場效應管，即場效應晶體管（簡稱FET），是一種電壓控制型半導體器件。
2024-02-20 15:31:17
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逆變器的場效應管發熱原因? 逆變器是一種將直流電轉換為交流電的裝置，常用于太陽能發電、風能發電等可再生能源系統中。其中，場效應管（MOSFET）是逆變器中的關鍵元件，負責開關直流電，實現直流電的變換
2024-01-31 17:17:01427 1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
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2024-01-26 16:08:23
0 在負反饋網絡沒有考慮到反饋支路的負載效應，只是認為反饋網絡是單向的，即沒有考慮到輸入經反饋網絡到輸出的過程，如果考慮到反饋支路的負載效應，就必須重新分析反饋環節的影響。
1、請問如何判斷反饋支路
2024-01-26 09:58:01
PID效應的成因及抑制方法 PID（比例積分微分）控制器是一種常用的自動控制器，廣泛應用于工業控制系統中。它由比例（P）、積分（I）和微分（D）三部分組成，用于控制系統的輸出校正與調節。 PID效應
2024-01-23 14:58:28312 熱電效應是指當兩個不同材料的接觸處存在溫度差時，會產生電場或電勢差，從而引起電荷的移動和電流的產生。熱電效應的研究對于熱電材料的開發和熱電轉換技術的應用有著重要的意義。 熱電效應可以分為三種
2024-01-18 11:43:15647 。而超聲波傳感器中的壓電晶片則是其中最核心的部件之一，它起著轉換電信號和超聲波能量的重要作用。 壓電晶片，也被稱為壓電陶瓷，是一種特殊材料，具有壓電效應。壓電效應是指某些晶體在受到機械應力時產生電荷分布的變
2024-01-17 15:37:28396 利用電流熱效應工作的電器是指那些根據電流通過導體產生的熱量來實現其功能的電器。電流熱效應是指當電流通過導體時，由于導體的電阻，電能會被轉化為熱能，導致導體溫度升高。這種熱能轉化的現象廣泛應用于各種
2024-01-16 10:41:10224 2586場效應管能不能使用3205場效應管代替？ 場效應管(也稱為晶體管)作為一種重要的電子元件，廣泛應用于各種電路中，包括放大器、開關和數字邏輯電路等。然而，在一些場合下，我們可能需要找到一個能夠
2024-01-15 15:49:57317 太陽能發電原理是指利用太陽能將其轉化為電能的過程。太陽能是指太陽自身發出的輻射能，其中包括光能和熱能。太陽光是一種電磁輻射，由能量較高的光子組成。太陽能發電利用的是光能，而非熱能。下面將詳細介紹
2024-01-12 14:46:10342 場效應管和IGBT的驅動經常聽到米勒效應這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導致驅動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
光電效應是一種物理現象，指的是當光子射到金屬表面時，金屬中的電子受到能量激發而從金屬表面逸出的過程。光電效應的基本原理可以用經典的波動理論和量子力學的粒子理論來解釋。
2024-01-10 14:49:50656 霍爾傳感器為何有磁阻效應? 霍爾傳感器的磁阻效應是指在外加磁場作用下，材料內的電阻發生變化，從而產生電勢差。霍爾傳感器利用這種效應，能夠檢測和測量磁場的強度、方向和位置等信息。本文將從霍爾效應的起源
2023-12-18 14:49:00478 產品小型化和更輕、更薄發展趨勢的推動下, 制造商開發出更小的封裝類型。最小的封裝當然是芯片本身, 圖 1 描述了 IC 從晶片到單個芯片的實現過程, 圖 2 為一個實際的晶片級封裝 (CSP) 。 晶片級封裝的概念起源于 1990 年, 在 1998 年定義的 CSP 分類中, 晶片級 CSP
2023-12-14 17:03:21201 
碳化硅晶片薄化技術，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實現。
2023-12-12 12:29:24189 
場效應管放大電路的原理? 場效應管（FET）是一種三極管，常用于電子放大電路中。FET的原理是利用半導體材料的特性來控制電流和電壓，以實現放大作用。通過理解FET工作的原理，我們可以了解到FET
2023-12-07 15:48:241317 接地設計中的“決堤效應”
2023-12-06 14:50:24136 
的復雜性和成本，努力實現持續改進至關重要. 質量控制和產量 一個晶片上同時制造幾百個芯片。我們不是在談論美味的餅干；晶片通常是一塊硅(世界上最豐富的半導體之一)或其他半導體材料，設計成非常薄的圓盤形式。晶片用于制造電子
2023-12-04 11:50:57197 
如圖：這個N溝道場效應管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管(FET)是利用控制輸入回路
2023-11-24 16:54:18633 壓電效應的定義 壓電效應的應用 壓電效應的特點 壓電效應是指某些物質在受到機械應力或壓力時會產生電荷分離現象的物理現象。具體地說，當壓電材料變形時，其內部正負電荷中心的偏移會導致電荷的分離，從而產生
2023-11-23 11:00:301380 場效應管是一種半導體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據結構的不同，場效應管可以分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOSFET）。其中，JFET是由一個pn結構組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521232 
