不同的蝕刻劑(氯化鐵和氯化銅)進行化學蝕刻。研究了選擇的蝕刻劑和加工條件對蝕刻深度和表面粗糙度的影響。實驗研究表明，氯化鐵產生的化學腐蝕速率最快，但氯化銅產生的化學腐蝕速率最快最光滑的表面質量。 關鍵詞:化學蝕刻；銅
2021-12-29 13:21:46
2087 
摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:481129 
，硫可以用來鈍化III-V表面。本研究通過SRPES研究了濕化學處理后的一個(nh4)2s鈍化步驟的影響。此外，我們還分別用接觸角(CA)、掃描隧道顯微鏡(STM)和電感耦合等離子體質譜(ICP-MS)對各種處理后的表面潤濕性能、形態和蝕刻速率進行了研究。 實
2022-01-12 16:27:331604 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產生高頻蒸汽蝕刻劑的實現方法，描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統。
2022-04-11 16:41:191101 
引言 正在開發化學下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對CDE的要求包括在接近電中性的環境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕刻率是由含NF”和0的混合物的等離子體放電分解
2022-06-29 17:21:423345 
的晶片 (111)取向的Si晶片幾乎不受堿性溶液的侵蝕，因為在這里整個晶片表面形成蝕刻停止。因為晶片的實際取向通常相對于理想晶面傾
2022-07-11 16:07:221342 
硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚的硅晶片的成本效益和可再現性。在MACE期間
2022-07-14 17:19:33897 
晶片全面曝光的方法，使單一晶片上可以獲得更多的芯片(chip)。如此一來，雖然產率得以提高，但同時也制造一些工藝處理問題。特別在對硅晶片蝕刻深凹槽(deeptrench)工藝方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
PCB，電路板，基板上面如何出現電路呢？這就要蝕刻來實現。所謂蝕刻，先在板子外層需保留的銅箔部分，也就是電路的圖形部分，在上面預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉。銅有兩層，一層
2017-02-21 17:44:26
來激活化學氣相淀積反應。其淀積溫度一般在400℃以下，可以用來淀積氧化硅、氮化硅、PSG、BPSG、Al2O3等絕緣體及鈍化膜和非晶硅薄膜以及有機化合物和TiC、TiN等耐磨抗蝕膜。在表面硅MEMS工藝中
2018-11-05 15:42:42
。可以通過高溫的熱老化試驗確認是否漂流充分。 2．FPC化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子
2018-11-22 16:02:21
的發生不僅要進行充分漂流，而且還要進行充分干燥處理。可以通過高溫的熱老化試驗確認是否漂流充分。 2．FPC化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍
2013-11-04 11:43:31
通過高溫的熱老化試驗確認是否漂流充分。 2．FPC化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子。化學鍍
2018-08-29 09:55:15
，組裝時必須根據沉錫的先后順序進行。 6、沉銀 沉銀工藝介于有機涂覆和化學鍍鎳/沉金之間，工藝比較簡單、快速;即使暴露在熱、濕和污染的環境中，銀仍然能夠保持良好的可焊性，但會失去光澤。沉銀不具備化學鍍
2018-11-28 11:08:52
覆→清洗，過程控制相對其他表面處理工藝較為容易。 3. 化學鍍鎳/浸金 化學鍍鎳/浸金工藝不像有機涂覆那樣簡單，化學鍍鎳/浸金好像給PCB穿上厚厚的盔甲；另外化學鍍鎳/浸金工藝也不像有機涂覆作為
2018-09-17 17:17:11
令人頭痛的平坦性問題;沉錫板不可存儲太久，組裝時必須根據沉錫的先后順序進行。 6、沉銀 沉銀工藝介于有機涂覆和化學鍍鎳/沉金之間，工藝比較簡單、快速;即使暴露在熱、濕和污染的環境中，銀仍然能夠保持
2019-08-13 04:36:05
工藝介于有機涂覆和化學鍍鎳/沉金之間，工藝比較簡單、快速；即使暴露在熱、濕和污染的環境中，銀仍然能夠保持良好的可焊性，但會失去光澤。沉銀不具備化學鍍鎳/沉金所具有的好的物理強度因為銀層下面沒有鎳。7
2017-02-08 13:05:30
