在本文中，我們詳細研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分數對蝕刻速率的依賴關系。我們還研究了氮化鋁摩爾分數差異較大的紫外發光二極管結構的濕法刻蝕特性。
2021-12-13 14:58:12
1270 
引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤濕性和光致發光(PL)測量研究了HF水 溶液中化學清洗的GaP(OOl)表面。SE數據清楚地表明，溶液在浸入樣品后(W1
2021-12-22 17:30:401612 
引言 用多能氬離子輻照x射線切割鈮酸鋰單晶，產生厚度為400納米的均勻損傷表面層，研究其在HF水溶液中的腐蝕行為。使用不同的酸溫度和濃度，表明可以通過將溫度從24℃提高到55℃來提高蝕刻速率，同時
2021-12-23 16:36:591300 引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結構和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項研究中，銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:462087 
摘要 在印刷和蝕刻生產厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現工藝優化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:481129 
摘要 我們華林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統在純鋁電路光刻制造中的潛在生產應用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度
2022-01-07 15:40:121194 
被劃分為與晶體表面的不同狀態和各種蝕刻機制相對應的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學蝕刻具有重要的技術和科學意義。該解決方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
是該晶格中唯一光滑的面，其他面可能只是因為表面重建而是光滑的。通過這種方式，我們解釋了在001方向上KOH：H20中的最小值。實驗對HF：HN03溶液中接近001的最小蝕刻率的形狀和從各向同異性向各向異性蝕刻的過渡進行了兩個關鍵預測。
2022-01-25 13:51:111721 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強烈依賴性，可以以高度可控和可重復的方式制備多種
2022-03-08 14:07:251768 
在本研究中，我們設計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設計，作為一種很有前途的工藝發展。
2022-03-28 11:01:491943 
本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制作了光滑的垂直墻和懸吊梳式結構。
2022-04-26 14:08:172514 
以形成非球面表面。 我們使用 100 525 μm的硅晶片，在正面上具有1 μm的SiO2掩模，在背面上具有保護性的氮化物層。用于整個過程的蝕刻劑是85℃的33重量%的KOH:H2O溶液。 我們設計了許多
2022-05-11 14:49:58712 
項工作中，使用光刻和蝕刻技術將晶體硅(c- Si)晶片深度蝕刻至厚度小于20 μm。使用SPR 220-7.0和SU-8光刻膠，使用四甲基氫氧化銨(TMAH)濕法各向異性蝕刻和基于等離子體的反應離子蝕刻(RIE)。二氧化硅用作TMAH蝕刻的制造層。4英寸c-Si晶片的TMAH蝕刻在80℃的溫度
2022-06-10 17:22:587362 
。二氧化硅通過分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH
2022-07-08 15:46:161092 
蝕刻機理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強含水堿性介質蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(OH) 2- + 2 H 因為不同晶面的Si原子
2022-07-11 16:07:221342 
他方向上的蝕刻速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因為其在制造中的可重復性和均勻性，同時保持了較低的生產成本。異丙醇(IPA)經常添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:062774 
為了在基板上形成功能性的MEMS結構，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術。
2021-01-09 10:17:20
PCB制作工藝中的堿性氯化銅蝕刻液1.特性1)適用于圖形電鍍金屬抗蝕層，如鍍覆金、鎳、錫鉛合金，錫鎳合金及錫的印制板的蝕刻。 2)蝕刻速率快，側蝕小，溶銅能力高，蝕刻速率容易控制。 3)蝕刻液可以
2018-02-09 09:26:59
蝕問題，蝕刻后的導線側壁接近垂直。 3）溫度：溫度對蝕刻液特性的影響比較大，通常在化學反應過程中，溫度對加速溶液的流動性和減小蝕刻液的粘度，提高蝕刻速率起著很重要的作用。但溫度過高，也容易引起蝕刻液
2018-09-11 15:19:38
化學反應過程中，溫度對加速溶液的流動性和減小蝕刻液的粘度，提高蝕刻速率起著很重要的作用。但溫度過高，也容易引起蝕刻液中一些化學成份揮發，造成蝕刻液中化學組份比例失調，同時溫度過高，可能會造成高聚物抗
2013-10-31 10:52:34
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素有哪些
2021-04-25 06:45:00
給定值時，溶液便會自動進行添加。 在與此相關的化學蝕刻（亦稱之為光化學蝕刻或PCH）領域中,研究工作已經開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中,所使用的溶液為二價銅，不是氨-銅蝕刻。它將
2018-11-26 16:58:50
1.問題：印制電路中蝕刻速率降低 原因： 由于工藝參數控制不當引起的 解決方法： 按工藝要求進行檢查及調整溫度、噴淋壓力、溶液比重、PH值和氯化銨的含量等工藝參數到工藝規定值。 2.
