42dBm高增益，22dB輸入輸出適配50Ω應用儀器儀表商用型電信通信模塊穩固微波流程深圳立維創展是AMCOM功率放大器的代理銷售，主營AMCOM的功率放大器，如：射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合
2024-03-15 09:36:37
產品詳情介紹End Launch 毫米波連接器是SOUTHWEST的高性能端發射連接器，旨在為高頻信號位于頂層的單層和多層印刷電路板提供低VSWR，110 GHz的無模式寬帶響應。提供
2024-03-03 13:16:40
多芯微矩形毫米波連接器SSBP系列‘ 重要參數 多芯微矩形毫米波連接器SSBP系列3、6、9芯可選 支持頻率DC-65GHz 適合間距小、多端口測試項目 訂貨
2024-03-03 13:14:10
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規模應用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:00
1844 晶體管是一種半導體器件，廣泛應用于電子技術中的放大、開關、整流等電路中。晶體管的放大作用在電子技術應用中起著至關重要的作用。晶體管放大的內部條件和外部條件包括了很多方面，下面我將詳細介紹。 首先
2024-02-27 16:56:01264 Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
雙極性晶體管是利用兩種離子導電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統，其整體上是呈現電中性的，當其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
只是加了一個LCL濾波裝置，就能使并網端的電壓由PWM波變為正弦波嗎？尤其是在SVG的應用里，只是改變了進線電網的功率因數，輸出電壓波形并沒有改變，這是在SVG內部晶體管通過控制晶體管開通關斷程度實現
2024-01-19 09:34:31
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
電流的功率因數，那么SVG的輸出電壓還應該是正弦波，我想知道SVG是怎么做到輸出電壓波形是正弦波的，輸出電流波形受負載影響。SVG既能發出容性無功又能發出感性無功，其又是怎么控制SVG設備內部晶體管的開關程度實現功率因數的改變？
2024-01-14 14:18:38
5G毫米波是指在5G通信中使用的毫米波頻段，其頻段介于30GHz到300GHz之間，相比于傳統的低頻段，毫米波頻段具有更大的帶寬和更低的延遲，能夠實現更高的傳輸速率和更快的響應時間。因此，在5G技術
2024-01-09 16:19:19162 AWA-0219 有源天線創新者套件產品概述雙極化 64 元件毫米波至中頻有源天線創新者套件AWA-0219-PAK 是一款完整的毫米波至中頻雙極化天線設計，適用于毫米波 5G 無線電。該套件旨在
2024-01-02 15:18:30
事通訊設備產品規格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
5G毫米波天線具有廣泛的應用價值和潛力，它在通信、網絡、醫療、交通、安全等領域都有重要作用。本文將詳細介紹5G毫米波天線的原理、特點、應用和前景。 一、5G毫米波天線的原理和特點 原理：5G毫米波
2023-12-27 13:47:52451 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 UMS的CHA3656-FAB是種兩級自偏置電壓寬帶單片低噪聲放大器。CHA3656-FAB專門用來毫米波通信，也是非常適合普遍使用，如C、x、Ku雷達探測、測試設備和高分辨率
2023-12-26 15:41:53
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管是375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT，工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:11:06
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術相比，CGHV96130F內部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
毫米波雷達的優缺點? 毫米波雷達是一種基于毫米波頻段的雷達系統，具有許多優點和一些缺點。下面是關于毫米波雷達的詳細分析。 首先，我們來討論一下毫米波雷達的優點。 1. 高分辨率：毫米波頻段的波長較短
2023-12-08 11:17:572576 來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結到環境的熱阻JA的數據，我需要結到外殼的熱阻Jc的數據，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數目是多少？
2023-11-21 06:54:43
? ? 毫米波通常是指波長為1~10mm 的電磁波,其對應的頻率范圍為30~300GHz。毫米波是介于微波到光波之間的電磁頻譜,它位于微波與遠紅外波相交疊的波長范圍,因而兼有兩種波譜的特點。毫米波
2023-11-09 08:43:24204 
5g毫米波技術的原理和應用 5G毫米波技術是5G應用中一項重要的基礎技術，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有
2023-10-18 15:56:10687 5g毫米波是什么意思 5G毫米波技術是5G應用中一項重要的基礎技術，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz 。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有
2023-10-18 15:45:311089 毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實現這些改進帶來了挑戰。因此，功率 IC 制造商正在尋求更高效的技術
2023-10-10 16:02:27523 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優勢。
2023-09-28 17:44:221864 
專業圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術的重大進步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
專業的毫米波PCB測試站為毫米波天線測試帶來便利
2023-08-24 10:29:15431 
奕葉四向毫米波探針臺
2023-08-23 14:21:22555 
的尺寸和更輕的重量。 傳統硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關損耗。 功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術）的開發已引起電力電子行業的關注
2023-08-21 17:06:18
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關，符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51686 
的 GaN HEMT 工藝。它基于準MMIC技術。它采用符合 RoHS 標準的 SMD 封裝。 內部匹配的 GaN 功率晶體管&n
2023-08-10 11:00:43
