電子發燒友網報道（文/黃山明）作為第三代半導體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導體產品去庫存的市場節奏截然不同。市場中高性能碳化硅仍然持續緊缺，并且隨著新能源汽車的蓬勃發展，也帶動著碳化硅市場熱度
2023-07-07 01:15:00
943 和發電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 共讀好書 碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15410 
平煤神馬集團碳化硅半導體粉體驗證線傳來喜訊——實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創芯公司碳化硅半導體粉體在長晶方面的獨特優勢。
2024-02-21 09:32:31337 英飛凌科技與Wolfspeed近日宣布，將擴展并延長雙方最初于2018年2月簽署的150mm碳化硅晶圓長期供應協議。這一合作旨在滿足不斷增長的市場需求，并提升英飛凌供應鏈的穩定性。
2024-01-31 17:31:14439 英飛凌技術公司與美國北卡羅來納州達勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家專門生產碳化硅（SiC）材料和功率半導體器件的制造商 — 已經擴大并延長了他們的現有長期150毫米碳化硅（SiC）晶圓供應
2024-01-30 17:06:00180 
英飛凌和美國碳化硅制造商Wolfspeed近日共同發表聲明，延長并擴大了已于2018年2月簽訂的150毫米碳化硅晶圓長期供應合同。該合作內容還包含了一份多年的產能預留協議。
2024-01-24 14:26:31301 ）與全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed 公司（美國紐約證券交易所上市代碼：WOLF）于今日宣布擴大并延伸現有的長期 150mm 碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于 2018 年 2 月）。
2024-01-24 09:51:01239 Wolfspeed 的問題源于其另一家工廠的生產混亂，該工廠是最大的碳化硅晶圓制造商之一。晶圓是其芯片的基礎，供應不足正在抑制莫霍克谷芯片工廠的生產。
2024-01-23 17:09:37830 
碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 17:18:29502 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14292 
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導體材料的功率電子設備，主要用于將直流電轉換為交流電。與傳統的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優越性能，如更高的開關頻率、更低的導通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實現碳化硅器件性能和可靠性提升的關鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27112 
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:31195 碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 車用SiC碳化硅的五大難點和應對方案近年來，包括SiC在內的第三代半導體器件在汽車上的應用比例與日俱增。但在專業人士看來，這并不會是一個簡單的事情。一以車用引線框架來看，盡管Si、碳化硅/氮化鎵引線
2024-01-06 14:22:15410 
隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力，將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
2024-01-06 14:15:03353 在當今快速發展的電力電子領域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關注。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 以SiC為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生產技術和器件制造水平最成熟，應用最廣
2023-12-25 17:05:22525 碳化硅在溫度傳感器中的應用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業和高溫環境下的溫度測量領域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30207 隨著科技的快速發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進的電力電子設備，已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰以及未來發展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359 隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優點
2023-12-14 09:14:46240 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現更小尺寸的產品設計和更高的效率。
2023-12-11 11:48:24391 
碳化硅和igbt的區別? 碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）都是在電子領域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應用，但在結構、材料、性能和應用方面存在一些顯著差異。本文將詳細介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531785 碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質
2023-12-08 11:28:51740 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 進的SiC制造工廠之一。該工廠全負荷生產時，每年可生產超過一百萬片200mm SiC晶圓，能夠滿足市場對碳化硅器件的迅速增長需求。 安森美在第三季度取得了 21.8 億美元的穩健業績，接近其上季度的指導范圍上限。 全年碳化硅營收預計將創新高。 對于2024年的預期，
2023-12-07 10:25:02231 目前，全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數據包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統的硅基功率器件相比，SiC具有多項優勢，這些器件憑借其成本效益和制造工藝的簡單性而長期主導市場。
2023-12-05 09:39:09319 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 隨著電動汽車和充電站對高電壓和在高溫惡劣環境下工作的要求日益加大，碳化硅（SiC）因其制造和包裝成本高昂，推廣初期步履蹣跚。然而情況正在改變，根據PowerAmerica首席技術官Victor Veliadis介紹，目前SiC電力模塊的價格已經與硅基模塊持平，這進一步促進了供應合作以及新的SiC工廠的建造。
2023-12-03 11:30:00124 
本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
2023-11-27 17:48:06642 
基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動汽車直流快充開發指南-結構和規格
2023-11-27 16:15:55331 
前段時間，奧迪宣布年底生產碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時Lucid也發布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423 如何保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
2023-11-23 17:00:21163 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產品組合豐富，提供優異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00319 
碳化硅（SiC）技術比傳統硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術更具優勢，包括更高的開關頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發展趨勢及其在儲能系統（ESS）中的應用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29389 硅是半導體的傳統材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應用。它提供了更高的效率，并擴展了功率密度和工作溫度等領域的功能。
2023-11-10 09:36:59481 Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應用生產新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292 環球晶董事長徐秀蘭10月26日表示，她2年前錯估了客戶對8英寸碳化硅（SiC）需求，現在情況超出預期，她強調環球晶將加快8英寸碳化硅基板產能建設，預估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進行認證，并于2025年量產。
2023-10-27 15:07:43394 中游器件制造環節，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。
2023-10-27 12:45:361181 
在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:57930 安森美半導體已完成其在韓國富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴建。該工廠將能夠以峰值產能每年生產超過100萬個200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長，安森美美計劃在未來三年內雇用
2023-10-26 17:26:58746 SiC 技術的先驅引領系統效率，高度關注可靠性和耐用性。近 20 年來， GeneSiC 開創了高性能， 堅固， 和可靠的碳化硅 （SiC） 用于汽車、工業和國防應用的功率器件.作為首批碳化硅器件
2023-10-25 16:32:01603 
業內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展，多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21967 安森美（onsemi）宣布，其位于韓國富川的先進碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片 200?mm SiC 晶圓。為了支持 SiC