PCB表面OSP的處理方法PCB化學鎳金的基礎步驟
2021-04-21 06:12:39
（有害物質限制）和WEEE（廢棄電氣電子設備）法規旨在消除電子產品中的鉛和汞等有害物質，要求綠色或無鉛的PCB表面生產結束。ENIG（化學鍍鎳沉金）和ENEPIG（化學鍍鎳沉金）作為一種表面成型，不僅可以滿足
2023-04-24 16:07:02
)→FQA→成品。 (2)要點僅對導電圖形進行選擇性電鍍。板子鉆孔，化學鍍銅，光成像以形成導電圖形，這時候僅對線路和孔及焊盤進行圖形電鍍銅，使孔內平均銅厚大于等于20μm，然后接著鍍錫(錫鍍層作為蝕刻
2018-09-21 16:45:08
的距離的同時，還必須同噴淋的壓力結合在一起進行研究和設計，即要達到蝕刻的高質量還必須符合經濟性、適應性、可制造性、可維修性和可更換性。 4 壓力：在設計時要考慮到壓力對蝕刻液噴淋效果，對基板表面能否形成
2018-09-11 15:19:38
在一起進行研究和設計，即要達到蝕刻的高質量還必須符合經濟性、適應性、可制造性、可維修性和可更換性。 4 壓力：在設計時要考慮到壓力對蝕刻液噴淋效果，對基板表面能否形成均勻的蝕刻液流動和蝕刻液的流動量的均衡性
2013-10-31 10:52:34
能在腐蝕液中形成堆積并堵在腐蝕機的噴嘴處和耐酸泵里，不得不停機處理和清潔，而影響了工作效率。 三.設備調整及與腐蝕溶液的相互作用關系 在印制電路加工中，氨性蝕刻是一個較為精細和復雜的化學反應過程
2018-11-26 16:58:50
。 現在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。 1、熱風整平（噴錫） 熱風整平又名熱風焊料整平（俗稱噴錫），它是在PCB表面涂覆
2018-09-19 15:36:04
主要優點：優異的耐腐性能，即耐酸又耐堿（除硝酸等強氧化性酸外） 除此之外PCB打樣優客板還有以下優點：a.高的表面研度，經熱處理可達1100Hv b.卓越的耐磨性，相當于鍍硬鉻 c.無針孔、分層
2017-08-21 08:54:39
一般不采用強助焊劑。現在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。1.熱風整平（噴錫）熱風整平又名熱風焊料整平（俗稱噴錫），它是在
2018-07-14 14:53:48
，表面上的焊接掩模腐蝕量遠小于噴砂PCB，并且當浸入錫時，0.125mm或更大的焊接橋未發現脫落。噴砂PCB表面的焊接掩模腐蝕性最強，發現浸漬錫時，焊接橋在0.125mm以下會剝落。也就是說，火山灰最好用作預處理，其次是針刷和無紡布。噴砂作為預處理具有最差的效果。
2019-08-20 16:29:49
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻
2018-09-13 15:46:18
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
使用化學溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
。這個蝕刻步驟可以產生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學蝕刻是一個非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http
2021-07-06 09:39:22
半導體激光器非常適合與 Si 光子學的單片集成。制造具有法布里-珀羅腔的半導體激光器通常包括小面解理，但是，這與片上光子集成不兼容。蝕刻作為一種替代方法在制備腔鏡方面具有很大優勢，無需將晶片破碎成條形。然而
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結構時，表面的平滑度和蝕刻速率是關鍵參數。我們展示了一種從單晶硅創建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側壁。該技術使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
了腐蝕層。本文討論了一種新開發的由化學鍍鎳、鈀和金組成的多層涂層系統，作為一種改進工藝。實驗研究如下：用于引線鍵合研究的樣品制備（內容略）焊點試件生產加工可靠性研究（內容略）引線鍵合可靠性評估（內容略
2021-07-09 10:29:30
。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻
2018-04-05 19:27:39
pcb多層板鍍鎳金板原因分析 1、和虛假的鍍金層,和鎳層水洗時間太長或氧化鈍化,注重純凈水和加強多用熱水洗滌時間控制。 2、化學鍍鎳或鎳圓柱的問題:污染重金屬污染的代理商,建議低電流電解或活性碳濾芯
2017-09-08 15:13:02
