察到的室溫可見光致發(fā)光1 (PL)已經(jīng)證明了用于光電應(yīng)用的實(shí)用、高效硅基發(fā)射器的潛力。 多孔硅層已經(jīng)由(100)取向的n型硅片制備。用掃描電鏡、紅外光譜和熒光光譜表征了多孔硅的形態(tài)和光學(xué)性質(zhì)。研究了陽極氧化溶液中不同蝕刻時(shí)間對多孔硅結(jié)
2022-03-25 17:04:44
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接上回的實(shí)驗(yàn)演示 ? 實(shí)驗(yàn)演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設(shè)計(jì)和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉(zhuǎn)移； 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并進(jìn)一步各向異性蝕刻
2022-05-11 14:49:58712 
在多孔電極中，固相導(dǎo)電顆粒組成電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，分布在孔隙電解液構(gòu)成的液相離子傳輸網(wǎng)絡(luò)中，因此多孔電極中電子導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)和離子傳輸網(wǎng)絡(luò)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與電極性能密切相關(guān)。
2023-03-20 10:16:482999 摘要 本文報(bào)道了鉑輔助化學(xué)化學(xué)蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時(shí)間的增加而增加，而蝕刻時(shí)間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力顯微鏡測量結(jié)果表明，表面
2022-04-27 16:55:321306 
超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可以制作品質(zhì)因數(shù)高得多的多孔硅微腔，由超聲波蝕刻
2022-05-06 17:06:511048 
哪位老師知道多孔USB的原理 有原理圖嗎?
2013-03-08 22:20:17
）及電子電器設(shè)備、可控硅元件的軟連接線。軟銅絞線適用于電氣裝備、電子電器或元件接線或這些場合用軟結(jié)構(gòu)絕緣電線電纜的導(dǎo)體線芯。銅軟絞線采用優(yōu)質(zhì)圓銅線或鍍錫軟圓銅線制成。加工過程中經(jīng)韌煉處理，電鍍銅接地絞線，使成品柔軟、外表整齊美觀。`
2018-12-06 20:48:24
的沖擊韌性，應(yīng)用于汽車工業(yè)，將有效降低交通事故給乘客帶來的傷害。應(yīng)該將多孔結(jié)構(gòu)對機(jī)械性能的影響分成直接的與間接的兩種影響。例如加快（或減緩）擴(kuò)散過程，對相變的作用這類孔隙的間接影響在于會形成某些結(jié)構(gòu)。氣孔
2018-11-09 11:00:10
實(shí)現(xiàn)利用硅光電路和微光學(xué)元件的創(chuàng)新解決方案，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)控制電子元件和系統(tǒng)封裝的最優(yōu)集成。MACOM始終關(guān)注采用細(xì)線光刻來實(shí)現(xiàn)高密度功能的硅微光子綜合技術(shù)。這些技術(shù)將高性能低功率光學(xué)器件與最佳功能及最大
2017-11-02 10:25:07
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法
2011-12-02 14:30:44
除了垂直，還向兩側(cè)蝕刻。隨著深度增加，兩側(cè)金屬面的蝕刻面積也在加大。開始的部分被蝕刻的時(shí)間長，向兩側(cè)蝕刻的深度也大，形成嚴(yán)重側(cè)蝕，底部蝕刻時(shí)間較短，側(cè)蝕相對輕微。側(cè)蝕能使凸面的線條或網(wǎng)點(diǎn)變細(xì)變小，反之
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
簡述如下： 1 物理及化學(xué)方面 1）蝕刻液的濃度：應(yīng)根據(jù)金屬腐蝕原理和銅箔的結(jié)構(gòu)類型，通過試驗(yàn)方法確定蝕刻液的濃度，它應(yīng)有較大的選擇余地，也就是指工藝范圍較寬。 2）蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻
2018-09-11 15:19:38
