英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36130 電子發燒友網站提供《具有過壓保護和阻斷場效應晶體管(FET) 控制的5V/12V 電子熔絲(eFuse) 數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 11:19:420 電子發燒友網站提供《具有電平位移&可調轉換率控制的1.2V-8V,3A 聚合物薄膜場效應晶體管(PFET) 高側負載開關數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:38:190 電子發燒友網站提供《汽車應用中用于高頻CPU內核功率的同步降壓場效應晶體管 (FET) 驅動器TPS51604-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:08:470 在全球電力電子領域,英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術,標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出,標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑,為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 據麥姆斯咨詢報道,德國弗勞恩霍夫光子微系統研究所(Fraunhofer IPMS)開發出一種用于芯片式pH值測量的傳感層,并成功將其集成到離子敏感場效應晶體管(ISFET)中。
2024-03-11 09:34:31153 碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。這一創新產品系列專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用而設計。
2024-03-06 11:43:19282 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35332 場效應晶體管是一種常用的半導體器件,用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54832 IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導體器件,它結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和雙極結型晶體管(BJT)的特性。
2024-02-22 14:42:40395 ,高耐壓,高可靠性。可以實現節能降耗,小體積,低重量,高功率密度等特性,在新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網等領域具有明顯優勢。 一. 碳化硅MOSFET常見封裝TO247 碳化硅MOSFET是一種基于碳化硅半導體材料的場效應晶體管。它的工
2024-02-21 18:24:15410 場效應管,即場效應晶體管(簡稱FET),是一種電壓控制型半導體器件。
2024-02-20 15:31:17517 繼電器通過通斷線圈產生磁場來控制機械開關,實現對電路的控制。而場效應晶體管(MOS管)是一種基于半導體材料工作的場效應晶體管,通過柵極施加正負偏壓來控制漏極與源極之間的通斷狀態。
2024-02-18 10:16:41546 是設計成功的關鍵。 為了滿足這些要求,開關模式電源系統的設計者需要從使用傳統的硅 (Si) 基金屬氧化物場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 轉為使用其它器件,因為硅器件正在迅速接近其理論極限。 因此設計者需要考慮基于寬帶隙 (WBG) 材料的器件,如
2024-02-13 17:34:00657 Qorvo最近發布了一款新的碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品,這款產品專為電動汽車(EV)而設計,符合車規標準。
2024-02-01 10:22:29167 Qorvo,全球領先的綜合連接和電源解決方案供應商,近日發布了其全新車規級碳化硅(SiC)場效應晶體管(FET)產品。這款產品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝,實現了業界領先的9mΩ導通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 是,最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯,因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理,在此基礎上為什么要加電阻?
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
電子發燒友網站提供《P溝道增強型場效應晶體管 CJ2301數據手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-19 13:39:580 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
越大,而另一方面,漏源之間電壓越大,溝道電阻也越大,兩者相互作用,電流不隨有很大的變化達到平衡。此時場效應管的功率隨漏源之間電壓降增大而增大,因為此時電流基本不變。
以上是我對晶體管和場效應管的理解,如有問題請指正。
2024-01-18 16:34:45
舉例而言,一個結型場效應管,采用自偏置結構,即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻,在電源和漏極接一個負載,此時場效應管可以看做是一個互導放大器,壓控電流源,請問此時這種電路的輸入輸出電阻應該怎么求
2024-01-15 18:06:15
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場效應晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設計方式與雙極晶體管電路的設計方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40373 碳化硅二極管和碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動汽車、可再生能源系統、智能電網、軌道交通等領域具有廣泛的應用前景。
2024-01-09 09:26:49379 導電型碳化硅功率器件主要是通過在導電型襯底上生長碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數據中心、充電等基礎建設。
2023-12-27 10:08:56305 電子發燒友網站提供《SDA09T N溝道增強模式場效應晶體管規格書.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:19:430 電子發燒友網站提供《N溝道增強模式場效應晶體管SDA09T英文手冊.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:14:520 電子發燒友網站提供《N溝道增強模式場效應晶體管SDA09T規格書.pdf》資料免費下載
2023-12-22 11:32:470 【科普小貼士】什么是結型場效應晶體管(JFET)
2023-12-13 14:36:44354 【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)
2023-12-13 14:22:41262 碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
2023-12-12 09:47:33456 MOS管在直流充電樁上的應用,推薦瑞森半導650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超結MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 碳化硅和igbt的區別? 碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)都是在電子領域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應用,但在結構、材料、性能和應用方面存在一些顯著差異。本文將詳細介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531785 場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管(Field Effect Transistor,FET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關和調制等電子電路中。在FET中,柵極電流是其關鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 選擇場效應晶體管的六大訣竅
2023-12-05 15:51:38165 單晶生長,以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體;2)襯底環節,碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片,也即半導體襯底材料;
2023-12-05 15:26:53555 碳化硅(SiC)技術比傳統硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術更具優勢,包括更高的開關頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗,從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發展趨勢及其在儲能系統(ESS)中的應用,以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29389 MOSFET也已經發展到了第3代,新推出的650V和1200V電壓產品現已量產。其柵極驅動電路設計簡單,可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優勢 相同功率等級的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率,
2023-10-17 23:10:02269 根據專利摘要,該公開是關于半導體元件及其制造方法的。半導體器件包括電裝效應晶體管。電場效應晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 場效應管(MOSFET)也叫場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:34561 場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應,即在柵極和源極之間施加一個控制電壓,使得溝道區域的載流子發生漂移,從而改變電流的導通狀態。
2023-09-28 17:10:46799 在半導體器件的講解中,場效應晶體管應該說最值得拿來詳細介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04947 碳化硅MOS管是以碳化硅半導體材料為基礎的金屬氧化物半導體場效應管,與傳統的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應用等方面的區別。