一、化學鍍鎳液不穩定性的原因1、氣體從鍍液內部緩慢地放出鍍液開始自行分解時，氣體不僅在鍍件的表面放出，而且在整個鍍液中緩慢而均勻地放出。 2、氣體析出速度加劇出現上述情況的鍍液，若不及時采取有效
2018-07-20 21:46:42
。 ①直接感光法。其工藝過程為覆銅板表面處理→涂感光膠→曝光→顯影→固膜→修版。修版是蝕刻前必須要做的工作，可以對毛刺、斷線、砂眼等進行修補。 ②光敏干膜法。工藝過程與直接感光法相同，只是不是涂感光膠
2023-04-20 15:25:28
越來越高，化學鍍鎳/金、銅面有機防氧化膜處理技術、化學浸錫技術的采用，今后所占比例將逐年提高。本文將著重介紹化學鍍鎳金技術。2 化學鍍鎳金工藝原理化學鍍鎳金最早應用于五金電鍍的表面處理，后來以次磷酸鈉
2015-04-10 20:49:20
提高蝕刻速度。這種方法適用于小型板或原型板。浸入蝕刻通常使用添加了過硫酸鍍或過氧化氫的硫酸作為蝕刻劑。 2 滋泡蝕刻 這項技術在浸入蝕刻技術上做了一些修改，它的不同在于空氣中的氣體進入到了蝕刻溶液中
2018-09-11 15:27:47
; 檢驗 --> 包裝 --> 成品。 流程中“化學鍍薄銅 --> 電鍍薄銅”這兩道工序可用“化學鍍厚銅”一道工序替代，兩者各有優缺點。圖形電鍍--蝕刻法制雙面孔金屬化板是六、七十年代
2018-09-14 11:26:07
現在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。
2021-04-23 06:26:30
改善。是絕佳高CP值選擇的MOSFET正面金屬化工藝。接下來，將深入介紹化學鍍工藝如何進行。 一、化學鍍工藝最重要的起始點-前處理(一)鋁墊的清洗和蝕刻 前處理主要是在進行鋁墊的清洗和蝕刻，將鋁墊表面
2021-06-26 13:45:06
否漂流充分。 2.柔性電路板化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子。化學鍍金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:54:35
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
許多小型的金屬品，在電鍍前須要小心去掉棱角，消除刮痕及拋光表面，以達成最完美的基地，鍍后外表才有最好的美觀及防蝕的效果。通常這種鍍前基地的拋光工作，大型物可用手工與布輪機械配合進行。但小件大量者則須
2018-08-29 16:29:01
一般不采用強助焊劑。現在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。1.熱風整平（噴錫）熱風整平又名熱風焊料整平（俗稱噴錫），它是在
2018-08-18 21:48:12
（負相）、化學鍍銅、去除抗蝕劑。 --半加成法：鉆孔、催化處理和增粘處理、化學鍍銅、成像（電鍍抗蝕劑）、圖形電鍍銅（負相）、去除抗蝕劑、差分蝕刻。 --部分加成法：成像（抗蝕刻）、蝕刻銅（正相
2018-09-07 16:33:49
流程絕大部分工藝都是相似的。各個工藝環節對純水的要求也是大同小異。我們在線路板生產過程中常用到的電鍍銅，錫，鎳金;化學鍍鎳金;PTH/黑孔;表面處理蝕刻等生產過程都需要用到不同要求的純水。此文章轉自
2012-12-12 14:25:08
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。 一.蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
如題，PCB表面處理聽說有有機涂覆（OSP），化學鍍鎳/浸金，浸銀，浸錫等 這些處理方式在PCB文件中有體現么？如 PCB那一層代表著表面處理方式呢？還是在制板時給廠家說明就好了呢？另外，一般PCB
2019-04-28 08:11:16
Silane Treatment)，加入傳統處理 方式之后，亦可有此效果。它同時產生一種化學鍵，對于附著力有幫助。
2018-02-08 10:07:46
`求助鋁合金表面鍍化學鎳處理焊接不良問題:1. 焊接后表面發黑2. 焊接潤濕性不良化學鎳厚度25um, 該產品焊接兩次,一次在孔內焊接PIN, 發現表明發黑; 二次焊接一個感應器及鋁合金基座, 潤濕不良, 請各位幫忙指導!`
2014-10-14 13:13:22
否漂流充分。 2.柔性電路板化學鍍 當要實施電鍍的線路導體是孤立而不能作為電極時，就只能進行化學鍍。一般化學鍍使用的鍍液都有強烈的化學作用，化學鍍金工藝等就是典型的例子。化學鍍金液就是pH值非常高
2017-11-24 10:38:25
針對現有電解式測厚儀測量的鍍種有限、測量數據難以存儲、處理等迫切需要解決的問題，介紹了一種基于PC 機的數控電解式化學鍍測厚儀的軟、硬件設計與實現，很好地克服了現
2009-08-21 11:16:42
