具有一個(gè)或多個(gè)未成對(duì)電子的Mn順磁離子具有出色的弛豫系數(shù)，其在水溶液中穩(wěn)定，可通過氧化還原反應(yīng)轉(zhuǎn)換多種價(jià)態(tài)，從而克服了傳統(tǒng)磁弛豫開關(guān)傳感器穩(wěn)定性低（受食物基質(zhì)和自然沉降的干擾）和工作范圍窄（小分子結(jié)合位點(diǎn)有限）的缺陷。
2024-03-13 10:04:53
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如下硅與石墨復(fù)配的負(fù)極材料的背散SEM，圓圈標(biāo)的地方是硅嗎？如果不是還請(qǐng)大佬指點(diǎn)一下，那些位置是硅？
2024-03-12 08:53:37
刻蝕機(jī)的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24461 
實(shí)驗(yàn)名稱：功率放大器在合成射流高效摻混機(jī)理研究中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：合成射流是一種新型主動(dòng)流動(dòng)控制技術(shù)，其主要工作原理是利用振動(dòng)薄膜或活塞周期性地吹/吸流體，在孔口外形成渦環(huán)，這些渦環(huán)在自誘導(dǎo)
2024-03-08 17:47:25
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
碳性電池是一種使用碳材料作為負(fù)極活性物質(zhì)的電化學(xué)裝置。與之相對(duì)的是堿性電池，使用的是氫氧化鈉或氫氧化鉀作為電解質(zhì)。下面，我將詳細(xì)介紹碳性電池的種類以及與堿性電池的區(qū)別。 碳性電池的種類： 鋅碳干電池
2024-01-22 10:25:58467 干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進(jìn)行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實(shí)現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進(jìn)行刻蝕終點(diǎn)探測(cè) 作者：泛林集團(tuán) Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對(duì)DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進(jìn)行刻蝕。不同之處在于，兩個(gè)射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59511 
目前，盛新鋰能已具備7.7萬噸鋰鹽產(chǎn)能，主要分布在四川德陽和射洪兩地，包括致遠(yuǎn)鋰業(yè)的4.2萬噸和遂寧盛新的3萬噸。更值得注意的是，盛新金屬的1萬噸鋰鹽項(xiàng)目一期已建成并試運(yùn)行，而規(guī)劃中的印度尼西亞6萬噸鋰鹽項(xiàng)目也正在按計(jì)劃推進(jìn)
2024-01-12 09:59:19177 澆鑄和切片的聚氨酯與填料或被稱為urethane-coated的材料來構(gòu)成。懸浮在相對(duì)比較溫和的腐蝕劑中的硅(玻璃)漿液，如鉀或氫氧化銨，需要被送入到拋光墊。
2024-01-12 09:54:06359 
就在去年8月，英聯(lián)鋰能年產(chǎn)2萬噸氫氧化鋰/碳酸鋰電子材料項(xiàng)目正式投產(chǎn)。該項(xiàng)目是新能源汽車行業(yè)、新能源電池行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈端重要產(chǎn)品的生產(chǎn)項(xiàng)目，主要業(yè)務(wù)包括鋰粗料精煉提純、電池黑粉濕法回用有價(jià)元素等。
2024-01-10 16:41:54361 在紅外探測(cè)器的制造技術(shù)中，臺(tái)面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
光互連CPU技術(shù) 實(shí)驗(yàn)演示了三種可以實(shí)現(xiàn)與集成在光網(wǎng)絡(luò)芯片（ONC）上的CPU核心的光互連的技術(shù)。該粘合劑技術(shù)具有>99%的透明度、高達(dá)400℃的耐高溫性、耐清洗溶劑性以及GaP棱鏡與波導(dǎo)之間的折射率匹配的特性。 聚酰亞胺微透鏡具有準(zhǔn)直25Gbps VCSEL的輸出光束以將光耦合到光波導(dǎo)中的特性。VCSEL或光電二極管的封裝尺寸具有0.4mm2的面積和0.64mm的高度，可以連接到棱鏡。除了棱鏡處的反射損耗外，從VCSEL到波導(dǎo)的凈耦合損耗被測(cè)量為0.855dB。通過腔型波導(dǎo)的傳
2024-01-05 17:14:28143 
SEMI-e 第六屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)將持續(xù)關(guān)注產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)和發(fā)展前沿，向20多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供一站式采購與技術(shù)交流平臺(tái)。
2023-12-25 16:43:54284 
