WD4000國產晶圓幾何形貌量測設備通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，TTV、BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。可實現砷化鎵
2024-03-15 09:22:08
刻蝕機的刻蝕過程和傳統的雕刻類似，先用光刻技術將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內，通過化學腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
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的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實現的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:44:39283 
影響深硅刻蝕的關鍵參數有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量系統是通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。可兼容不同材質
2024-02-21 13:50:34
在半導體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現，有著千絲萬縷的聯系，這一節介紹半導體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58548 
干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學物質來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數的調控，可以實現各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結構
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產生和自偏壓的產生分離
2024-01-14 14:11:59511 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量設備采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
WD4000半導體晶圓厚度測量系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
在紅外探測器的制造技術中，臺面刻蝕是完成器件電學隔離的必要環節。
2024-01-08 10:11:01206 
一個芯片上可以包含數億～數百億個晶體管，并經過互連實現了芯片的整體電路功能。經過制造工藝的各道工序后，這些晶體管將被同時加工出來。并且，在硅晶圓上整齊排滿了數量巨大的相同芯片，經過制造工藝的各道工序
2024-01-02 17:08:51
摘要：論述了傳統的集成電路裝片工藝面臨的挑戰以及現有用DAF膜（DieAttachmentFilm，裝片膠膜）技術進行裝片的局限性；介紹了一種先進的、通過噴霧結合旋轉的涂膠模式制備晶圓背面
2023-12-30 08:09:58337 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網印刷、燒結和測試分選，約 12 步左右。從技術路徑角度：LPCVD 方式為目前量產的主流工藝，預計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:112726 
磨削和研磨等磨料處理是生產半導體芯片的必要方式，然而研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對生產芯片來說是十分重要的。
2023-12-21 09:44:26491 
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監控半導體設備控溫過程中晶圓發生的溫度
2023-12-21 08:58:53
WD4000晶圓幾何形貌測量設備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實現Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV
2023-12-20 11:22:44
品牌：久濱型號：JB-120名稱：瑪瑙研缽式研磨機一、產品概述： 瑪瑙研缽式研磨機，具有操作簡單，研磨細度可達微米級。替代了以往的研缽繁重的手動研磨，解放了雙手、節省了時間，碾磨效果也遠遠
2023-12-14 15:27:04
品牌：久濱型號：JB-160名稱：瑪瑙研缽式超細研磨機一、瑪瑙研缽式超細研磨機 設備用途： 瑪瑙研缽式研磨機具有操作簡單，研磨細度可達微米級。替代了以往的研缽繁重的手動研磨，解放了雙手、節省了時間
2023-12-14 15:21:28
品牌：久濱型號：JB-250名稱：陶瓷研缽式研磨機 (超細粉末研磨)一、產品概述： 陶瓷研缽式研磨機一臺通用型、多功能的研磨粉碎儀器。可用于醫藥微粉、超硬材料微粉、電子微粉、食品微粉、化工微粉
2023-12-14 15:18:34
膏體（濕磨）、油墨（濕磨）等物料的研磨。二、適合研磨的顆粒（或粉末）：1、超硬材料微粉，例如：金剛石砂輪磨料微粉。2、電子微粉，例如：半導體微粉、多晶硅微粉。3、
2023-12-14 14:59:14
品牌：久濱型號：JB-500名稱：陶瓷研缽式研磨機一、產品概述： 本品為大型自動研磨設備，可用于醫藥微粉、超硬材料微粉、電子微粉、食品微粉、化工微粉、礦物微粉、高分子材料微粉、齒科材料膏體（濕磨
2023-12-14 11:21:09
中圖儀器WD4000無圖晶圓幾何形貌量測系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2023-12-14 10:57:17
品牌：久濱型號：JB-120名稱：藥物研磨機一、產品概述： 藥物研磨機又稱為瑪瑙研缽磨機，本瑪瑙研磨機是通過乳缽的自動旋轉研磨固體顆粒，是具有 jí 強粉碎能力的一種自動研磨
2023-12-14 09:57:20
品牌：久濱型號：JB-200名稱：自動瑪瑙研缽式研磨機一、產品概述： 自動瑪瑙研缽式研磨機，如何更好的替代手工研磨一直是我們公司開發自動研磨機的重點，我司研發設計的研缽式研磨機主要用針對化工、電子
2023-12-14 09:47:12
