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碳化硅(SiC)器件制造工藝中的清洗方法

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2023-07-28 10:57:451093

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

碳化硅SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092317

碳化硅器件企業匯總

此前影響碳化硅器件放量的主要約束為成本經濟性問題,現今隨著晶圓生產制造成本下行、與硅基器件價差持續縮小,同時若考慮散熱系統成本節約、空間節約、電驅系統性能提升和整車價值躍升等附加價值,碳化硅器件已具有一定競爭優勢。
2023-06-08 14:50:37781

碳化硅原理用途及作用是什么

碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩定性好等優良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結構單元SiC構成,每個SiC結構單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:351971

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點,廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域,如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學機械拋光(CMP)方法碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗,探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響,并對工藝參數進行了優化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215

碳化硅功率模組有哪些

讀者的持續關注。 一、簡介 二、碳化硅功率器件產業鏈 三、碳化硅功率器件產業鏈上游 四、碳化硅功率器件設計 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應用與市場 01 | 碳化硅功率器件的應用 目前市場上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:20390

SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎上,經過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質外延片,可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中應用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092826

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅SiC)M3S器件

智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。
2023-05-25 10:39:07281

碳化硅器件步入發展“快車道”,碳化硅襯底龍頭企業最新進展到哪了?

快速發展,碳化硅芯片在未來2至3年都將呈現供不應求的態勢。DIGITIMES Research預測,2030年全球電動汽車銷量有望超越5000萬輛,將帶動SiC功率器件于電動車市場銷售額突破八成。 ? 5月3日,英飛凌與國內碳化硅公司天科合達、天岳先進簽訂長期協
2023-05-24 00:10:003421

碳化硅與工業應用的未來

首先,讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質。事實上,碳化物最初是從隕石的碎片中發現的。其獨特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:09614

SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡稱SiC襯底)也是晶體材料的一種,屬于寬禁帶半導體材料,具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優勢,是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎性材料。
2023-05-18 09:54:341934

激光與碳化硅相互作用的機理及應用

本文介紹了激光在碳化硅SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:041222

精華!SiC碳化硅封裝設備知識介紹,探索新型半導體材料制備的新前沿

集成電路SiC碳化硅
北京中科同志科技股份有限公司發布于 2023-05-13 10:46:45

碳化硅功率器件及應用

碳化硅SiC)半導體材料是自第一代元素半導體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料,碳化硅具有禁帶寬
2023-05-10 09:43:241338

簡述碳化硅襯底類型及應用

碳化硅襯底 產業鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483426

碳化硅晶片的磨拋工藝詳解

薄膜的質量以及器件的性能,所以碳化硅襯底材料的加工要求晶片表面超光滑,無缺陷,無損傷,表面粗糙度在納米以下。??
2023-05-05 07:15:001154

碳化硅功率器件的可靠性應用

碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52635

意法半導體供應超千萬顆碳化硅器件

意法半導體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930

激光在碳化硅半導體晶圓制程中的應用

本文介紹了激光在碳化硅SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712

碳化硅:第三代半導體之星

按照電學性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應用領域不同。導電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

碳化硅SiC MOSFET:低導通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料,因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應用前景,包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18

SiC MOSFET碳化硅芯片的設計和制造

來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201220

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知,對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質量的襯底可以從外部購買得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于
2023-04-06 16:19:011295

碳化硅功率器件在充電樁中的應用有哪些?

在半導體材料領域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465

SIC碳化硅MOSFET的制造工藝

介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結構,晶體制備,晶體生長,器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817

一文為您揭秘碳化硅芯片的設計和制造

得到,高質量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎,高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章 將 為您介紹 SiC MOSFET器件設計 和制造
2023-03-30 22:15:011425

盛美上海首次獲得 Ultra C SiC 碳化硅襯底清洗設備的采購訂單

解決方案的領先供應商,今宣布首次獲得Ultra C SiC 碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。該平臺還可配置盛美上海自主研發的空間交變相位移(SAPS)清洗技術,在不損傷器件的前提下實現更全面的清洗。該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商,
2023-03-28 17:17:11336

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