測(cè)量呢？ 技術(shù)型授權(quán)代理商Excelpoint世健的工程師Galen Zhang針對(duì)基于電極法原理的ADI PH計(jì)應(yīng)用方案展開了詳細(xì)介紹。 PH測(cè)量原理 PH值是衡量水溶液中氫離子和氫氧化物離子相對(duì)量的一項(xiàng)指標(biāo)。就摩爾濃度來說，25°C的水含有1×10^?7mol/L氫離子，
2023-12-20 16:05:48154 
。然而，如果選擇了不易防止氧化的材料，就容易導(dǎo)致引腳氧化，進(jìn)而影響晶振正常工作。 2. 工藝環(huán)境不當(dāng)：晶振引腳的工藝環(huán)境可能包含一些有害氣體或者化學(xué)物質(zhì)，如高溫、濕度環(huán)境、酸堿溶液等，這些環(huán)境下會(huì)加速引腳的氧化。特別
2023-12-18 14:36:50241 ，但換上原來的電機(jī)就幾乎沒有滯后。在側(cè)測(cè)量了旋變后發(fā)現(xiàn)客戶拿來的電機(jī)旋變sin和cos的電感量和內(nèi)阻比我們正常使用的小一倍。想探討下不同參數(shù)的旋變對(duì)信號(hào)滯后的機(jī)理是什么？
2023-12-12 06:38:58
根據(jù)協(xié)議，各方擬在印尼合資建設(shè)年產(chǎn)12萬噸（鎳金屬量）氫氧化鎳鈷濕法項(xiàng)目（波馬拉項(xiàng)目），總投資額約為38.42億美元（約合人民幣275億元）。
2023-12-08 09:11:47249 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 該專利詳細(xì)闡述了一種針對(duì)含硅有機(jī)介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運(yùn)用至少兩個(gè)刻蝕步驟來刻蝕含硅有機(jī)介電層。這兩個(gè)步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對(duì)光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負(fù)載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對(duì)TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進(jìn)行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 人們常說鎳鎘電池不能完全放電。這并不完全正確，但在實(shí)踐中，很難防止一個(gè)或多個(gè)電池的極性反轉(zhuǎn)。鎳鎘電池是一種可充電電池，其電極由氫氧化鎳和金屬鎘制成。
2023-12-03 17:55:33834 
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
有鑒于此，哈佛大學(xué)Lo?c Anderegg和加州理工學(xué)院Nicholas R. Hutzler等人建立了對(duì)氫氧化鈣(CaOH)中各個(gè)量子態(tài)的相干控制，并演示了一種搜索電子電偶極矩(eEDM)的方法。
2023-11-25 15:18:58309 
據(jù)介紹，中礦資源目前擁有年2.5萬噸電池級(jí)碳酸鋰/氫氧化鋰和年6000噸電池級(jí)氟化鋰生產(chǎn)線。此次春鵬鋰已建成3.5萬噸的高純度鋰鹽工程并投入生產(chǎn)，中礦資源電池級(jí)鋰鹽的年產(chǎn)量有望達(dá)到6.6萬噸。
2023-11-17 10:20:53328 人工智能（AI）是預(yù)計(jì)到2030年將成為價(jià)值數(shù)萬億美元產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，它對(duì)半導(dǎo)體性能提出了新的要求。在交付下一代AI能力方面，一些最復(fù)雜的問題來自于需要通過新的刻蝕技術(shù)來解決的器件制造挑戰(zhàn)。
2023-11-16 16:03:02164 ESD的保護(hù)機(jī)理和主要測(cè)試模式有哪些？ ESD（Electrostatic Discharge）是靜電放電的縮寫，指的是靜電在兩個(gè)物體之間突然放電的現(xiàn)象。ESD是電子設(shè)備和電子元件面臨的主要故障來源
2023-11-07 10:21:47384 英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅，包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅，而不會(huì)侵蝕下面的銅膜。
2023-11-06 17:59:44239 
但是，在刻蝕SOI襯底時(shí)，通常會(huì)發(fā)生一種凹槽效應(yīng)，導(dǎo)致刻蝕的形貌與預(yù)想的有很大出入。那么什么是凹槽效應(yīng)？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應(yīng)呢？
2023-10-20 11:04:21454 
亞甲藍(lán)溶液測(cè)試儀是一種用于檢測(cè)密封性的重要工具，通過負(fù)壓法來評(píng)估容器或管道的密封性能。該儀器利用真空泵將亞甲藍(lán)溶液抽入測(cè)試室，然后將測(cè)試室密封，觀察測(cè)試室內(nèi)的壓力變化情況來確定密封性能的好壞。本文將
2023-10-18 16:43:33
在干法的深刻蝕過程中，精細(xì)的刻蝕控制成為一個(gè)至關(guān)重要的因素，它直接影響到芯片的性能。
