行業背景 隨著工業技術的不斷發展，物聯網作為新興生產力正在改變許多行業的工作方式。在半導體芯片行業，自動蝕刻機的物聯網應用正在助力企業達到監控設備更加便利、故障運維更加高效、數據分析更加精準等等
2024-03-20 17:52:39
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本文從光刻圖案設計、特征尺寸、電鏡參數優化等方面介紹電子束光刻的參數優化，最后介紹了一些常見問題。
2024-03-17 14:33:52174 
濕電子化學品屬于電子化學品領域的一個分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法蝕刻、清洗、顯影、互聯等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
隨著太陽能電池技術的快速迭代，異質結太陽能電池因其高轉換效率、高開路電壓、低溫度系數、低工藝溫度、可雙面發電等優點而受到廣泛關注。其中ITO薄膜在異質結太陽能電池中發揮著重要作用，其制備過程中
2024-03-05 08:33:28278 
ITO薄膜在提高異質結太陽能電池效率方面發揮著至關重要的作用，同時優化ITO薄膜的電學性能和光學性能使太陽能電池的效率達到最大。沉積溫度和濺射功率也是ITO薄膜制備過程中的重要參數，兩者對ITO薄膜
2024-03-05 08:33:20235 電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設計圖形相符的微納結構。
2024-03-04 10:19:28206 
M74HCL32BL是什么功能芯片
2024-02-19 16:31:49
根據已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉，該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外，設備使用了新開發的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機械磨削、化學機械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
優化硅的形態與沉積方式是半導體和MEMS工藝的關鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術。
2024-01-22 09:32:15433 
ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，主要優點是其高透明度和導電性，可以作為透明電極應用在光伏電池中。在TOPCon電池中，添加ITO薄膜可以有效提升電池的短路電流密度和轉換效率，是提高
2024-01-20 08:32:51280 來源：半導體芯科技編譯 投資半導體設備行業新的生產設備 Jenoptik公司計劃投資數億歐元，為目前在德累斯頓建設的高科技工廠建造最先進的系統。新型電子束光刻系統（E-Beam）將用于為半導體
2024-01-15 17:33:16176 CHA2063A99F是款兩級寬帶單片低噪聲放大器。CHA2063A99F以芯片類型供應。電源電路選用PHEMT制造技術，0.25um柵極尺寸，橫穿基板的通孔，空氣橋和電子束門光刻技術
2024-01-15 14:32:19
是在絕緣基片上先形成一層薄的金屬膜，然后再均勻覆蓋上一層碳質材料。兩者的制造方法不同，金屬膜電阻器需要進行金屬沉積、蝕刻等多道工藝，而碳膜電阻器則需要額外的碳沉積、碳蒸發等工藝。 其次，在電阻值方面，金屬膜電阻
2024-01-11 10:27:57331 會通股份公司在安徽蕪湖市三山經濟開發區舉行了盛大的鋰電池濕法隔離膜項目開工儀式。這個基地總投資高達20億元，一旦建成，將具備每年生產17億平方米濕法隔離膜的能力。
2024-01-02 16:41:52357 過程中起著重要的作用。這種制造過程通常需要與埋著的SiGe薄膜接觸。與這些埋地區域接觸需要蝕刻硅并在薄薄的SiGe層中停止。 因此，為了實現精確的圖案轉移，我們需要一種可控蝕刻的方法。不幸的是，針對SiGe選擇性的RIE技術尚未被發現。幸運的是
2023-12-28 10:39:51131 
在太陽能電池的沉積工藝中，制備高性能的ITO薄膜是其首要任務。電池廠商在制備ITO薄膜時，往往需要考慮自身的方阻與影響ITO薄膜方阻的因素，從而在了解的基礎上更好的解決對ITO薄膜方阻有不利
2023-12-28 08:33:00418 在太陽能電池的薄膜沉積工藝中，具有化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）兩種薄膜沉積方法，電池廠商在沉積工藝中也需要根據太陽能電池的具體問題進行針對性選擇，并在完成薄膜沉積工藝后通過
2023-12-26 08:33:01312 在微電子制造領域，光刻機和蝕刻機是兩種不可或缺的重要設備。它們在制造半導體芯片、集成電路等微小器件的過程中發揮著關鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術原理、應用場景等方面卻存在著明顯的區別。本文將對光刻機和蝕刻機的差異進行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如AlGaN，憑借其物理和化學穩定性，為等離子體蝕刻
2023-12-13 09:51:24294 
在太陽能電池的生產工藝中，退火工藝和氧氣含量作為外界條件往往是影響ITO薄膜性能的關鍵因素，因此，為了較高程度的提升ITO薄膜的性能，電池廠商都會通過在生產中嚴謹的操作手段來保證其性能的提升，并通過
2023-12-07 13:37:19292 電子束加工（Electron Beam Machining 簡稱EBM）起源于德國。1948年德國科學家斯特格瓦發明了第一臺電子束加工設備。它是一種利用高能量密度的電子束對材料進行工藝處理的方法統。
2023-12-07 11:31:23339 
另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個缺點，包括產生離子誘導損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側壁。干法蝕刻產生的側壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
眾所周知，材料的宏觀性質，例如硬度、熱和電傳輸以及光學描述符與其微觀結構特征相關聯。通過改變加工參數，可以改變微結構，從而能夠控制這些性質。在薄膜沉積的情況下，微結構特征，例如顆粒尺寸和它們的顆粒
