引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結構和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項研究中，銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:46
2087 
摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:481129 
摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度
2022-01-07 15:40:121194 
被劃分為與晶體表面的不同狀態和各種蝕刻機制相對應的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學蝕刻具有重要的技術和科學意義。該解決方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
的使用量，同時在PR去除效果方面被評價為與現有SPM溶液（硫酸/過氧化氫混合液）工藝相當的技術。但是臭氧水工藝是臭氧氣體對水的溶解度低、水中擴散阻力大的根本制約因素，以目前國內外技術水平的低PR去除性能
2022-03-16 11:53:151036 
在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設計，作為一種很有前途的工藝發展。
2022-03-28 11:01:491943 
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經進行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會出現不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
最近在做畢設，臭氧傳感器哪位大俠有用過，求介紹比較順手的，用來做室內監測
2016-12-28 08:56:57
我在做一個臭氧發生器和負離子發生器，電路圖如左，上面大部分電阻沒標功率，請問是1/4W嗎？急急急，313185070@qq.com
2012-08-27 08:22:59
PCB，電路板，基板上面如何出現電路呢？這就要蝕刻來實現。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
速率）。MIMO技術對于傳統的單天線系統來說，能夠大大提高頻譜利用率，使得系統能在有限的無線頻帶下傳輸更高速率的數據業務。目前，各國已開始或者計劃進行新一代移動通信技術（后3G或者4G）的研究，爭取在
2019-07-11 07:39:51
`請問PCB蝕刻工藝質量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
的厚度對電路圖形的導線密度有著重要影響。銅箔薄，蝕刻時間短，側蝕就很小；反之，側蝕就很大。所以，必須根據設計技術要求和電路圖形的導線密度及導線精度要求，來選擇銅箔厚度。同時銅的延伸率、表面結晶構造等
2018-09-11 15:19:38
對電路圖形的導線密度有著重要影響。銅箔薄，蝕刻時間短，側蝕就很小；反之，側蝕就很大。所以，必須根據設計技術要求和電路圖形的導線密度及導線精度要求，來選擇銅箔厚度。同時銅的延伸率、表面結晶構造等，都會
2013-10-31 10:52:34
具有高反應能力的技術秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm，蝕刻速率會提高一倍以上。 由于蝕刻反應過程中生成大量的一價銅離子，又由于一價銅離子總是與氨的絡合
2018-11-26 16:58:50
作用是降低一價銅離子（這些即是他們的產品具有高反應能力的技術秘訣 ），可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率會提高一倍以上。 由于蝕刻反應過程中生成大量的一價
2018-09-13 15:46:18
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
的實驗結果。確定了幾個可能影響粘附的因素，并使用實驗設計 (DOE) 方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定的最顯著的附著力改進是在光刻膠涂層之前立即加入天然氧化物蝕刻。除了提高附著力外，這種預涂層處理
2021-07-06 09:39:22
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數。我們展示了一種從單晶硅創建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
摘要：在印制電路制作過程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過程具有很強的指導意義，特別是對于精細線路。本文將在一定假設的基礎上建立模型，并以流體力學為理論基礎
2018-09-10 15:56:56
印制電路板的蝕刻可采用以下方法: 1 )浸入蝕刻; 2) 滋泡蝕刻; 3) 潑濺蝕刻; 4) 噴灑蝕刻。 由于噴灑蝕刻的產量和細紋分辨率高，因此它是應用最為廣泛的一項技術。 1 浸入
2018-09-11 15:27:47
別研究開發成功并首先在該站應用，還經過多次技術改造日趨成熟完備，取得了非常良好的經濟效益和環境、社會效益，為保障深圳經濟與環境的協調持續發展做出貢獻。1998年，其中的硫酸銅、堿性蝕刻液生產技術
2018-11-26 16:49:52
產品都含有價銅離子的特殊配位基(一些復雜的溶劑)﹐其作用是降低一價銅離子(產品具有高反應能力的技術秘訣)﹐可見一價銅離子的影響是不小的。 將一價銅由5000ppm降至50ppm,蝕刻速率即提高一倍以上
2017-06-23 16:01:38
本文將介紹和比較在硅光電子領域中使用的多種激光器技術，包括解理面、混合硅激光器和蝕刻面技術。我們還會深入探討用于各種技術的測試方法，研究測試如何在推動成本下降和促進硅光子技術廣泛普及的過程中發揮重要作用。
2021-05-08 08:14:10
晶片與工作臺面間的空間小，氣體噴出凹槽噴出的氣體對蝕刻液會形成阻力，造成蝕刻液回滲太少，去除晶片邊緣上的硅針效果不佳。 為了克服現有技術的不足，本發明的目的是為了解決上述問題而提供一種晶片邊緣的蝕刻
2018-03-16 11:53:10
,臭氧質量濃度的控制還沒有找到更好的方法,如果臭氧濃度過高,不僅會加大設備造價,同時又會對人體有危害,而臭氧濃度太小,又難以達到滿意效果.所以將現代檢測控制技術應用于臭氧發生設備系統中,實現臭氧質量濃度的有效控制是一個值得研究的課題.
