摘要
半導(dǎo)體行業(yè)的研究人員研究了臭氧對wafer-cleaning的應(yīng)用程序。 來 降低化學(xué)品消耗,降低成本,提高清洗效率,對臭氧進行了研究作為一種替代,傳統(tǒng)的硫酸-過氧化氫 RCA用堿性(SC-1)和酸性來清洗。它是 (SC-2)過氧化氫混合物 這是因為消毒活動產(chǎn)生的多重影響 。
圖1:三步ACD原理圖清洗系統(tǒng)配置
DIO3可降解有機物污染
圖2:三種清潔工藝后典型的殘余金屬表面濃度 在硅片上:在HF/O3干燥器中一步的過程,修改的RCA清潔,和一個堿性蝕刻
尋找一個替代 RCA清洗
圖3:三種類型的CMOS器件的跨導(dǎo)數(shù)據(jù)(a)和飽和電流數(shù)據(jù)(b)
結(jié)論
濕式清洗工藝將繼續(xù)發(fā)揮作用在半導(dǎo)體制造中扮演著重要的角色晶圓結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性增加。 在可靠的臭氧產(chǎn)生系統(tǒng)發(fā)展,使臭氧牽引替代傳統(tǒng)的濕清洗和pho抵抗去除方法。 臭氧/水清潔產(chǎn)品更便宜,更環(huán)保。
審核編輯:湯梓紅
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