2023-11-22 10:20:59213 
蝕刻設備的結構及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側蝕度產生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進行控制。采用某些添加劑可以降低側蝕度。這些添加劑的化學成分一般屬于商業秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設備的結構問題，后面的章節將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 電子發燒友網站提供《液晶屏ITO玻璃外觀檢測特殊復合光源照明系統設計.pdf》資料免費下載
2023-10-20 14:40:41
0 。「美能光伏」生產的美能四探針電阻測試儀，可以根據電池廠商提出的嚴苛的測量要求，科學精確的對沉積ITO薄膜后的異質結太陽能電池等一系列電池的方阻/電阻率進行高效檢測，并生成實
2023-10-16 18:28:09700 蝕刻液的化學成分的組成：蝕刻液的化學組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數可達3.5-4。而正處在開發階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達到幾乎沒有側蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 據悉，東京電子新技術的目標是能夠長時間儲存數據的3d nand閃存。該公司開發了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化學蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
在太陽能電池的沉積工藝中，電池廠商經常會考慮到ITO薄膜影響太陽能電池片性能的各種因素，以便在沉積工藝中對太陽能電池片所遇到的性能問題進行有效的處理，從而提升電池片的光電轉換率。「美能光伏」生產
2023-10-12 08:33:58485 在鈣鈦礦太陽能電池的生產工藝中，ITO薄膜沉積是能夠提升鈣鈦礦太陽能電池光電轉換率的關鍵步驟，其中，真空蒸鍍沉積技術可較為便捷的制備高純度、高質量的ITO薄膜，是沉積工藝中的一項核心技術
2023-10-10 10:15:53649 電子束缺陷檢測設備（EBI）和關鍵尺寸量測設備（CD-SEM）是集成電路制造中用于良率監控的關鍵設備，對于提高集成電路制造企業的產品良率具有重要意義。經過多年技術攻關，東方晶源突破了集成電路制造檢測設備的高速高精度硅片傳輸定位、高速圖像像差補償、自動缺陷檢測和智能分類
2023-10-09 14:33:44560 GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限，因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
為了保障鈣鈦礦太陽能電池的性能與質量，電池廠商往往都會關注其沉積薄膜的各種參數信息，從而采取有效的方式進行薄膜優化，提升鈣鈦礦太陽能電池的性能。「美能光伏」擁有的美能探針式臺階儀，憑借其出色和強大
2023-09-28 08:35:52359 銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
由于異質結電池不同于傳統的熱擴散型晶體硅太陽能電池，因此在完成對其發射極以及BSF的注入后，下一個步驟就是在異質結電池的正反面沉積ITO薄膜，ITO薄膜能夠彌補異質結電池在注入發射極后的低導電性
2023-09-21 08:36:22407 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 不兼容的原因：eNSP支持Virtual Box是5.2.44；HCL支持的Virtual Box版本是6.0.14
2023-09-11 10:58:28529 
不兼容的原因：eNSP支持Virtual Box是5.2.44；HCL支持的Virtual Box版本是6.0.14。
2023-09-11 10:58:131234 
要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術對聚合物抗蝕劑進行構圖，然后通過干法蝕刻技術用抗蝕劑作為掩模將圖案轉移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝，可以參閱內層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
；分析光發射定位熱點的截面結構缺陷。
FIB切片截面分析過程：
FIB切片截面分析過程
FIB制備TEM樣品過程：
Platinum deposition：用電子束或離子束輔助沉積的方法在待制備TEM
2023-09-05 11:58:27
濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
我們華林科納通過光學反射光譜半實時地原位監測用有機堿性溶液的濕法蝕刻，以實現用于線波導的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結構產生的各向同性蝕刻導致表面
2023-08-22 16:06:56239 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象，通常發生在頂部，這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013 推薦安裝新版本HCL5.9.0版本，HCL5.9.0/5.8.0/5.5.0/5.3.0均可使用virtualbox5.2.44版本，與ensp兼容，HCL5.9.0新增基于Openwrt
2023-07-31 15:24:163622 
一、濕度測量方案的選擇 現代濕度測量方案主要有兩種：干濕球測濕法與電子式濕度傳感器測濕法。 干濕球測濕法的維護相當簡單，在實際使用中，只需定期給濕球加水及更換濕球紗布即可。與電子式濕度傳感器相比
2023-07-19 13:57:03530 現代濕度測量方案主要有兩種：干濕球測濕法與電子式濕度傳感器測濕法。