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2023-11-03 09:42:540 電源系統故障的成因是什么？該如何有效應對？有沒有一種簡單的方法可以保護電源設計免受故障影響？ 電源系統故障的成因是多種多樣的，包括但不限于設備老化、負載波動、過流、過壓、過熱、短路、接線松動等。這些
2023-10-23 09:46:06415 電阻器是電子電路中常見的被動元件，用于限制電流、調整電壓和執行其他電阻性功能。在電阻器的制造中，有兩種常見的類型：厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻。這兩種類型的電阻器在結構、性能和應用方面都有一些顯著的區別。本文將介紹厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區別，以幫助讀者更好地理解它們的特性和用途。
2023-10-23 09:00:17840 
場效應管不導通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
整數霍爾效應和分數霍爾效應是再明顯不過的磁通量量子化證據。把霍爾器件的邊界看作等效回路，而不是應用霍爾器件的電路看作回路。
2023-10-16 13:27:09269 怎么實現利用藍牙和無線局域網共同控制監控系統怎么實現?
2023-10-16 06:29:48
光伏電池是光伏組件中重要的一種，也是光伏系統的基礎。光伏電池是一種元器件，利用光伏效應實現光電能的轉化。
2023-10-12 16:27:28865 
在刻蝕SOI襯底時，通常會發生一種凹槽效應，導致刻蝕的形貌與預想的有很大出入。那么什么是凹槽效應？什么原因引起的？怎么抑制這種異常效應呢？
2023-10-11 18:18:43978 
隨著社會的不斷發展，商業安全問題越來越受到人們的關注。為了保障商業安全，許多企業和機構都采用了安防監控系統。本文將介紹如何利用安防監控系統保障商業安全，以僑杰智能科技為例。 在商業場所中，安防監控
2023-10-11 16:22:56409 場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34561 
健康、健身和元宇宙應用開發與半導體技術集成的磁傳感器。 隧道磁阻（TMR）效應 隧道磁阻（TMR）效應是一種納米級量子力學現象，是指在鐵磁-絕緣體薄膜-鐵磁材料中，其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。 Neuranics利用TMR效應來檢測人體器官（例如心臟和
2023-10-08 09:51:26442 本章首先介紹了MOS管的基本結構并推導了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應，如體效應、溝道長度調制效應和亞閾值傳導等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導其小信號模型。
2023-10-02 17:36:001342 
添加Linux系統調用與利用QEMU測試
2023-10-01 12:19:00146 
倒裝晶片（Flip Chip）貼裝屬于先進半導體組裝（Advanced Semiconductor Assembly），常見的應用有無線天線、藍牙、硬盤磁頭、元件封裝、智能傳感器和一些醫用高精密設備等。
2023-09-26 15:47:45335 
霍爾效應是測量磁場最常用的方法，并且**霍爾效應傳感器**在現代得到了廣泛的應用和廣泛的應用。
2023-09-26 14:17:481048 
相對于其他的IC元件，如BGA和CSP等，倒裝晶片裝配工藝有其特殊性，該工藝引入了助焊劑工藝和底部填充工 藝。因為助焊劑殘留物（對可靠性的影響）及橋連的危險，將倒裝芯片貼裝于錫膏上不是一種可采用的裝配方法 。
2023-09-22 15:13:10352 
為什么只有共源級有密勒效應，而共柵級、共漏級沒有密勒效應？ 密勒效應是指在半導體器件中，頻率越高時電路增益越低的現象。 該現象是由于半導體器件電容的存在而導致的，而這個電容主要是空乏區電容和晶體管
2023-09-21 15:55:43719 有些倒裝晶片應用在柔性電路板或薄型電路板上，這時候對基板的平整支撐非常關鍵。解決方案往往會用到載 板和真空吸附系統，以形成一個平整的支撐及的定位系統，滿足以下要求：
2023-09-21 15:26:17126 
為什么共漏級沒有密勒效應？ 共漏級（Common Emitter Configuration）和密勒效應（Miller Effect）是兩個非常常見的電子電路中的概念，它們都是由美國電學家John
2023-09-20 17:41:37345 場效應晶體管簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(10^7^~10^15^Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。 一、場效應管的作用
2023-09-20 15:26:061369 
什么是半導體材料的壓阻效應？ 半導體材料是現代電子技術的關鍵材料之一。它們具有獨特的電學性能，包括可調的電阻率和壓阻效應。壓阻效應是指半導體材料在受到外力或應力作用時導電性能的變化。在本文中，我們
2023-09-19 15:56:551582 結型場效應管和絕緣柵型場效應管的區別是什么？? 場效應管是一種半導體器件，利用半導體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應管有結型場效應管和絕緣柵型場效應管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512224 晶片切割方式對晶振的性能和應用領域產生重要影響。不同的切割方式適用于不同的需求和環境條件，提供了多樣性的選擇。本文將深入探討主要的晶片切割方式，包括原因、區別以及主要的應用領域。
