引言

半導體生產過程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統的方法，在藥液bath中一次性加入數十張晶片進行處理的方法。但是隨著半導體技術的發展，開發出了一張處理晶片的枯葉式。在常溫的藥液中，batch式的均勻度在3%以上，而每葉式的均勻度在1%以下，非常優秀。另外，與batch式相比，枯葉式的超純用量少1/15左右，在Cu工藝等擔心金屬污染的工藝中處理晶片一張，從而防止反向污染。枯葉式是一次性展示晶片時噴射書藥液的方法。這時噴射噴嘴可以從偉珀中心向邊框方向來回轉動，通過boom swing均勻地冷卻。

本方法將batch和batch結合起來，用沒有boom swing的方法評價了蝕刻工藝。在進行蝕刻工藝時，以消除boom swing為基礎，用晶片上有板的結構制作了枯葉式裝置，進行了蝕刻評價。在沒有Boom Swing的枯葉式結構中，將常溫的藥液從晶片中央噴射出來進行了蝕刻評價，并進行了評價，以了解使用高溫藥液時的結果果。使用高溫藥液時，出現了口感不均勻的問題。對此時發生的問題進行了這一理論考察，并在理論計算結果的基礎上，改進了高溫藥液的噴射方法。

實驗

利用枯葉式裝置，用晶片上有板的詞組制作了裝置，進行了評價。圖1是有桌面制作的枯葉式裝置的外觀。晶片的旋轉最高可達2000RPM，使用晶片的大小為300 mm。

圖1 新型單一濕法蝕刻系統

評價中使用的晶片在Si上方使用了10000A增強Si6膜，Sit >膜的蝕刻所用的藥量為DIW和HF 49%混合成100:1的DHF(DHF)。上板和晶片的間隔為2毫米，藥液的流量為0.6L/min。這個流量取決于晶片的轉速。在100RPM以下的速度下，0.6 L/min的流量在上部板和晶片之間沉積藥液，適合沿邊界方向擴散。藥液的溫度在常溫和高溫時進行了蝕刻評價，蝕刻前后的膜厚測定為K-MAC ST-6000。

結果和討論

首先，在室溫下將DHF集中噴射60秒0.6L/min的藥液時，對刻蝕量的分布進行了評價。、邊框部分的蝕刻量很大，這是Lins工藝中DIW從中間供給的原因，所以我認為邊框部分的蝕刻時間變長的原因。刻蝕最多的部分的值約為每分鐘45A，最少的部分的值約為每分鐘28A，平均刻蝕量約為每分鐘35A，刻蝕量的均勻度約為21%。

從中央噴射的結果與蝕刻結果不相容來看，平均蝕刻量約少10A，但均勻度從18%提高到4%，提高了14%。圖2(a)是從中昂噴射53℃藥液時的溫度分布模擬結果與實際蝕刻結果的比較。通過計算溫度和刻蝕量的關系，晶片中央的刻蝕量為22℃時，為28A，為53℃時，為99A，因此隨著31℃溫度的上升，71A刻蝕量增加了。假設全度和刻蝕量的關系是線性的，那么根據1℃的OLALAGE，可以看到2.3A的刻蝕量增加了。如果將該值代入模擬的溫度分布，則假想的食角量的分布將按圖2(a)計算。從圖7(a)來看，計算出的值和實際刻蝕量的分布呈現出相似的方面。圖2(b)也是用同樣的方法計算，與模擬結果進行比較的結果。

圖2 溫度分布模擬與二氧化硅薄膜刻蝕結果的比較

總結

本研究是考察在枯葉式方法中，沒有boom swing的肝硬結構是否可以蝕刻。以無Boom swing的枯葉式方法，了解了進行蝕刻工藝時的蝕刻量和蝕刻量的分布情況。另外，不僅了解了一種常溫的藥液，還了解了使用高溫藥液時的食死量和食死量的分布情況。高溫下的結果無法比較，因為沒有在傳統的batch式和boom swing式的單張式上進行評價的結果。

本方法觀察到，在蝕刻SiO2膜時，藥液的溫度作為中約翰因素，為了用高溫藥液使食角量的分布均勻，采用了多孔噴射藥液的方法。SiO2膜的食角量分布與模擬結果中藥液的溫度分布相似。從現有batch式的設備中進行評價的結果與進行boom swing的枯葉式相比是不充分的結果，但如果制作優化藥液噴射孔的設備進行蝕刻工藝，則認為比前面的實驗結果取得了更好的結果。評價結果表明，使用這種方法，在進行濕式蝕刻方面會有多種優點。

第一，不需要Boom swing，所以結構變得簡單了。第二，可以減少可能產生晶片污染的因素。第三，可以一次吃兩面。第四，如果只對基板的反面進行蝕刻，晶片下面的板和晶片之間會隨著藥液的填充而冷卻，因此敵人可以有效地使用少量藥液。最后，我們認為在解決今后的干燥問題上也有很多應用。

審核編輯：湯梓紅