2023-07-19 08:54:40560 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻、激光、沉積膠片等4種氣體原料的電子化學特殊氣體供應企業。接連供應給國內半導體、平面顯示器著名工廠。沉積薄膜氣體將在銅工廠竣工后通過顧客認證發送出去，從2024年開始將對進口做出貢獻。
2023-07-13 09:29:27452 薄膜沉積是指在基底上沉積特定材料形成薄膜，使之具有光學、電學等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487774 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
國內半導體產業的行業盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領先的濕法解決方案，并攜泛半導體濕法裝備服務平臺亮相SEMICON China，與上下游企業進行一對一交流，為企業發展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
和在刻蝕工藝中一樣，半導體制造商在沉積過程中也會通過控制溫度、壓力等不同條件來把控膜層沉積的質量。例如，降低壓強，沉積速率就會放慢，但可以提高垂直方向的沉積質量。因為，壓強低表明設備內反應氣體粒子
2023-07-02 11:36:401211 
在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
韞茂科技成立于2018年，致力于成為平臺形態的納米級薄膜沉積設備制造企業。目前擁有ald原子層沉積系統、pvd物理氣體沉積系統、cvd化學氣體沉積系統、uhv超高真空涂層設備等12種產品。
2023-06-28 10:41:03540 隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
針對測量ITO導電薄膜的應用場景，CP200臺階儀能夠快速定位到測量標志位；輕松實現一鍵多點位測量；能直觀測量數值變化趨勢。
2023-06-27 10:49:44713 
由于ITO膜具有一定的透光性，而硅基板具有較強的反射率，會對依賴反射光信號進行圖像重建的光學輪廓儀造成信號干擾導致ITO膜厚圖像重建失真，因此考慮采用接觸式輪廓儀對ITO膜厚進行測量，由于其厚度范圍
2023-06-27 10:47:070 CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質譜分析儀適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應用中: 實時過程
2023-06-21 10:09:13197 
原子層沉積（Atomic layer deposition，ALD）是一種可以沉積單分子層薄膜的特殊的化學氣相沉積技術。
2023-06-15 16:19:212037 
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術，它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優良的靜電完整性，三維(3D)設計（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
離子束輔助沉積 (IBAD) 是一種薄膜沉積技術，可與濺射或熱蒸發工藝一起使用，以獲得具有出色工藝控制和精度的最高質量薄膜。
2023-06-08 11:10:22983 
在了解芯片沉積工藝之前，先要闡述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。
2023-06-08 11:00:122192 
上海伯東客戶某***生產商, 生產的電子束*** Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和 6英寸的掩模版, 適合納米壓印, 光子器件
2023-06-02 15:49:40
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會嚴重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
。 PVD 沉積工藝在半導體制造中用于為各種邏輯器件和存儲器件制作超薄、超純金屬和過渡金屬氮化物薄膜。最常見的 PVD 應用是鋁板和焊盤金屬化、鈦和氮化鈦襯墊層、阻擋層沉積和用于互連金屬化的銅阻擋層種子沉積。 PVD 薄膜沉積工藝需要一個高真空的平臺，在
2023-05-26 16:36:511749 上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積
2023-05-25 10:22:37
上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積
2023-05-25 10:18:34
蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定，蝕刻率就會變化，因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機械研磨，(2)化學機械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 ALD技術是一種將物質以單原子膜的形式逐層鍍在基底表面的方法，能夠實現納米量級超薄膜的沉積。
2023-04-25 16:01:052439 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 哪位大俠有日產DL250K SCAK電子鐘的電路圖，有元件燒壞了，想查一下，多謝！
2023-04-21 11:10:38
【摘要】 在半導體濕法工藝中，后道清洗因使用有機藥液而與前道有著明顯區別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設備進行對比研究，論述不同藥液與機臺的清洗原理，清洗特點與清洗局限性。【關鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導體工業中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
SM0603HCL
2023-03-28 14:28:37
HCL10-12
2023-03-28 13:13:43
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