2018-09-19 16:00:15
計控制系統。當自動測得的PH結果低于給定值時，溶液便會自動進行添加。 在與此相關的化學蝕刻（亦稱之為光化學蝕刻或PCH）領域中，研究工作已經開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中，所
2018-09-13 15:46:18
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
晶體學和濕蝕刻的性質? 濕的在基于KOH的化學中，GaN 的化學蝕刻具有高度的各向異性，能夠形成垂直和光滑的多面納米結構。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch / xzl1019? 我們 可以
2021-07-08 13:09:52
常見的加工方法進行。對于我們的第一步，我們使用了幾種不同的處理方法，包括氯基等離子體中的反應離子蝕刻、KOH 溶液中的 PEC 蝕刻和切割。第二步是通過浸入能夠在晶體學上蝕刻 GaN 的化學品中完成
2021-07-07 10:24:07
發射極感興趣，這可以避免AlGaAs 的氧化和深能級問題。用于器件制造的關鍵技術操作之一是濕化學蝕刻。在我們之前的論文中，我們介紹了一組在 HC1:C H3COOH:H2O2（所謂的 KKI）溶液中
2021-07-09 10:23:37
問題，因為涉及的損害很低。此外，它們比干法蝕刻方法更便宜且不復雜。另一個重要的優點是濕法蝕刻可以選擇性地去除不同的材料。本文介紹了n型氮化鎵在幾種電解質水溶液中(光)電化學行為的基礎研究結果，以及在
2021-10-13 14:43:35
損傷并平滑垂直側壁。圖中。 在 TMAH 溶液中化學拋光不同時間后的 GaN m 面和 a 面側壁的 SEM 圖像。(a) 六方纖鋅礦結構的晶胞示意圖。(b) 鳥瞰圖（傾斜于20°) ICP 干法蝕刻
2021-07-09 10:21:36
μm 的 3''、4'' 和 6''硅晶片進行了 KOH 和 TMAH 溶液的蝕刻實驗分別是納米制造中心。3''晶片被雙面拋光并在熱氧化層上分別在60/40nm的兩側具有氮化層以獲得掩模窗口。4 英寸
2021-07-19 11:03:23
測得的PH結果低于給定值時，溶液便會自動進行添加。在與此相關的化學蝕刻(亦稱之為光化學蝕刻或PCH)領域中,研究工作已經開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中,所使用的溶液為二價銅，不是氨-銅
2018-04-05 19:27:39
摘要：在印制電路制作過程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過程具有很強的指導意義，特別是對于精細線路。本文將在一定假設的基礎上建立模型，并以流體力學為理論基礎
2018-09-10 15:56:56
蝕刻 浸入蝕刻是一種半槳技術，它只需一個裝滿蝕刻洛液的槽，把板子整個浸入到溶液中，如圖1所示。板子需要保持浸入直至蝕刻完成，這就需要很長的蝕刻時間，且蝕刻速度非常緩慢。可以通過加熱蝕刻溶液的方法來
2018-09-11 15:27:47
﹐就是盡速讓金屬表面不斷地接觸新鮮的蝕刻液。 在氨性蝕刻中﹐假定所有參數不變﹐那么蝕刻的速率將主要由蝕刻液中的氨(NH3)來決定。因此, 使用新鮮溶液與蝕刻表面相互作用﹐其主要目的有兩個﹕沖掉剛產生的銅
2017-06-23 16:01:38
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應各個薄膜。對于大多數解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
用交替微波加熱法快速制備CeO2/C復合材料,進而制備Pt-CeO2/C。用電化學方法研究了甲醇、乙醇、甘油和乙二醇在KOH溶液中在Pt/C或Pt-CeO2/C電極上的電化學氧化性能。結果顯示負載在
2011-03-11 12:31:25
適當的清潔或對溶液進行補加。 蝕刻過程中應注意的問題 減少側蝕和突沿﹐提高蝕刻系數 側蝕會產生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,側蝕的情況越嚴重。側蝕將嚴重影響印制導線的精度，嚴重的側蝕將不
2017-06-24 11:56:41
的PH結果低于給定值時，溶液便會自動進行添加。 在與此相關的化學蝕刻(亦稱之為光化學蝕刻或PCH)領域中,研究工作已經開始，并達到了蝕刻機結構設計的階段。在這種方法中,所使用的溶液為二價銅，不是氨-銅
2018-09-19 15:39:21
，不再呈光亮銀白的金屬色。采用循環伏安法研究鎳在堿性溶液中的電化學活性。研究發現：鎳片的電化學性能受到溶液濃度、電勢掃描范圍、掃描速度等因素的影響，并且具有較強的規律性。電磁干擾測試儀器：http://www.hyxyyq.com/wz/news/xpxx/90.html系統集成：http://www.oitek.com.cn
2017-09-15 10:09:37
PCB印制電路中影響蝕刻液特性的因素
一、蝕刻液的選擇
蝕刻液的選擇是非常重要的，它所以重要是因為它在印制電
2009-11-18 08:56:461166 通常所指蝕刻也稱腐蝕或光化學蝕刻（photochemicaletching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。
