芯片生產線的工作對象是硅晶片,而能在硅晶片蝕刻圖形 以及清洗硅晶片上的雜質、微粒子的化學品
2023-04-20 13:57:0074

首次MoS?層間原位構建靜電排斥實現超快鋰離子傳輸

高理論容量和獨特的層狀結構使MoS?成為一種很有前途的鋰離子電池負極材料。然而MoS?層狀結構的各向異性離子輸運和其較差的本征導電性,導致差的離子傳輸能力。
2023-04-13 09:23:09684

干法蝕刻與濕法蝕刻-差異和應用

干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

從頭到尾的半導體技術

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453

智能電網時間序列異常檢測:a survey

隨著可再生能源發電一體化的快速增加和各種電器的廣泛采用,電網面臨著越來越多的挑戰。一個突出的挑戰是對電網內不同類型的異常行為進行有效的異常檢測。這些異常行為可能是由用戶的異常消費模式、電網基礎設施
2023-04-04 16:13:250

PCB加工的蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

使用 ClF 3 H 2遠程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅

在濕蝕刻的情況下,隨著SiNx/SiOy層的厚度減小,剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌,蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰性。
2023-03-27 10:17:49402

各向異性潤濕過程中的表面形態

在過去的幾年中,隨著器件尺寸的不斷減小,蝕刻表面的粗糙度開始發揮越來越重要的作用。
2023-03-24 10:11:13251

步進電機的技術要點之永久磁鐵

2) Nd-Fe-B磁鐵 3) 鋁鎳鈷磁鐵 4)粘接釹鐵硼磁鐵3 . 各向同性與各向異性磁鐵 4. PM型與HB型轉子使用磁鐵的差異 前言 基本信息 名稱 描述說明 教材名稱 步進電機應用技術 作者 坂
2023-03-23 10:42:580

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