2023-10-08 18:10:07903 
腐蝕pcb板的溶液按抗蝕層類型與生產(chǎn)條件而選擇：有酸性氯化銅、堿性氯化銅、三氯化鐵、硫酸與過氧化氫、過硫酸鹽等多種。下面捷多邦小編和大家介紹一下腐蝕pcb板的溶液的一些知識(shí)。 三氯化鐵的蝕刻液是銅箔
2023-10-08 09:50:22734 刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標(biāo)材料被刻蝕時(shí)，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會(huì)遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171447 
鋁坩堝作為熱分析儀中主要的配套工具，作為樣品的載體。鋁為銀白色金屬，由于表面形氧化層而保護(hù)其不與空氣和水起反應(yīng)，易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。相對(duì)密度2.70。熔點(diǎn)
2023-09-27 11:34:57
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢(shì)，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
服務(wù)內(nèi)容材料或產(chǎn)品放置在鹽霧試驗(yàn)設(shè)備中，然后通過加熱鹽水溶液產(chǎn)生鹽霧。這些鹽霧顆粒會(huì)在試驗(yàn)樣品表面沉積，并且由于其腐蝕性，可能導(dǎo)致材料或產(chǎn)品的表面腐蝕。鹽霧試驗(yàn)的主要目的是評(píng)估材料和產(chǎn)品的耐蝕性能
2023-09-21 16:33:34
烷基氧化胺易溶于水和極性有機(jī)溶劑，是一種弱陽離子型兩性表面活性劑，水溶液在酸性條件下呈陽離子性，在堿性條件下呈非離子性。具有良好的增稠、抗靜電、柔軟、增泡、穩(wěn)泡和去污性能;還具有殺菌、鈣皂分散能力，且生物降解性好，屬環(huán)保型日化產(chǎn)品。
2023-09-18 12:27:541616 
的相關(guān)知識(shí)。 pcb顯影液的主要成分堿性顯影劑和氫氧化鈉，其中PCB顯影液的核心成分堿性顯影劑可以分解未曝光的光敏膜上的化學(xué)物質(zhì)，讓未被曝光的銅箔顯露出來。堿性顯影劑有氨、氫氧化鈉、碳酸鉀等多種類型，在pcb生產(chǎn)制造中合理的選擇顯影劑能
2023-09-12 10:48:291374 的碘量法、電極極譜法和熒光法。 碘量法是參照《水質(zhì)溶解氧的測(cè)定碘量法》（GB7489-1987）標(biāo)準(zhǔn)，基于溶解氧的氧化性能，在水樣中加入硫酸錳和堿性碘化鉀溶液，生成氫氧化錳沉淀，該沉淀極不穩(wěn)定，會(huì)迅速與水中的溶解氧反應(yīng)生成硫酸
2023-09-06 15:08:03693 肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關(guān)元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971
應(yīng)用程序: 本樣本代碼使用 M031BT 來做藍(lán)牙電牙刷溶液 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.05.000
硬件: nuvoton 核_M031BT 藍(lán)牙
2023-08-29 07:40:54
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點(diǎn)的，比如價(jià)格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實(shí)驗(yàn)室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會(huì)用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有何不同 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子學(xué)中常見的兩種材料，它們?cè)陔娮觽鲗?dǎo)方面有著不同的導(dǎo)電機(jī)理。在本文中，我們將詳細(xì)探討半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理，以及它們的區(qū)別。 導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 導(dǎo)體
2023-08-27 16:00:251348 光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細(xì)結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過光罩的設(shè)計(jì)和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護(hù)性的膜，降低刻蝕劑對(duì)所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 ORP是氧化還原電位，全稱oxidation-reductionpotential，用來反映水溶液中所有物質(zhì)表現(xiàn)出來的宏觀氧化還原性。氧化還原電位越高，氧化性越強(qiáng)，氧化還原電位越低，還原性越強(qiáng)。電位