2023-10-24 15:55:22780 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。SiC器件的典型應用領域包括：新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智能電網等現代工業領域，在
2023-10-07 10:12:26
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅（SiC）MOS管作為一種新型功率器件，與傳統的硅基功率器件相比，在某些特定條件下具有獨特的優勢，但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優點和缺點。
2023-09-26 16:59:07474 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環境下具有很高的穩定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應用領域和技術發展趨勢進行簡要介紹。
2023-09-12 17:25:41665 與傳統的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術相比，碳化硅（SiC）技術具有更多優勢
2023-09-12 09:45:57259 碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規模生產，用作研磨劑。碳化硅在研磨領域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應用。
2023-09-08 15:24:02887 
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806 
igbt和碳化硅區別是什么？? IGBT和碳化硅都是半導體器件，它們之間的區別主要體現在以下幾個方面。 一、材料： IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣
2023-08-25 14:50:049040 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產線，開發了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041 碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59347 
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451093 電動汽車（EV）電池系統從400V到800V的轉變使碳化硅（SiC）半導體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15418 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發展，一直在積極布局碳化硅業務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅（SiC）技術帶來了無限的新機會。只要存在對高可靠性功率系統的需求，碳化硅 MOSFET 就能在許多行業中的許多不同應用（包括必須在惡劣環境中工作的應用）中實現高效率。
2023-07-17 09:01:08174 碳化硅襯底是碳化硅產業鏈中成本最高、技術門檻最高的環節之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動，碳化硅廠商紛紛投資建設8英寸晶圓生產線，。國內外廠商如Wolfspeed、羅姆、英飛凌、意法半導體、三星和三菱電機等都宣布參與8英寸碳化硅生產的競爭。
2023-07-14 16:22:58690 2023年7月12日，羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠（宮崎縣國富町），以擴大SiC（碳化硅）功率半導體的產能。
2023-07-13 17:42:17572 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:09713 
長達 10 年的供應協議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規模化生產的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產業轉型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 ? 根據Wolfspeed的最新消息，隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產，Wolfspeed已經開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應的產品型號為C3M0040120K。莫霍克谷器件
2023-07-06 10:35:14374 伴隨著這座采用領先前沿技術 200mm 碳化硅制造工廠的建設和產能擴充計劃的執行，莫霍克谷器件工廠已經開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅 MOSFET，首批供應的產品型號為 C3M0040120K。莫霍克谷器件工廠后續還將開始更多產品型號碳化硅器件的樣品申請，并批量出貨中國市場。
2023-07-05 10:31:44370 
碳化硅晶錠的生長、切割一直是業內公認的難題，全球僅有少數幾家公司擁有大尺寸碳化硅晶片的制造能力的只有幾家公司在世界上得到認可，wolfspeed作為目前這個領域的領先者，是唯一一個8英寸碳化硅晶片
2023-06-28 09:59:39359 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
SHINRY是全球最早實現碳化硅并批量交付的企業之一，開發的碳化硅雙向OBC產品出貨量已過百萬件，使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF（DC/DC Converter for Fuel Cell）市場份額超過50%，在碳化硅器件的應用和推廣方面具備豐富的經驗和市場基礎
2023-06-27 17:41:50852 
三安光電近日宣布，將與國際功率半導體巨頭意法半導體合資一家8英寸碳化硅器件工廠。
2023-06-11 14:31:0385 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩定性好等優良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結構單元SiC構成，每個SiC結構單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩定性良好、響應速度快等特點，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 讀者的持續關注。 一、簡介 二、碳化硅功率器件產業鏈 三、碳化硅功率器件產業鏈上游 四、碳化硅功率器件設計 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應用與市場 01 | 碳化硅功率器件的應用 目前市場上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩定性相對Si材料來講，是比較差的，對應用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181173 
SiC，也稱為碳化硅，是硅和碳化物在晶體結構中的組合，大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式：單個SiC晶粒可以燒結在一起形成堅固的陶瓷;SiC纖維可以添加到聚合物
2023-05-24 11:20:481543 現在，工程師比以往任何時候都更多地選擇基于碳化硅 （SiC） 的產品，因為它們比基于硅 （Si） 的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統成本效益。除了SiC和Si之間常見的基本設計原則，以及需要牢記SiC的不同特性、功能和優勢之外，工程師還必須進行建模和仿真，以確保它們能夠滿足其設計目標。
2023-05-24 09:21:091249 
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發現的。其獨特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產品的硬質合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅（SiC）技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統，SiC MOSFET 就能為許多行業的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環境中運行的應用。
2023-05-19 11:27:34547 碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材料的一種，屬于寬禁帶半導體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優勢，是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎性材料。
2023-05-18 09:54:341934 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:041222 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
碳化硅(Silicon carbide，簡稱SiC)是一種化合物半導體，多年來一直受到電子行業的關注。SiC憑借其獨特的物理和電氣性能，有可能實現更高效、更緊湊的電子設備。
2023-04-17 09:25:24229 Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 社會的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料，因為碳化硅相較于硅材料可進一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器，但其具有極為廣泛的應用前景，包括車輛電氣化和工業設備
2023-04-11 15:29:18
來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201220 
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質量的襯底可以從外部購買得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于
2023-04-06 16:19:011295 
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結構，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:48
17 得到，高質量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著極高的要求。這篇文章 將 為您介紹 SiC MOSFET器件設計 和制造
2023-03-30 22:15:011425
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