2023-09-14 12:08:371069 
低溫型產品概述： 霍爾效應測試儀由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件組成。為本儀器系統專門研制的JH10效應儀將恒流源，六位
2023-09-05 13:43:24197 場效應管怎么測量好壞? 場效應管又稱為晶體管（transistor），是電子器件中常見的一種。在電子電路設計中，場效應管的主要作用是作為放大器和開關來使用。場效應管的好壞直接影響到整個電路的性能
2023-09-02 11:31:243311 場效應管MOSFET是mos管嗎？場效應管mos管的區別？場效應管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應管（FET）都屬于半導體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152543 場效應管的原理與作用 場效應管在電路中起什么作用？? 場效應管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個半導體材料制成，可以調節電流的流動，被廣泛應用于電路的放大和開關控制。 場效應
2023-09-02 11:31:132857 計算中日益重要的地形效應（厚掩模效應）。在本文中，我們華林科納提出了一種復雜的基爾霍夫近似，它能夠模擬嚴格的近場效應，同時保持標量模型的簡單性。我們華林科納的模型是基于對晶片上的厚掩模和理想薄掩模產生的場
2023-08-25 17:21:43279 
工作原理 場效應管（FET）是一種三極管，可以通過改變柵極電壓調節源極和漏極之間的電阻。場效應管的原理是利用電場控制載流子濃度，其主要特點是輸入電阻大，高頻特性好。場效應管可以分為N溝道和P溝道兩種結構。 可控硅（SCR）是一種雙
2023-08-25 15:41:381549 BSP_CMSIS_V3.02.000SampleCodeStdDriverUSBD_HID_TransferKEIL
裡頭的檔案燒錄進NANO130KE3BN晶片
并且想要使用內附的Window Tool觀察資料的傳輸
但是我利用Visual C++ compile出Window
2023-08-24 06:13:50
溫度是半導體加工中需要監測和控制的關鍵參數。我們使用了一種超聲波技術，其中利用硅片中最低階反對稱蘭姆波速度的溫度依賴性在20-1OO中進行原位溫度測量“C范圍。在幾乎所有的晶圓加工步驟中，晶圓上都有
2023-08-18 17:05:57595 
場效應晶體管簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2023-08-18 16:01:28591 
采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數對晶片切割表面的影響。通過優化切割工藝參數，最終得到高平坦度、低翹曲度、 低線痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311051 
場效應管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295256 
磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗
2023-07-19 13:11:19383 霍爾效應實驗是一個受系統誤差影響較大的實驗，特別是在霍爾效應產生的同時，伴隨產生的其他效應引起的附加電場對實驗影響較大。霍爾效應產生誤差的原因主要有以下幾點：
2023-07-03 17:17:042553 通常，觀察到的效應有兩種類型：累積效應和單事件效應 （SEE）。在設備反復暴露于輻射并且設備性能開始以某種方式發生變化后，累積效應會在較長時間內發生。在累積效應的情況下，設備的復位或電源循環不會使設備返回到其標稱工作狀態。這些累積效應導致設備性能從“半永久性”到永久性的轉變。
2023-06-30 11:52:31607 
請問一下8寸 原子層沉積設備ALD，單晶片。國內設備大約在什么價位啊？
2023-06-16 11:12:27
本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統軟件。為本儀器系統專門研制的 JH10效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。
2023-06-15 10:59:59252 
本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統軟件。為本儀器系統專門研制的 JH10效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器
2023-06-15 10:31:58
在一個音頻設備的設計案例中，工程師面臨了鉭電容風墻效應的問題。
2023-06-11 14:37:59502 高品質抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列-阻容1號
2023-06-10 11:14:31492 
/R-5000)
以上便是高品質抗硫化汽車級晶片電阻器NS系列的相關介紹。阻容1號網站將繼續不斷更新文章，為廣大用戶提供最新的技術資訊和產品信息，幫助用戶了解和選擇最適合自己需求的元器件。
2023-06-10 11:11:56