的影響，有物理、化學(xué)及機(jī)械方面的。現(xiàn)簡述如下：麥|斯|艾|姆|P|CB樣板貼片,麥1斯1艾1姆1科1技全國1首家P|CB樣板打板 1 物理及化學(xué)方面 1）蝕刻液的濃度：應(yīng)根據(jù)金屬腐蝕原理和銅箔的結(jié)構(gòu)
2013-10-31 10:52:34
與蝕刻深度之比, 稱為蝕刻因子。在印刷電路工業(yè)中，它的變化范圍很寬泛，從1：1到1：5。顯然，小的側(cè)蝕度或低的蝕刻因子是最令人滿意的。 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響
2018-11-26 16:58:50
SRAM的性能及結(jié)構(gòu)
2020-12-29 07:52:53
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
波導(dǎo)耦合器由于低插損，高功率，高定向性微波通信，測試測量等場合有大量的使用。同時(shí)波導(dǎo)耦合器由于是三維結(jié)構(gòu)，耦合方式多種多樣（寬邊/窄邊/多路/平行/交叉耦合），其中應(yīng)用非常廣泛的一種結(jié)構(gòu)是貝茲孔
2019-06-26 06:11:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
各向異性（晶體）化學(xué)蝕刻是半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級光滑面的光學(xué)設(shè)備（波導(dǎo)、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
濕法蝕刻 InGaP 和 GaAs 的結(jié)果。以前，發(fā)現(xiàn)這些蝕刻劑產(chǎn)生令人滿意的效果。 然而，這些解決方案的一個(gè)嚴(yán)重缺點(diǎn)是它們會侵蝕金，金隨后可能會重新沉積在 MESA 結(jié)構(gòu)的斜面和蝕刻表面本身上。因此
2021-07-09 10:23:37
還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒有表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性；簡介 光刻膠的附著力對濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會影響光刻膠對半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22
損傷并平滑垂直側(cè)壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學(xué)拋光不同時(shí)間后的 GaN m 面和 a 面?zhèn)缺诘?SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的晶胞示意圖。(b) 鳥瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
腔體對齊的精確位置制造光學(xué)組件。硅微加工和 MEMS 加工技術(shù)都非常適合此類應(yīng)用，從而能夠創(chuàng)建可以塑造或引導(dǎo)光束的復(fù)雜微結(jié)構(gòu)。先前已經(jīng)開發(fā)出硅體微加工技術(shù)并且通常使用多種不同的蝕刻來進(jìn)行，其中
2021-07-19 11:03:23
關(guān)于光學(xué)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的子波長硅光量子器件（章回2，3，4的內(nèi)容文本待續(xù)） （附圖與文本內(nèi)容一致，符合國際標(biāo)準(zhǔn)）ieee電腦設(shè)計(jì)與測試 2013 2021-1-23隨著我們對信息的需求增加，對網(wǎng)絡(luò)處理大量
2021-01-23 07:18:21
關(guān)于光學(xué)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的子波長硅光量子器件（附圖續(xù)IV.）ieee計(jì)算機(jī)測量與設(shè)計(jì) 20132021-02-02（續(xù)完章回3文本內(nèi)容，及其中專業(yè)技術(shù)符號，表達(dá)式和公式等）（圖文一致，符合國際標(biāo)準(zhǔn)） 2021-02-02
2021-02-02 16:33:10
摘要：在印制電路制作過程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過程具有很強(qiáng)的指導(dǎo)意義，特別是對于精細(xì)線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型，并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術(shù)，它只需一個(gè)裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個(gè)浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時(shí)間，且蝕刻速度非常緩慢。可以通過加熱蝕刻溶液的方法來
