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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>安森美發(fā)布全球首款To-Leadless封裝的碳化硅MOSFET

安森美發(fā)布全球首款To-Leadless封裝的碳化硅MOSFET

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一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

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2024-02-21 18:24:15410

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件因其寬禁帶、耐高壓、高溫、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)等優(yōu)點(diǎn)備受矚目。然而,如何充分發(fā)揮碳化硅器件的性能卻給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)封裝技術(shù)在應(yīng)對(duì)
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全球IGBT/碳化硅模塊生產(chǎn)廠商概覽

  在全球范圍內(nèi),有多家企業(yè)生產(chǎn)IGBT/碳化硅模塊,以下是一些知名的企業(yè)。
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碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γ瑢⒃诙鄠€(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動(dòng)汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
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碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個(gè)優(yōu)勢(shì)。 1. 高溫特性: 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
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碳化硅MOSFET并聯(lián)運(yùn)作提升功率輸出

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碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用

碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力,碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測(cè)量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中,我們將討論
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2023-12-15 09:45:53607

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
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碳化硅和igbt的區(qū)別

碳化硅和igbt的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領(lǐng)域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應(yīng)用,但在結(jié)構(gòu)、材料、性能和應(yīng)用方面存在一些顯著差異。本文將詳細(xì)介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531785

碳化硅和氮化鎵哪個(gè)好

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料,但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
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碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

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2023-12-08 09:49:23438

以創(chuàng)新碳化硅技術(shù)賦能,安森美獲ASPENCORE 2023全球電子成就獎(jiǎng)和亞洲金選獎(jiǎng)

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的 安森美 ( onsemi ,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),宣布其 碳化硅仿真工具 獲全球電子技術(shù)領(lǐng)域知名媒體集團(tuán)AspenCore頒發(fā)2023全球
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深度洞察 | 安森美碳化硅產(chǎn)品與實(shí)力如何再下一城?

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基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體的碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
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2023-10-27 12:45:361181

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)盤點(diǎn)

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安森美半導(dǎo)體已完成其在韓國(guó)富川的全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠的擴(kuò)建。該工廠將能夠以峰值產(chǎn)能每年生產(chǎn)超過100萬(wàn)個(gè)200毫米SiC晶圓。為了支持SiC制造能力的增長(zhǎng),安森美美計(jì)劃在未來三年內(nèi)雇用
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安森美韓國(guó)富川碳化硅超大型制造工廠正式落成

安森美(onsemi)宣布,其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬(wàn)片 200?mm SiC 晶圓。為了支持 SiC
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東芝第3代碳化硅MOSFET為中高功率密度應(yīng)用賦能

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不容小覷!碳化硅晶圓沖擊傳統(tǒng)硅晶圓市場(chǎng)!

晶圓碳化硅
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碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
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第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

碳化硅的作用遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于你的想象

的硅基MOSFET相比,碳化硅MOSFET的尺寸可以顯著減小到原來的1/10,導(dǎo)通電阻也至少可以減小到原來尺寸的1/100。與硅基IGBT相比,同等規(guī)格的碳化硅MOSFET的總能量損耗可大大降低70%。
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碳化硅為什么如此火爆呢

隨著新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā),電動(dòng)汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場(chǎng),行業(yè)普遍預(yù)估,2027年車用碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50186

碳化硅 (SiC)的歷史與應(yīng)用

碳化硅(SiC),通常被稱為金剛砂,是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在,但其出現(xiàn)相對(duì)罕見。然而,自從1893年以來,粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn),用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史,主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02887

碳化硅SiC功率器件,全球市場(chǎng)總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場(chǎng)份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451806

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32732

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝

點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布, 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝碳化硅(SiC)MOSFET
2023-09-04 15:13:401134

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?

igbt和碳化硅區(qū)別是什么?? IGBT和碳化硅都是半導(dǎo)體器件,它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。 一、材料: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣
2023-08-25 14:50:049040

瞻芯電子正式開發(fā)第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線,開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展,碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響

  碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-08-16 10:28:21656

車用碳化硅功率模塊的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展趨勢(shì)

當(dāng)前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢(shì),碳化硅材料七成以上來自美國(guó)公司,歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈,日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-15 10:07:41260

碳化硅功率器件:革命性的封裝技術(shù)揭秘

碳化硅(SiC)作為一個(gè)新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料,已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力,封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來 #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著國(guó)內(nèi)對(duì)碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入,國(guó)內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計(jì)的水平逐步提升,研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49854

力源信息與安森美設(shè)立應(yīng)用聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

先生和安森美亞太區(qū)分銷商管理高級(jí)總監(jiān)高興先生等領(lǐng)導(dǎo)出席揭牌儀式并參觀了實(shí)驗(yàn)室。MikeBalow先生和趙馬克先生共同揭牌力源&安森美碳化硅技術(shù)中心暨碳化硅應(yīng)用聯(lián)合
2023-07-31 18:02:58736

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451093

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-07-21 11:42:14623

安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作, 協(xié)議總價(jià)值超10億美元

,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner),擴(kuò)大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納
2023-07-20 18:01:24663