品牌：久濱型號：JB-120名稱：實驗室研磨機 小型干式研磨一、產品概述： 采用耐磨度好的瑪瑙研缽研棒模擬石白手工磨粉狀態，替代手工研磨，輕松省力，通過研磨時間的控制使研磨粉未達到需要的細度要求
2023-12-14 09:40:58
品牌：久濱型號：JB-200名稱：瑪瑙研缽式超細研磨機一、產品概述： 研缽式微粉研磨機具有操作簡單，研磨細度可達微米級。替代了以往的研缽繁重的手動研磨，解放了雙手、節省了時間，碾磨效果也遠遠
2023-12-14 09:29:32
該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應的半導體工藝設備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應，避免產生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 晶圓測溫系統tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法 在半導體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個重要的參數
2023-12-04 11:36:42
在晶圓生產工藝的結尾，有些晶圓需要被減薄（晶圓減薄）才能裝進特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結；對于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡稱背金）；
2023-11-29 12:31:26203 
化學機械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優勢介紹。
2023-11-29 10:05:09348 在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因為單純的物理研磨會引入顯著的機械損傷，如劃痕和位錯，且無法達到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。
2023-11-29 10:03:32327 
半導體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
印刷設備絲桿選擇研磨桿還是冷軋桿好？
2023-11-14 17:49:35260 
但是里面也有幾個關鍵的工藝參數需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 請問像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線，芯片太小，過孔和線路都無法布入，或者有沒有其他封裝的AD8233
2023-11-14 07:01:48
晶圓承載系統是指針對晶圓背面減薄進行進一步加工的系統，該工藝一般在背面研磨前使用。晶圓承載系統工序涉及兩個步驟：首先是載片鍵合，需將被用于硅通孔封裝的晶圓貼附于載片上;其次是載片脫粘，即在如晶圓背面凸點制作等流程完工后，將載片分離。
2023-11-13 14:02:491410 
。WD4000晶圓幾何形貌測量及參數自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現晶圓厚度、TTV、LTV、B
2023-11-06 10:49:18
WD4000系列半導體晶圓幾何形貌自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
WD4000半導體晶圓表面三維形貌測量設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。可廣泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
WD4000半導體晶圓檢測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
WD4000無圖晶圓幾何量測系統自動測量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對射技術測量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
移動式恒溫恒濕試驗箱商品名稱：商品規格：TH系列商品簡述：移動式恒溫恒濕試驗箱現貨急售，價格便宜，質量保證，全新機型內尺寸：寬1米+高1.6米*深1米；溫度范圍：-40~150度，如需咨詢敬請隨時
2023-10-17 11:15:20
刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區域的材料以形成相應微結構。但是，在目標材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252073 
在半導體制造中，刻蝕工序是必不可少的環節。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術各有優勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
性能和速度上同時滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術是機械削磨和化學腐蝕的組合技術 , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學腐蝕作用在被研磨的介質表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術對于
2023-09-19 07:23:03
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍 ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術，用于制造微細結構和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學和物理作用，通過光罩的設計和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422270 PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 在半導體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10506 刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結構。刻蝕的原理是利用化學反應或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383908 電子發燒友網報道（文/周凱揚）在半導體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術難度最大的主要三大流程當屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進程度直接決定了晶圓廠所能實現的最高工藝節點，所用產品
