引言
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在半導體清洗過程中，作為取代 現有濕化學清洗液的新型濕式溶液，將臭氧溶解到純中，被稱為僅次于氟的強氧化劑，是PR去除工藝和雜質清洗。這種臭氧水方式的濕洗完全不使用對環境有害的物質，大大減少了純水的使用量，同時在PR去除效果方面被評價為與現有SPM溶液（硫酸/過氧化氫混合液）工藝相當的技術。但是臭氧水工藝是臭氧氣體對水的溶解度低、水中擴散阻力大的根本制約因素，以目前國內外技術水平的低PR去除性能來說，有很大的技術制約，不能滿足設備制造業的生產產量。因此，與傳統的濕法工藝相比，雖然有很多優點，但實際的PR去除工藝中臭氧水工藝實用化替代并不明顯。

實驗

PR去除試驗為了探討本邊界膜控制方式臭氧處理工藝研究所進行的遼小技術及工藝設備作為半導體制造工藝的PR去除工藝是否具有可行性和有效性，進行了PR去除性能試驗。性能測試是根據預定義的工藝條件，使用硅片在凸輪內進行反應工藝后未反應的方法測量硅片表面殘留的PR厚度，計算每單位時間的PR去除率，從而達到PR去除率最高的工藝條件。想要發貨。半導體制造過程中使用的PR種類很多，而且各制造過程使用的方法也很多。

如圖7所示，為了PR去除試驗，制作并使用了臭氧發生量為60g/hr級的超高濃度臭氧發生系統，臭氧供應流量為6-12[LITER/PLIN]，并調整放電功率以保持14-16wt%的臭氧濃度。基本的PR去除工藝順序是反應對象晶片Loading ~->工藝書伯加熱->臭氧氣體注入->。PR清除半雄->水清洗->晶片解除加載完成。對本邊界膜控制方式臭氧處理工藝來說，影響PR去除性能的工藝參數包括工藝班報考時間(工藝重復回收或總反應時間等)、工藝溫度(水蒸氣溫度、香柏內部溫度、熱水溫度等)、臭氧氣體條件(氣體流量和濃度)等多種多樣，但本研究中主要是隨著爐工藝時間及工藝溫度相關工藝條件的變化，測定了PR去除率，為此設定的共定條件及試驗種類如下：

(1) 根據工序重復次數(小時)改變去除率試驗下的工序條件，同時改變水中機器的供應和停止次數，進行試驗。-臭氧供應流量8[liter/分鐘]，臭氧濃度16wt%-水下機供應溫度100度-查弗內部溫度80度-熱水溫度70度。

(2) 基于水汽供應時間變化的去除率變化試驗(1)在保持的公平條件下，水蒸氣供應時間在10秒- 30秒之間變化，進行測試。

(3) 隨著水清洗時間的變化去除率的變化試驗(1)在保持的工藝條件的同時，在執行過程中，隨著水清洗時間的變化進行測試。

結果和討論
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試驗結果的測定是根據上述試驗條件，測定了距進行PR去除試驗的每個試件末端10毫米處的上、下、左、右和中央5處殘留PR厚度，取平均值。用于測量的薄膜厚度測量時，測量信任度約為2%。以上述(1)-(3)的工藝條件下的PR去除率作為測量結果，在執行的所有測試條件下，2分鐘后，未反應的PR厚度平均測量為600A以下，2分鐘的平均PR去除率約為7，000A(700mm)。。經過4分鐘后，涂抹的PR幾乎全部清除后，平均PR清除率約為4，000A(400nm)。就是在反應過程中間進行水清洗據觀察，這種去除效率較好，蒸汽球的加油時間在蒸汽供應30秒、停止30秒的情況下達到了最佳的PR去除效果。從第一次PR去除試驗結果來看，以16wt%以上的高濃度臭氧氣體發生器技術為基礎的本邊界膜控制方式的PR去除過程將晶片沉積在溶于水的臭氧水中，與去除PR的臭氧水相比，沉積式PR去除方法的PR去除率提高了3倍以上。

但是，PR去除反應速度在最初2分鐘內急劇進展，此后出現了非常緩慢的反應趨勢，這是因為隨著過程的進行，100度溫度的蒸汽反復供應，香柏內部溫度增加，從而導致晶片表面溫度上升，晶片表面和邊界膜之間的溫差較小，臭氧氣體氧化力擴散緩慢和超高濃度氧化力導致PR具有快速清除率氧化，而南銀有機殘絲反應緩慢，這是兩個原因。因此，隨著第一次PR去除試驗中產生的采弗內水蒸氣及注水噴嘴的位置和結露造成的水痕等設備配置的改善，以及在工藝進軍過程中有效地清洗晶片表面溫度的維持和反應后的殘余物的方案等，可望進一步提高本工藝的PR去除效率。

總結

SPM濕式清潔溶液進行的半導體老光。作為解決工藝后的FORORRIGST去除工藝存在的高成本、高能耗和非環境友好問題的方法，提出了基于超高濃度臭氧發生技術的邊界膜控制方式臭氧處理的PR去除工藝和設備，通過PR去除性能試驗，驗證了本工藝對PR去除的有效性和開發的工藝設備的可行性。未制備水冷卻結構的陶瓷軟面放電式放電管結構，在設計目標每單元氧氣流量0.5[liter/分鐘]下獲得了14W%以上的超高濃度臭氧發生器技術。為了實施邊界膜控制方式臭氧處理工藝，制作了水蒸氣發生裝置、反應火腿腸及周邊設備，通過與開發的高濃度臭氧生成系統的聯系，進行了以半導體晶片為對象的PR去除性能試驗。

　　審核編輯：湯梓紅