了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機制，來提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:13
1396 
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻
2022-01-27 14:07:432203 
在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導致PR實質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:087175 
光刻膠為何要謀求國產(chǎn)替代？中國國產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場發(fā)展機會和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競爭力？在南京半導體大會期間，徐州博康公司董事長傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點和獨家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主要原因是為了穩(wěn)定抗蝕劑膜。在室溫下，未烘烤
2022-08-29 17:19:58699 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導體市場規(guī)模增長帶動了上游半導體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國內(nèi)關(guān)注焦點。正當日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應化和美國Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 板、封裝基板半導體材料與設備半導體材料展區(qū)硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學品、濺射靶材、封測材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等.一對一采購對接會
2021-12-07 11:04:24
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類型：正性光刻和負性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
，之后經(jīng)過物鏡投射到曝光臺，這里放的就是8寸或者12英寸晶圓，上面涂抹了光刻膠，具有光敏感性，紫外光就會在晶圓上蝕刻出電路。 而激光器負責光源產(chǎn)生，而光源對制程工藝是決定性影響的，隨著半導體工業(yè)節(jié)點
2020-07-07 14:22:55
改進；廣泛應用于全球半導體行業(yè)。光刻膠產(chǎn)品型號及參數(shù)[tr=transparent]光刻膠名稱型號勻膠厚度規(guī)格[/tr][tr=transparent]Merck AZ 正/負可轉(zhuǎn)換型光刻膠AZ
2018-07-12 11:57:08
]。光刻膠涂覆在半導體、導體和絕緣體上，經(jīng)曝光顯影后留下的部分對底層起保護作用，然后采用超凈高純試劑進行蝕刻，從而完成了將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到底層上的圖形轉(zhuǎn)移過程。一個IC的制造一般需要經(jīng)過10多次圖形轉(zhuǎn)移
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認知無線電（名詞解釋） 4半導體工藝的4個主要步驟： 4簡敘半導體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個全球著名的半導體設備制造商并指出其生產(chǎn)的設備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導體材料市場構(gòu)成：在半導體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
`半導體激光在晶圓固化領(lǐng)域的應用1. 當激光照射工件到上，能量集中，利用熱傳導固化，比用烤箱，烤爐等方式效率高。烤箱是把局部環(huán)境的空氣（或惰性氣體）加熱，再利用熱空氣傳導給工件來固化膠水。這種方式
2011-12-02 14:03:52
) （7）光刻膠的去除 5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除 6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過 SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱 7、 去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理 8、 用熱磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
整根棒料，生長成一根單晶，晶向與籽晶的相同.三、晶片分片將晶棒橫向切成厚度基本一致的晶圓片，Wafer。四、Wafer拋光進行晶圓外觀的打磨拋光。五、Wafer鍍膜通過高溫，或者其他方式，使晶圓上產(chǎn)生
2019-09-17 09:05:06
圓尺寸是在半導體生產(chǎn)過程中硅晶圓使用的直徑值。總的來說，一套特定的硅晶圓生產(chǎn)設備所能生產(chǎn)的硅晶圓尺寸是固定，因為對原設備進行改造來生產(chǎn)新尺寸的硅晶圓而花費資金是相當驚人的，這些費用幾乎可以建造一個
2011-12-01 16:16:40
過程中，θ相Ａｌ２Ｃｕ 在Ａｌ 晶界聚集成大顆粒，并且在隨后的有機溶液濕法清洗過程中原電池反應導致Ａｌ 被腐蝕而在互連導線側(cè)壁生成孔洞。通過對光刻膠去除工藝溫度以及濕法清洗工藝中有機溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
半導體制造領(lǐng)域的標志：NR9-PY 系列負性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
和可靠性。 3 半導體晶圓制造廠的SPC實際應用 3.1 半導體生產(chǎn)的特點半導體制造是一個極其復雜的過程，從氧化擴散，光刻，刻蝕，洗滌，淀積等大約有不少于三四百個工序；特別是現(xiàn)在各類專用集成電路的需求
2018-08-29 10:28:14
、晶圓、光刻、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試、包裝上市等基本步驟。硅熔煉成硅錠：通過多步凈化得到可用于半導體制造質(zhì)量的硅，學名電子級硅(EGS)，平均每一百萬
2017-05-04 21:25:46
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應用，包括去除有機雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導體技術(shù)起源以來，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
工藝步驟：光刻：通過在晶片表面涂上均勻的薄薄一層粘性液體（光刻膠）來定義圖案的過程。光刻膠通過烘烤硬化，然后通過光穿過包含掩模信息的掩模版進行投射而選擇性地去除。蝕刻：從晶片表面選擇性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
圓在晶圓制造工藝中有很高的價值，為了保持精確的可追溯性，區(qū)別它們和防止誤操作是必須的。因而使用條形碼和數(shù)字矩陣碼的激光刻號來區(qū)分它們。對300mm的晶圓，使用激光點是一致認同的方法。磨片半導體晶圓
2018-07-04 16:46:41