2023-08-17 09:33:423029 
。微溶于水、醇及醚，可溶于氫氧化鉀。不與氫氧化鈉、液氨、鹽酸及水起化學(xué)的反應(yīng)。300℃以下干燥環(huán)境中與銅、銀、鐵、鋁不反應(yīng)。500℃以下對(duì)石英不起作用。250℃時(shí)與金屬鈉反應(yīng)，-64℃時(shí)在液氨中反應(yīng)。與硫化氫混合加熱則分解。200℃時(shí)，在特定的金屬如鋼及硅鋼存在下，能促
2023-08-09 14:59:07334 
作為制造高鎳電池的關(guān)鍵材料，氫氧化鋰市場(chǎng)需求超出預(yù)期，從側(cè)面反映出動(dòng)力電池高鎳化趨勢(shì)之下，高鎳三元電池仍有很大的市場(chǎng)增長空間。
2023-08-07 14:30:53270 項(xiàng)目年處理三元正負(fù)極粉5.775萬噸（對(duì)應(yīng)廢舊三元鋰電池量為18萬噸），年產(chǎn)硫酸鎳79975噸、硫酸鈷33425噸、氫氧化鋰12250噸、硫酸鋰2100噸、磷酸鋰5075噸、四氧化三錳11725噸和二氧化錳1260噸；同時(shí)副產(chǎn)無水硫酸鈉160659.2噸/年和粗制石墨粉47841.44噸/年。
2023-08-04 15:50:24829 
氫氧化物 開始沉淀 沉淀完全 沉淀開始溶解 沉淀完全溶解 離子開始濃度 殘留離子濃度《10-5mol/L 氫氧化錫 0 0。5mol/L 1 13 15
2023-08-04 14:24:23476 就在此前一天，雅化集團(tuán)剛剛宣布，擬延長與特斯拉此前在2020年簽訂的電池級(jí)氫氧化鋰供貨協(xié)議，將在2023-2030年合計(jì)供應(yīng)氫氧化鋰20.7萬噸-30.1萬噸。
2023-08-03 14:53:54489 據(jù)公布，雙方合作從2020年12月開始，2020年未與交易對(duì)方發(fā)生交易金額。2021年與交易對(duì)方發(fā)生的交易金額約占2021年度公司審計(jì)營業(yè)收入的0.5%。2022年與交易對(duì)方發(fā)生的交易金額約占2022年會(huì)計(jì)審計(jì)營業(yè)收入的17%。
2023-08-03 10:03:34294 在微電子制造中，刻蝕技術(shù)是制作集成電路和其他微型電子器件的關(guān)鍵步驟之一。通過刻蝕技術(shù)，微電子行業(yè)能夠在硅晶片上創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)。本文旨在探討刻蝕設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模以及行業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
2023-08-02 10:01:08623 
刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接決定了晶圓廠所能實(shí)現(xiàn)的最高工藝節(jié)點(diǎn)，所用產(chǎn)品
2023-07-30 03:24:481556 
行業(yè)簡介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-21 16:01:32
氫氧化鋁中的結(jié)晶水含量，高達(dá)34.46%，當(dāng)周圍溫度上升到300℃以上，這些水分全部析出。由于水的比熱大，當(dāng)其化為水蒸氣時(shí)需從周圍吸取大量熱能。氫氧化鎂也含結(jié)晶水，但含水率僅30.6%，不如氫氧化鋁。
2023-07-20 16:31:12316 ，產(chǎn)生Al、Fe等離子，在經(jīng)一系列水解、聚合及亞鐵的氧化過程，發(fā)展成為各種羥基絡(luò)合物、多核羥基絡(luò)合物以至氫氧化物，使廢水中的膠態(tài)雜質(zhì)、懸浮雜質(zhì)凝聚沉淀而分離.同時(shí)
2023-07-19 17:07:17
作者展示了10 M和5 M濃度的尿素水溶液在2 ps時(shí)間窗內(nèi)記錄的時(shí)間分辨?OD譜。5M溶液和10M溶液獲得的結(jié)果之間的主要區(qū)別在于，在后者數(shù)據(jù)的寬吸收特征之上出現(xiàn)了額外的吸收帶，該吸收帶出現(xiàn)在286.5-287 eV范圍內(nèi)，轉(zhuǎn)移到287.5 eV左右，同時(shí)強(qiáng)度增加。
2023-07-17 17:16:23249 
3.35米直徑通用氫氧末級(jí)是采用通用化、產(chǎn)品化、模塊化研制思路，對(duì)標(biāo)世界一流水平，在現(xiàn)有3米直徑氫氧末級(jí)基礎(chǔ)上打造的一款高性能火箭模塊，滿足未來新一代中型運(yùn)載火箭能力提升需要，擁有廣闊的市場(chǎng)。
2023-07-14 16:56:21310 第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
行業(yè)簡介：微弧氧化(MAO)又稱微等離子體氧化(MPO)、陽極火花沉積(ASD)或火花放電陽極氧化(ANOF),還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 14:28:29
堿類助洗劑常用的為氫氧化鈉、純堿、硅酸鈉和三聚磷酸鈉。氫氧化鈉和純堿作為堿劑，價(jià)格*為便宜，廢水較難處理，有時(shí)因?yàn)閴A性偏強(qiáng)導(dǎo)致清洗物體受到損傷，另一方面氫氧化鈉和純堿沒有乳化作用對(duì)于礦物油清洗沒有任何效果;