8 印制電路板化學鎳/金工藝是電路板表面涂覆可焊性涂層的一種。其工藝是在電路板阻焊膜工藝后在裸露銅的表面上化學鍍鎳，然后化學鍍金。該工藝既能滿足日益復雜的電路板裝
2009-10-17 14:55:0231 ; 化學鍍鎳金工藝原理化學鍍鎳金最早應用于五金電鍍的表面處理，后來以次磷酸鈉（NaH2PO2）為還原劑的酸性鍍液，逐漸運用于印制板業界。我國港臺地區起步較早，而大陸則較晚，于1996年前后才開始
2006-04-16 21:24:27884 3 化學鍍鎳金工藝流程作為化學鍍鎳金流程，只要具備以下6個工作站就可滿足
2006-04-16 22:00:292112
印制線路板的化學鍍銀
2009-09-08 15:10:47612 
化學鍍是新新研究出的一種金屬表面處理技術，工藝簡便、節能、環保，擁有廣泛的應用。以其優良的防護性能和優越的功能成為了全世界表面處理技術的一個重要發展方向。
2010-10-26 14:05:283910 探討印制電路板用化學鍍鎳金工藝
2016-06-15 15:53:570 焊墊表面處理(OSP,化學鎳金)
2017-01-28 21:32:490 電路板的電鍍工藝流程 （1）圖形電鍍法 覆銅箔板一鉆孔一去毛刺一表面清整處理一弱腐蝕一活化一化學鍍銅一全板鍍銅一蝕刻電鍍圖形成像一圖形電鍍銅一鍍錫鉛或鎳金一退除抗蝕劑一蝕刻一熱熔一涂
2017-09-26 15:18:050 PCB采用不同的樹脂系統和不同材料的基板。樹脂體系的差異將導致處理化學鍍銅的活化效果和處理化學鍍銅的過程中的顯著區別。
2019-03-03 10:08:21887 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 化學鍍銅的主要目的是在非導體材料表面形成導電層，目前在印刷電路板孔金屬化和塑料電鍍前的化學鍍銅已廣泛應用。化學鍍銅層的物理化學性質與電鍍法所得銅層基本相似。
2019-04-25 16:15:0617181 化學鍍是不加外電流而利用異相固相，液相表面受控自催化還原反應在基體上獲得所需性能的連續、均勻附著沉積過程的統稱，又稱化學沉積、非電解沉積、自催化沉積。其沉積層叫化學沉積層或化學鍍層。與電鍍比較，化學鍍技能具有鍍層均勻、針孔小、不需直流電源設備、能在非導體上堆積和具有某些特殊功用等特色。
2019-06-25 15:23:517125 化學鍍鎳層的退除要比電鍍鎳層困難得多，特別是對于高耐蝕化學鍍鎳層更是如此。不合格的化學鍍鎳層應在熱處
2019-08-20 11:21:422963 化學鍍鎳層的退除要比電鍍鎳層困難得多，特別是對于高耐蝕化學鍍鎳層更是如此。
2019-08-22 09:15:29636 化學鍍厚銅不需要電鍍設備和昂貴的陽極材料，沉銅后經防氧化處理即可進入圖形轉移工序，然后直接進行圖形電鍍，縮短了生產流程，有著非常廣泛的應用。但由于化學鍍厚銅沉積時間長，鍍層較厚，在生產中如果參數
2019-09-02 08:00:000 化學鍍技術是在金屬的催化作用下，通過可控制的氧化還原反應產生金屬的沉積過程。與電鍍相比，化學鍍技術具有鍍層均勻、針孔小、不需直流電源設備 、能在非導體上沉積和具有某些特殊性能等特點。
2019-12-03 09:31:437821 PCB線路板的表面處理工藝有很多種，常見的有熱風整平、有機涂覆（OSP）、化學鍍鎳/浸金，沉銀，沉錫等。
2020-07-25 11:20:455399 分析化學小型化的一個方便的起點是使用單c：晶體硅作為起始材料，微加工作為使技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在本文中，我們回顧了硅微加工，并描述了形成可能用于化學分析應用的通道、柱和其他幾何圖案
2021-12-22 17:29:021095 
引言 為了分析不同尺寸的金字塔結構對太陽能電池特性的影響，我們通過各種刻蝕工藝在硅片上形成了金字塔結構。在此使用一步蝕刻工藝（堿性溶液蝕刻、反應離子蝕刻(RIE)和金屬輔助化學蝕刻）以及兩步蝕刻
2022-01-11 14:05:05822 
引言 濕化學蝕刻是制造硅太陽能電池的關鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因為它們可以形成具有隨機金字塔的表面紋理，從而增強單晶硅晶片的光吸收。對于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過
2022-01-13 14:47:19624 
硅、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鎵、銦、鋁、磷或砷。在這一點上，作為我們華林科納研究的重點，GaAs晶圓是一個很好的候選，它可以成為二極管等各種技術器件中最常見的襯底之一。 襯底表面對實現高性能紅外器件和高質量薄膜層起著重要作用
2022-01-19 11:12:221185 