光刻”將算法模型與光刻機、測試晶圓的數(shù)據(jù)相結(jié)合，從而生成一個和最終曝光圖案完全不同的掩模版設計，但這正是我們想要達到的，因為只有這樣才能得到所需要的曝光圖案。 刻蝕下一步是去除退化的光刻膠，以顯示出預期
2022-04-08 15:12:41
是最流行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或
2021-07-23 08:11:27
` 晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
，它們與光刻機被稱為半導體制造三大關(guān)鍵設備，而中微的5nm等離子蝕刻機已經(jīng)具備了國際競爭力。等離子刻蝕機是芯片制造中的關(guān)鍵設備，用來在芯片上進行微觀雕刻，每個線條和深孔的加工精度都是頭發(fā)絲直徑的幾千
2020-03-09 10:13:54
今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導體設備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。設備中應用較為廣泛
2018-10-15 15:11:22
or physical removal to rid the wafer of excess materials.蝕刻 - 通過化學反應或物理方法去除晶圓片的多余物質(zhì)。Fixed Quality Area (FQA
2011-12-01 14:20:47
噴膠機是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設備?？蓪Σ煌叽绾托螤畹幕?b class="flag-6" style="color: red">進行涂膠，最大涂膠尺寸達8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時可對大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進行均勻涂膠；通過計算機系統(tǒng)控制器進行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
TEL:***回收拋光片、光刻片、晶圓片碎片、小方片、牙簽料、藍膜片回收晶圓片硅片回收/廢硅片回收/單晶硅片回收/多晶硅片回收/回收太陽能電池片/半導休硅片回收
2011-04-15 18:24:29
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學浴）主要用于清潔晶圓。 干法刻蝕是半導體制造中最常用的工藝之一。 開始刻蝕前，晶圓上會涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
) 去除光刻膠，放高溫爐中進行退火處理 以消除晶圓中晶格缺陷和內(nèi)應力，以恢復晶格的完整性。使植入的摻雜原子擴散到替代位置，產(chǎn)生電特性。并使原先的SiO2膜厚度增加，達到阻止下一步中n型雜質(zhì)注入P型阱中。
2019-08-16 11:11:34
。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路?！ ∏宄?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。 而100多億個晶體管就是通過這樣的方式雕刻
2020-07-07 11:36:10
非常細小的切口，從而能夠在有限面積的晶圓上面切割出更多LED單體。激光刻劃對砷化鎵(GaAS)以及其他脆性化合物半導體晶圓材料尤為擅長。激光加工LED晶圓，典型的刻劃深度為襯底厚度的1/3到1/2這樣
2011-12-01 11:48:46
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
需要各大廠家晶圓,包括東芝.現(xiàn)代.三星.鎂光.英特爾.Sandisk.ST 高價收購.上門提貨.重酬中介. 專業(yè)高價,便捷服務！國內(nèi)外皆可交易 。同時高價采購半導體材料晶圓.拋光片.光刻片.攝像頭晶
2016-01-10 17:50:39
氧化鋯基氧化鋁 - 半導體晶圓研磨粉 (AZ) 系列半導體晶圓研磨粉是一種細粉磨料，是作為需要高精度的包裹材料而開發(fā)的。原材料粒度分布尖銳，粒度穩(wěn)定，形狀呈塊狀。再以熔融氧化鋁為原料，鋯英
2022-05-31 14:21:38
、半導體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片、等產(chǎn)品進行在線顆粒監(jiān)測和分析。產(chǎn)品優(yōu)勢：離線優(yōu)勢：PMT-2離線光刻膠微粒子計數(shù)器外接離線取樣裝置，可實現(xiàn)實驗室、工廠
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計數(shù)器，采用英國普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測傳感器，雙精準流量控制-精密計量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對清洗劑、半導體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實現(xiàn)微細結(jié)構(gòu)的制造。光刻機的工作原理是利用光學系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
WD4000半導體晶圓檢測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監(jiān)控半導體設備控溫過程中晶圓發(fā)生的溫度
2023-12-21 08:58:53
WD4000半導體晶圓厚度測量系統(tǒng)自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
光刻的本質(zhì)是把制作在掩膜版上的圖形復制到以 后要進行刻蝕和離子注入的晶圓上。其原理與照相 相似，不同的是半導體晶圓與光刻膠代替了照相底 片與感光涂層。
2016-06-08 14:55:42
0 在國家政策與市場的雙重驅(qū)動下，近年來，國內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3612831 
近日，日本對韓國進行出口限制，光刻膠材料赫然在列。
2019-07-15 09:28:493498 Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時魯汶的微電子研發(fā)中心共同開發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:107842 在國際半導體領(lǐng)域，我國雖已成為半導體生產(chǎn)大國，但整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國內(nèi)光刻膠廠布局較晚，半導體光刻膠技術(shù)相較于海外先進技術(shù)差距較大，國產(chǎn)化不足5%。在這種條件下，國內(nèi)半導體廠商積極開展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564165 光刻膠按應用領(lǐng)域分類，大致分為LCD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導體光刻膠等。按照下游應用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395379 全球光刻膠市場規(guī)模從2016 年的15 億美元增長至2019年的18億美元，年復合增長率達6.3%；應用方面，光刻膠主要應用在PCB、半導體及LCD顯示等領(lǐng)域，各占約25%市場份額。
2020-09-21 11:28:043290 
9月16日，安徽馬鞍山當涂縣9月份項目集中簽約、集中開工儀式在姑孰工業(yè)集中區(qū)舉行。 本次集中簽約8個項目，其中包括斯坦得LDI感光干膜及半導體光刻膠項目。該項目總投資15億元，分2期建設。其中，一期