2019-04-25 15:41:3614173 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經分析后補加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調整到工藝充許的范圍。
2019-06-10 16:31:111816 蝕刻指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區域的保護摸去處，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版。蝕刻機可以分為化學蝕刻機及電解蝕刻機兩類。
2019-06-26 16:02:4820205 酸性蝕刻是指用酸性溶液蝕去非線路銅層，露出線路部分，完成最后線路成形。
2019-10-03 15:05:0013387 我們華林科納研究了不同醇類添加劑對氫氧化鉀溶液的影響。據說醇導致硅蝕刻各向異性的改變。具有一個羥基的醇表現出與異丙醇相似的效果。它們導致(hh 1)型平面的蝕刻速率大大降低，通常在蝕刻凸形圖形的側壁處發展。這就是凸角根切減少的原因。具有一個以上羥基的醇不影響蝕刻各向異性，并導致表面光潔度變差。
2021-12-17 15:27:53641 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學傳感器等整體MEMS裝置結構形成等中使用。 實驗 KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
。在堿性溶液中，TMAH和KOH最廣泛地用于濕法各向異性蝕刻。當考慮到互補金屬氧化物半導體的兼容性，并且熱氧化物被用作掩模層時，使用解決方案。為了獲得和氫氧化鉀之間的高蝕刻選擇性。 即R和Si的顯著蝕刻速率，氫氧化鉀優于
2021-12-28 16:36:401056 
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術、輪廓術和x光電子能譜研究了氫氟酸對GaAs晶片的腐蝕。發現在蝕刻
2021-12-28 16:34:37627 
介紹 于大多數半導體而言，陽極氧化需要價帶空穴。因此，人們期望該反應發生在黑暗中的p型半導體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導體。 氫氧化鉀溶液中硅的化學蝕刻包括兩個主要步驟:氫氧化物催化
2021-12-31 15:23:35422 
引言 通過在含有H2O2的HF溶液中蝕刻，在兩步工藝中對商用硅太陽能電池進行紋理化。銀納米粒子作為催化位點，有助于蝕刻過程。確定了在表面制備納米孔的蝕刻時間。利用光譜儀測量了硅太陽能電池表面納米結構
2022-01-04 17:15:35629 
摘要 本文對本克斯使用的鋁蝕刻劑進行調查，以長期提高蝕刻部件的質量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標準。蝕刻劑的主要問題是，由蒸發和耗盡引起的成分變化
2022-01-07 16:47:46840 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕基底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速率比在其他方向上的蝕刻速率
2022-01-11 11:50:332152 
引言 為了分析不同尺寸的金字塔結構對太陽能電池特性的影響，我們通過各種刻蝕工藝在硅片上形成了金字塔結構。在此使用一步蝕刻工藝（堿性溶液蝕刻、反應離子蝕刻(RIE)和金屬輔助化學蝕刻）以及兩步蝕刻
2022-01-11 14:05:05822 
引言 本文介紹了表面紋理對硅晶圓光學和光捕獲特性影響。表面紋理由氫氧化鉀(KOH)和異丙醇(IPA)溶液的各向異性蝕刻來控制。（001）晶硅晶片的各向異性蝕刻導致晶片表面形成金字塔面。利用輪廓測量法
2022-01-11 14:41:581050 
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結構的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(110)和(hh1)面的蝕刻速率，并在較小程度
2022-01-13 13:47:261156 
引言 濕化學蝕刻是制造硅太陽能電池的關鍵工藝步驟。為了蝕刻單晶硅，氫氧化鉀溶液被廣泛使用，因為它們可以形成具有隨機金字塔的表面紋理，從而增強單晶硅晶片的光吸收。對于多晶硅晶片，表面紋理化通常通過
2022-01-13 14:47:19624 
鎵的均方粒根粗糙度在16nm之間，在尖晶石基質上生長的氮化鎵的均方根粒度在11和0.3nm之間。 雖然已經發現基于氫氧化鉀的溶液可以蝕刻氮化鋁和氮化銦錫，但之前還沒有發現能夠蝕刻高質量氮化鎵的酸或堿溶液.在這篇文章中，我們使用乙二醇代替水作
2022-01-17 15:38:05942 
引言 我們華林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應
2022-01-17 16:21:48324 
摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機太陽能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過濕化學蝕刻得到氧化鋅納米結構。與使用氧化鋅薄膜
2022-01-20 11:27:38298 