50-W；7.9 – 9.6 GHz；50歐姆；輸入/輸出匹配 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-08 17:40:24
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比，這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比，GaN具有更優越的性能；包括
2023-08-08 10:23:26
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968 
解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術有助于實現上述目標，隨著該項技術商用步伐的加快，在功率轉換應用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優點呢？GaN在品質因數（
2023-08-03 14:43:28225 的制造商生產半導體（晶體管是該設備家族的成員），因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
時39.5dbm 高線性增益值：28db 功率增添效率：34%@4dbc 靜態限幅點：Vd=8V，Id=2.3A 封裝尺寸：5X3.31x0.07mm UMS微波作為歐洲毫米波芯片的代表品牌，在
2023-07-24 11:09:10222 毫米波是指波長介于1~10mm的電磁波，毫米波雷達則指工作在毫米波波段的雷達，隨著技術的不斷發展，毫米波雷達的應用在日常中不少見。
2023-07-24 10:11:521455 
。GaN HEMT還提供更大的功率密度和更寬的與Si和GaAs晶體管相比的帶寬。此MMIC包含兩級電抗匹配放大器，可實現非常寬的帶寬可在具有銅鎢散熱片的小型封裝中實現。
2023-07-05 15:04:32
1 高效的400-800V充電和轉換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34688 產品概述： 毫米波雷達是一種用于測量距離、速度和位置的高頻無源
2023-06-09 15:52:34
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271640 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
Marki Microwave 的 M9-0444 是一款雙平衡毫米波混頻器，RF/LO 頻率為 4 至 44 GHz，中頻頻率為 DC 至 3
2023-05-22 16:10:14
毫米波雷達指的是工作在毫米波波段的雷達。毫米波的波長范圍是1-10mm、其對應的頻率為 30-300GHz
2023-05-20 14:37:264668 
UMS的CHKA012bSYA是款前所未有的封裝形式氮化鎵高電子遷移率晶體管。此電源條為其他射頻電源技術應用提供通用型和光纖寬帶解決方案。CHKA012bSYA特別適合雷達探測和電信網絡等多功能
2023-05-19 11:30:19277 Marki Microwave 的 MMD-1250H 是一款 GaAs MMIC 毫米波倍頻器，可將 6 - 25 GHz 的輸入頻率倍增至 12
2023-05-15 12:25:25
UMS的CHK8101-SYC是款前所未有的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。CHK8101-SYC為各類射頻功率技術應用提供通用型和寬帶解決方案。CHK8101-SYC特別適合多功能技術應用，例如空間
2023-05-15 11:24:30168 GHz。集成輸入匹配網絡可實現寬帶增益和功率性能，而輸出可在板上匹配以優化頻帶內任何區域的功率和效率。該設備采用行業標準的 3 x 3 毫米封裝，可節省本已空間
2023-05-11 10:39:42
UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨瀏覽，可以產生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 毫米波雷達技術方案
芯片介紹
ADT3102（77Ghz毫米波雷達芯片）
單芯片集成2路收2路發射頻通道，FMCW產生器，ADC,DSP,MCU（ARM、M3）等
集成了SPI、UART等多種接口
2023-05-09 10:32:44
了解毫米波“移相”--之三
“移相”的實現
由于各信號的“相位”與信號的發射方向、疊加強度直接相關，所以“移相”功能是相控陣系統中非常重要的功能模塊。在現代相控陣系統中，移相功能通常由移相器電路實現
2023-05-08 10:54:25
了解毫米波相控陣 -- 之二
相控陣（Phased Array）技術是控制陣列天線各單元的相位、幅度，來形成對信號空間波束控制的技術。
相控陣技術起源于20世紀初發明的相控陣天線技術，并最早在軍用
2023-05-06 15:10:13
MIMO（多入多出）。
由下圖可見，不同頻段下，手機的能力是不一樣的。在中國5G的主流頻段3.5GHz或者2.6GHz上，手機可支持4路接收，2路發射；毫米波頻段次之，能支持2路接收，2路發射；像
2023-05-06 14:34:55
相控陣完整發射機系統，整個系統包含本振、上變頻器、功率放大器等各個模塊，并且包含4個通道數。如此復雜的通信系統在2.1mm x 6.8 mm的芯片下即可實現，只有一粒大米大小。
圖：4通道24GHz毫米波系統
2023-05-05 11:22:19
的問題。
首先，5G毫米波通過先進的波束賦形技術增加EIRP（等效全向輻射功率），提升覆蓋能力，能夠輕松實現數百米的信號傳輸，緩解路徑損耗問題。這項技術不僅通過仿真實驗得到了驗證，而且在外場測試和商用部署中也
2023-05-05 10:49:47
噪聲的函數。低于6GHz的頻譜已經分配殆盡，而6GHz以上的頻譜，特別是毫米波頻率已經成為一個非常有前景的替代方案來實現eMBB用例。但是，哪些毫米波頻率會被采用呢？
頻譜選項
國際電信聯盟
2023-05-05 09:52:51
今天，我們接著來說E波段毫米波雷達的功率。在這之前，先來看一個汽車雷達的有趣應用。
2023-05-04 09:29:302051 
具有這些Dk值的電路材料，并使其盡可能多地具備其他電路材料屬性，以制造出優質、高性能、高頻率的功率放大器。
無論對于微波頻率還是毫米波頻率，高頻PA的電路材料必須能夠支持電路實現與那些PA中功率晶體管
2023-04-28 11:44:44
NPTB00004BGaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款針對 DC - 6 GHz 操作優化的功率晶體管
2023-04-25 16:42:38
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
放大器、混頻器、甚至收發系統等功能；特點：電路損耗小、噪聲低、頻帶寬、動態范圍大、功率大、附加效率高、抗電磁輻射能力強等特點；2)雷達天線高頻PCB板：毫米波雷達天線的主流方案是微帶陣列，即將高頻PCB板集成
2023-04-18 11:42:23
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
有沒有負觸發導通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發射極調換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發射極。引腳號與此圖像相關：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
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