場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14431 
系統芯片 (Sxstem on Chip，SoC）通過軟硬件結合的設計和驗證方法
2023-06-07 16:14:59529 
高阻型霍爾效應測試系統由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統軟件。
2023-06-07 13:30:03258 
人們在利用霍爾效應原理開發的各種霍爾元件已廣泛應用于精密測磁、自動化控制、通信、計算機、航天航空等工業部門及國防領域。
2023-06-07 10:38:511481 
霍爾效應被發現后，人們做了大量的工作，逐漸利用這種物理現象制成霍爾元件。霍爾元件一般采用N型鍺（Ge）,銻化銦（InSb）和砷化銦（InA）等半導體材料制成。銻化銦元件的霍爾輸出電勢較大，但受溫度的影響也大；鍺元件的輸出電勢小，受溫度影響小，線性度較好。
2023-06-07 10:05:41967 
一、認識MES系統的防呆防錯功能 首先，我們要清楚了解，什么是MES系統的防呆防錯。MES系統防呆防錯是指利用MES系統來避免生產過程中的錯誤和缺陷，保障生產排程和生產過程順利進行的過程。MES系統
2023-06-05 17:18:35625 硅的堿性刻蝕液：氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺（TMAH）溶液，晶片加工中，會用到強堿作表面腐蝕或減薄，器件生產中，則傾向于弱堿，如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒，一部分機理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011597 使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數進行了優化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
博森源LED封裝晶片便攜式推拉力測試機是一種非常實用的測試設備，可以方便地進行LED封裝晶片的推拉力測試，從而保證LED產品的質量。該測試機具有便攜式設計、數字顯示屏、高精度、高穩定性、高可靠性等特點，可以滿足各種LED封裝晶片的測試需求。
2023-05-31 10:05:25387 
關注后面兩個參數:pn結電容和溫度效應，其中pn結電容這里不予展開討論，以后再將(主要是高頻信號里面才涉及到)，本文要討論的是利用二極管的溫度效應設計出溫度補償電路，別看它貌似可有可無，但對于信號采集
2023-05-30 09:16:562189 
MH251霍爾效應傳感器是一種溫度穩定、耐應力、靈敏度低容差的微功率開關。優越的高溫性能是通過一個動態偏移消除，利用斬波穩定。這種方法降低了通常由設備過度成型、溫度依賴性和熱應力引起的偏移電壓
2023-05-22 11:22:14388 
交變電流通過導線時，電流在導線橫截面上的分布是不均勻的，導體表面的電流密度大于中心的密度，且交變電流的頻率越高，這種趨勢越明顯，該現象稱為趨膚效應(skin effiect)，趨膚效應也稱集膚效應。
2023-05-19 09:31:352971 
康寧 晶片表面形態測量系統） 行業簡稱：平面度測量儀 02產品特性 Tropel?FlatMaster? 測量設備40年來持續為半導
2023-05-17 10:23:16772 
場效應管是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34848 場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件，并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數載流子來導電，所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23697 拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
本文主要介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:341316 
晶片排列電阻器（Surface Mount Resistor Array）是一種常用的電阻器封裝方式，它采用集成電路工藝制造，將多個電阻器集成在一個小型封裝中。
2023-05-15 17:06:06460 
米勒效應（Miller effect）是在電子學中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會擴大1+K倍，其中K是該級放大電路電壓放大倍數
2023-05-15 16:11:324095 
如何利用霍爾效應測量磁場呢？
2023-04-13 09:56:45
閂鎖(Lanch-up)效應，一般我們也可以稱之為擎住效應，是由于IGBT超安全工作區域而導致的電流不可控現象，當然，閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應。
2023-04-06 17:32:551090 
STM32F103ZET6小系統板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
STM32F407ZGT6小系統板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
ATK-STM32F103ZE最小系統板 DEVB_50×80MM 5V
2023-03-28 13:05:53
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