2011-03-04 14:12:09
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
即是他們的產品具有高反應能力的技術秘訣 ),可見一價銅離子的影響是不小的。將一價銅由5000ppm降至50ppm，蝕刻速率會提高一倍以上。 由于蝕刻反應過程中生成大量的一價銅離子，又由于一價銅離子
2018-09-19 15:39:21
, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.離子蝕刻機 4 IBE 技術規格型號4 IBE樣品數量尺寸4”φ
2022-11-07 16:30:42
因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工
2022-11-07 16:38:17
一種改良過的適用于生產超精密板的蝕刻技術 Vacuum Etching T
2006-04-16 21:23:152143 基于頻率跟蹤型PWM控制的臭氧發生器電源的研究
1 概述
臭氧的強氧化能力和殺菌能力使其在水處理、化學氧化、食品加工和醫療衛生
2009-07-04 11:43:251842 
印制線路板的蝕刻技術
2009-09-08 14:53:52475 
印制電路板的蝕刻設備和技術
印制電路板的蝕刻可采用以下方法:
1 )浸入蝕刻;
2) 滋泡蝕刻;
3)
2009-11-18 08:54:212158
汽車氧吧的臭氧濃度 臭氧濃度表示了汽車氧吧產生臭氧的能力，是指單位體積內臭氧的重量之和
2010-01-04 14:00:46837 大功率臭氧發生器逆變電源的研究與設計，下來看看。
2016-03-28 15:01:41
41 典型調節方式下串聯諧振供電的DBD型臭氧發生器負載調節特性研究_唐雄民
2017-01-04 16:45:456 臭氧發生器是用于制取臭氧的設備裝置。臭氧易于分解無法儲存需現場制取現場使用（但是在特殊的情況下是可以進行短時間的儲存），凡是能用到臭氧的場所均需使用臭氧發生器。臭氧發生器在自來水，污水，工業氧化，空間滅菌等領域廣泛應用。
2018-01-30 09:37:2722448 本文首先介紹了蝕刻機的分類及用途，其次闡述了蝕刻機的配件清單，最后介紹了蝕刻機的技術參數及應用。
2018-04-10 14:38:324723 如何控制臭氧？ 結合臭氧的成因，控制臭氧就是要從前提物上進行控制，簡而言之就是控制源頭。其實我們現在控制PM2.5前提物，也是在控制臭氧的前提物，因為這兩個的前提物是重合的，一個是氮氧化物，一個是
2018-06-22 10:35:144083 蝕刻液的種類：不同的蝕刻液化學組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3，堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數可達到4。近來的研究表明，以硝酸為基礎的蝕刻系統可以做到幾乎沒有側蝕，達到蝕刻的線條側壁接近垂直。這種蝕刻系統正有待于開發。
2018-10-12 11:27:366335 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 用于測試橡膠及其制品的耐臭氧老化性能。大氣中的臭氧含量很少，卻是橡膠龜裂的主要因素，臭氧老化試驗箱模擬和強化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對橡膠的作用規律，快速鑒定和評價橡膠抗臭氧老化性能和抗臭氧劑防護效能，從而采取有效的防老化措施，以提高橡膠制品的使用壽命。
2019-06-12 16:38:30566 與環境研究）臭氧敏感人群主要包含四類：兒童：兒童是臭氧暴露的最高危人群。兒童是哮喘和其他呼吸病的高發人群，而且在暑假期間社區活動和夏令營戶外活動多。長期處于戶外的成年人：在戶外進行長期或劇烈運動、工作
2019-09-06 21:33:572225 該款儀器是利用254nm紫外光測定臭氧氣體濃度的基礎上細分出來的產品，由通氣改為通水。應用臭氧溶解于水的濃度監測，可以測定極高濃度的臭氧水，且無需任何測試輔助試劑。
2020-03-14 14:24:42524 一、蝕刻的目的 蝕刻的目的即是將前工序所做出有圖形的線路板上的未受保護的非導體部分銅蝕刻去，形成線路。 蝕刻有內層蝕刻和外層蝕刻，內層采用酸性蝕刻，濕膜或干膜為抗蝕劑；外層采用堿性蝕刻
2020-12-11 11:40:587458 人們對臭氧的認識是從臭氧消毒殺菌中獲得的。臭氧消毒技術由德國化學家C．F ．舍爾邦于1840年發明，并于1856年用于水處理和消毒行業。目前，臭氧已經廣泛應用于水處理、空氣凈化、食品加工、醫療、醫藥、水產養殖等領域，極大地促
2020-10-26 10:28:362428 隨著全球電子產品市場的需求升級和快速擴張，電子產品的小型化、高精密、超細線路印制電路板技術正進入一個突飛猛進的發展時期。為了能滿足市場不斷提升的需求，特別是在超細線路技術領域，傳統落后的蝕刻技術正被
2022-12-26 10:10:331688 1、 PCB蝕刻介紹 蝕刻是使用化學反應而移除多余材料的技術。PCB線路板生產加工對蝕刻質量的基本要求就是能夠將除抗蝕層下面以外的所有銅層完全去除干凈，僅此而已。在PCB制造過程中，如果要精確地
2021-04-12 13:48:0031004 