2023-07-30 03:24:481556 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214 
晶圓測溫系統，晶圓測溫熱電偶，晶圓測溫裝置一、引言隨著半導體技術的不斷發展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設備，在晶圓制造中具有重要的應用價值。本文
2023-06-30 14:57:40
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
在研磨機的行業中，產品多種多樣，而我們公司的研細研磨機在行業中并不多見。國內行業同類產品少，所以我們一直不知道用“研磨機”來命名是否是需要這種產品客戶的搜索詞。 JB系列研缽機是我司通過消化吸收國外
2023-06-26 15:06:44168 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
英特爾表示，它是業內第一個在類似產品的測試芯片上實現背面供電的公司，實現了推動世界進入下一個計算時代所需的性能。PowerVia 將于 2024 年上半年在英特爾 20A 工藝節點上推出，正是英特爾業界領先的背面供電解決方案。它通過將電源路由移動到晶圓的背面，解決了面積縮放中日益嚴重的互連瓶頸問題。
2023-06-20 15:39:06326 離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
步入式恒溫恒濕試驗房的用途:適用于塑膠、電子、食品、服裝、車輛、金屬、化學、建材、航天等多種行業的溫濕變化產品可靠性檢測。是指能同時施加溫度、濕度應力的試驗箱,由制冷系統、加熱系統、控制系統、溫度
2023-06-09 10:30:45
將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到 封裝需要的厚度（5mils~10mils）；
磨片時，需要在正面（Active Area）貼膠帶保護電路區域 同時研磨背面。研磨之后，去除膠帶，測量厚度；
2023-06-09 09:17:421843 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
】晶圓 FOL– Back Grinding背面減薄 將從晶圓廠出來的Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到 ? ?封裝需要的厚度（5mils~10mils）； 磨片時，需要在正面（Active
2023-05-23 09:56:412139 
經過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯結前端和后端工藝以解決前后兩個工藝
2023-05-22 12:44:23691 
研磨光纖連接器：將光纖連接器插入研磨機中，按照研磨機的操作說明進行研磨。通常情況下，需要先使用粗研磨片進行粗磨，再使用細研磨片進行細磨，直到光纖連接器的插芯和插座表面光滑平整。
2023-05-18 18:16:071440 經過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯結前端和后端工藝以解決前后兩個工藝
2023-05-12 12:39:18763 
半導體大規模生產過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個單元，最后再進行封裝和焊接，因此對晶圓切割槽尺寸進行精準控制和測量，是生產工藝中至關重要的環節。
2023-05-09 14:12:38
圓片級芯片尺寸封裝（WLCSP）是指在圓片狀態下完成再布線，凸點下金屬和焊錫球的制備，以及圓片級的探針測試，然后再將圓片進行背面研磨減薄
2023-05-06 09:06:411847 
半導體大規模生產過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個單元，最后再進行封裝和焊接，因此對晶圓切割槽尺寸進行精準控制和測量，是生產工藝中至關重要的環節。
2023-04-28 17:41:49
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術節點，高的產量、低的成本是與現有生產系統競爭的關鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統，從長遠來看，可以為客戶節省大量費用，有可能
2023-04-21 09:20:221349 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 有多種表面精加工技術和方法來精加工零件，每種方法都會產生不同的表面光潔度和平整度。研磨工藝研磨是一種精密操作，基于載體中的研磨料游離磨粒或復合研磨盤基質中的固定磨粒的切割能力。有兩種類型的研磨工藝
2023-04-13 14:23:41816 
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 wafer晶圓GDP703202DG恒流1mA表壓2Mpa裸片壓力傳感器die產品概述：GDP0703 型壓阻式壓力傳感器晶圓采用 6 寸 MEMS 產線加工完成，該壓力晶圓的芯片由一個彈性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182459 調溫調濕箱全名“恒溫恒濕試驗箱”是航空、汽車、家電、科研等領域必備的測試設備，用于測試和確定電工、電子及其他產品及材料進行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗的溫度環境變化后的參數及性能，它主要用于根據試驗
2023-03-28 09:02:36
作為半導體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:377224
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