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:01724

安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元

證交所股票代碼:BWA),擴(kuò)大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(zhǎng)期以來,雙方
2023-07-19 11:15:03421

逆變器中600V-1200V碳化硅MOSFET預(yù)備起飛

逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為27%。
2023-07-17 11:33:24278

Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要

碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作的應(yīng)用)中實(shí)現(xiàn)高效率。
2023-07-17 09:01:08174

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求,
2023-07-10 10:49:09713

Wolfspeed開始向中國(guó)終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET

工廠后續(xù)還將開始更多產(chǎn)品型號(hào)碳化硅器件的樣品申請(qǐng),并批量出貨中國(guó)市場(chǎng)。 C3M0040120K是一款1200 V/40 mΩ/66 A第三代分立式碳化硅MOSFET,采用TO-247-4封裝
2023-07-06 10:35:14374

Wolfspeed與欣銳科技合作推進(jìn)碳化硅在新能源汽車及充電樁領(lǐng)域應(yīng)用

SHINRY是全球最早實(shí)現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一,開發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過百萬(wàn)件,使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF(DC/DC Converter for Fuel Cell)市場(chǎng)份額超過50%,在碳化硅器件的應(yīng)用和推廣方面具備豐富的經(jīng)驗(yàn)和市場(chǎng)基礎(chǔ)
2023-06-27 17:41:50852

緯湃科技和安森美簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,共同投資于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

緯湃科技首席執(zhí)行官Andreas Wolf說:“高能效碳化硅功率半導(dǎo)體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價(jià)值鏈。通過這項(xiàng)投資,我們?cè)谖磥硎晟踔粮L(zhǎng)時(shí)間內(nèi)都能確保該項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的供應(yīng)。”
2023-06-06 15:03:47602

碳化硅原理用途及作用是什么

碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料,具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成,碳化硅由結(jié)構(gòu)單元SiC構(gòu)成,每個(gè)SiC結(jié)構(gòu)單元都由一個(gè)硅原子
2023-06-05 12:48:351971

緯湃科技和安森美簽署碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,共同投資于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 緯湃科技正在鎖定價(jià)值 19億美元(17.5億歐元)的碳化硅(SiC)產(chǎn)能 緯湃科技通過向安森美提供 2.5億美元(2.3億歐元)的產(chǎn)能投資 ,獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù),以實(shí)現(xiàn)
2023-06-02 19:55:01348

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù)

碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括: 1. 閾值電壓(Vth)- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加,MOSFET的開關(guān)速度會(huì)變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032010

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

基本半導(dǎo)體攜碳化硅MOSFET新品亮相SNEC國(guó)際光伏展

? 5月, SNEC第十六屆(2023)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì) 在上海新國(guó)際博覽中心重磅舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ,以及全系 汽車級(jí)碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502

碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來講,是比較差的,對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181173

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件

智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實(shí)現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。
2023-05-25 10:39:07281

碳化硅MOSFET助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-25 10:05:21459

碳化硅與工業(yè)應(yīng)用的未來

首先,讓我們簡(jiǎn)要介紹一下碳化硅到底是什么,以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個(gè)有趣的事實(shí)是,碳化硅碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實(shí)上,碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨(dú)特的性能非常有前途,以至于今天,我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境中運(yùn)行的應(yīng)用。
2023-05-19 11:27:34547

精華!SiC碳化硅封裝設(shè)備知識(shí)介紹,探索新型半導(dǎo)體材料制備的新前沿

集成電路SiC碳化硅
北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2023-05-13 10:46:45

安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

)。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅(SiC)功率器件,以提高其智能電動(dòng)汽車(EV)的能效,從而提升性能,加快充電速度,延長(zhǎng)續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ,以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容,實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29276

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426

碳化硅:第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

碳化硅“備戰(zhàn)”光伏市場(chǎng)

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 本文來源:中國(guó)電子報(bào) 在能源電子產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的背景下,全球光伏裝機(jī)量持續(xù)攀升,為碳化硅帶來可觀的市場(chǎng)增量。Yole研報(bào)預(yù)計(jì),應(yīng)用于光伏發(fā)電及儲(chǔ)能的碳化硅市場(chǎng)規(guī)模將在2025年達(dá)到
2023-04-20 07:15:07582

Diodes推出工業(yè)級(jí)碳化硅DMWS120H100SM4 N

Diodes公司(Diodes) (Nasdaq:DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET
2023-04-13 16:30:16215

貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023 年4 月12 日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅
2023-04-13 14:46:11747

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景,包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

來源:碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201220

揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買到,可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ),高性能的碳化硅器件對(duì)于
2023-04-06 16:19:011295

SIC碳化硅MOSFET的制造工藝

介紹了SIC碳化硅材料的特性,包括材料結(jié)構(gòu),晶體制備,晶體生長(zhǎng),器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817

國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入,國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)

在車載充電器領(lǐng)域,碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。
2023-03-31 10:52:46427

一文為您揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造

本文作者: 安森美汽車主驅(qū)功率模塊 ??????????????????產(chǎn)品線 經(jīng)理 Bryan Lu 眾所周知,對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說,高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買
2023-03-30 22:15:011425

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 10:30:041284

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