臭氧老化箱模擬和強化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對織物色牢度的作用規律，快速鑒定和評價織物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧試驗箱由臭氧控制系統、溫度控制系統、濕度控制系統組成:臭氧控制系統由臭氧發生器
2021-02-05 14:17:14745 臭氧老化試驗箱 臭氧老化箱模擬和強化大氣中的臭氧條件，研究臭氧對織物色牢度的作用規律，快速鑒定和評價織物抗臭氧色牢度性能的方法。 臭氧試驗箱由臭氧控制系統、溫度控制系統、濕度控制系統組成:臭氧
2021-06-03 14:38:081126 臭氧檢測儀主要用于臭氧發生器管道內的臭氧濃度測量，可連續在線檢測臭氧發生器出口管道中臭氧濃度。主要用于連續檢測各種工業環境下的臭氧氣體，也可用于檢測運行中的管道、容器等環境的臭氧氣體。廣泛應用于制藥
2021-07-08 11:42:104077 、寵物除臭等一系列冷門但剛需的應用幾乎把“臭氧”劃撥到萬能領域。臭氧是否真的那么靈？ 就在人們還在花時間去消化和實踐臭氧在不同場景下的實際性和真實性的時候，臭氧對于新冠病毒的“滅活”作用的研究和說法，可謂說真
2021-10-28 09:21:456344 
引言 了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35484 
引言 陶瓷很難蝕刻。它們的化學惰性使它們非常穩定，并且通常需要熱蝕刻技術來獲得它們的微結構。我們介紹一項旨在簡化陶瓷蝕刻過程的技術。 陶瓷有著廣泛的應用，從簡單的絕緣材料到非常復雜的外科植入物
2021-12-23 16:38:27532 現在，臭氧檢測儀運用最多的是電化學技能原理。因為電化學技能成本低、性能也相對安穩、檢測作用好。臭氧檢測儀具有PPB等級的分辨率，能夠剖析捕捉空氣中PPB等級的臭氧氣體濃度，并進行實時反應。關于電化學
2021-12-30 10:44:43552 不可預測地改變了蝕刻劑的質量。 為了解決成分變化的問題，研究開始了確定一種可靠的分析蝕刻劑的方法。當分析程序最終確定時，將建立一個控制程序，其中蝕刻劑成分將保持盡可能接近一個固定的值。經過嘗試的各種分析技術，
2022-01-07 16:47:46840 
上降低了(100)和(h11)面的蝕刻速率。 為了在低氫氧化鉀濃度下獲得低粗糙度的(100)表面，蝕刻溶液必須含有飽和水平的異丙醇。在我們的研究中，我們研究了異丙醇濃度對具有不同晶體取向的硅襯底的蝕刻速率和表面形態的影響。還研究了氫氧化鉀濃度對(
2022-01-13 13:47:261156 
引言 我們華林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應
2022-01-17 16:21:48324 
商業材料，它們的廣泛應用是由于其優異的導電性和導熱性、易于制造和良好的強度。本研究考察了銅及其合金的可能的蝕刻劑。該研究還旨在提供關于在銅和銅合金的濕法蝕刻工藝中使用各種蝕刻劑引起的安全、健康和環境問題的信息
2022-01-20 16:02:241860 
介紹 本文通過詳細的動力學研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學蝕刻的機理。蝕刻實驗后，我們進行進行了化學分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數關系
2022-01-24 15:41:131340 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應用于InP半導體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統蝕刻劑中，為了解決溶解機理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學反應。
2022-02-09 10:54:58727 
現在，臭氧檢測儀運用最多的是電化學技能原理。因為電化學技能成本低、性能也相對安穩、檢測作用好。臭氧檢測儀具有PPB等級的分辨率，能夠剖析捕捉空氣中PPB等級的臭氧氣體濃度，并進行實時反應。關于電化學
2022-02-11 17:58:14446 我們華林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產生了光滑的高質量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
在 KOH 水溶液中進行濕法化學蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環境污染等[1]。用于硅各向異性濕式蝕刻。
2022-03-11 13:57:43336 
本文介紹了我們華林科納采用氮化硅膜作為掩膜，采用濕蝕刻技術制備黑硅，樣品在250~1000nm波長下的吸收率接近90%。實驗結果表明，氮化硅膜作為掩模濕蝕刻技術制備黑硅是可行的，比飛秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-06 13:29:19666 