2018-09-11 15:27:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
雙向可控硅結(jié)構(gòu)原理及應(yīng)用
2012-08-20 13:23:09
的波長窗口獲得穩(wěn)定的拍長,且拍長值也可以根據(jù)實(shí)際需求設(shè)計(jì)調(diào)整。通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),在1310 nm波長窗口得到了帶寬大于180 nm的平坦拍長曲線。【關(guān)鍵詞】：光纖光學(xué);;多孔光纖;;波束傳播法;;雙折射
2010-04-24 10:12:19
可控硅一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？ 晶閘管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向
2021-09-09 08:23:06
有人做用電化學(xué)腐蝕多孔硅的工藝嗎？本人剛開始做，想一起交流一下相關(guān)經(jīng)驗(yàn)。
2011-03-21 13:30:18
silicon photonic circuits“。基于鍺離子注入的硅波導(dǎo)工藝和激光退火工藝，他們實(shí)現(xiàn)了可擦除的定向耦合器，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學(xué)FPGA。
2019-10-21 08:04:48
本文將介紹和比較在硅光電子領(lǐng)域中使用的多種激光器技術(shù)，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術(shù)。我們還會深入探討用于各種技術(shù)的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進(jìn)硅光子技術(shù)廣泛普及的過程中發(fā)揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
安捷倫科技公司(Agilent Technologies)宣布推出一款基于LED的高性能光學(xué)鼠標(biāo)傳感器——ADNS-3080。這款產(chǎn)品為“第一射手”(FPS)電腦游戲、專業(yè)制圖和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)
2018-10-26 16:22:12
新型聚丙烯酸酯的制備與非線性光學(xué)性能設(shè)計(jì)合成了一種含偶氮苯和取代苯乙炔基長共軛生色團(tuán)的丙烯酸酯，并采用溶液聚合法合成了功能化的聚丙烯酸酯，利用FTIR、NMR等對化合物的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，證實(shí)
2009-05-26 00:24:16
，為避免上述情形發(fā)生，現(xiàn)有的解決方法大多由去除硅晶片正面邊緣上的劍山著手，使硅晶片正面能呈現(xiàn)待蝕刻結(jié)構(gòu)。如此一來，當(dāng)夾持臂夾持晶片邊緣時(shí)，所接觸到的晶片正面邊緣便是平坦?fàn)睿粫l(fā)生夾斷晶片正面邊緣上的劍
2018-03-16 11:53:10
是半導(dǎo)體制造，微機(jī)械和微流控設(shè)備中的重要過程，需要微尺度的特征來優(yōu)化性能或創(chuàng)建層流態(tài)，這在宏觀上幾乎是不可能獲得的。由于能夠通過改變蝕刻劑濃度和蝕刻時(shí)間來輕松控制z軸蝕刻，因此常用于分層應(yīng)用。缺點(diǎn)包括許多化學(xué)廢物，其中許多是高酸性和多步過程。
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
適當(dāng)?shù)那鍧嵒驅(qū)θ芤哼M(jìn)行補(bǔ)加。 蝕刻過程中應(yīng)注意的問題 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù) 側(cè)蝕會產(chǎn)生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長,側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。側(cè)蝕將嚴(yán)重影響印制導(dǎo)線的精度，嚴(yán)重的側(cè)蝕將不
2017-06-24 11:56:41
利用準(zhǔn)分子納秒激光誘導(dǎo)的細(xì)長須狀結(jié)構(gòu)和飛秒激光輻照下產(chǎn)生的具有表面枝蔓狀納米結(jié)構(gòu)的錐形微結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,這種尖峰微結(jié)構(gòu)的形成與輻照激光的波長和脈沖持續(xù)時(shí)間有關(guān)。對空氣中微構(gòu)造硅的輻射反射的初步研究