2023-09-27 14:49:05812 Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管,共將分為(上)(下)兩期,包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 MOS場效應晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導體器件,圖1是N溝導MOS管芯結構原理圖,即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區,其中一個稱源,用S表示,另一個稱漏,用D表示,在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層,并引出一電極,稱柵,用G表示。應用中 D接正,8接地,G用正電源控制。
2023-09-19 11:06:05644 與傳統的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術相比,碳化硅(SiC)技術具有更多優勢
2023-09-12 09:45:57259 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ,是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體,使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291491 目前市場上出現的碳化硅半導體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結構和漂移區參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關內容進行分析。
2023-08-31 14:14:22285 柵雙極晶體管)和碳化硅器件所使用的半導體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料,而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導體材料,具有一定的電性能和可靠性,但是它的熱穩定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩定性非常好,具有更高的耐溫性能,能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:049040 根據專利摘要,本申請提供集成電路技術領域,場效應晶體管,可以簡化集成電路的制造過程,降低生產費用。集成電路由設置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。
2023-08-23 10:05:13794 場效應晶體管簡稱場效應管,它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
2023-08-18 16:01:28591 Qorvo (UnitedSiC) 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET,擴大了公司的性能地位,并擴大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產品組合
2023-08-07 14:47:17368 、開關等。這是一種電壓控制器件,不使用任何偏置電流。一旦在柵極和源極端子之間施加電壓,它就會控制 JFET 晶體管的源極和漏極之間的電流。
結型場效應晶體管(JUGFET 或 JFET)沒有 PN 結,但
2023-08-02 12:26:53
Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章,回顧了集成傳感器的主要研究進展,并重點介紹了場效應晶體管在化學和生化分析器件開發中的潛在應用。
2023-07-28 10:23:32227 逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復合年增長率為27%。
2023-07-17 11:33:24278 MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡稱,有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結構。
2023-07-11 10:56:241285 NP160N055TUKMOS場效應晶體管
2023-07-07 18:41:520 功率MOS場效應晶體管電參數指標中規定的電參數一般分為三大類:直流參數、交流參數和極限參數。
2023-07-05 14:57:19336 ,這一塊也是金航標產品的研發方向。薩科微slkoric(www.slkoric.com)半導體研發的igbt、碳化硅場效應管、ldo電源管理芯片,也廣泛應用于逆變器、電池管理等場合,和金航標的信號連接器一起使用!
2023-06-25 11:24:21
供應后羿hy1908 80V/90A mos管,提供hy1908場效應晶體管參數 ,更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-08 14:05:12
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導體中的載流子向金屬一側偏移,形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34801 功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三個管腳,分別為柵極(Gate
2023-06-05 15:12:10671 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 MOSFET是金屬-氧化物-半導體場效晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)
2023-05-26 17:23:471114 智能電源和智能感知技術的領導者安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON),推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現更出色的能效和更低系統成本。
2023-05-25 10:39:07281 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)用于許多不同類型的電源應用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及電信。在設計階段,這些廣泛使用的功率晶體管
2023-05-24 11:25:281214 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)是一種場效應晶體管,這意味著它通過使用電場來控制電流。MOSFET 通常有三個端子:柵極、漏極和源極。漏極和源極之間傳導的電流通過施加到柵極的電壓進行控制
2023-05-24 11:19:06720 柵型場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 場效應晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種半導體器件,它是一種基于電場效應的三極管。與普通的三極管相比,場效應晶體管的控制電流非常小,因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優點。
2023-05-17 15:15:374166 場效應管是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,并以此命名。僅靠半導體中的多數載流子導電,又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34848 場效應晶體管是電壓控制元件,因此和普通雙極型晶體管相比,場效應晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等特點,這就決定了場效應晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:041371 場效應晶體管是依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應),使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。
2023-05-16 15:14:081512 場效應晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應來控制輸出電路電流的半導體器件,并以此命名。因為它只依靠半導體中的多數載流子來導電,所以又稱為單極晶體管。場效應晶體管英文是Field Effect Transistor,縮寫為FET。
2023-05-16 15:02:23697 碳化硅襯底 產業鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環節主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環節。
2023-05-09 09:36:483426 Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
共源雙N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 18:19:58
P-通道
增強模式
場效應晶體管
2023-03-28 18:19:26
場效應晶體管 2個N溝道 20V 6A
2023-03-28 17:23:57
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 15:17:35
N溝道MOS場效應晶體管
2023-03-28 14:33:20
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 14:32:55
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 14:32:55
雙N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:54:37
n通道增強模場效應晶體管
2023-03-28 12:54:03
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:42
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:41
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:52:22
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-28 12:45:09
N溝道增強型場效應晶體管
2023-03-24 15:07:16
P溝道增強型場效應晶體管
2023-03-24 13:56:30
場效應晶體管硅N通道結型
2023-03-24 10:04:49
場效應晶體管硅N溝道結型
2023-03-24 10:04:48
一、物料概述ESN4485是P溝道增強型MOS場效應晶體管。采用先進的溝槽技術和設計,以低柵極電荷提供出色的RDS(ON)。該裝置適用于直流-直流轉換、電源開關和充電電路。標準產品ESN4485不含
2023-03-23 18:08:46
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