濕法蝕刻工藝已經廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業，特別是電子工業的重要
2022-01-20 16:02:241860 
介紹 在本文中，我們首次報道了實現硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究
2022-01-20 16:46:48429 
摘要 我們華林科納用同步光電發射光譜法研究了無氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子，分別形成弱可溶性氯化鎵和可溶性氫化鎵。因此
2022-01-24 15:07:301071 
介紹 本文通過詳細的動力學研究，闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對硅的濕式化學蝕刻的機理。蝕刻實驗后，我們進行進行了化學分析并研究了蝕刻速率與溫度、蝕刻劑的硅含量利用率和攪拌速度的函數關系
2022-01-24 15:41:131340 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應用于InP半導體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統蝕刻劑中，為了解決溶解機理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學反應。
2022-02-09 10:54:58727 
我們華林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產生了光滑的高質量蝕刻表面，同時通過原子力顯微鏡測量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進行深度濕法蝕刻，以提高熔融石英光學器件在351 nm波長
2022-02-24 16:26:032429 
在 KOH 水溶液中進行濕法化學蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
劑對不同晶面的蝕刻速率分布，解釋了氫氧化鉀在凸角處的倒圓效應。為了確定快速蝕刻的平面 ,已經對圓角的形狀進行了模擬。執行的實驗結果與蝕刻拐角的模擬形狀非常相似。
2022-03-07 15:26:14372 
在本文中，我們首次報道了實現硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅111的晶體蝕刻。本文描述了用于該研究的溶液的化學組成，隨后是使用電子和光學顯微鏡獲得的結果。蝕刻的機理，雖然沒有完全理解，將在下面的章節中討論。
2022-03-09 14:35:42460 
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應性濺射制備
2022-03-09 14:37:47431 
我們開發了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結構，這些微結構具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結構以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無論是與表面結構相關，缺陷相關，由于表面存在的氧化層，還是由于有機殘差。
2022-03-16 13:08:09619 
實驗研究了預清洗對KOH/IPA溶液中單晶硅表面紋理化的影響。如果沒有適當的預清洗，表面污染會形成比未污染區域尺寸小的金字塔，導致晶片表面紋理特征不均勻，晶片表面反射率不均勻。根據供應商的不同，晶片的表面質量和污染水平可能會有所不同，預清洗條件可能需要定制，以達到一致和期望的紋理化結果。
2022-03-17 15:23:08501 本文我們華林科納半導體有限公司研究了類似的現象是否發生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細研究了丁基醇濃度對（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對氫氧化鉀溶液的蝕刻結果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機理，我們還對溶液的表面張力進行了測量。
2022-03-18 13:53:01288 
使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散、減重、蝕刻速率、表面形貌和結晶性
2022-03-18 16:43:11529 
在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態通過計算算術平均粗糙度(Ra)和U-V-可見光-近紅外光學反射率
2022-03-21 13:16:47573 
為了形成膜結構，單晶硅片已經用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片的主平面上傾斜45°。根據圖案方向和蝕刻劑濃度
2022-03-25 13:26:342503 
本研究根據蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質物性值變化時的噴霧特性，并考察了與蝕刻特性的相互關系。