2010-04-22 11:41:53
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
納米結(jié)構(gòu)的幾何形狀只要滿足特定條件，并匹配入射光的波長，就能夠大幅提高光學(xué)傳感器的靈敏度。這是因?yàn)榫植考{米結(jié)構(gòu)可以極大地放大或減少光的電磁場。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，由Christiane Becker
2018-10-30 11:00:20
，小的側(cè)蝕度或低的蝕刻因子是最令人滿意的。 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分
2018-09-19 15:39:21
通過對陽極氧化多孔Al2O3 薄膜感濕材料的制備工藝及其電容濕敏特性進(jìn)行研究,將陽極氧化參數(shù)對多孔Al2O3 薄膜的結(jié)構(gòu)和形態(tài)的影響與多孔Al2O3 薄膜作為濕度傳感器感濕材料的濕敏特
2009-06-22 11:24:50
13 多孔硅在光電子和傳感器領(lǐng)域是一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的材料, 多孔硅網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形狀紋理直接影響其光學(xué)和熱學(xué)性能。運(yùn)用數(shù)字圖像處理分析方法對多孔硅結(jié)構(gòu)電子顯微鏡圖像(SEM)
2009-06-30 08:34:1015 本文介紹了有著蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖傳感器在應(yīng)變測量以及薄結(jié)構(gòu)振動測量中的應(yīng)用和檢測機(jī)理. 并且在非對稱蝕刻結(jié)構(gòu)的光纖曲率傳感器的基礎(chǔ)上提出了分布式光纖模態(tài)曲率傳感器研究
2009-07-03 09:13:1310 激光加工多孔端面機(jī)械密封
摘 要：介紹了激光加工多孔端面機(jī)械密封的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，闡述了激光加工多孔端面機(jī)械密封的工作原理，指出端面微孔
2009-05-15 22:36:20968 
粉末多孔電極
粉末多孔電極
1，粉末多孔電極的優(yōu)點(diǎn)：
①于粉末電極的多孔性，可大大增加電極的比表面，減小電極通過的真實(shí)電流密度，
2009-11-05 17:24:431573 摘 要 提出一種用于SO2監(jiān)測的多孔硅光學(xué)傳感方案,其原理是以光催化氫化硅烷化處理的多孔硅作為敏感材料,根據(jù)多孔硅光致發(fā)光峰猝滅程度與SO2濃度間定量關(guān)系,實(shí)現(xiàn)SO2傳感。實(shí)驗(yàn)采用電化學(xué)方法將n2型單晶硅腐蝕形成多孔硅并進(jìn)行氫化硅烷化處理,獲得敏感膜層;研
2011-02-16 22:11:1731 對多孔硅施加陽極氧化表面處理技術(shù),可有效解決多孔硅干燥時(shí)出現(xiàn)龜裂及坍塌,破壞原有多孔硅的形貌和本質(zhì)的問題.陽極氧化表面處理技術(shù)就是使用少量的負(fù)離子作用于多孔硅表面,滿足
2011-06-24 16:28:380 該模型利用多孔固體中的蜂窩單元構(gòu)建柔性物體,將受表面壓力影響的三維空間細(xì)化為蜂窩形狀,基于結(jié)構(gòu)力學(xué)中的標(biāo)準(zhǔn)梁理論獲得蜂窩單元形變和作用力關(guān)系的解析表達(dá)式,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基于
2012-03-22 17:06:5217 光學(xué)鼠標(biāo)的結(jié)構(gòu)和原理
2017-11-23 10:50:188 從硅碳復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)出發(fā)，可將目前研究的硅碳復(fù)合材料分為包覆結(jié)構(gòu)和嵌入結(jié)構(gòu)。其中，包覆結(jié)構(gòu)是在活性物質(zhì)硅表面包覆碳層，緩解硅的體積效應(yīng)，增強(qiáng)其導(dǎo)電性。根據(jù)包覆結(jié)構(gòu)和硅顆粒形貌，包覆結(jié)構(gòu)可分為核殼型、蛋黃-殼型以及多孔型。
2018-01-09 11:13:317666 
本文首先介紹了蝕刻機(jī)的分類及用途，其次闡述了蝕刻機(jī)的配件清單，最后介紹了蝕刻機(jī)的技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用。