摘要 綜述了半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學蝕刻和 n 型半導體中各向異性孔的電化學蝕刻的最新見解。強調了電流效應在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905 
分析化學小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學習中都起到了關鍵作用。
2022-03-11 13:58:08514 
根據水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率， 并不會蝕刻掉多晶硅的特性， 工藝易于控制。 因此對于用光學顯微鏡觀察到產生水痕缺陷的晶圓，選用熱磷酸重新進行表面化學處理五分鐘
2022-03-15 15:09:53325 
本研究為了將硅晶片中設備激活區的金屬雜質分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內表面附近，研究了定量分析特定區域中金屬雜質的方法。
2022-03-21 16:15:07338 
本文章將對表面組織工藝優化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優秀，主要適用于太陽能電池量產工藝。本研究在多晶晶片表面組織化
2022-03-25 16:33:49516 
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應用了幾種分析方法，包括衰減全反射和多重內反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:03729 
中，使共有旋轉軸的多片晶片在蝕刻溶液中旋轉，通過化學反應進行蝕刻的表面處理。在化學處理之后，晶片的平坦度，因此為了控制作為旋轉圓板的晶圓周邊的蝕刻溶液的流動，實際上進行了各種改進。例如圖1所示的同軸旋轉的多個圓板
2022-04-08 17:02:101679 
用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1，2]形貌取決于以下成分 蝕刻混合物[3]硅在HF-HCl[1]Cl2
2022-04-12 14:10:22361 
旋轉軸的多片晶片在蝕刻溶液中旋轉，通過化學反應進行蝕刻的表面處理。在化學處理之后，晶片的平坦度，因此為了控制作為旋轉圓板的晶圓周邊的蝕刻溶液的流動，實際上進行了各種改進。例如圖1所示的同軸旋轉的多個圓板的配置為基礎，旋轉圓板和靜止圓板交替配置等。
2022-04-12 15:28:16943 
硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-1清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行佛山清洗后用去離子水沖洗的步驟，對所有種類的硅晶片進行蝕刻預處理，特別是P(111)。
2022-04-13 13:35:46852 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微電擊穿會降解。利用
2022-04-14 13:57:20459 
為了將硅晶片中設備激活區的金屬雜質分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內表面附近，研究了定量分析特定區域中消除金屬雜質的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37666 
的粘附改善是在光刻膠涂層之前加入天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預涂層處理還改變了（100）砷化鎵的濕蝕刻輪廓，使反應限制蝕刻與未經表面處理的晶片相比更具各向同性；輪廓在[011‘]和[011]方向
2022-06-29 11:34:590 拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
半導體蝕刻設備是半導體製造過程中使用的設備。 化學溶液通過將晶片浸入化學溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導體晶片的特定層或區域，化學溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 焊墊表面處理(OSP,化學鎳金)
2022-12-30 09:21:494 IPC-4552B-中文版-sm TOC印制板化學鍍鎳 浸金（ENIG）鍍覆性能規范
2023-12-25 09:44:074
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