本研究根據蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質物性值變化時的噴霧特性，并考察了與蝕刻特性的相互關系。
2022-04-07 16:16:39398 
混合物中的擴散控制溶解過程通過改變流量形成各種形態 蝕刻混合物的速度[4，5]超聲波輔助導致蝕刻的高速運動 晶片表面的混合物。
2022-04-12 14:10:22361 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結構相關，缺陷相關，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-04-18 16:36:05406 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-22 14:04:19591 
本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后重復測量，確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術提供了優于0.5納米的深度分辨率，通過
2022-05-06 15:50:39366 
在使用低溫卡盤的低壓高密度等離子體反應器中研究了硅結構的深且窄的各向異性蝕刻。我們華林科納以前已經證明了這種技術在這種結構上的可行性。已經研究了蝕刻速率和輪廓的改進，并且新的結果顯示
2022-05-11 15:46:19730 
本文講述了我們華林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長速率的結可以
2022-05-20 17:12:59853 
Gravity:臭氧傳感器的探頭已經經過出廠標定，可以快速、準確的測量環境中臭氧的濃度。可廣泛應用于工業及環保領域進行臭氧的檢測。
2022-05-23 17:51:572915 
引用 本文介紹了我們華林科納半導體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數據，檢驗了凸角補償技術
2022-06-10 17:03:481113 
蝕刻，加入CHCI以控制各向異性。大量的氦有助于光致抗蝕劑的保存。已經進行了支持添加劑作用的參數研究。 高速率各向異性等離子體蝕刻工藝對于提高加工VLSI晶片器件的機器的效率非常重要。這篇論文描述了這樣一種用于以高速率( 5000埃/分
2022-06-13 14:33:14904 
高效交錯背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，以提供足夠的家庭消費能源。我們認為，即使在20μm的厚度下，借助光捕獲方案，適當鈍化的IBC電池也能保持20%的效率。在這項工作中，光刻和蝕刻技術被用于對厚度小于20μm的晶硅(cSi)晶片的深度蝕刻。
2022-06-28 11:20:260 在本研究中，我們華林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對ITO在最有趣的解決方案中的行為進行了更詳細的研究，試圖闡明這些浴液中的溶解機制。
2022-07-04 15:59:581434 
時一定要考慮它的穩定性，儀器零點偏移與全幅偏移越小越好。 2.便利性：在儀器具有穩定性的前提下，便利性也是比較重要的因素，便攜式臭氧檢測儀攜帶與維修保養更加容易。 3.適用性：在選擇儀器之前一定要先和技術人員對氣體類型進
2022-11-11 16:37:362542 
臭氧是目前空氣污染源中最常見的一種。臭氧雖然來去無蹤，但對健康的危害不容忽視。臭氧濃度達到50%ppb(十億分率，1ppb也就是十億分之一)，人就會開始出現鼻粘膜和咽喉粘膜的影響，隨著濃度的增加
2022-11-21 15:20:592503 蝕刻不是像沉積或鍵合那樣的“加”過程，而是“減”過程。另外，根據刮削方式的不同，分為兩大類，分別稱為“濕法蝕刻”和“干法蝕刻”。簡單來說，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設備，通常會導致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
關鍵詞：氫能源技術材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163504 
法是最常用的一種原理，它利用臭氧在紫外波段具有特定吸收特性的原理，通過光譜技術來測量臭氧濃度。 二、臭氧檢測儀的應用領域 1. 環境監測 環境監測部門使用臭氧檢測儀對大氣中的臭氧濃度進行實時監測，以評估空氣質量。通過長
2023-06-26 16:48:24547 蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
臭氧老化試驗箱是一種專門用于模擬和測試材料在臭氧環境下的老化性能的設備。這種設備廣泛應用于橡膠、塑料、涂料等高分子材料的研究、生產和質量控制等領域。本文將介紹臭氧老化試驗箱的基本原理、技術
2023-08-22 10:16:31539 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
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