2018-04-10 14:38:324723 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學(xué)蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 你看一下3D NAND結(jié)構(gòu)，就知道為了深入到結(jié)構(gòu)中進(jìn)行蝕刻，就可能需要橫向蝕刻。這是傳統(tǒng)的蝕刻系統(tǒng)無法做到的一點(diǎn)。
2019-09-04 11:29:3410626 化學(xué)蝕刻法是利用酸、堿、氧化物等化學(xué)試劑對石墨烯片層進(jìn)行化學(xué)刻蝕使其產(chǎn)生面內(nèi)孔的方法。圖4a展示了采用多金屬氧酸鹽衍生的金屬氧化物刻蝕，可以得到面內(nèi)多孔石墨烯材料，石墨烯片層上的孔徑約為20–50
2020-04-02 14:39:268812 
多孔材料通常用于噪音控制。科研人員在不同多孔材料的吸聲特性方面已經(jīng)進(jìn)行了許多研究。根據(jù)孔的互連性，多孔材料通常可分為開孔結(jié)構(gòu)和閉孔結(jié)構(gòu)。對多孔材料聲學(xué)應(yīng)用的現(xiàn)有文獻(xiàn)表明，開孔結(jié)構(gòu)具有更好的吸聲性能
2020-08-19 10:37:55793 一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護(hù)的非導(dǎo)體部分銅蝕刻去，形成線路。 蝕刻有內(nèi)層蝕刻和外層蝕刻，內(nèi)層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻
2020-12-11 11:40:587458 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學(xué)反應(yīng)而移除多余材料的技術(shù)。PCB線路板生產(chǎn)加工對蝕刻質(zhì)量的基本要求就是能夠?qū)⒊刮g層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031004 
為了設(shè)計(jì)符合工程設(shè)計(jì)參數(shù)要求的多孔結(jié)構(gòu)模型，提出一種孔隙表征參數(shù)驅(qū)動的多孔結(jié)構(gòu)建模思路，并以增材制造制備成形。首先，針對三周期極小化曲面（TPMS）的4種常用類型（PDGI-WP），研究了TPMS
2021-04-29 15:11:184 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計(jì)、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實(shí)驗(yàn) KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對商用硅太陽能電池進(jìn)行紋理化。銀納米粒子作為催化位點(diǎn)，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時(shí)間。利用光譜儀測量了硅太陽能電池表面納米結(jié)構(gòu)
2022-01-04 17:15:35629 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
材料，其用于許多蝕刻步驟中以抵抗蝕刻。該掩模材料可以是光致抗蝕劑，并且使用光刻法將其圖案化。蝕刻也可以稱為制作空腔，這些空腔應(yīng)該根據(jù)用途具有特定的深度。產(chǎn)生的這種空腔的深度可以通過蝕刻時(shí)間和蝕刻速率
2022-03-16 16:31:581134 
質(zhì)的影響。蝕刻率由深度蝕刻隨時(shí)間的變化來確定。結(jié)果表明，隨著蝕刻時(shí)間的延長，硅的厚度減重增加。在高分辨率光學(xué)顯微鏡下，可以觀察到蝕刻的硅片表面的粗糙表面。XRD分析表明，蝕刻后硅的晶體峰強(qiáng)度變?nèi)酰f明在硅襯底
2022-03-18 16:43:11529 
利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個(gè)涉及硅的局部陽極化和隨后的化學(xué)蝕刻的組合過程來實(shí)現(xiàn)的。利用這一方法，可以通過改變蝕刻條件來制造負(fù)圖案和正圖案。
2022-03-23 11:05:54373 
和水熱蝕刻制備黑硅具有更大的優(yōu)勢。它為制備黑硅可見光和近紅外光電子器件提供了一種合適而經(jīng)濟(jì)的方法。本文采用濕式蝕刻法制備了微結(jié)構(gòu)硅，并對其微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征，并對其光學(xué)性能進(jìn)行了測試。
2022-03-29 16:02:59819 
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