2022-04-07 16:16:39398 
本研究根據蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質物性值變化時的噴霧特性，并考察了與蝕刻特性的相互關系。
2022-04-14 14:02:00394 
本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來進行的。事實上，與通常
2022-04-22 14:04:19591 
劑濃度觀察到不同的蝕刻特性，當氫氧化鉀濃度固定為20wt%時，在80℃以上的蝕刻溫度下觀察到U形槽的蝕刻形狀，在80℃以下觀察到V形槽的蝕刻形狀，蝕刻硅表面產生的小丘隨著蝕刻劑溫度和濃度的增加而減少。 為了了解單晶硅的KOH溶液和K
2022-05-05 16:37:362656 
本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應晶體管中的鰭式溝道設計成直而光滑的溝道側壁的新技術。因此，詳細描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發現m-GaN平面比包括a-GaN平面在內的其他取向
2022-05-05 16:38:031394 
速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因為其在制造中的可重復性和均勻性，同時保持了較低的生產成本。異丙醇(IPA)經常添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。
2022-05-09 15:09:201419 在本研究中，通過對目標區域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發展了一種在石英表面產生三維納米結構的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過各種納米結構來展示，包括斜坡、分級階段和棋盤狀圖案。在不同溫度下測試掃描區域的蝕刻速率。為了制造更深層次的結構，人們嘗試在現有的納米結構上重新制作。
2022-05-13 13:51:35367 
我們華林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243160 我們華林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時間和刮刻載荷的影響，通過對比試驗，評價了硅摩擦誘導的選擇性蝕刻的機理，各種表面圖案的制造被證明與控制尖端痕跡劃傷。 蝕刻時間
2022-05-20 16:37:451683 
本文講述了我們華林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結處的成核的影響，以這種方式影響蝕刻或生長速率的結可以
2022-05-20 17:12:59853 
摘要 微流體和光學傳感平臺通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因為它們具有光學透明性和化學惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介質，但是由于HF遷移穿過大多數掩模材料的侵蝕性
2022-05-23 17:22:141229 
本文介紹了我們華林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質，鹽酸作為陽極腐蝕介質，用掃描電鏡和透射電鏡分別觀察了蝕坑和T-Ds。
2022-05-27 16:56:03537 
引用 本文介紹了我們華林科納半導體研究了取向硅在氫氧化鉀水溶液中的各向異性腐蝕特性和凸角底切機理。首先，確定控制底切的蝕刻前沿的晶面，并測量它們的蝕刻速率。然后，基于測量數據，檢驗了凸角補償技術
2022-06-10 17:03:481113 
我們華林科納半導體開發了一種新的濕法清洗配方方法，其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min，在50°c下超過100/min。該化學品與銅和低k材料兼容，適用于銅雙鑲嵌互連28 nm和更小的技術節點
2022-06-14 10:06:242210 
在本研究中，我們華林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對ITO在最有趣的解決方案中的行為進行了更詳細的研究，試圖闡明這些浴液中的溶解機制。
2022-07-04 15:59:581434 
金屬蝕刻是一種通過化學反應或物理沖擊去除金屬材料的技術。金屬蝕刻技術可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據，提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
，雖然已經發現KOH基溶液可以蝕刻AlN和InAlN，但是之前還沒有發現能夠蝕刻高質量GaN的酸或堿溶液。在本文中，英思特通過使用乙二醇而不是水作為KOH和NaOH的溶劑，開發了一種將晶體表面蝕刻為III族氮化物的兩步法。
2023-11-24 14:10:30241 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166 
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