2020-09-24 11:12:053254 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對光敏感的混合液體。利用光化學反應，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:541238 此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。
2020-10-15 15:09:186447 1月19日晚，國內(nèi)半導體材料公司晶瑞股份發(fā)表公告，宣稱購得ASML公司光刻機一臺，將用于高端光刻膠項目。
2021-01-21 09:35:512886 按照應用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導體光刻膠。
2021-05-17 14:15:524011 
5月27日，半導體光刻膠概念股開盤即走強，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 在半導體制造方面，國內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機等核心設備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機，已經(jīng)獲得了國內(nèi)某企業(yè)的認證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:372200 德國達姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領(lǐng)先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:102646 
光刻膠是光刻機研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0011281 摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687 
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-01-27 15:55:14448 臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-02-11 15:24:33419 
摘要 新的全濕剝離工藝在去除高度注入的光刻膠時不需要干等離子體灰化工藝，同時保持低缺陷水平和至少相當于記錄工藝的高產(chǎn)量性能。灰化步驟的消除減少了不希望的基板損壞和材料損失，改善了周期時間，釋放
2022-03-01 14:39:431350 
摘要 在這項工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導體光刻膠中的應用。這些實驗中使用的獨特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級，與銅兼容且無毒。實驗的第一階段是確定是否在合理的時間內(nèi)與光刻膠
2022-03-03 14:20:05451 
半導體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:56733 
在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線后離子注入（源極/漏極、擴展），使用PR來阻斷部分電路導致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。
2022-03-24 16:03:24778 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來減少負光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對浮渣平均數(shù)量的影響。實驗表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23754 
/O2氣體氣氛中進行干洗，在CF4等離子體條件下進行干燥，在O2等離子體的條件下進行干燥劑后， 通過執(zhí)行濕式清潔工藝去除上述殘留光刻膠，可以徹底去除半導體裝置制造過程中使用的光刻膠，增進半導體裝置的可靠性，防止設備污染。
2022-04-13 13:56:42872 
本文的目標是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競爭力的首席運營官的同時改善權(quán)衡。 將開發(fā)濕化學抗蝕劑去除溶液的能力與對工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對
2022-05-07 15:11:11621 
上蝕刻后光刻膠和BARC層的去除，掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線光電子能譜(XPS)用于評估清洗效率，使用平面電容器結(jié)構(gòu)確定暴露于等離子體和濕化學對低k膜的介電常數(shù)的影響。 對圖案化結(jié)構(gòu)的橫截面SEM檢查表明，在幾種實驗條件和化學條件下可以實現(xiàn)蝕刻后PR的完
2022-05-30 17:25:241114 
本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174870 南大光電最新消息顯示，國產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國家“02專項”驗收的ArF光刻膠項目實施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:141285 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機械與化學性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對光能發(fā)生光化學反應；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0415816 光刻膠是IC制造的核心耗材，技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預計2022年全球半導體光刻膠市場規(guī)模達到23億美元，同比增長7.5%，2025年超過25億美元。
2023-03-21 14:00:492095 光刻是半導體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項重要指標。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
近期，萬潤股份在接受機構(gòu)調(diào)研時透露，其“年產(chǎn)65噸半導體用光刻膠樹脂系列”項目已經(jīng)順利投入運營。該項目旨在為客戶提供專業(yè)的半導體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328 光刻膠類別的多樣化，此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品，也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 光刻膠主要下游應用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應用，占比30%。光刻膠在半導體制造應用占比24%，是第三達應用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠是一種涂覆在半導體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機上的模板或掩模來進行曝光。
2024-03-04 17:19:18399
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論