2023-07-05 10:23:42746 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細(xì)圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
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在器件層面，根據(jù)實(shí)際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實(shí)現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄，器件生產(chǎn)中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 但是，HCl為基體的刻蝕溶液，會(huì)嚴(yán)重地侵蝕Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe，使金屬硅化物阻值升高。這就要求有一種刻蝕劑是無氯基體，而且對(duì)Ni（Pt）Si或Ni（Pt）SiGe無傷害、對(duì)金屬選擇性又高。這就是目前常用的高溫硫酸和雙氧水混合液
2023-05-29 10:48:271461 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測(cè)量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測(cè)不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
AMT-CL301型在線二氧化氯變送器是帶微處理器的水質(zhì)在線監(jiān)測(cè)控制儀。通過二氧化氯電極對(duì)水溶液中的二氧化氯值及溫度值進(jìn)行連續(xù)監(jiān)測(cè)和控制。 特征 點(diǎn)陣液晶屏顯示； 中/英文智能菜單操作； 多種信號(hào)
2023-05-23 14:07:04138 
團(tuán)隊(duì)發(fā)展了一種制造不溶性CNC基水凝膠的簡單且有效的方法，利用分子間氫鍵重構(gòu)，熱脫水使優(yōu)化的CNC復(fù)合光子膜在水溶液中形成一個(gè)穩(wěn)定的水凝膠網(wǎng)絡(luò)。
2023-05-15 17:03:32136 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
高鎳三元正極材料生產(chǎn)中需要更低的燒結(jié)溫度,所以必須使用熔點(diǎn)較低的氫氧化鋰提供鋰源。而其它正極材料中，包括中低鎳三元、磷酸鐵鋰、鈷酸鋰、錳酸鋰則主要使用熔點(diǎn)高的碳酸鋰。
2023-04-24 14:23:082297 
的粗糙度大大增加，這將導(dǎo)致質(zhì)量文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁差柵氧化層擊穿性能。?SC-1清洗后的硅片粗糙度降低，采用雙氧水溶液和氫氟酸溶液循環(huán)處理，而不是只用hf清洗。 介紹 ? 硅超大規(guī)模集成電路技術(shù)要求超凈硅表面具有特征，即無污染物、無氧化物、
2023-04-19 10:01:00129 
壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時(shí)也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會(huì)改變電子和離子的平均自由程(MFP),進(jìn)而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 如圖所示：1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過零點(diǎn)導(dǎo)通，是否可以認(rèn)為可控硅兩端的電壓為零，此時(shí)可控硅不導(dǎo)通，那如果是這樣請(qǐng)問這個(gè)電路可控硅是何時(shí)導(dǎo)通的，又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控硅T2和G極之間的電壓為多少，怎么理解
2023-04-10 21:59:00
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時(shí)鋁中如果 有少量銅就會(huì)引起殘余物問題，因?yàn)镃u Cl2的揮發(fā)性極低且會(huì)停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 高頻陶瓷溶液
2023-03-28 18:21:12
基于此，印度理工學(xué)院和韓國科學(xué)技術(shù)研究所的研究團(tuán)隊(duì)介紹了一種通過混合金屬氧化物/氫氧化物的硒化實(shí)現(xiàn)的邊緣取向硒化鉬（MoSe2）和鎳鈷硒化物（NiCo2Se4）的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。所開發(fā)的片上片異質(zhì)結(jié)構(gòu)
2023-03-23 10:39:14630 為什么在直流穩(wěn)壓電源中，不選可控硅降壓電路，而選擇降壓變壓器呢？
2023-03-23 09:48:42
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